SE446680B - Krets for omvandling av en obalanserad ingangssignal till ett par differentiella utgangssignaler - Google Patents

Description

44_6 680 2 den andra transistorns bas växelströmsmässigt är jordad. vid dessa transistorers kollektorer tillhandahålles ett par ba- lanserade utgângssignaler. I denna enkla krets erfordras emellertidßvanligen en resistiv förspänningskrets för att bilda lämpliga förspänningar till de differentialkopplade transistorerna. Till följd av denna resistiva förspännings- krets kompliceras hela kretskonstruktionen. Spänningen från spänningskällan, eller snarare drivspänningen, som nor- malt tillföres transistorerna måste också utnyttjas för här- ledningen av de nödvändiga förspänningsförspänningarna (ne- dan för enkelhets skull endast kallade förspänningar). Det- ta innebär ett oeffektivt utnyttjande av drivspänningskällan.

En kretstyp som har föreslagits för omvandling av en obalan- serad ingângssignal till ett par balanserade utgângssignaler innefattar ett par dioder, som är kopplade i en seriekrets, vilken i sin tur är kopplad parallellt med en annan serie- krets, som består avlxs-amitefloxnsen av en transistor och en annan diod. Så länge någon signalström inte matas till denna krets kommer, under-förutsättning att en strömkälla finns för att mata en konstant ström till de parallellkopp- lade kretsarna, lika stora strömmar att gå genom de serie-_ kopplade dioderna och även genom kollektor-emitterkretsen för transistorn och den tillkommande dioden, som är kopp- lade till emittern på denna transistor. Om emitteromrâdet och de ekvivalenta emitteromrâdena i dioderna alla har li- ka stora areor och om en annan transistor har sin bas-emit- terkrets kopplad parallellt med den tillkommande dioden så kommer strömmarna genom de båda transistorerna att vid från- varo av en signalström vara lika stora. Om en signalström matas till den tillkommande dioden, dvs. om en ingångssig~ nal matas till den gemensamma kopplingspunkten, som bildas mellan emittern av den första transistorn och den tillkomman- de dioden, så kommer strömmarna genom båda transistorerna att ändra sig lika mycket men i motsatta riktningar till varandra endast om den inmatade signalströmmen är mycket mindre än den av strömkällan tillhandahallna viloströmmen. 446 680 3 Om således signalströmmen betecknas med is så kan strömmar- + na genom de två transistorerna skrivas som IQ íg Och , 2 IQ - is, där IQ är den av strömkällan tillhandahållna vilo- 2, strömmen. Tyvärr innebär det kravet att viloströmmen måste vara mycket större än signalströmmen, att antingen ström- källan måste vara mycket stor, dvs. i stånd att tillhanda- hålla en hög ström, eller att signalströmmen måste begrän- sas till ett mycket lågt värde. Om förhållandet mellan vilo- strömmen och signalströmmen inte vidmakthålles inträder dess- utom en påvallande distorsion av de genom transistorerna gå- ende utgångsströmmarna. Det är således tydligt att denna föreslagna krets inte är helt tillfredsställande.

En annan krets som föreslagits för omvandling av en obalan- serad ingångssignal till balanserade utgångssignaler beskri- ves i den amerikanska patentskriften 4 049 977. Denna kända krets bildas av två seriekretsar som är parallelïkopplade.

Den första seriekretsen bildas av ett par dioder och den andra av en tillkommande diod i serie med kollektor-emit- terkretsen av en transistor. Transistorns bas är i sin tur kopplad till den gemensamma kopplingspunkten mellan de två dioderna i den första seriekretsen. Utgångstransistorerna har sina bas-emitterkretsar kopplade parallellt med varsin diod i var och en av seriekretsarna. En strömkälla matar en viloström till parallellkretsarna på så sätt att vid från- varo av en ingångssignal går viloströmmen I0 genom den första dioden i varje seriekrets och eftersom bas~emitterspänningen i varje utgångstransistor är lika med spänningen över var och en av de första dioderna går viloströmmen ID även genom kollektor-emitterkretsen i varje utgångstransistor. Om en ingångssignal matas till den andra dioden i den första se- riekretsen, dvs. om ingångssignalen matas till den gemensam- ma kopplingspunkten mellan seriedioderna så kommer utsignal- / strömmen genom ena utgångstransistorn att öka med ett belopp som är lika med minskningen i utsignalströmmen genom den andra utgångstransistorn. Närmare bestämt kan utgångsströmmen genom 446 eso 4 4 utgângsströmmen genom den andra av transistorerna kan den ena av dessa transistorer skrivas såsom Io + Is medan skrivas såsom Io - is. Trots att dessa balanserade utsig- 4 nalströmmar inte kräver att viloströmmen Io måste vara myc- ket större än signalströmmen is har denna krets inte desto- mindre den nackdelen att insignalströmen dämpas kraftigt.

Närmare bestämt uppvisar var och en av de balanserade utsig- nalströmmarna en amplitud som endast är en fjärdedel av amp- lituden av insignalströmmen. Med andra ord uppvisar denna kända krets en förhållandevis dålig strömförstärkningsfak- tor.

Föreliggande uppfinning syftar till att åstadkomma en för- bättrad elektrisk krets för omvandling av en obalanserad in- gångssignal till ett par balanserade utgångssignaler, vilken krets övervinner de ovan nämnda nackdelarna med de tidigare kända kretsarna.

Uppfinningen avser även en förbättrad omvandlingskrets, som har vida bättre strömförstärkningsegenskap än vad som be- g skrivits ovan.

Ett annat föremål för uppfinningen är en elektrisk krets för omvandling av en obalanserad ingångssignal till ett par ba- lanserade utgângssignaler, varvid kretsen har förhållande- vis enkel konstruktion. Ännu ett föremål för uppfinningen är en elektrisk krets för omvandling av en obalanserad ingångssignal till ett par ba- lanserade utgângssignaler, varvid kretsen uppvisar minimal distorsion. i ' Uppfinningen avser även en omvandlingskrets som kräver endast en förhållandevis låg drivspänning och som därför effektivt utnyttjar en drivspänningskälla. 446 680 Den elektriska kretsen enligt uppfinningen innefattar första och andra dioder som är kopplade i en första se- riekrets, en tredje diod, samt en transistor vars kollek- tor-emitterkets är kopplad i en andra seriekrets med den tredje dioden. Det för uppfinningen utmärkande är att den första seriekretsen, som är bildad av de första och andra dioderna, är kopplad parallellt med den andra seriekretsen, som är bildad av den tredje dioden och transistorns kollek- tor-emitterkrets, att transistorn har sin bas ansluten till den gemensamma kopplingspunkten mellan de första och andra dioderna på sådant sätt, att transistorns bas-emitterkrets ligger parallellt med den andra dioden, att en strömkälla är kopplad till de med varandra parallellkopplade första och andra seriekretsarna för att mata ström till dessa, att en insignalström matas till.den gemensamma kopplingspunkten mel- lan de första och andra dioderna, samt att första och andra utgångar är kopplade till den gemensamma kopplingspunkten mellan de första och andra dioderna respektive till transis- torns kollektroelektrod för att tillhandahålla balanserade utsignalströmmar, vilka är en funktion av insignalströmmen.

