SE443476B - Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna - Google Patents

Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna

Info

Publication number
SE443476B
SE443476B SE8008879A SE8008879A SE443476B SE 443476 B SE443476 B SE 443476B SE 8008879 A SE8008879 A SE 8008879A SE 8008879 A SE8008879 A SE 8008879A SE 443476 B SE443476 B SE 443476B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
depressions
semiconductor
contact metal
zone
base zone
Prior art date
Application number
SE8008879A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8008879L (sv
Inventor
H Schefer
Original Assignee
Semikron Gleichrichterbau
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Gleichrichterbau filed Critical Semikron Gleichrichterbau
Publication of SE8008879L publication Critical patent/SE8008879L/sv
Publication of SE443476B publication Critical patent/SE443476B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0814—Diodes only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10157—Shape being other than a cuboid at the active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

15 20 25 40 80018879-2 2 bildar en skiktföljd bestående av en mittzon och två ytterligare zoner med var sin mellanliggande PN-övergång, att utgângsskivan efter maskering med ett mönster på ömse sidor förses med en struk- tur av dikesformiga, med varandra parallella fördjupningar, som är förskjutna relativt motsatta sidans fördjupningar och som av- bryter intilliggande PN-övergång, att ett överdrag av minst en kontaktmetall påföres på vardera sidan av utgångsskívan, samt att skivan åtminstone längs samtliga fördjupningar uppdelas i halvle- darkomponenter av mindre ytutsträckning och med var sin antiparal- lell diodstruktur.
Fördjupníngarna kan åstadkommas genom etsning, genom ultra- ljudborrning eller genom sågning.
De av fördjupningarna frilagda ytavsnitten av basområdet kan vart och ett förses med ett tunt, högdopat skikt av samma lednings- typ, som kan åstadkommas genom diffusion eller genom påförångning och legering av dopningsmetaller.
Kontaktmetallöverdragen kan åstadkommas genom strömlös ut- fällning av kontaktmetaller eller genom påförångning och legering.
I och för förbättrad vidhäftning av kontaktmetallöverdragen kan utgångsskivans ytor uppruggas genom sandblästring.
En fördelaktig vidareutveckling av förfarandet består i att man använder kontaktmetaller som bildar spärrfri_kontakt med ut- gångsskivans halvledarmaterial, och i att det tunna, högdopade skíktet och kontaktmetallöverdragen åstadkommas i ett enda förfa- randesteg, Fördelen med uppfinningen består i att man med ett minimum av kända förfarandesteg kan åstadkomma en alla tekniska fordringar motsvarande kompakt anordning bestående av tvâ antiparallellkopp- lade dioder.
Den enligt uppfinningen utförda anordningen, liksom tillverk- ningen av densamma, beskrives närmare nedan under hänvisning till de i fig. 1 och Z visade utföringsexemplen. Fig. 1 visar i tvär- snitt uppbyggnaden av den enligt uppfinningen utförda halvledar- anordningen. Pig. 2 visar i perspektiv en såsom utgångsmaterial använd halvledarskiva, från vilken halvledaranordningar förfärdi- gas medelst ett i enlighet med uppfinningen genomfört förfarande.
Likadana delar i de båda figurerna har erhållit samma hänvisnings- beteckningar.
Den i fig. 1 visade halvledarkroppen består av en NP-struk- tur I svarande mot en första diod och en likadan, i rummet motrik- pooa QUNÅTY 10 15 20 25 30 40 s _ 8008879-2 tat orienterad och i zonplanet förskjutet anordnad struktur II svarande mot en andra, antíparallell diod. De bàda strukturerna har i huvudsak lika stor ytutsträckning och samma tjocklek.
Gemensamt för de båda strukturerna finns ett mittre, N-ledan- de basområde 1, vars ena sida gränsar mot en P-ledande zon 2 med den därigenom bildade PN-övergången J1, varigenom strukturen I bildas. Områdets 1 andra sida gränsar mot en till strukturen I rumsligt anslutande P-ledande zon 3 med den därigenom bildade PN-övergången JZ, varigenom strukturen II bildas.
Strukturens I-PN-övergång J1 är blottlagd vid zonens 2 båda ändytor och PN-övergången J2 vid zonens 3 båda ändytor.
