SE435771B - Skivformat halvledarelement som er tett omslutet av en plastmantel - Google Patents

Skivformat halvledarelement som er tett omslutet av en plastmantel

Info

Publication number
SE435771B
SE435771B SE7902014A SE7902014A SE435771B SE 435771 B SE435771 B SE 435771B SE 7902014 A SE7902014 A SE 7902014A SE 7902014 A SE7902014 A SE 7902014A SE 435771 B SE435771 B SE 435771B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
plastic
semiconductor element
powder coating
edge areas
shaped semiconductor
Prior art date
Application number
SE7902014A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7902014L (sv
Inventor
J Brandt
L Herold
W Pikorz
A Sonntag
Original Assignee
Licentia Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Gmbh filed Critical Licentia Gmbh
Publication of SE7902014L publication Critical patent/SE7902014L/sv
Publication of SE435771B publication Critical patent/SE435771B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

vsuzol1e4-s 10 15 20 25 36 35 40 - ---~-- --- » --- 2 .§_ ._,___ i, ___ __._._-___ . iinledningsvis beskrivna slaget på grund av de olika termiska utvidgningskoefficienterna hos de halvledarelementet kontakte- rande metallkropparna å ena sidan och den för halvledarelementets ommantling använda plasten å andra sidan, mekaniska spänningar, som leder till sprickbildning i plasten eller till att plasten ' lossnar från en i plast inbäddad metallremsa. En tillförlitlig vidhäftning av plasten vid metalldelarna kan inte anses säker- ställd speciellt om för ommantling av halvledarelementet används _ plastpressmassor, eftersom plastpressmassorna för god formsläpp- ning, dvs. den stelnande pressmassans formning icke förändrande uttagbarhet ur verktyget, (pressformen) innehåller formsläpp- ~ medel. Dessa formsläppmedel kan leda till att den för husets beständiga täthet erforderliga vidhäftningen mellan plastpress- massan och de ompressade metalliska husdelarna inte uppnås. _ Uppfinningen har därför fått till uppgift att utföra ett halv- ledarelement av det inledningsvis beskrivna slaget på sådant sätt, att man uppnår en tillförlitlig och säker förbindning mellan metalliska husdelar och plastpressmassan så att ett trycktätt men även oljetätt, halvledarelementet skyddande hus kan åstadkommas. i Denna uppgift löses enligt uppfinningen genom att de ringformade plâtremsornas kantomrâden är vågformigt utförda samt att kant- områdenas ytor kemiskt uppruggats och försetts med en plastpul- verbeläggning. Plastpulverbeläggningen bildar på fördelaktigt sätt ett effektivt häftmedel mellan den ringformade plåtremsan a ena sidan och den halvledarkomponenten omslutande plastmanteln å andra sidan.
Enligt vidare utföringsformer av uppfinningen består plastpul- verskiktet av en pulverlack på basis av epoxy-, polyester- eller polyuretanhartser.
Dessa polymersystem uppvisar god adhesion på metalliska underlag.
Enligt uppfinningen kan vidare sintrade plastpulverskikt samt även elektrostatiska plastpulverskikt användas som är speciellt lämpliga, eftersom de kan appliceras jämnt och på enkelt sätt och vilka selektivt med hjälp av en maskering t.ex. av teflon, kan appliceras på metalliska underlag. 10 15 20 ät 30 35 40 7902014-5 3 i _ Enligt en föredragen utföringsform av uppfinningen har plast- pulverbeläggningen en tjocklek på 40-10011» Uppfinningen skall nu närmare förklaras i anslutning till ett på bifogade ritning återgivet utföringsexempel, som visar en slipbild av ett tyristorelement.
Ett dylikt tyristorelement är enligt ritningen sammansatt av ett skivformigt halvledarelement l, vilket-såsom tyristor är försedd med två på de båda skivytorna ll och l2 anordnade huvudelektroder l3 resp. 14 samt med en på ritningen icke återgiven, på huvudytan 12 anordnad styrelektrod. Vidare upp- visar den två cylindriska metallkroppar 2 och 3 av massiv koppar samt en isolerring 4. Tyristorelementet l befinner sig mellan metallkropparna 2 och 3 och har med huvudelektroden l3 ytkontakt med metallkroppen 2 och med huvudelektroden l4 ytkontakt 'med metallkroppen 3. Sålunda anordnade sammanhålles tyristorele- mentet och de båda isolerkropparna centrerade i isolerringen 4.
