SE443476B - Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna - Google Patents
Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av dennaInfo
- Publication number
- SE443476B SE443476B SE8008879A SE8008879A SE443476B SE 443476 B SE443476 B SE 443476B SE 8008879 A SE8008879 A SE 8008879A SE 8008879 A SE8008879 A SE 8008879A SE 443476 B SE443476 B SE 443476B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- depressions
- semiconductor
- contact metal
- zone
- base zone
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSNMPAVSZJSIMT-UHFFFAOYSA-N COc1c(C)c2COC(=O)c2c(O)c1CC(O)C1(C)CCC(=O)O1 Chemical compound COc1c(C)c2COC(=O)c2c(O)c1CC(O)C1(C)CCC(=O)O1 WSNMPAVSZJSIMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10157—Shape being other than a cuboid at the active surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
15 20 25 40 80018879-2 2 bildar en skiktföljd bestående av en mittzon och två ytterligare zoner med var sin mellanliggande PN-övergång, att utgângsskivan efter maskering med ett mönster på ömse sidor förses med en struk- tur av dikesformiga, med varandra parallella fördjupningar, som är förskjutna relativt motsatta sidans fördjupningar och som av- bryter intilliggande PN-övergång, att ett överdrag av minst en kontaktmetall påföres på vardera sidan av utgångsskívan, samt att skivan åtminstone längs samtliga fördjupningar uppdelas i halvle- darkomponenter av mindre ytutsträckning och med var sin antiparal- lell diodstruktur.
Fördjupníngarna kan åstadkommas genom etsning, genom ultra- ljudborrning eller genom sågning.
De av fördjupningarna frilagda ytavsnitten av basområdet kan vart och ett förses med ett tunt, högdopat skikt av samma lednings- typ, som kan åstadkommas genom diffusion eller genom påförångning och legering av dopningsmetaller.
Kontaktmetallöverdragen kan åstadkommas genom strömlös ut- fällning av kontaktmetaller eller genom påförångning och legering.
I och för förbättrad vidhäftning av kontaktmetallöverdragen kan utgångsskivans ytor uppruggas genom sandblästring.
En fördelaktig vidareutveckling av förfarandet består i att man använder kontaktmetaller som bildar spärrfri_kontakt med ut- gångsskivans halvledarmaterial, och i att det tunna, högdopade skíktet och kontaktmetallöverdragen åstadkommas i ett enda förfa- randesteg, Fördelen med uppfinningen består i att man med ett minimum av kända förfarandesteg kan åstadkomma en alla tekniska fordringar motsvarande kompakt anordning bestående av tvâ antiparallellkopp- lade dioder.
Den enligt uppfinningen utförda anordningen, liksom tillverk- ningen av densamma, beskrives närmare nedan under hänvisning till de i fig. 1 och Z visade utföringsexemplen. Fig. 1 visar i tvär- snitt uppbyggnaden av den enligt uppfinningen utförda halvledar- anordningen. Pig. 2 visar i perspektiv en såsom utgångsmaterial använd halvledarskiva, från vilken halvledaranordningar förfärdi- gas medelst ett i enlighet med uppfinningen genomfört förfarande.
Likadana delar i de båda figurerna har erhållit samma hänvisnings- beteckningar.
Den i fig. 1 visade halvledarkroppen består av en NP-struk- tur I svarande mot en första diod och en likadan, i rummet motrik- pooa QUNÅTY 10 15 20 25 30 40 s _ 8008879-2 tat orienterad och i zonplanet förskjutet anordnad struktur II svarande mot en andra, antíparallell diod. De bàda strukturerna har i huvudsak lika stor ytutsträckning och samma tjocklek.
Gemensamt för de båda strukturerna finns ett mittre, N-ledan- de basområde 1, vars ena sida gränsar mot en P-ledande zon 2 med den därigenom bildade PN-övergången J1, varigenom strukturen I bildas. Områdets 1 andra sida gränsar mot en till strukturen I rumsligt anslutande P-ledande zon 3 med den därigenom bildade PN-övergången JZ, varigenom strukturen II bildas.
Strukturens I-PN-övergång J1 är blottlagd vid zonens 2 båda ändytor och PN-övergången J2 vid zonens 3 båda ändytor.
Zonernas tjocklekar i de båda strukturerna I och II liksom deras ytutbredning bestämmes i huvudsak av de fordringar som vid drift ställs pâ deras fysikaliska och elektriska egenskaper.
Strukturerna tages endast i anspråk i framriktningen, varför speciella åtgärder för ytstabilisering och för förbättring av spärrförmågan bortfaller.