Uppfinningen kommer att beskrivas närmare nedan i anslutning till de bifogade ritningarna, i vilka fig. l är ett kopp- lingsschema som visar ett förslag till en krets för omvand- ling av en obalanserad ingângssignal till ett par balansera- de utgångssignaler, fig. 2 är ett kopplingsschema som visar en utföringsform av föreliggande uppfinning, fig. 3 är ett kopplingsschema som visar en differentialförstärkare, vilken kan användas såsom en förstärkningen styrande förstär- kare och som är av den typ, som matas med balanserade signa- ler, fig. 4 är ett kopplingsschema över en utföringsform av föreliggande uppfinning när denna används i förening med en differentialförstärkare, fig. 5 är ett kopplingsschema av en annan utföringsform av föreliggande uppfinning när denna ut- nyttjas tillsammans med en differentialförstärkare och fig. 6 är ett kopplingsschema av en utföringsform av föreliggan- de uppfinning när denna används i förening med en förstärk- 446 680 6 ningen styrande förstärkare av det slag som är lätt att an- vända i t.ex. en styrkrets för färgmättnaden i en färgtele- visionsmottagare.

Innan en utföringsform av den föreliggande uppfinningen be- skrivs hänvisasttill fig. 1, som visar ett kopplingsschema för en krets, som tidigare föreslagits för omvandling av en obalanserad ingångssignal till ett par balanserade utgångs- signaler. Kretsen innefattar ett par dioder l och 2 som är kopplade i en seriekrets. Seriekretsen är kopplad parallellt med en annan seriekrets, som består av bas-emitterkretsen av en transistor 3 och en tillkommande diod 4. En strömkälla som kan alstra en i huvudsak konstant ström är ansluten till dessa parallellkopplade seriekretsar och är närmare bestämt ansluten till den gemensamma kopplingspunkten mellan anoden på dioden l och transistorns 3 bas. Med uttrycket "strömkäl- la" förstås i denna beskrivning en strömalstringskrets, vars utgångsström förblir i huvudsak konstant oberoende av varia- tioner i den belastning till vilken denna ström matas. Den av strömkällan alstrade strömstyrkan bestäms av olika para- metrar och kan om så önskas styras av en lämplig styrsignal, ett inställbärt kretselement eller liknande. En typisk ström- källa består av kollektor-emitterkretsen av en förspänd tran- sistor. Andra strömkällekretsar är även kända och såsom ett exempel kan omnämnas den enligt den amerikanska patentskrif- ten 4 049 977.

I kretsen i fig. l är dioden 4 även kopplad parallellt med bas-emitterkretsen av en annan transistor 5. Ehuru det inte visas i figuren skall förstås att en lämplig drivspännings- källa finns anordnad för att mata strömkällan och för att tillföra drivspänningar till transistorerna 3 och 5.

Antag att strömkällan avger en konstant ström, nedan även benämnd viloström, som uppgår till 2Io. Antag även att transistorernas 3 och 5 emitteromrâde har samma area och att de ekvivalenta emitteromrâdena av dioderna l, 2 och 4 446 680 även har lika stora areor och att denna area är lika med den förstnämnda. Således är spänningsfallet över varje di- od och även bas-emitterspänningsfallet över varje transis- tor lika stort och kan skrivas Vbe. Dessutom är bas-emit- terimpedansen i varje transistor och diodimpedansen i var- je diod samtliga lika stora.

Vid frånvaro av en ingångssignal delas strömmen från ström- källan lika mellan de två till strömkällan kopplade serie- kretsarna. Således går en ström Io genom dioderna l och 2 och en lika stor ström IQ genom kollektor-emitterkretsen för transistorn 3 och genom dioden 4. Antag att basströmmen i transistorn 3 är försumbar och att den således inte behöver beaktas. Eftersom bas-emitterspänningen vid transistorn 3 är lika med spänningsfallet över dioden 4 är emitterströmmen i transistorn lika stor som den ström som går genom dioden.

Genom att basströmmen 1 transistorn 3 är försumbar är denna transistors kollektorström således lika stor som dess emitter- ström. Sâledes är kollektor-emitterströmmen i transistorn 3 lika med diodströmmen genom dioden 4, vilken i sin tur är li- ka stor som den ström som går genom dioderna l och 2. Det är således tydligt att denna kollektor-emitterström är lika med Io.

Antag att en signal matas till den gemensamma kopplingspunk- ten mellan emittern på transistorn 3 och dioden 4. Denna signal visas i fig. l såsom en strömkälla, vilken avger en signal is. Om denna signalström medför en ökning i emitter- spänningen vid transistorn 3 så minskas kollektor-emitter- strömmen genom denna transistor och blir IQ - il. Enligt Kirchoffs lag är strömmen genom dioden 4 lika med Io - il + is. Nu är spänningen över dioden 4 lika stor som bas-emitter- spänningen för transistorn 5. Således är emitterströmmen i denna transistor lika med strömmen genom dioden 4. Om man antar att basströmmen i transistorn 5 är försumbar och att man således icke behöver beakta denna så är kollektorström- men genom transistorn 5 lika med emitterströmmen genom denna 446 680 8 transistor, vilken emitterström i sin tur är lika stor som strömmen genom dioden 4. Således är kollektorströmmen i transistorn 5 lika med IQ - il + is. ' Framspänningsfallet över dioden 1 betecknas med Vßel, fram- spänningsfallet över dioden 2 betecknas med Vbez, bas-emit-. terspänningen över transistorn 3 betecknas med VBE3 och framspänningsfallet över dioden 4 betecknas med Vbe4. Av fig. 1 framgår att (vbeï + Vbez) = (Vbea + Vbe4). Enligt teorin för halvledare är strömmen genom en halvledardiod en exponentiell funktion av framspänningsfallet över dioden.