Isolerringen 4 består av plast, företrädesvis av mineraliskt eller glasfiberförstärkt epoxyharts, vars värmeformbeständighet efter härdning är så bra, att vid den för tyristorelementets ommantling använda plastens bearbetningstemperatur icke uppkommer någon deformering av isolerringea 4.
Metallkropparna 2 och 3 av koppar tjänstgör som strömavtagare.
På varje cylindrisk metallkropps mantelyta är genom hårdlödning fastsatt var sin ringformad plåtremsa 21 resp. 31, även de av koppar. Deras kantområden r2l resp. r3l, som skjuter radiellt utanför isolerringen 4 och är inbäddade i plastmanteln 5 är vågformigt utförda. Tyristorelementet är omgivet av en plastman- tel 5, vars dimensioner valts så, att de cylindriska metallkroppar- nas 2 och 3 ändsidor 22 och 32 på båda sidor skjuter utanför mantelns 5 ändsidor för att dessa ändsidor skall kunna kontak- teras. Såsom material för manteln 5 ifrågakommer härdbara hartser såsom t.ex. epoxyhartser. Vid tillverkning av dylika formdetaljer har formpressning (transfer-pressning) visat sig vara ett lämpligt bearbetningsförfarande.~ För tillverkning av en plastmantel enligt detta förfarande pla- ceras tyristorelementet i ett lämpligt dimensionerat verktyg. 7902014-5 l0 15 20 25 30 35 40 Därefter inpressas i en tryckkammare under värme och tryck plasticerad formmassa med en stämpel genom kanaler i det dess- förinnan slutna och under presstryck stående verktygets ihålig- het. Under plastens härdning upprätthålles trycket mot plåtrem- sornas 21 och 31 mot isolerringen 4 anliggande områden; fiärvid och hindrat genom ísolerringen 4 kan den plastiskt flytande plasten inte nå det mellan metallkropparna 2 och 3 befintliga halvledarelementet. När plasten härdats kan pressverktygets form- halvor säras och det ommantlade tyristorelementet tagas ur verk- tyget. För husets permanenta täthet är förutom den använda press~ massan även en tillförlitlig förbindning mellan den får manteln 5 använda formmassan och de i densamma inbäddade plåtremsorna 21 och 31 av stor betydelse. Pressmassorna har i detta avseende inga fördelaktiga förutsättningar, eftersom de innehåller till- satser sâsom formsläppmedel för att-underlätta detaljens uttag- ning ur verktyget. Dessa formsläppmedel har till uppgift att för- -hindra plastens vidhäftning vid metalliska delar dvs. verktyget.
Under användning av duroplastiska pressmassor för ommantling av ett halvledarelement, såsom beskrivits, âstadkommes ett permrnent tätt hus genom beläggning av plâtremsornas 21 respr Si kantom- råden r2l och r3l med plastpulver. Såsom beläggningsmaterial lämpar sig speciellt pulverlacker på basis av epoxy-, polyester- eller polyuretanhartser. För att förbättra denna plastbeläggnings vidhäftning mot metall uppruggas de husdelar, som skall beläggas först på kemisk väg. Det lilla röret 6, genom vilket föres en anslutningsledare till styrelektroden, förses i de områden, där det inbäddas i plastmanteln 5, också med en plastbeläggning r6.
Såsom material för plastmanteln 5 liksom för isolerringen 4 lämpar sig epoxyhartser med hög andel mineraliska fyllnadsämnen, vilkas termiska utvidgningskoefficient ligger så nära utvidgnings- koefficienten för metallkropparna 2 och 3 samt 21 och 3l som möjligt,för att i möjligaste mån undvika mekaniska spänningar mellan plast- och metalldelar vid temperaturförändringar.
Eftersom den termiska utvidgningskoefficienten för plaster kan variera kraftigt med temperaturen, är det fördelaktigt att använda formmassor, vilkas mjukningstemperatur efter fullständig härdning ligger betydligt högre än arbetstemperaturen, eftersom den termiska utvidgningskoefficienten kraftigt stiger inom mjukningstemperaturområdet. 'vx- .Mfi u... 10 ß ?9ko>2'o14-s Det har visat sig, att enligt uppfinningen utförda skivformade halvledarelement med plastmantel uppvisar en även efter termisk växelbelastning bestående täthet. Därigenom uppnås vid ett halvledarelement förbättrat fuktskydd, så att de även kan användas i miljöer med hög luftfuktighet. Eftersom inträngning av olja i husets inre tillförlitligt förhindras även vid termisk belastning, kan dylika komponenter t.o.m. användas i oljebad.
Utförda undersökningar har visat att dylika komponenter efter mer än 50 termiska belastningsväxlingar mellan -40°C och +l40°C fortfarande är helt fatal