Den ena strukturens övergång i den andra, dvs formgivningen av zonernas 2, 3 kantområden, är okritísk och förlöper - i över- ensstämmelse med de tilltänkta tillverkningsmetoderna för bildan- det av basomrádet i vardera strukturen - i huvudsak vinkelrätt mot anordningens zonplan. , För förbättrad kontaktering av halvledarkroppen vid ytavsnit- tet av vardera diodstrukturens basområde 1 är dessa avsnitt för- sedda med var sitt högdopat, tunt ytskikt 4 resp. 5 av samma led- ningstyp. Vid det visade exemplet är dessa avsnitt N+-ledande.
De båda likformigt och stegvis förlöpande ytorna av halvle- darkroppen uppvisar dessutom var sitt kontaktmetallöverdrag 6 resp. 7, som även kan utgöras av delskikt.
Lämpliga kontaktmetaller utgöres exempelvis av aluminium, silver och nickel.
Man kan med fördel använda kontaktmetaller som är lämpliga för bildande av en spärrfri kontakt med halvledarmaterialet, exem- pelvis aluminium eller en förening av guld och antimon. Härigenom blir det möjligt att alstra det tunna, högdopade skiktet 4 resp. 5-och kontaktmetallöverdraget 6 resp. 7 i ett enda förfarandesteg.
I fig. 1 antyds att det är möjligt att utföra halvledaranord- ' ningen enligt uppfinningen överraskande enkel i form av en skikt- följd med tre skiktformiga zoner av växelvis motsatta lednings- typer, exempelvis en PNP-struktur, och att det är speciellt gynn- POOR QUALITY 10 15 20 25 30 35 8008879-2 4 samt att man vid tillverkningen utgår från en större kropp som uppdelas längs de markerade linjerna m1.
Vid tillverkning av uppfinningsföremålet utgår man med fördel från en storytig halvledarskiva av en första ledníngstyp såsom vi- sas i perspektiv i fig. 2. Genom i och för sig känd, från båda sidorna företagen diffusion av störatomer av den andra lednings- typen, exempelvis vid över 1200°C företagen bordiffusion i en N-ledande, som utgångsmaterial tjänande skiva, åstadkommes en PNP-skiktföljd 1, 2, 3.
För uppnående av sinsemellan förskjutna diodstrukturer förses utgångsskivan på sina båda sidor med ett av det önskade halvledar- elementets ytutsträckníng och form givet mönster bestående av för- djupningar 10 resp. 20. I detta syfte kan man exempelvis maskera utgångsskivans båda sidor på lämpligt sätt och utsätta dem för en etsprocess, vid vilken på vardera sidan bildas sinsemellan paral- lella, gentemot motstående sidas fördjupningar förskjutna, den angränsande PN-övergången avbrytande, dikesformiga fördjupningar 10 resp. 11, vilka ger skivan ett i det närmaste meanderformigt tvärsnitt.
För etsbehandlingen av utgångsskivan används i och för sig kända etslösningar. ' Fördjupningarna 10, 20 kan med fördel även åstadkommas genom ultraljudborrning eller genom sågning.
I anslutning till fördjupningarnas bildande åstadkommes i dessas bottenytor ett tunt, högdopat ytskikt 4, 5 med en tjocklek upp till ca 20 pm och med samma ledningstyp som basområdet 1.
Detta kan ske med en i och för sig känd diffusion av exempelvis fosfor eller bor. Lika gynnsamt är att åstadkomma ytskikten 4, S genom i och för sig känd påförångning och ínlegering av en kontakt- metall med dopningsegenskaper, exempelvis aluminium eller guld- -antimon, varigenom man uppnår en ur tillverkníngsteknísk synpunkt speciellt gynnsam samtidig bildning av kontaktmetallöverdraget 6, 7, dvs halvledarkroppens kontaktelektroder.
Vid âstadkommande av dessa överdrag 6, 7 genom strömlös ut- fällníng av kontaktmetaller, exempelvis av nickel, kan deras vid- häftníng på halvledarytan förbättras genom sandblästring.
Slutligen uppdelas skivan längs markeringslinjerna m1, m2 i konstruktionselement av mindre ytutsträckning, vilket antyds spe- ciellt i fig. 2. Detta kan med fördel ske med hjälp av laserteknik. wíçpvmr- I ros* eïïíïïfïl-"ï .u-
Claims (13)
1. Halvledaranordning med två antiparallellkopplade dioder, k ä n n e t e c k n a d, av att de båda dioderna är utförda i en halvledarkropp, som består dels av en jämn, skiktformig zon av den ena ledningstypen, vilken tjänar som gemensam baszon (1) för de båda dioderna, dels två ytterligare, på var sin yta av baszonen belägna, sinsemellan förskjutna, skiktformiga zoner (2, 3) av den andra led- ningstypen, samt att vardera halvledarkroppsytan, bildad av baszonen (1) och en av de ytterligare zonerna (2, 3), är försedd med ett kon- taktmetallöverdrag.