Med andra ord kan framspänningsfallet Vße för varje diod eller bas-emitterspänningen för transistorn 3 skrivas så-_ som: Vbe = kg . ln 1 där k är Boltzma ns konstant, T är I I iden absoluta temperatåren uttrycket i °Kelvin, q är laddning- en för en elektron¿ I är strömmen genom dioden eller tran- sistorn och IS är backmättningsströmmen. Följande ekvation kan således härledas: -_ ..(vbe1I+ vße2) = (vbe3 + vbed)n kw 0 IQ kT- 10-1 I -11+: -(ln- + ln- ) = -41n + ln-9---5) . . _ (1) q IS IS q IS . I9 Utlösning av Io ur ekvation (1) ger: 1°2 , (za-i1>(:°-il+is> _ _ _ _ _ kz) Ekvation (2) ger att strömmen il kan skrivas: Om viloströmmen Io är mycket större än signalströmmen is kan 446 680 ekvation att i = . 1 2 sistorn 3 blir Io - il = IO - i och att kollektorströmmen 3) förenklas och såsom approximation erhålles s I-'f-l . Detta betyder att kollektorströmmen i tran- . _ i il + is - Io + äs. i transistorn 5 kan skrivas: I 0 |¶m Av det ovanstående framgår att kollektorströmmarna i tran- sistorerna 3 och 5 bildar ett par balanserade utsignal- strömmar där kollektorströmmen i transistorn 5 är större än viloströmmen IQ och kollektorströmmen i transistorn 3 är mindre än denna viloström med samma belopp» Signalströmmarna genom transistorerna 3 och 5 är således lika stora men mot- - riktade varandra. Emellertid distorderas dessa balanserade utgångssignaler om villkoret I¿§§ i inte längre gäller.

För att minska detta problem skulle äet vara nödvändigt att anordna en strömkälla, som alstrar en mycket hög viloström IO. Om kretsen i fig. l skall framställas såsom en integrerad krets skulle en sådan strömkälla inte vara praktisk. Alterna- tivt kan det ovanstående villkoret vidmakthållas och signal- strömmen is hållas begränsad till ett mycket lågt värde, vil- ket emellertid i allmänhet inte är önskvärt.

I fig. 2 visas en utföringsform av kretsen enligt föreliggan- de uppfinning. Den i fig. 2 visade elektriska kretsen inne- fattar en första seriekrets som är bildad av dioder 6 och 7 och som är parallellkopplad med den andra seriekretsen, vilken i sin tur bildas av en diod l0 och kollektor-emitter- kretsen av en transistor 9. Bas-emitterkretsen i transis- torn 9 är kopplad parallellt med dioden 7. En strömkälla 8 är kopplad till anoderna av dioderna 6 och lO och matar en viloström till de parallellkopplade seriekretsarna. Dioder- _ na 6 och 7 är polade i framåtriktningen så att strömmen går genom dioden 6 och därefter genom dioden 7. Dioden 10 är po- lad på samma sätt varigenom strömmen går genom dioden 10 och därefter genom kollektor-emitterkretsen i transistorn 9.

Strömkällan 8 kan vara av den typ som beskrivits ovan i sam- band med fig. l. 446 680 10 Den gemensamma kopplingspunkten mellan dioderna 6 och 7, dvs. den punkt som bildas mellan katoden på dioden 6 och anoden på dioden 7 är inte bara ansluten till basen på transistorn 9 utan även till basen på en utgângstransistor 12. Om så önskas kan andra utgångstransistorer, vilka re- presenteras såsom tillkommande transistorer l2', ha sina bas-emitterkretsar kopplade parallellt med bas-emitterkret- sen av transistorn 12. Om endast en utgångstransistor 12 be- traktas inse att bas-emitterkretsen för denna är kopplad parallellt med dioden 7.

En annan utgångstransistor 13 har sin bas kopplad till kol- lektorn på transistorn 9 och sin emitter kopplad gemensamt med emittern på transistorn 9.

Fackmannen inser att om så önskas kan dioderna 6, 7 och 10 utbildas såsom diodkopplade transistorer i vilka bas- och kollektorelektroderna är gemensamma i varje transistor.

Vidare avses att den visade kretsen utföres såsom en inte- grerad krets. Ehuru det inte visas i figuren skall förstås att en effektkälla finns anordnad för att tillföra drivspän- ning till transistorerna och även till strömkällan 8.

'Antag att emitterareorna av transistorerna 9, 12 (och l2') och 13 samt de ekvivalenta emitterareorna av dioderna 6, 7 och 10 samtliga är lika stora. Antag även att kretsen är ut- förd såsom en integrerad krets på en gemensam halvledarfli~ sa. Vid frånvaro av en insignal till kretsen delar sig ström- källans 8 ström lika mellan de parallellkopplade seriekret- sarna. Således är strömmen genom dioderna 6 och 7 lika med ID och strömmen genom dioden och kollektor-emitterkretsen av transistorn 9 är även lika med Io. Om en ingângssignal tillförs i form av en insignalström is till den gemensamma kopplingspunkten mellan dioderna 6 och 7 (vilken insignal- ström i ritningen visas såsom en insignalströmkälla ll) så kan strömmen genom dioden 6 minskas till en nivå som är li- ka med Io - il. Kirchhoffs lag ger att strömmen genom dio- 446 680 ll den 7 är lika med IO - il + is. Bas-emitterspänningen över .transistorn 9 är lika med framspänningsfallet över dioden 7. Således är emitterströmmen i transistorn 9 lika med framspänningsfallet för dioden 7, dvs. Io - il + is. Om det är riktigt att antaga att basströmmen i transistorn 13 är försumbar och kan utelämnas så är strömmen genom dioden 10 lika stor som emitterströmmen genom transistorn 9 och då kan denna diodström således skrivas såsom Io ~ il + is. Kol- lektorströmmen genom transistorn 13 skall bestämmas och be- tecknas nedan med IX.

Eftersom bas-emitterkretsen i transistorn 12 är kopplad pa- rallellt med bas-emitterkretsen till transistorn 9 är emit- terströmmen i transistorn 12 lika stor som emitterströmmen i transistorn 9. Antag att basströmmen i transistorn 12 är försumbar och att denna således inte behöver beaktas. Då är kollektorströmmen i transistorn 12 lika stor som kollektor- strömmen i transistorn 9 och kan skrivas såsom Io ~ il + is.

