SA516371842B1 - مفاعل وعملية لتحضير البولي سيليكون الحبيبي - Google Patents
مفاعل وعملية لتحضير البولي سيليكون الحبيبي Download PDFInfo
- Publication number
- SA516371842B1 SA516371842B1 SA516371842A SA516371842A SA516371842B1 SA 516371842 B1 SA516371842 B1 SA 516371842B1 SA 516371842 A SA516371842 A SA 516371842A SA 516371842 A SA516371842 A SA 516371842A SA 516371842 B1 SA516371842 B1 SA 516371842B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- reactor
- component
- silicon
- gas
- heating
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 3
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 claims description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 101000878595 Arabidopsis thaliana Squalene synthase 1 Proteins 0.000 claims 1
- 101100479039 Caenorhabditis elegans aars-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 235000008001 rakum palm Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 16
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000272194 Ciconiiformes Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007185 Stork enamine alkylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N bromosilane Chemical class Br[SiH3] VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
- B01J8/1836—Heating and cooling the reactor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
- B01J8/24—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles according to "fluidised-bed" technique
- B01J8/42—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles according to "fluidised-bed" technique with fluidised bed subjected to electric current or to radiations this sub-group includes the fluidised bed subjected to electric or magnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00008—Controlling the process
- B01J2208/00017—Controlling the temperature
- B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
- B01J2208/00415—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements electric resistance heaters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00796—Details of the reactor or of the particulate material
- B01J2208/00893—Feeding means for the reactants
- B01J2208/00902—Nozzle-type feeding elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Abstract
يتعلق الاختراع بمفاعل reactor لتحضير بولي سيليكون حبيبي granular polysilicon من خلال ترسيب deposition سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على جسيمات بذور سيليكون silicon seed particles، يشتمل على وعاء تفاعل reaction vessel ، أنبوب مفاعل داخلي an inner reactor tube لطٍبقة مميعة fluidized bed تشتمل على بولي سيليكون حبيبي granular polysilicon وأسفل مفاعل بداخل وعاء التفاعل، جهاز تسخين heating device لتسخين الطبقة المميعة fluidized bed في أنبوب المفاعل الداخلي inner reactor tube، فونية غاز سفلية bottom gas nozzle واحدة على الأقل لإدخال غاز التمييع fluidizing gas وفونية غاز تفاعل reaction gas واحدة على الأقل لإدخال غاز التفاعل، جهاز تلقيم feed device لإدخال جسيمات بذور السيليكون silicon seed particles وأيضاً خط مأخذ offtake line للبولي سيليكون الحبيبي granular polysilicon وجهاز لتفريغ غازات عادمة من وعاء التفاعل، حيث يتم وضع مكون اسطواني الشكل مع وجود فتحات على سطحه الاسطواني cylindrical surface، مع فتح 5% على الأقل وما لا يزيد عن 95% من السطح الاسطواني cylindrical surface، بين أ