2. Halvledaranordning enligt kravet 1, k ä n n e t e c k n a d av att baszonens frilagda ytavsnitt i vardera zonföljden är försett med ett högdopat ytskikt (B, 5) av samma ledningstyp som baszonen (1).
3. Förfarande för tillverkning av en halvledaranordning enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a t av att man i en såsom ut- gångsmaterial tjänande halvledarskiva av den ena ledningstypen och mellan dennas huvudytor medelst från skivans båda sidor företagen diffusion av dopningsmaterial av den andra ledningstypen bildar en skiktföljd bestående av en mittzon (1) och tvà ytterligare zoner (2, 3) med var sin mellanliggande PN-övergång ( J1, J2); att utgångs- skivan efter maskering med ett mönster på ömse sidor förses med en struktur av dikesformiga, med varandra parallella fördjupningar (10, 20), som är förskjutna relativt motsatta sidans fördjupningar och som avbryter intilliggande PN-övergång; att ett överdrag (6, 7) av minst en kontaktmetall påföres pà vardera sidan av utgångsskivan; samt att skivan åtminstone längs samtliga fördjupningar (10), 20) uppdelas i halvledarkomponenter av mindre ytutsträckning och med var sin antiparallell diodstruktur (I, jI).
4. Förfarande enligt kravet 3, k ä n n e t e c k n a t av att fördjupningarna (10, 20) åstadkommes genom estning.
5. Pörfarande enligt kravet 3, k ä n n e t e c k n a t av att fördjupningarna (10, 20) ästadkommes genom ultraljudborrning.
6. Förfarande enligt kravet 3, k ä n n e t e c k n a t av att fördjupníngarna (10, 20) åstadkommas genom sågning.
7. Förfarande enligt något av kraven H-6, k ä n n e t e c k- n a t av att man i vartdera av baszonens frilagda ytavsnitt åstad- kommer ett tunt, högdopat skikt (4, 5) av samma ledningstyp som baszonen.
8. Förfarande enligt kravet 7, k ä n n e t e c k n a t av att det tunna, högdopade skiktet (4, 5) åstadkommas genom diffusion. Poor: QUALITY osooss79-2 °
9. Pörfarande enligt kravet 7, k ä n n e t e c k n a t av att det tunna, högdopade skiktet âstadkommes genom påförångning och legering av dopningsmetaller.
10. Förfarande enligt något av kraven 3-9, k ägn n e t e c k- n a t av att kontaktmetallöverdragen (6, 7) åstadkommas genom ström- lös utfällning av kontaktmetaller.
11. Förfarande enligt något av kraven 3-9, k ä n n e t e c k- n a t av att kontaktmetallöverdragen (6, 7) åstadkommas genom på- förångning och legering.
12. Pörfarande enligt kravet 10 eller 11, k ä n n e t e c k- n a t av att utgångsskivans ytor uppruggas genom sandblästring i och för förbättrad vidhäftning av kontaktmetallöverdragen (6, 7).
13. Förfarande enligt något av kraven 3-12, k ä n n e t e c k- n a t av att man använder kontaktmetaller som bildar spärrfri kontakt med utgângsskivans halvledarmaterial, och av att det tunna högdopade skiktet (R, 5) och kontaktmetallöverdragen (6, 7) åstad- kommes i ett enda förfarandesteg. Polo: QUALITY?