Zonernas tjocklekar i de båda strukturerna I och II liksom deras ytutbredning bestämmes i huvudsak av de fordringar som vid drift ställs pâ deras fysikaliska och elektriska egenskaper.
Strukturerna tages endast i anspråk i framriktningen, varför speciella åtgärder för ytstabilisering och för förbättring av spärrförmågan bortfaller.
Den ena strukturens övergång i den andra, dvs formgivningen av zonernas 2, 3 kantområden, är okritísk och förlöper - i över- ensstämmelse med de tilltänkta tillverkningsmetoderna för bildan- det av basomrádet i vardera strukturen - i huvudsak vinkelrätt mot anordningens zonplan. , För förbättrad kontaktering av halvledarkroppen vid ytavsnit- tet av vardera diodstrukturens basområde 1 är dessa avsnitt för- sedda med var sitt högdopat, tunt ytskikt 4 resp. 5 av samma led- ningstyp. Vid det visade exemplet är dessa avsnitt N+-ledande.
De båda likformigt och stegvis förlöpande ytorna av halvle- darkroppen uppvisar dessutom var sitt kontaktmetallöverdrag 6 resp. 7, som även kan utgöras av delskikt.
Lämpliga kontaktmetaller utgöres exempelvis av aluminium, silver och nickel.
Man kan med fördel använda kontaktmetaller som är lämpliga för bildande av en spärrfri kontakt med halvledarmaterialet, exem- pelvis aluminium eller en förening av guld och antimon. Härigenom blir det möjligt att alstra det tunna, högdopade skiktet 4 resp. 5-och kontaktmetallöverdraget 6 resp. 7 i ett enda förfarandesteg.
I fig. 1 antyds att det är möjligt att utföra halvledaranord- ' ningen enligt uppfinningen överraskande enkel i form av en skikt- följd med tre skiktformiga zoner av växelvis motsatta lednings- typer, exempelvis en PNP-struktur, och att det är speciellt gynn- POOR QUALITY 10 15 20 25 30 35 8008879-2 4 samt att man vid tillverkningen utgår från en större kropp som uppdelas längs de markerade linjerna m1.
Vid tillverkning av uppfinningsföremålet utgår man med fördel från en storytig halvledarskiva av en första ledníngstyp såsom vi- sas i perspektiv i fig. 2. Genom i och för sig känd, från båda sidorna företagen diffusion av störatomer av den andra lednings- typen, exempelvis vid över 1200°C företagen bordiffusion i en N-ledande, som utgångsmaterial tjänande skiva, åstadkommes en PNP-skiktföljd 1, 2, 3.
För uppnående av sinsemellan förskjutna diodstrukturer förses utgångsskivan på sina båda sidor med ett av det önskade halvledar- elementets ytutsträckníng och form givet mönster bestående av för- djupningar 10 resp. 20. I detta syfte kan man exempelvis maskera utgångsskivans båda sidor på lämpligt sätt och utsätta dem för en etsprocess, vid vilken på vardera sidan bildas sinsemellan paral- lella, gentemot motstående sidas fördjupningar förskjutna, den angränsande PN-övergången avbrytande, dikesformiga fördjupningar 10 resp. 11, vilka ger skivan ett i det närmaste meanderformigt tvärsnitt.
För etsbehandlingen av utgångsskivan används i och för sig kända etslösningar. ' Fördjupningarna 10, 20 kan med fördel även åstadkommas genom ultraljudborrning eller genom sågning.
I anslutning till fördjupningarnas bildande åstadkommes i dessas bottenytor ett tunt, högdopat ytskikt 4, 5 med en tjocklek upp till ca 20 pm och med samma ledningstyp som basområdet 1.
Detta kan ske med en i och för sig känd diffusion av exempelvis fosfor eller bor. Lika gynnsamt är att åstadkomma ytskikten 4, S genom i och för sig känd påförångning och ínlegering av en kontakt- metall med dopningsegenskaper, exempelvis aluminium eller guld- -antimon, varigenom man uppnår en ur tillverkníngsteknísk synpunkt speciellt gynnsam samtidig bildning av kontaktmetallöverdraget 6, 7, dvs halvledarkroppens kontaktelektroder.
Vid âstadkommande av dessa överdrag 6, 7 genom strömlös ut- fällníng av kontaktmetaller, exempelvis av nickel, kan deras vid- häftníng på halvledarytan förbättras genom sandblästring.
Slutligen uppdelas skivan längs markeringslinjerna m1, m2 i konstruktionselement av mindre ytutsträckning, vilket antyds spe- ciellt i fig. 2. Detta kan med fördel ske med hjälp av laserteknik. wíçpvmr- I ros* eïïíïïfïl-"ï .u-