Summan av de strömmar som går till anoderna av dioderna 6 och l0 måste vara lika med 2I° och denna ström matas till dessa anoder från strömkällan 8. Således kan följande ut- tryck uppställas: (10 - i1>_+ (10 - il + is) = 210 . . . _ . <4) il = å is _ . Ä . . (s) Av ekvation (5) framgår att kollektorströmmen i transistorn 12, som är lika med strömmen genom dioden 7, kan skrivas såsom I + ls.

O Dioden 10 och bas-emitterkretsen i transistorn 13 bildar en seriekrets som ligger parallellt med de seriekopplade dioder-' na 6 och 7. Antag att diodframspänningsfallet är lika med Vbe 446 680 12 och att bas-emitterspänningen för transistorn 13 även kan tecknas såsom Vbe. Av fig. 2 framgår således att (vbeö + Vbe7) é (vbelo + Vbe13). Om sama resonemang som användes vid härledning av ekvation (1) tillämpas här så är strömmar-' na genom dioderna 6 och 7 och strömmarna genom dioden och transistorn 13 relaterade till varandra på följande sätt: 1.' . ' _ (IQ + É is) (IQ - à is)\- (IO + å is) IX ; , _ _ (5) Av ovanstående analys framgår att kollektorströmmen IX i transistorn 13 och kollektorströmmen i transistorn 12 bil- dar balanserade utgångsströmmar. Dessa kollektorströmmar varierar således med lika stora, men motsatta belopp så- som gensvar pâ insignalströmmen is. Dessutom är den effek- tiva strömförstärkningen tillfredsställande eftersom de ba- lanserade utgångsströmmarna varierar med à is såsom gensvar på insignalströmmen is. Detta är en avsevärd förbättring jämfört'med den omvandlingskrets som beskrivs i den ame- rikanska patentskriften 4 049 977 där de balanserade ut- gångsströmmarna varierar med en faktor å is såsom gensvar på insignalströmmen is.

Av fig. 2 och av den ovanstående beskrivningen framgår det tydligt att de balanserade utsignalströmmarna härleds från den gemensamma kopplingspunkten mellan dioderna 6 och 7 och den gemensamma kopplingspunkten mellan dioden 10 och tran- sistorn 9. Denna kretskonfiguration skiljer sig från den i den ovan nämnda amerikanska patentskriften där de balan- serade utsignalströmmarna härleda från utgångstransistorer- na, vilka är kopplade över de övre dioderna. 446 680 13 Föreliggande uppfinning och kretsen enligt fig. 2 utgör även en förbättring jämfört med kretsen enligt fig. l genom att villkoret att Io>> is inte längre behöver vidmakthållas.

Således introduceras inte någon distorsion i de balansera- de utsignalströmmarna från kretsen enligt föreliggande upp- finning och därför är det inte heller nödvändigt att ström- källan 8 alstrar någon konstant ström med hög strömstyrka.

En fördel med utföringsformen enligt fig. 2 jämfört med en differentialförstärkare för omvandling av en obalanserad in- signal till en balanserad utsignal är att kretsen enligt fö- religgande uppfinning inte erfordrar något resistivt för- spänningsnät. Vidare uppvisar utföringsformen i fig. 2 en förhållandevis enkel kretskonfiguration och den kan effektivt utnyttja ett effektaggregat på så sätt att endast förhål- landevis låga driftspänningar erfordras, vilket är önskvärt.

En tillkommande fördel med kretsen enligt fig. 2 är att även om multipla utgângstransistorer 12' kopplas till transistorn l2 eller multipla utgângstransistorer (vilka icke visas) kopplas parallellt med transistorn 13 kommer amplituderna av de balanserade utgångsströmmarna inte att påtagligt däm- pas till följd av dessa multipla utgångstransistorer. Såle- des kan många par av balanserade utgângssignaler framstäl- las varigenom flera utgångskretsar således kan drivas, dvs. flera par balanserade utsignalströmmar kan härledas från en enda obalanserad ingângssignal.

Såsom kommer att beskrivas närmare nedan kan utföringsformen enligt fig. 2 utnyttjas i förening med en differentialför- stärkare för att mata balanserade utsignalströmmar till kol- lektorer på transistorer 12 och 13 såsom ingângssignaler till differentialförstärkaren i syfte att åstadkomma förstärk- ningsstyrd förstärkning. För att på bästa sätt inse hur fö- religgande uppfinning kan utnyttjas tillsammans med en för- stärkningsstyrd differentialförstärkare hänvisas till fig. 3, som visar en utföringsform av en typisk förstärknings- 446 680 14 styrd differentialförstärkare. Differentialförstärkaren be- står av ett första par differentialkopplade transistorer 32 och 33 samt ett andra par differentialkopplade transistorer 40 och 41. Transistorernas 32 och 33 emittrar är kopplade till en gemensam kopplingspunkt via var sitt emittermotstånd RE. Emittermotstånden är lika stora. En strömkälla 35, vil- ken kan vara likartad med de ovan beskrivna strömkällorna, är kopplad mellan denna gemensamma kopplingspunkt och en referenspotential, t.ex. jord. Transistorernas 32 och 33 baser erhåller förspänningar medelst en förspänningskälla 31. Transistorns 32 kollektor är kopplad till en källa med drivspänníng +Vcc via kollektor-emitterkretsen av en förspänd transistor 36. Kollektorn på transistorn 33 är på likartat sätt ansluten till källan med drivspänning +Vcc via kol- lektor-emitterkretsen av en förspänd transistor 37. En käl- la 38 med förspänning åstadkommer en förutbestämd förspän- ningsbetingelse för var och en av transistorerna 36 och 37. _,Dessutom är kollektorelektroderna av transistorerna 32 och sfifköppiaae :in varsin av ae aifferenx-.iaikopplaae tran- sistorernas 40 och 41 baser. Sistnämnda transistorers emit- terelektroder är gemensamt kopplade till en strömkälla 39.

Slutligen är ett belastningsmotstånd RL kopplat i kollektor- kretsen till transistorn 41 och en utgångsklämma 42 är kopp- lad till kollektorn på transistorn 41.