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2855972A DE2855972C2 (de) | 1978-12-23 | 1978-12-23 | Halbleiteranordnung mit zwei integrierten und antiparallel geschalteten Dioden sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8008879L SE8008879L (sv) | 1980-12-17 |
SE443476B true SE443476B (sv) | 1986-02-24 |
Family
ID=6058262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8008879A SE443476B (sv) | 1978-12-23 | 1980-12-17 | Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4525924A (sv) |
EP (1) | EP0020666A1 (sv) |
JP (1) | JPS55501161A (sv) |
DE (1) | DE2855972C2 (sv) |
GB (1) | GB2064869B (sv) |
IT (1) | IT1126607B (sv) |
SE (1) | SE443476B (sv) |
WO (1) | WO1980001334A1 (sv) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3435306A1 (de) * | 1984-09-26 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von laserdioden mit jutierter integrierter waermesenke |
KR940016546A (ko) * | 1992-12-23 | 1994-07-23 | 프레데릭 얀 스미트 | 반도체 장치 및 제조방법 |
GB2285882B (en) * | 1994-01-14 | 1997-12-17 | Westinghouse Brake & Signal | Semiconductor switching devices |
US6033489A (en) * | 1998-05-29 | 2000-03-07 | Fairchild Semiconductor Corp. | Semiconductor substrate and method of making same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2748041A (en) * | 1952-08-30 | 1956-05-29 | Rca Corp | Semiconductor devices and their manufacture |
US3039028A (en) * | 1955-09-26 | 1962-06-12 | Hoffman Electronics Corp | Double based diode |
US2985805A (en) * | 1958-03-05 | 1961-05-23 | Rca Corp | Semiconductor devices |
US3005937A (en) * | 1958-08-21 | 1961-10-24 | Rca Corp | Semiconductor signal translating devices |
NL270369A (sv) * | 1961-01-16 | |||
US3519900A (en) * | 1967-11-13 | 1970-07-07 | Motorola Inc | Temperature compensated reference diodes and methods for making same |
DE1916555A1 (de) * | 1969-04-01 | 1971-03-04 | Semikron Gleichrichterbau | Halbleiter-Gleichrichter-Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US3978514A (en) * | 1969-07-18 | 1976-08-31 | Hitachi, Ltd. | Diode-integrated high speed thyristor |
US3706129A (en) * | 1970-07-27 | 1972-12-19 | Gen Electric | Integrated semiconductor rectifiers and processes for their fabrication |
FR2126904B1 (sv) * | 1970-12-07 | 1974-04-26 | Silec Semi Conducteurs | |
JPS567304B2 (sv) * | 1972-08-28 | 1981-02-17 | ||
US3972113A (en) * | 1973-05-14 | 1976-08-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process of producing semiconductor devices |
DE2610942C2 (de) * | 1976-03-16 | 1983-04-28 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit in einem Halbleiterkörper monolithisch integrierten Halbleiterelementeinheiten |
US4219835A (en) * | 1978-02-17 | 1980-08-26 | Siliconix, Inc. | VMOS Mesa structure and manufacturing process |
-
1978
- 1978-12-23 DE DE2855972A patent/DE2855972C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-12-11 US US06/503,078 patent/US4525924A/en not_active Expired - Fee Related
- 1979-12-11 WO PCT/DE1979/000145 patent/WO1980001334A1/de not_active Application Discontinuation
- 1979-12-11 JP JP50005679A patent/JPS55501161A/ja active Pending
- 1979-12-11 GB GB8101369A patent/GB2064869B/en not_active Expired
- 1979-12-19 IT IT28210/79A patent/IT1126607B/it active
-
1980
- 1980-07-01 EP EP80900001A patent/EP0020666A1/de not_active Withdrawn
- 1980-12-17 SE SE8008879A patent/SE443476B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2064869B (en) | 1983-05-18 |
IT1126607B (it) | 1986-05-21 |
DE2855972A1 (de) | 1980-06-26 |
GB2064869A (en) | 1981-06-17 |
JPS55501161A (sv) | 1980-12-18 |
WO1980001334A1 (en) | 1980-06-26 |
US4525924A (en) | 1985-07-02 |
IT7928210A0 (it) | 1979-12-19 |
SE8008879L (sv) | 1980-12-17 |
DE2855972C2 (de) | 1984-09-27 |
EP0020666A1 (de) | 1981-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2732524B2 (ja) | 光電変換デバイス | |
US4352948A (en) | High-intensity solid-state solar-cell device | |
US3022568A (en) | Semiconductor devices | |
EP0948036A3 (en) | Method for forming semiconductor chips with a mesa structure by sawing | |
JPS551103A (en) | Semiconductor resistor | |
SE443476B (sv) | Halvledaranordning med tva antiparallella dioder utforda i en halvledarkropp och forfarande for framstellning av denna | |
US3577631A (en) | Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture | |
US3364399A (en) | Array of transistors having a layer of soft metal film for dividing | |
JPS57172778A (en) | Solar battery | |
US3457631A (en) | Method of making a high frequency transistor structure | |
US3956820A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof | |
US4129458A (en) | Solar-cell array | |
US3673468A (en) | Semiconductor rectifying arrangement | |
JP4778176B2 (ja) | 半導体装置および製造方法 | |
JPS6246534A (ja) | ガラス被覆半導体チツプの製造方法 | |
US4179318A (en) | Method of making a solar-cell array | |
JP3105999B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
US3607148A (en) | Solder preforms on a semiconductor wafer | |
GB1042435A (en) | Semiconductor devices | |
JPS5650581A (en) | Schottky diode | |
JP2639153B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
GB1293807A (en) | Semiconductor wafers sub-dividable into pellets and methods of fabricating same | |
FR2335953A1 (fr) | Nouvelles diodes " mesa " et leur procede de fabrication | |
USRE30336E (en) | Solar-cell array | |
JPS63141376A (ja) | 半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8008879-2 Effective date: 19890301 Format of ref document f/p: F |