Claims (13)

5 soossvsáz Patentkrav
1. Halvledaranordning med två antiparallellkopplade dioder, k ä n n e t e c k n a d, av att de båda dioderna är utförda i en halvledarkropp, som består dels av en jämn, skiktformig zon av den ena ledningstypen, vilken tjänar som gemensam baszon (1) för de båda dioderna, dels två ytterligare, på var sin yta av baszonen belägna, sinsemellan förskjutna, skiktformiga zoner (2, 3) av den andra led- ningstypen, samt att vardera halvledarkroppsytan, bildad av baszonen (1) och en av de ytterligare zonerna (2, 3), är försedd med ett kon- taktmetallöverdrag.
2. Halvledaranordning enligt kravet 1, k ä n n e t e c k n a d av att baszonens frilagda ytavsnitt i vardera zonföljden är försett med ett högdopat ytskikt (B, 5) av samma ledningstyp som baszonen (1).
3. Förfarande för tillverkning av en halvledaranordning enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a t av att man i en såsom ut- gångsmaterial tjänande halvledarskiva av den ena ledningstypen och mellan dennas huvudytor medelst från skivans båda sidor företagen diffusion av dopningsmaterial av den andra ledningstypen bildar en skiktföljd bestående av en mittzon (1) och tvà ytterligare zoner (2, 3) med var sin mellanliggande PN-övergång ( J1, J2); att utgångs- skivan efter maskering med ett mönster på ömse sidor förses med en struktur av dikesformiga, med varandra parallella fördjupningar (10, 20), som är förskjutna relativt motsatta sidans fördjupningar och som avbryter intilliggande PN-övergång; att ett överdrag (6, 7) av minst en kontaktmetall påföres pà vardera sidan av utgångsskivan; samt att skivan åtminstone längs samtliga fördjupningar (10), 20) uppdelas i halvledarkomponenter av mindre ytutsträckning och med var sin antiparallell diodstruktur (I, jI).
4. Förfarande enligt kravet 3, k ä n n e t e c k n a t av att fördjupningarna (10, 20) åstadkommes genom estning.
5. Pörfarande enligt kravet 3, k ä n n e t e c k n a t av att fördjupningarna (10, 20) ästadkommes genom ultraljudborrning.
6. Förfarande enligt kravet 3, k ä n n e t e c k n a t av att fördjupníngarna (10, 20) åstadkommas genom sågning.
7. Förfarande enligt något av kraven H-6, k ä n n e t e c k- n a t av att man i vartdera av baszonens frilagda ytavsnitt åstad- kommer ett tunt, högdopat skikt (4, 5) av samma ledningstyp som baszonen.
8. Förfarande enligt kravet 7, k ä n n e t e c k n a t av att det tunna, högdopade skiktet (4, 5) åstadkommas genom diffusion. Poor: QUALITY osooss79-2 °
9. Pörfarande enligt kravet 7, k ä n n e t e c k n a t av att det tunna, högdopade skiktet âstadkommes genom påförångning och legering av dopningsmetaller.
10. Förfarande enligt något av kraven 3-9, k ägn n e t e c k- n a t av att kontaktmetallöverdragen (6, 7) åstadkommas genom ström- lös utfällning av kontaktmetaller.
11. Förfarande enligt något av kraven 3-9, k ä n n e t e c k- n a t av att kontaktmetallöverdragen (6, 7) åstadkommas genom på- förångning och legering.
12. Pörfarande enligt kravet 10 eller 11, k ä n n e t e c k- n a t av att utgångsskivans ytor uppruggas genom sandblästring i och för förbättrad vidhäftning av kontaktmetallöverdragen (6, 7).
13. Förfarande enligt något av kraven 3-12, k ä n n e t e c k- n a t av att man använder kontaktmetaller som bildar spärrfri kontakt med utgângsskivans halvledarmaterial, och av att det tunna högdopade skiktet (R, 5) och kontaktmetallöverdragen (6, 7) åstad- kommes i ett enda förfarandesteg. Polo: QUALITY?
SE8008879A 1978-12-23 1980-12-17 Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna SE443476B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2855972A DE2855972C2 (de) 1978-12-23 1978-12-23 Halbleiteranordnung mit zwei integrierten und antiparallel geschalteten Dioden sowie Verfahren zu ihrer Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE8008879L SE8008879L (sv) 1980-12-17
SE443476B true SE443476B (sv) 1986-02-24

