SU637420A1 - Травитель фарфора - Google Patents
Травитель фарфораInfo
- Publication number
- SU637420A1 SU637420A1 SU772507745A SU2507745A SU637420A1 SU 637420 A1 SU637420 A1 SU 637420A1 SU 772507745 A SU772507745 A SU 772507745A SU 2507745 A SU2507745 A SU 2507745A SU 637420 A1 SU637420 A1 SU 637420A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- porcelain
- etching
- etching compound
- density
- acid
- Prior art date
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
Изобретение относитс к технике травлени поверхности керамических изделий, в частности фарфора и ультрафарфора . Оно может быть применено при контроле качества изготовлени изделий на различнЕлх этапах, исследовании прочностных свойств материала в процессе его эксплуатации, например i при фрезеровании.
Известен раствор дл травлени фарфора, включающий плавиковую кислоту l .
Однако, при вы влении микроструктуры поверхности фарфора HF не применима , так как травление сопровождаетс глубоким стравливанием, разрушением структурных элементов полностью и обесцвечиванием поверхности. Поверхность становитс рыхлой, пористой , что исключает возможность дальнейшего исследовани прочности по сло м по твердости и изучени перераспределени структурных элементов по поверхности и их качественной и количественной оценки.
Целью изобретени вл етс качественное вы вление микроструктуры фарфора.
Эта цель достигаетс за счет того что травитель дополнительно содержит
пирофосфорную кислоту при следу:ощем соотношении компонентов, об.%:
Плавикова кислота (уд.вес
1,14 г/см)10-20
Пирофосфорна кислота80-90
Пример 1. Дл получени травител используют ортофосфорную кислоту (плотность 1,84) и фтористоводородную (плотность 1,14). Ортофосфорную кислоту выпаривают до пирофосфорной и добавл ют в гор чем состо нии к плавиковой кислоте. Соотношение кислот ., и HF 90:10 соответственно вы вл ет легче фарфоровые издели . Изделие погружают в раствор и стравливают при SO-ISO C. По времени стравливани расчитывают глубину сн ти , плотность сло .
Пример 2. Дл ультрафарфора лучшим соотношением вл етс 80% и 20% HF.
Используют ортофосфорную кислоту плотностью 1,84 и довод т до состй ни НдРдО путем выпаривани или готовую О и к гор чему раствору добавл ют HP плотностью 1,14, осторожно , под выт жкой, в гор чий трэ
витель опускают изделие. Врем травлени зависит от того, на какую глубину необходимо сн ть слой, от прочности сло , от степени дефектности поверхности.
Соотношение 9 к HF 9:1 вы вл етс наиболее контрастирующим составом .
Использование изобретени позволи осуществить послойное травление микроструктуры изделий с целью дальнейшего контрол за качеством продукции на различных этапах его формовани и эксплуатации.
Оно позволит исследовать свойства материала, измен ющиес при обработке изделий или его эксплуатации как шлифующего инструмента, что даст в свою очередь, возможность прогнозировать режимы технологии производства и эксплуатации фарфора и его разновидностей ,
Травление предлагаемым составом контрастирует поверхность, позвол качественнее вести исследовани . Это состав позвол ет проводить исследовани поверхности и после травлени , дава возможность получени полной картины изменени структуры и свойств по сло м, картину глубины перестройки (разрушений, упрочнени и т.д.).
Claims (1)
1. Будников п.п. Технологи керамики и огнеупоров, М., 1954, с, 250.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772507745A SU637420A1 (ru) | 1977-07-14 | 1977-07-14 | Травитель фарфора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772507745A SU637420A1 (ru) | 1977-07-14 | 1977-07-14 | Травитель фарфора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU637420A1 true SU637420A1 (ru) | 1978-12-15 |
Family
ID=20718085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772507745A SU637420A1 (ru) | 1977-07-14 | 1977-07-14 | Травитель фарфора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU637420A1 (ru) |
-
1977
- 1977-07-14 SU SU772507745A patent/SU637420A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Walker | On the differentiation of vermiculites and smectites in clays | |
Winter | Etching studies of dislocation microstructures in crystals of copper fatigued at low constant plastic strain amplitude | |
SU637420A1 (ru) | Травитель фарфора | |
Gaboriaud et al. | Dislocations in olivine indented at low temperatures | |
DE69712955T2 (de) | Verfahren zum Detektieren von Kristalldefekten in Silizium-Einkristallsubstraten | |
Fleureau et al. | Experimental study of the cracking mechanisms of clay during drying | |
Sangwal et al. | Etching studies on potassium dichromate (KBC) crystals | |
SU1733517A1 (ru) | Травитель дл вы влени структуры в оксиде алюмини | |
SU722865A1 (ru) | Травильный раствор | |
Suszyńska | Effect of impurity concentration and plastic deformation on dislocation density of KCl crystals | |
SU814971A1 (ru) | Способ вы влени микроструктурыКЕРАМиКи | |
Patel et al. | Structure of etch-pits on calcite | |
Nicoarǎ et al. | Dissolution kinetics and etch pit morphology of CaF2 single crystals | |
SU990892A1 (ru) | Способ травлени монокристаллов метаниобата лити | |
Patel et al. | Slip system in MgO single crystal | |
US5275697A (en) | Process for dissolution of a crystalline material | |
SU141643A1 (ru) | Способ изготовлени прозрачных дифракционных решеток | |
Dorozhkin | Chemical etching of natural fluorapatite crystals in acid solutions studied with the scanning electron microscope | |
Charola et al. | SEM study of the deterioration of monumental stones in Vienna | |
SU369651A1 (ru) | Травитель | |
SU808426A1 (ru) | Способ изготовлени изделий изгипСОСОдЕРжАщиХ ОТХОдОВ ХиМи-чЕСКиХ пРОизВОдСТВ | |
SU493696A1 (ru) | Способ определени глубины упрочненного поверхностного наклепанного сло | |
Sangwal et al. | The anisotropy of grinding damage, chemical polishing and etching in MgO crystals | |
SU1390536A1 (ru) | Способ определени степени гидрофобизации поверхности пористых тел | |
JPS5456763A (en) | Resistivity measuring method for semiconductor silicon single-crystal |