Claims (4)

7992014-.5 6 Patentkrav ~~~~
1. Skivformat halvledarelement för hög effekt, som är tätt omslutet av en plastmantel och består av ett skivformat, vid de båda huvudsídorna med elektroder försett halvledarelement, med tvâ cylindriska, såsom strömanslutníngsorgan och för värmeavledning tjänstgörande, halvledarelementet vid huvud- elektroderna kontakterande metallkroppar, samt med en dessa metallkroppar och halvledarelementet omslutande, centrerande isolerring, vilken är infattad mellan två med sina innerkanter vid de båda metallkropparnas mantelyta fastsatta ringformade plåtransor, vilka vid sina kantområaen är inbäaaaae i aan genom omgjutning eller omsprutning under tryck tillverkade, det skivíormade halvledarelementet omslutande plastmanteln, k ä n - n e t e c k n a t därav, att de ringformade plâtremsornas (2l,3l) kantomrâden (r2l,r3l) är vågíormade samt att kantom- rådenas ytor kemiskt uppruggats och försetts med en plastpulver- beläggning (7).
2. Skivformat halvledarelement enligt krav l, k ä n n_e t e c k - n a t därav, att plastpulverbeläggningen (7) består av pulver- lack på basis av efioxy-, polyester- eller polyuretanhartser.
3. Skivformat halvledarelement enligt krav l, k ä n n e t e c k ~ n a t därav, att de ringformade plåtremsornas (2l,3l) kantom- råden (r21,r31) är försedda med en elektrostatisk pulverbelägg- ning (7) . _ '
4. Skivformat halvledarelement enligt krav l, 2 eller 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att plastpulverbeläggningen har en tjocklek av 40 - 100 pm. :_ . -flwg
SE7902014A 1978-03-10 1979-03-06 Skivformat halvledarelement som er tett omslutet av en plastmantel SE435771B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2810416A DE2810416C2 (de) 1978-03-10 1978-03-10 Halbleiterbauelement mit Kunststoffummantelung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7902014L SE7902014L (sv) 1979-09-11
SE435771B true SE435771B (sv) 1984-10-15

Family

ID=6034077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7902014A SE435771B (sv) 1978-03-10 1979-03-06 Skivformat halvledarelement som er tett omslutet av en plastmantel

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4240099A (sv)
JP (1) JPS54124973A (sv)
DE (1) DE2810416C2 (sv)
FR (1) FR2419587A1 (sv)
GB (1) GB2016807B (sv)
SE (1) SE435771B (sv)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2915862C2 (de) * 1979-04-19 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit scheibenförmigem Gehäuse
JPS57143849A (en) * 1981-03-02 1982-09-06 Toshiba Corp Flat semiconductor element
US4525422A (en) * 1982-11-22 1985-06-25 Olin Corporation Adhesion primers for encapsulating epoxies
US4582556A (en) * 1982-11-22 1986-04-15 Olin Corporation Adhesion primers for encapsulating epoxies
US4521469A (en) * 1982-11-22 1985-06-04 Olin Corporation Casing for electronic components
DE4227063A1 (de) * 1992-08-15 1994-02-17 Abb Research Ltd Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement
US6703707B1 (en) * 1999-11-24 2004-03-09 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure
US7145254B2 (en) * 2001-07-26 2006-12-05 Denso Corporation Transfer-molded power device and method for manufacturing transfer-molded power device
US7132698B2 (en) * 2002-01-25 2006-11-07 International Rectifier Corporation Compression assembled electronic package having a plastic molded insulation ring
KR20040006636A (ko) * 2002-07-13 2004-01-24 천기완 전자장치의 수냉식 연질 냉각재킷 및 이를 이용한 완충재킷
US7382059B2 (en) * 2005-11-18 2008-06-03 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor package structure and method of manufacture
JP5126278B2 (ja) * 2010-02-04 2013-01-23 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
DE102015223415A1 (de) * 2015-11-26 2017-06-01 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung mit einer Umhüllmasse