Antag att en ingångsspänning Vi, som på ritningen repre- senteras genom spänningskällan 34, växelströmsmässigt är kopplad till transistorernas 32 och 33 baser. Den utgångs- spänning V0 som bildas såsom gensvar på denna ingångsspän- ning erhålles vid utgångsklämman 42. Om strömmen från ström- källan 35 betecknas med 2Il så går lika stora strömmar i emitterkretsarna till transistorerna 32 och 33 och var och en av dessa strömmar betecknas Il. Transistorernas 32, 33 kollektorströmmar är i huvudsak lika stora som deras emit- terströmmar vilket medför att emitterströmmar Il går genom transistorernas 36 och 37 emitterkretsar. 446 680 15 Om strömmen från strömkällan 39 betecknas med 2I går li- 2 ka stora strömmar genom transistorernas 40 och 41 emitter- kretsar och var och en av dessa strömmar är då I2.

Ingångsspänningen Vi är lika med emitterresistansspännings- fallet till följd av emitterströmmen Il i transistorn 32, plus spänningsfallet över motståndets RE, plus spännings- fallet över motståndet RE som är kopplat till emittern på transistorn 33, plus spänningsfallet till följd av den emit- terström Il som går genom transistorns 33 emitterresistans.

Utgångsspänningen vo är lika med spänningsfallet över be- lastningsmotståndet RL till följd av den ström I2 genom kollektor-emitterkretsen i transistorn 41. Dessa för- som går hållanden kan uttryckas med hjälp av följande ekvation: I-l von RL' u"2V flïrrv-l -----<8> (D F' där re är emitterresistansen för var och en av transistorer- na 32 och 33 ochr =k-T. e qIl Som framgår av ekvation (8) âstadkommes förstärkningsstyr- ning av utgângsspänningen V0 genom att variera antingen kon- stantströmmen Il eller konstantströmmen I2. Den i fig. 3 vi- sade differentialförstärkarkretsens förstärkning bestämmes således genom styrning av antingen strömkällan 35 eller strömkällan 39. I allmänhet föredrar man inte att variera strömkällan 39 eftersom en sådan variation medför ändring i likspänningen vid utgångsklämman 42 på grund av att strömmen Iz som går genom belastningsmotstândet RL ändrar sig. I den i fig. 3 visade utföringsformen åstadkommes således förstärk- ningsstyrning företrädesvis genom inställning av strömkällan 35.

Det är således tydligt att den av transistorerna 40 och 41 446 680 16 bildade differentialförstärkaren matas med balanserade ingångssignaler trots att den ursprungliga ingângsspänning- en vi till den visade kretsen är en obalanserad signal. För att omvandla denna obalanserade ingångssignal till balanse- rade signaler som matas till transistorerna 40 och 41 är det nödvändigt att anordna ett första differentialförstär- karsteg, som bildas av transistorerna 32 och 33 och som er- håller lämpliga förspänningspotentialer från förspännings-. källan 31. Den förspänningskrets som utnyttjas för att åstadkomma de lämpliga förspänningspotentialerna vid tran- sistorerna 32 och 33 består av en av resistanser uppbyggd spänningsdelarkrets. Denna resistiva förspänningskrets med- för tillkommande svårigheter vid konstruktionen av den in- tegrerade kretsen och utnyttjar dessutom tämligen oeffek- tivt den strömmatning som åtgår för att åstadkomma för- spänningskällan 31. För att vidmakthålla ett brett dynamiskt område för den förstärkningsstyrda förstärkaren i fig. 3 måste effektaggregatet matningsspänning vara förhållandevis hög. Ännu en nackdel med den visade förstärkningsstyrda förstärkaren framgår av ekvation (8), nämligen att en önsk- värd hög förstärkning erhålles om konstantströmmen Il är tämligen låg. Om konstantströmmen Il skall ha låg styrka måste emellertid emitterresistansen re i var och en av tran- sistorerna 32 och 33 vara förhållandevis hög. Av ekvation (8) framgår således att en hög emitterresistans re medför en låg förstärkning. Således är det svårt att åstadkomma nämnda önskade höga förstärkning med en låg konstantström Il.

Ovanstående problem och nackdelar med den i fig. 3 visade förstärkningsstyrda förstärkaren undvikes med den elektriska kretsen enligt föreliggande uppfinning när denna utnyttjas i kombination med t.ex. en differentialförstärkare. Fig. 4 visar ett kopplingsschema där den elektriska kretsen en- ligt föreliggande uppfinning, visad i utföringsformen enligt fig. 2, kombinerats med en enkel differentialförstärkare.

Närmare bestämt består den elektriska kretsen enligt denna 446 680 17 utföringsform av uppfinningen av parallellkopplade serie- kretsar, den ena bildad av dioderna 6 och 7, och den andra bildad av dioden 10 och kollektor-emitterkretsen för tran- sistorn 9, varvid sistnämnda transistors bas är kopplad till den gemensamma kopplingspunkten mellan dioderna 6 och 7.

Utgångstransistorn 12 har sin bas-emitterkrets kopplad paral- lellt med bas-emitterkretsen för transistorn 9 och utgångs- transistorn 13 har sin bas-emitterkrets kopplad parallellt med kollektor-emitterkretsen för transistorn 9. Om en obalan- serad ingångssignal matas till den gemensamma kopplingspunk- ten mellan katoden på dioden 6 och anoden på dioden 7 kommer, såsom omnämnts ovan, balanserade utgångsströmmar att gå genom kollektor-emitterkretsarna för utgångstansistorerna 12 och 13.

Differentialförstärkaren som är kopplad till omvandlingskret- sen enligt föreliggande uppfinning består av differentialkopp- lade transistorer 20 och 21 vilkas emittrar är kopplade till en gemensam strömkälla 22. Vardera transistorns 20 respek- tive 21 bas är kopplad till kollektorn på utgångstransistorn 12 respektive 13 i omvandlingskretsen enligt uppfinningen.

Dessutom har transistorer 17 och 18 sina kol1ektor-emitter- kretsar kopplade i serie med kollektorn på transistorn 12 respektive på transistorn 13. Transistorernas 17 och 18 ba- ser är kopplade gemensamt till en förspänningskñïlfl '" ;~« igenom dessa transistorer tjänstgör såsom belastningsimpedan- ser för utgångstransistorerna. Drivspänning från en källa *vec 18 kollektorer och genom kollektormotstånden 23 och 24 till de differentialkopplade transistorernas 20 och 21 kollekto- matas till strömkällan 8, till transistorernas 17 och rer.