Description
مفاعل وعملية لتحضير البولي سيليكون الحبيبي Reactor and Process for Preparing Granular Polysilicon الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع بمفاعل؛ بالتحديد مفاعل طبقة مميعة reactor 111101280-080؛ وعملية لتحضير بولى سيليكون حبيبى .granular polysilicon تُستخدم مفاعلات الطبقة المميعة Fluidized—bed reactors على سبيل المثال» لتحضير ثالث كلوروسيلان (TCS) trichlorosilane من خلال تفاعل سيليكون ميتالورجي metallurgical silicon مع aan هيد روكلوريك (HCI) عند 400-350 درجة EP يمكن كذلك إنتاج ثالث كلوروسيلان trichlorosilane من سيليكون ميتالورجى STC/H2 3 metallurgical silicon =STC) رابع كلوريد سيليكون (silicon tetrachloride في مفاعل طبقة مميعة fluidized— .bed reactor شُتخدم Lad مفاعلات الطبقة المميعة Fluidized—bed reactors لتحضير حبيبات سيليكون عديد البلورات .polycrystalline silicon granules يتم تحقيق ذلك من خلال تمييع جسيمات سيليكون silicon particles عن طريق تيار غاز gas A stream طبقة مميعة (fluidized bed بذلك يتم التسخين إلى درجات حرارة عالية عن طريق جهاز تسخين. يتسبب إدخال غاز تفاعل reaction gas يحتوي على سيليكون silicon فى 5 تفاعل تحلل حراري pyrolysis reaction على سطح الجسيم الساخن .hot particle surface هناء يترسب سيليكون عنصري على جسيمات السليكون alg قطر الجسيمات الفردية. يعمل إخراج جسيمات السيليكون التي قد زادت في المقاس على فترات زمنية منتظمة وإضافة جسيمات سيليكون أصغر كجسيمات بذرية particles 5660؛ على إتاحة تشغيل العملية بشكل متواصل بجميع المميزات المصاحبة. تم Chay مركبات سيليكون - هالوجين Silicon-halogen Jis) compounds 0 مركبات كلوروسيلان chlorosilanes أو بروموسيلان «(bromosilanes أحادي سيلان ¢(SiH4) monosilane ومخاليط من هذه الغازات مع هيدروجين» كغاز تلقيم
يحتوي على سيليكون. عمليات الترسيب تلك وأجهزة تنفيذها معروفة؛ على سبيل المثال» من الوثيقة الامريكية 4786477 أ. تكشف الوثيقة الامريكية 5382412 أ عن عملية لتحضير سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon في مفاعل طبقة مميعة J fluidized—bed reactor فيها تلقيم جسيمات البدء Ge السيليكون لداخل مفاعل لتكوين طبقة من جسيمات سيليكون silicon 5 ؛؛ يتم تقسيم طبقة المفاعل reactor bed إلى منطقة تفاعل يتم فيها ترسيب سيليكون غازي أو مبخر a gaseous or vaporized silicon كفلز سيليكون silicon metal على جسيمات السيليكون عند درجة حرارة تفاعل؛ ومنطقة تسخين يتم فيها تسخين en من جسيمات السيليكون إلى أعلى من درجة lm التفاعل؛ يتم إدخال غاز تفاعل reaction gas يشتمل على 0 مصدر السيليكون لداخل منطقة التفاعل؛ نتيجة لذلك؛ يتم تمييع Glas السيليكون في منطقة التفاعل؛ يتم إدخال غاز ناقل لداخل منطقة التسخين»؛ نتيجة لذلك؛ يتم تمييع جسيمات السيليكون في منطقة التسخين؛ يتم تسخين جسيمات السيليكون في منطقة التسخين من خلال إدخال طاقة موجية متناهية الصغر Microwave energy (ميكروويف) لداخل منطقة التسخين؛ يتم خلط جسيمات السيليكون في مكان علوي من منطقة التسخين مع جسيمات سيليكون منطقة deli 5 تتيجة dll يتم نقل الحرارة من منطقة التسخين إلى منطقة التفاعل؛ ويتم إزالة غاز التمييع fluidizing