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB555876A (en) * 1942-04-27 1943-09-10 Percy Archibald Sporing Improvements in or relating to electric terminals
GB737855A (en) * 1952-12-19 1955-10-05 Philips Nv Improvements in or relating to bodies comprising a synthetic resin mass having a metal article partly embedded therein
FR1531714A (fr) * 1966-06-03 1968-07-05 Westinghouse Electric Corp Dispositif semi-conducteur du type à disques
US3437887A (en) * 1966-06-03 1969-04-08 Westinghouse Electric Corp Flat package encapsulation of electrical devices
GB1191232A (en) * 1968-02-14 1970-05-13 Westinghouse Brake & Signal Semiconductor Devices and Their Manufacture
US3559001A (en) * 1968-08-21 1971-01-26 Motorola Inc Semiconductor housing assembly
JPS4826675B1 (sv) * 1968-10-16 1973-08-14
DE2014289A1 (de) * 1970-03-25 1971-10-14 Semikron Gleichrichterbau Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung
US3831067A (en) * 1972-05-15 1974-08-20 Int Rectifier Corp Semiconductor device with pressure connection electrodes and with headers cemented to insulation ring
DE2364728A1 (de) * 1973-12-27 1975-07-03 Licentia Gmbh Scheibenfoermiges halbleiterbauelement grosser leistungsfaehigkeit mit kunststoffummantelung
US4008486A (en) * 1975-06-02 1977-02-15 International Rectifier Corporation Compression-assembled semiconductor device with nesting circular flanges and flexible locating ring

Also Published As

Publication number Publication date
GB2016807B (en) 1982-07-21
DE2810416A1 (de) 1979-09-13
FR2419587B1 (sv) 1985-03-15
SE7902014L (sv) 1979-09-11
DE2810416C2 (de) 1983-09-01
US4240099A (en) 1980-12-16
GB2016807A (en) 1979-09-26
FR2419587A1 (fr) 1979-10-05
JPS6136710B2 (sv) 1986-08-20
JPS54124973A (en) 1979-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE435771B (sv) Skivformat halvledarelement som er tett omslutet av en plastmantel
US10685894B2 (en) Semi-conductor module with an encapsulating cement mass that covers a semi-conductor component
US4024397A (en) Shock resistant encapsulated infrared detector
US6311769B1 (en) Thermal interface materials using thermally conductive fiber and polymer matrix materials
US20040074898A1 (en) Encapsulated graphite heater and process
GB2098739A (en) Electrical strain gauges
CN1938571A (zh) 金属基陶瓷压力传感器
JPH04289423A (ja) エラストマタイプの低圧力センサ
KR102508957B1 (ko) 정전 척 장치
US20170191879A1 (en) Temperature sensors with integrated sensing components
US3210831A (en) Method of making a non-linear resistance element
Sahlberg et al. High‐Resolution Liquid Alloy Patterning for Small Stretchable Strain Sensor Arrays
US3496435A (en) Encapsulated electrical capacitor
JP2010506754A (ja) ホットランナーシステム用電気式加熱装置
US3955169A (en) High power resistor
KR102048103B1 (ko) 정전기 방전 보호 소자 및 그 제조 방법
US3308462A (en) Magnetic laminate
US3986201A (en) High output wafer-shaped semiconductor component with plastic coating
US2963773A (en) Strain gage installation and method of installing
EP0144866A2 (en) Semiconductor device comprising a substrate
GB2046992A (en) Semiconductor device
WO2002019787B1 (en) Electronics enclosure utilizing thermal insulating ceramic coating
JPS57124221A (en) Temperature sensitive resistance element of cryogenic thermometer and its production
EP0788154A2 (en) Electronic circuit substrate
SE7904113L (sv) Verme- och elisolerade och tetande distansstycke mellan mantlade motstands mantelendar och endanslutningar samt sett for dess tillverkning

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 7902014-5

Effective date: 19921005

Format of ref document f/p: F