Antag att en från en lämplig spänningskälla 14 tillhandahål- len ingångsspânning vi via ett ingångsmotstånd 15 matas till ingångsanslutningsklämman (dvs. till den gemensamma kopp- lingspunkten mellan dioderna 6 och 7) i den visade kretsen.

En kondensator 16 visas ingå i kretsen, men om så önskas 4_4e esq 18 kan denna kondensator utelämnas. Således kommer en insignal- ström is att gå genom motståndet 15 och denna insignalström är en funktion av ingångsspänningen vi dividerad med resis- tansen för motståndet IS och ingângsimpedansen Zi för den visade kretsen. Denna ingångsimpedans är den impedans som föreligger vid ingângsanslutningsklämman (dvs. vid den ge- mensamma kopplingspunkten mellan dioderna 6 och 7).

Av diskussionen i samband med fig. 2 framgick att om en in- signalström is matas till ingângsanslutningsklämman kan kol- lektorströmmarna genom transistorerna 12 och 13 skrivas så- i s s°m Io + ïâ och Io - fâ. Antag att om kollektorströmmen i transistorn 12 ökar, zså minskar transistorns 20 lednings- förmâga medan transistorns 21 ledningsförmâga ökar. Om den av strömkällan 22 alstrade strömmen betecknas med 2I3 så kan 'kollektorströmmen i transistorn 20 skrivas såsom I3 - ix och-kollektorströmmen i transistorn 2l"såsom I3 + ix. Om bas-emitterspänningen över varje transistor 17, 18, 20 och 21 betecknas med Vbe (plus ett motsvarande suffix som iden- tifierar motsvarande tnæufishmfl så är (VBBI7 + Vbeäo) = (vbela Vbezl). Denna ekvation, som speglar bas-emitterspänningarna, ger liksom tidigare upphov till följande ekvation, som speg- lar kollektorströmmarna i de respektive_transistorerna:' (io + šis) (13 - ix) -_<:° - šis) (13 + ix) . . . . . (s) i Ekvation (9) kan lösas med avseende på utsignalströmmen ix, vilket ger: ' . 13. ' ix = ïï- is _ . . . . . (10) o l Antag att resistansen för motståndet 24 betecknas med R24 och att utsignalspänningen vo (dvs. växelströmskomponenten) föreligger vid transistorns 21 kollektor. Således är utsig- nalspänningen vo lika med produkten avresistansenför mot- 446 680 19 ståndet 24 och signalströmmen ix genom detta. Detta betyder att utsignalspänningen vo enligt ekvation (10) kan skrivas såsom R I _. _ 24- 3.

Vo-R24 lx-Tnls n-I-ICI-l) Ingångsimpedansen Zi är på i och för sig känt sätt lika med ändringen i spänningen vid ingángssignalklämman (dvs. vid den gemensamma kopplingspunkten mellan dioderna 6 och 7) dividerat med ändringen i insignalströmmen. Spänningen vid ingångsanslutningsklämman är lika med spänningen över dioden 7, vilken givetvis är lika med bas-emitterspänningen vid transistorn 9. Som bekant kan bas-emitterspänningcn vid en emitterströmmon transistor uttryckas såsom en funktion av ln Således kan ingångsimpedansen Zi skrivas: à I + i i ¿>v kT o ï s _ = ':._' 3 -|> _-- i c o o c n z; D15 D15 (q I Is (12: s | Eg l Ä i . _ . . (l3a) = q ° ZIS ' IQ + 2 5 kr l. = '__ I u u o o g q + ï ISS ( Om konstantströmmen IC från strömkällan 8 är mycket större än insignalströmmen is kan ekvation (13) förenklas till: X' T I' IQ = P NI F' :O Nim o o l o o Antag att resistansen för motståndet 15 betecknas med Rls.

Insignalströmmen is är lika med ingångsspänningen vi divide- rad med summan av resistansen för motståndet 15 och ingångs- impedansen Zi. Således kan insignalströmmen is skrivas på teckmättninššštnämwm ' 446 680 20 följande sätt: Om ekvation (15) sätts in i ekvation (ll) kan utsignalspän- ningen vo, vilken tas ut vid utgångsanslutningsklämman (25), _skrivas på följande sätt: V0 _ Eâ v + re) o ' i I u o a I 15 ï- V Av ekvation (16) framgår att förstärkningsstyrningen, dvs. förstärkningen i ütsignalspänningen vc, kan erhållas genom att variera den ena eller andra eller båda av strömkällorna IO och I3. Styrbara strömkällor är kända och kan användas såsom strömkällorna 8 och/eller 22.

Av fig. 4 framgår att den obalanserade ingångssignalen om- vandlas till ett par balanserade utgângssignaler med hjälp av omvandlingskretsen enligt fig. 2 och inte med hjälp av differentialförstärkaren i fig. 3. Således erfordras inte någon förspänning motsvarande förspänningskällan 31 (fig. 3) och inte heller något förspänningsnät (likartat det av motstånd uppbyggda spänningsdelarnätet i fig. 3).Detta förenklar kretskonstruktionen och medger dessutom att man kan använda ett förhållandevis billigt och enkelt effekt- aggregat. sistnämnda särdrag kan hänföras till det faktum att effektaggregatet i utföringsformen enligt fig. 4 utnytt- jas effektive. Närmare bestämt behövs inte någon hög driv- spänning för att åstadkomma en förspånning som är likartad förspänningskällan 31 (i fig. 3). Även om således driv- spänningen +vcc kan hållas vid en förhållandevis låg nivå kan således vederbörlig förstärkningsstyrning genomföras.

Eftersom differentialförstärkaren i fig. 4 dessutom matas 446 680 21 med balanserade strömsignaler uppvisar den förstärkningsstyr- da förstärkaren ett önskvärt brett dynamiskt område och har goda frekvensegenskaperl De ekvationer som anger förstärkningen, nämligen ekvatio- nerna (8) och (16) och som hör samman med kretsarna i fig. 3 respektive 4 är lika. En viktig skillnad finns emellertid, nämligen den att nämnaren i ekvation (8) innehåller parame- tern re, medan nämnaren i ekvation (16) innehåller parame- tern fe. Detta betyder att förstärkningen i den i fig. 3 vi- 2 sade förstärkaren pâverkas av emitterresistansen re för tran- sistorerna 32 och 33 medan förstärkningen i den i fig. 4 vi- sade förstärkningen påverkas av endast halva denna resistans.