Family

ID=6058262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8008879A SE443476B (sv) 1978-12-23 1980-12-17 Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4525924A (sv)
EP (1) EP0020666A1 (sv)
JP (1) JPS55501161A (sv)
DE (1) DE2855972C2 (sv)
GB (1) GB2064869B (sv)
IT (1) IT1126607B (sv)
SE (1) SE443476B (sv)
WO (1) WO1980001334A1 (sv)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435306A1 (de) * 1984-09-26 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von laserdioden mit jutierter integrierter waermesenke
KR940016546A (ko) * 1992-12-23 1994-07-23 프레데릭 얀 스미트 반도체 장치 및 제조방법
GB2285882B (en) * 1994-01-14 1997-12-17 Westinghouse Brake & Signal Semiconductor switching devices
US6033489A (en) * 1998-05-29 2000-03-07 Fairchild Semiconductor Corp. Semiconductor substrate and method of making same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2748041A (en) * 1952-08-30 1956-05-29 Rca Corp Semiconductor devices and their manufacture
US3039028A (en) * 1955-09-26 1962-06-12 Hoffman Electronics Corp Double based diode
US2985805A (en) * 1958-03-05 1961-05-23 Rca Corp Semiconductor devices
US3005937A (en) * 1958-08-21 1961-10-24 Rca Corp Semiconductor signal translating devices
NL270369A (sv) * 1961-01-16
US3519900A (en) * 1967-11-13 1970-07-07 Motorola Inc Temperature compensated reference diodes and methods for making same
DE1916555A1 (de) * 1969-04-01 1971-03-04 Semikron Gleichrichterbau Halbleiter-Gleichrichter-Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US3978514A (en) * 1969-07-18 1976-08-31 Hitachi, Ltd. Diode-integrated high speed thyristor
US3706129A (en) * 1970-07-27 1972-12-19 Gen Electric Integrated semiconductor rectifiers and processes for their fabrication
FR2126904B1 (sv) * 1970-12-07 1974-04-26 Silec Semi Conducteurs
JPS567304B2 (sv) * 1972-08-28 1981-02-17
US3972113A (en) * 1973-05-14 1976-08-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of producing semiconductor devices
DE2610942C2 (de) * 1976-03-16 1983-04-28 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit in einem Halbleiterkörper monolithisch integrierten Halbleiterelementeinheiten
US4219835A (en) * 1978-02-17 1980-08-26 Siliconix, Inc. VMOS Mesa structure and manufacturing process

Also Published As

Publication number Publication date
GB2064869B (en) 1983-05-18
IT1126607B (it) 1986-05-21
DE2855972A1 (de) 1980-06-26
GB2064869A (en) 1981-06-17
JPS55501161A (sv) 1980-12-18
WO1980001334A1 (en) 1980-06-26
US4525924A (en) 1985-07-02
IT7928210A0 (it) 1979-12-19
SE8008879L (sv) 1980-12-17
DE2855972C2 (de) 1984-09-27
EP0020666A1 (de) 1981-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2732524B2 (ja) 光電変換デバイス
US4352948A (en) High-intensity solid-state solar-cell device
US3022568A (en) Semiconductor devices
EP0948036A3 (en) Method for forming semiconductor chips with a mesa structure by sawing
JPS551103A (en) Semiconductor resistor
SE443476B (sv) Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna
US3577631A (en) Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture
US3364399A (en) Array of transistors having a layer of soft metal film for dividing
JPS57172778A (en) Solar battery
US3457631A (en) Method of making a high frequency transistor structure
US3956820A (en) Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof
US4129458A (en) Solar-cell array
US3673468A (en) Semiconductor rectifying arrangement
JP4778176B2 (ja) 半導体装置および製造方法
JPS6246534A (ja) ガラス被覆半導体チツプの製造方法
US4179318A (en) Method of making a solar-cell array
JP3105999B2 (ja) 太陽電池の製造方法
US3607148A (en) Solder preforms on a semiconductor wafer
GB1042435A (en) Semiconductor devices
JPS5650581A (en) Schottky diode
JP2639153B2 (ja) 半導体素子の製造方法
GB1293807A (en) Semiconductor wafers sub-dividable into pellets and methods of fabricating same
FR2335953A1 (fr) Nouvelles diodes " mesa " et leur procede de fabrication
USRE30336E (en) Solar-cell array
JPS63141376A (ja) 半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8008879-2

Effective date: 19890301

Format of ref document f/p: F