gas غير المتفاعل وغازات منتجات ثانوية للتفاعل من المفاعل. مع ذلك نظراً لسلوك الحقن injection الذي يعتمد على درجة الحرارة للموجات متناهية الصغر (الميكروويف) لداخل السيليكون وتبعية إدخال الطاقة على هندسة بناء المفاعل ومزود طاقة موجات متناهية الصغر (الميكروويف)؛ يحدث إدخال طاقة غير منتظمة عبر المنطقة عند 0 استخدام Jie ذلك المفاعل. يحدث تسخين زائد كبير لجسيمات السيلكون الفردية وتلبيد الجسيمات معاً وأيضاً تكوين تكتلات جسيمات كبيرة نسبياً في الطبقة المميعة. هذه التكتلات السيليكونية silicon agglomerates غير مرغوية في المنتج؛ ونظراً لخصائصها الرديئة للتدفق؛ تتدخل في تشغيل المفاعل بشكل كبير. كذلك؛ تلتصق الجسيمات بجدار الطبقة المميعة وفي بعض الأحيان يتم تسخينها إلى درجة حرارة الانصهار (7 > 1400 درجة مئوية). تسبب أيضاً التسخين الزائد 5 الكبير للجسيمات القريبة Bale من مُوَجْه الموجات في إجهاد (gla شديد excessive
thermal stressing لجدار الطبقة المميعة. رغم أن التمييع للطبقة المميعة وبالتالي سلوك الخلط يتصف بتأثير محايد بالنسبة إلى توزيع درجة الحرارة في الطبقة المميعة؛ إلا أن ذلك يعتمد DES على درجة التمييع. كلما كانت سرعة الغازات أعلى؛ كلما يتم خلط الجسيمات رأسياً وأفقياً بمدى أكبر. مع ذلك؛ تتسبب دائماً الزيادة في سرعة الغاز إلى حد بعيد فوق سرعة التراخي في زيادة في الطاقة المدخلة المطلوية حيث أن غاز التمييع fluidizing gas يتدفق عموماً لداخل الطبقة المميعة بدرجة حرارة أقل بكثير من الجسيمات وبسخن إلى درجة حرارة الجسيمات تقريباً أثناء التدفق خلال الطبقة المميعة. تكشف الوثيقة الامريبكية 7029632 ب2 عن مفاعل طبقة مميعة fluidized bed يحتوي على طبقة خارجية مصنفة للضغط» أنبوب مفاعل داخلي يقوم بنقل الإشعاع الحراري؛ مدخل لجسيمات 0 السيليكون؛ مدخل أنبوبي لإدخال Sle تفاعل يعمل على تقسيم الطبقة المميعة إلى منطقة تسخين ومنطقة تفاعل واقعه فوق منطقة التسخين؛ جهاز توزيع غاز gas distribution device لإدخال غاز Jal ana منطقة التسخين» مخرج outlet لغاز تفاعل غير متفاعل؛ غاز تمييع ومنتج غازي أو مبخر gaseous or vaporized product من التفاعل» مخرج للمنتج؛ جهاز تسخين ومزود طاقة Lad energy supply لجهاز التسخين؛ مع اقتراح أن يكون جهاز التسخين 5 مصدراً للإشعاع hall والذي يتم ترتيبه بشكل حلقي annular fashion حول منطقة التسخين خارج أنبوب المفاعل الداخلي (pu inner reactor tube اتصال مباشر dae ويتم تنظيمه بحيث يقوم بتسخين جسيمات السيليكون في منطقة التسخين عن طريق الإشعاع الحراري إلى درجة الحرارة التي يتم بها إقامة درجة حرارة التفاعل في منطقة التفاعل. هنا liad يتم فصل منطقة التسخين ومنطقة التفاعل رأسياً. مما يتيح تسخين الطبقة المميعة بطرق تسخين ماعدا الموجات 0 المتناهية الصغر (الميكروويف) حيث أنه لا يحدث ترسيب على الجدار في منطقة التسخين بسبب عدم وجود غاز يحتوي على سيليكون هناك. يتم تجهيز تسخين بالإشعاع الحراري مع وجود عناصر تسخين مستوية تعمل على إدخال الحرارة بشكل منتظم عبر محيط الطبقة المميعة وبطريقة محددة من ناحية الموقع. يخترق eal) الرئيسي للإشعاع الحراري أنبوب المفاعل الداخلي الذي يتصف بنقل Je للإشعاع 5 الحراري المنبعث من المسخن المختار وتقوم جسيمات السيليكون بامتصاصه مباشرة Ally تجاور
الجدار مباشرة في منطقة التسخين. بالتالي؛ يمكن بشكل مباشر تسخين جسيمات السيليكون في
الطبقة المميعة بشكل منتظم عبر محيط منطقة التسخين. يقوم أنبوب المفاعل بامتصاص ga
صغير فقط من الإشعاع الحراري مما يعمل على تسخينه.