Emitterresistansens re ofördelaktiga inverkan på förstärk- ningsstyrningen när konstantströmmen IQ minskas reduceras påtagligt när den elektriska kretsen enligt föreliggande uppfinning används. Ännu en annan fördel som är förenad med utföringsformen enligt fig. 4 är att strömkällorna 8 och 22 kan vara av enkel konstruktion, t.ex. kan de var och en utgöras av ett motstånd med förhållandevis hög resistans. En annan utföringsform av en förstärkningsstyrd förstärkare som kan användas tillsammans med omvandlingskretsen enligt den föreliggande uppfinningen visas i fig. 5. I denna utförings- form utelämnas utgångstransistorerna 12 och 13. Således är var och en av ingångsanslutningsklämmorna till den av tran- isstorerna 20 och 21 bildade differentialförstärkaren, dvs. transistorernas baser, vardera ansluten till varsin gemensam kopplingspunkt, den ena bildad av den gemensamma kopplings- punkten mellan dioderna 6 och 7 och den andra bildad av den gemensamma kopplingspunkten mellan dioden 10 och kollektorn på transistorn 9. Vidare anordnas en förspänning vid den ge- mensamma kopplingspunkten mellan katoden på dioden 7 och emit- tern på transistorn 9. Denna förspänning representeras med förspänningskällan 20. I utföringsformen enligt fig. 5 är kollektorn på transistorn 20 kopplad direkt till källan med drivspänning +Vcc varigenom belastningsmotståndet 23 utgår. 446 sso 22 Vidare finns i fig. 5 inte de förspända belastningstransis- torerna l7 och 18 enligt utföringsformen i fig. 4J Den funk- tion som dessa utelämnade förspända belastningstransistorer har i utföringsformen enligt fig. 4 erhålles med hjälp av dioderna 6 och 10 i utföringsformen enligt fig. 5.

Det inses att utföringsformen i fig. 5 har en konstruktion “som är enklare än den enligt fig. 4. Förspänningskällan 50 kan âstadkomas med användning av de konventionella spän- ningar som utnyttjas för att förspänna de transistorer som normalt finns i strömkällorna 8 och 22. Om strömkällorna 8 och 22 istället utgöres av motstånd med hög resistans kan förspänningskällan 50 helt enkelt bestå av en framförspänd diod.

En matematisk analys av utföringsformen enligt fig. 5 ger i huvudsak samma resultat som den matematiska analysen av utföringsformen enligt fig. 4. Således kan förstärkningen i kretsen enligt fig. 5 uttryckas med hjälp av ekvation (16).

I fig. 6 visas*ännu en utföringsform av kombinationen av en omvandlingskrets enligt föreliggande uppfinning med en dif- ferentialförstärkare i och för åstadkommande av en förstärk- ningsstyrd förstärkare. Den visade utföringsformen lämpar sig särskilt för användning i färgkanalen i en färgtelevi- sionsmottagare och är avsedd för inställning av färgmättna- den i den visade videobilden.

Utföringsformen 1 fig. 6 är likartad den som beskrivits i samband med fig. 5 med det tillägget att den av transisto- rerna 20 och 21 bildade differentialförstärkaren utnyttjas för att mata balanserade signaler till en tilrkommande dif- ferentialförstärkare, som bildas av transistorer 65 och 66.

Sistnämnda transistorer har sina emittrar kopplade gemensamt till en strömkälla 68. Denna strömkälla visas såsom en in- ställbar strömkälla, vilken är känslig för enltill denna matad styrsignal för att därvid på motsvarande sätt variera 446 eso 23 den av strömkällan tillhandahållna konstantströmmen. I fig. 6 är motståndet 24 kopplat i kollektorkretsen till transis- torn 66 och utgångsanslutningsklämman 25 är även kopplad till denna kollektor.

Förspända belastningstransistorer 62, 63, vilka motsvarar de tidigare beskrivna belastningstransistorerna 17 och l8, är vardera kopplade i kollektorkretsen till transistorn 20 respektive 21. En förspänningskälla 64 tillhandahåller en förutbestämd förspänning till baselektroderna av dessa för- spända belastningstransistorer. Drivspänning +VcC matas till strömkällan 8, till kollektorerna på de förspända belast- ningstransistorerna 62, 63, till kollektorn på transistorn 65 och via motståndet 24 till kollektorn på transistorn 66.

I utföringsformen i fig. 6 används en framspänd diod 50' så- som förspänningskällan 50 (i fig. 5).

Antag att ingåhgsspänningen vi, som erhålles från en lämp- lig källa 14, är krominanssignalspänningen.-Antag även att strömkällan 8 är en styrd strömkälla, som är känslig för en automatisk krominansstyrningssignal (ACC) för att variera den av strömkällan tillhandahållna konstantströmmen IO. Så- ledes styrs styrkan av krominanssignalströmmarna genom kol- lektor-emitterkretsarna i transistorerna 20 och Zl såsom en funktion av ACC-signalen vilken används för att ställa in strömkällan 8.

Transistorernas 20 och 2l kollektorer är inte bara kopplade till baselektroderna på transistorerna 65 respektive 66 utan även till strömkällor 67a respektive 67b. Dessa strömkällor kan vara av konventionell konstruktion och ställa in styrkan av sin utgånqsström såsom funktion av en styrsignal.

Om kretsen i fig. 6 anlyseras kommer man att finna att den ekvation som representerar kretsens förstärkning ser ut på ¶4e een '24 samma sätt som ekvation (16) med undantag för att termen I3 är utbytt mot en ström, som är en funktion av den ström som strömkällorna 22 och 68 alstrar och med undantag för att strömmen Io är en funktion av de strömmar som alstras av strömkällorna 8, 22 och 67a eller 67b. Således kan för- stärkningen i kretsen enligt fig. 6 ställas in såsom en funk- tion av den till strömkällan 8 matade ACC-signalen eller så- som en funktion av de styrsignaler, vilka bestämmer ström- källornas 67a, 67b och 68 utgángsetrömmar. Styrningen av färgmättnaden, dvs. styrningen av kvaliten av den videobild som erhålles med den färgtelevisionsmottagare i vilken kret- sen enligt fig. 6 ingår kan således åstadkommas helt enkelt genom att styra strömkällorna 67a och 67b eller genom att styra strömkällan 68. Om de av strömkällorna 67a och 67b alstrade strömmarna ökas kommer den totala förstärkningen i kretsen att minska. Om den av strömkällan 68 alstrade ström- men ökar kommer den totala förstärkningen i den visade kret- sen att öka.