يتم على سبيل المثال إنشاء جهاز pill من عناصر تسخين مكونة من سيليكون مأشوب doped silicon 5 أو جرافيت graphite أو كرييد سيليكون silicon carbide ؛ مشععات أنبوب
سيليكا مدمج fused silica tube radiators ؛ مشععات سيراميك ceramic radiators أو
مشععات سلك معدنى wire radiators ا01618. على نحو مفضل (ald يكون جهاز التسخين
أنبوب مشقوق متعرّج Meandering slotted tube مكون من جرافيت مع طلاء سطحي بكربيد
سليكون SIC الذي يتم ترتيبه قائماً أو معلقاً على وصلات أقطاب كهربائية فى المفاعل.
10 تبريد باطن المفاعل بعد انتهاء الترسيب ودفع غاز خامل مثل الهيدروجين HZ ؛ النيتروجين N2 ؛ الارجون Ar والهيليوم He أو خليط من هذه الغازات معروف من الوثيقة الامريكية 8017024 ب2. ثم يتم إخراج جسيمات السيليكون المبردة؛ يتم فك تجميع المفاعل» يتم استبدال أنبوب المفاعل بأنبوب can يتم مرة أخرى تجميع المفاعل ويتم إدخال جسيمات السيليكون لداخل أنبوب المفاعل. ثم يتم تسخين جسيمات السيليكون Tag عملية الترسيب الجديدة.
توجد في المفاعلات الموصوفة في المجال السابق ذات الصلة مشكلة تتمثل في أنه يتم تدمير أنبوب المفاعل؛ الذي يتكون عموماً من سيليكا مدمجة؛ عند إخراجه من المفاعل. يمكن أن يتسبب ذلك فى تلوث البولى سيليكون .granular polysilicon wall وفقاً للوثيقة الامريكية 4 ب2 ؛ يمكن منع ذلك بالاستغناء عن فك تجميع المفاعل وتمرير غاز مُضدئ corroding gas لداخل المفاعل لإزالة رواسب الجدار من أنبوب المفاعل» مع إخراج حبيبات
0 البولي سيليكون من المفالع قبل معالجة الصداً. تكشف الوثيقة الدولية ( 0/0/ا-دبليو أو) 2008/018760 أ1 عن أنابيب وقائية protective 5 لأجهزة تسخين في مفاعل طبقة مميعة (fluidized bed حيث يتم وضع أجهزة التسخين بداخل الأنبوب الوقائي. تعمل الأنابيب الوقائية على منع أو الحد من تلوث جسيمات السيليكون من خلال أجهزة التسخين.
تصف البراءة الدولية 93/20933 17 حساس susceptor يتم تركيبه بين جدار المفاعل
ومستحث inductor يتم تسخين جدار المفاعل بالتسخين الإشعاعي radiation heating
الحساس موصل كهربائياً ويتم تسخينه من خلال الحث. بهذه الطريقة؛ يمكن تحقيق توزيع درجة
حرارة منتظمة للمفاعل. يتكون الحساس من sale مقاومة للحرارة العالية. موصلة حرارياً؛ وعلى نحو
مفضل جرافيت.
مع ذلك؛ يعمل هذا الحساس كحاجب للإشعاع مما يجعل العملية غير اقتصادية.
هدف الاختراع مستمد من هذه المشاكل.
الوصف العام للاختراع
يتم تحقيق هدف الاختراع من خلال مفاعل لتحضير بولي سيليكون حبيبي granular polysilicon 0 عن طريق ترسيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على
جسيمات بذور سيليكون «silicon seed particles يشتمل المفاعل على وعاء تفاعل»؛ أنبوب
مفاعل داخلي لطبقة مميعة fluidized bed تشتمل على بولي سيليكون حبيبي وأسفل مفاعل
بداخل وعاء المفاعل؛ جهاز تسخين لتسخين الطبقة المميعة فى أنبوب المفاعل الداخلى؛ فونية
غاز سفلية bottom gas nozzle واحدة على الأقل لإدخال غاز تمييع وفونية غاز تفاعل واحدة 5 على الأقل لإدخال غاز (dels جهاز تلقيم feed device لإدخال جسيمات بذور سيليكون
Leads silicon seed particles خط مأخذ offtake line للبولى سيليكون الحبيبى وجهاز
لتفريغ غاز عادم المفاعل من وعاء المفاعل 3 حيث يتم وضع مكون اسطواني الشكل مع وجود
فتحات على سطحه الاسطواني؛ مع فتح ما لا يقل عن 9065 وما لا يزيد عن 7095 من السطح
الاسطوانى ccylindrical surface بين أنبوب المفاعل الداخلى inner reactor tube وجهاز 0 التسخين.