Den ovan beskrivna utföringsformen av uppfinningen kan på många sätt modifieras och varieras inom ramen för uppfinning- en. Exempelvis kan de dioder som används i de olika utför- ingsformerna bildas av diodkopplade transistorer. Transis- toranordningarna kan vara av vilken lämplig typ som helst som fungerar på det beskrivna sättet. De visade utförings- formerna av föreliggande uppfinning framställs företrädes- vis såsom integrerade kretsar. De bifogade patentkraven om- "fattar såväl dessa ändringar som andra ändringar och modifie- ringar.

Claims (10)

25' 446 680 PATENTKRAV

1. l. Elektrisk krets för omvandling av en obalanserad ingångs- signal till ett par differentiella utgångssignaler, innefat- tande första (6) och andra (7) dioder kopplade i en första seriekrets, en tredje diod (10), och en transistor (9) vars kollektor-emitterkrets är koppladi.en andra seriekrets med den tredje dioden, varvid den av de första och andra dioderna bildade första seriekretsen är kopplad parallell med den av den tredje dioden och transistors kollektor-emitterkrets bildade andra seriekretsen, vilken transistors bas är kopplad till den gemensamma kopplingspunkten mellan de första och andra dioderna så att transistorns bas-emittersträcka ligger parallellt med den andra dioden (7), samt en strömskälla (8) som är ansluten till de parallellkopplade första och andra seriekretsarna för att mata strömmar till dessa, varvid en in- gångssignalström matas till den gemensamma kopplingspunkten mellan de första och andra dioderna, k ä n n e t e c k n a d av att en första utgångstransistor (12) har sin bas-emitter- sträcka kopplad parallellt med den andra dioden (7) och att en andra utgângstransistor (13) har sin bas kopplad till kollek- torn på transistorn (9) i och för bildande av ett par diffe- rentiella utgångssignalströmmar genom utgångstransistorerna (12, 13), vilka utgângsströmmar är en funktion av den inmatade ingångssignalströmmen och vilka är lika stora samt motriktade (i is/2)-

2. Elektrisk krets enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av en differentialförstärkare (20, 21) som har en första in- gång kopplad till den första utgångstransistorns (12) kollek- tor och en andra utgång kopplad till den andra utgångstran- sistorns (13) kollektor.

3. Elektrisk krets enligt krav 2, varvid differentialför- stärkaren innefattar ett par differentialkopplade transistorer (20, 21), k ä n n e t e c k n a d av att vardera baselektro- 446 san 26 den av de differentialkopplade transistorerna är kopplad till varsin kollektorelektrod på de första resp. andra utgångs- transistorerna (12, 13), att de differentialkopplade transi- storernas emittrar är kopplade till en gemensam kopplinga- punkt, att en strömkälla (22) är kopplad till den nämnda gemensamma kopplingspunkten, att vardera kollektor-emitter- kretsen av ett par förspänningstransistorer (17, 18) är kopp- lad dels till varsin baselektrod av de differentialkopplade 21) för att tillhandahålla förspännings- dels till varsin kollektor-emitterkrets transistorerna (20, strömmar till dessa, av de första och andra utgångstransistorerna (12, 13), och att -åtminstone en utgångsanslutningsklämma (25) är kopplad till åtminstone den ena (21) av de differentialkopplade transisto- rerna för att tillhandahålla en utgângssignal.

4.7 Elektrisk krets enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a d av att åtminstone den ena av strömkällorna (8, 22) är inställ- bar för variering av förstärkningen av den av kretsen till- handahållna utgångssignalen.

5. Elektrisk krets enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att de första och andra utgångarna innefattar ett par differentialkopplade transistorer (20, 21), att basen pâ den ena av de differentialkopplade transistorerna är kopplad till den gemensamma kopplingspunkten mellan de första och andra dioderna (6, 7) och att basen på den andra av de differential- kopplade transistorerna är kopplad till kollektorn på tran- sistorn (9), att de differentialkopplade transistorernas emittrar är kopplade gemensamt till en andra strömkälla (22L och att åtminstone en utgångsanslutningsklämma (25) är kopplad till kollektorn på åtminstone den ena (21) av de differential- kopplade transistorerna för tillhandahållande av en utgångs- signal (vo).

6. Elektrisk krets enligt krav S, k ä n n e t e c k n a d av att en förspänningskälla (50) är kopplad gemensamt till emittern på transistorn (9) och till dioden (7). V27 446 680

7. Elektrisk krets enligt krav 6, k ä n n e t e c k n a d av att åtminstone den ena av strömkällorna (8; 22) är inställ- bar för variering av förstärkningen av den av kretsen till- handahållna utgångssignalen (vc).

8. Elektrisk krets enligt krav 5, 6 eller 7, k ä n n e - t e c k n a d av att vardera av ett par utgångsanslutnings- klämmor är kopplad till varsin kollektor av ett par differen- tialkopplade transistorer (20, 21), att vardera basen av ett andra par differentialkopplade transistorer (65, 66) är kopp- lad till varsin av nämnda utgångsanslutningsklämmor, att emittrarna av det andra paret differentialkopplade transisto- rer är kopplade gemensamt med varandra, att en tredje ström- källa (68) är kopplad till de gemensamt med varandra kopplade emittrarna av det andra paret differentialkopplade transisto-_ rer (65, 66), och att en utgångsanslutningsklämma (25) är kopplad till kollektorn på den ena (66) av transistorerna i det andra paret differentialkopplade transistorer (65, 66L

9. Elektrisk krets enligt krav 8, k ä n n e t e c k n a d av att vardera kollektor-emitterkretsen av ett par förspän- ningstransistorer (62, 63) är kopplad i serie med varsin kollektor-emitterkrets i det förstnämnda paret differential- kopplade transistorer (20. 21). att vardera emittern av nämnda par av förspänningstransistorer (62, 63) är kopplad till varsin baselektrod av nämnda par differentialkopplade transi- storer (65. 66).

10. Elektrisk krets enligt krav 9, k ä n n e t e c k n a d av att vardera tillkommande strömkällor (67a, 67b) är kopplade till varsin emitterelektrod av nämnda par av förspänningstran- sistorer (62, 63).