لأغراض الاختراع الحالي؛ تُعني السمة بأن يتم فتح ما لا يقل عن 965 وما لا يزيد عن 9695 من
السطح الاسطواني للمكون الاسطواني الشكل أن نسبة المساحة الحرة (مجموع المساحات المفتوحة)
إلى المساحة الكلية للسطح الاسطواني للمكون تساوي 9695-5.
على نحو مفضل تساوي هذه النسبة 9670-40 على نحو مفضل مخصوصض 960-45.
يمكن أن تكون الفتحات فى شكل شقوق slits ؛ اقتطاعات cut-outs ؛ شبكات meshes « فتحات مثقوية drilled holes ؛ إلخ. يمكن أن يكون المكون»؛ على سبيل المثال» فى شكل شبكة اسطوانية mesh [01/11001108. يتم على نحو مفضل فتح المكون في الاتجاه إلى أعلى أو إلى أسفل أو في كلا الاتجاهين (منطقة قاعدة وقمة الاسطوانة). يعمل ذلك على تسهيل فك تجميع المفاعل. يمكن أن يكون جهاز التسخين سخان ذو شكل متعرج أو يحتوي على العديد من عناصر التسخين أو شرائط تسخين heating strips يتكون جهاز التسخين على نحو مفضل من عديد من عناصر التسخين مرتبة حول أنبوب المفاعل الداخلي بشكل متحد المركز. في هذه الحالة؛ يتم على نحو مفضل وضع المكون؛ الذي يتم أيضاً 0 ترتيبه حول أنبوب المفاعل الداخلى بشكل متحد المركزء بين عناصر التسخين وأنبوب المفاعل الداخلى. يتكون المكون على نحو مفضل من مادة ذات توصيلية حرارية جيدة. يتم نقل الطاقة الحرارية بالإشعاع الحراري heat radiation والتوصيل الحراري heat conduction إلى المكون مما يجعله متوهجاً 91017/109. 5 من المفضل أيضاً استخدام مكون يتكون من مادة 53 لطاقة الإشعاع من جهاز التسخين. يتم على نحو مفضل وضع عناصر التسخين في فتحات سطح اسطوانة المكون. يمكن أن تكون فتحات مقتطعة يتم فيها وضع شرئط التسخين. يشتمل المكون Component على نحو مفضل على مادة مختارة من المجموعة التى تتكون من جرافيت graphite « كلوروفلوروكريون «CFC Chlorofluorocarbon سيليكون silicon « كربيد سيليكون SIC وسليكا مدمجة fused silica يمكن أن يتكون المكون من واحدة أو أكثر من المواد المذكورة. يمكن أيضاً طلاء المكون بواحدة أو أكثر من المواد المذكورة.
يتكون مفاعل الطبقة المميعة reactor 1101260-60 من وعاء مفاعل reactor vessel يتم
فيه تركيب أنبوب مفاعل reactor tube داخلي. توجد الطبقة المميعة التي تشتمل على حبيبات
ol سيليكون في باطن أنبوب المفاعل. يتم تسخين الطبقة المميعة عن طريق جهاز تسخين.
بخصوص غازات cll) يتم تلقيم غاز التمييع وخليط غاز التفاعل لداخل المفاعل. يتم تلقيم
5 الغازات بطريقة مستهدفة من خلال فواني 0022165. يتم تلقيم غاز التمييع من خلال فونية غاز
سفلية bottom gas nozzle وبتم تلقيم خليط غاز التفاعل من خلال فواني ثانوية (فواني غاز
تفاعل). يمكن أن يختلف ارتفاع فواني الغاز الثانوية عن ارتفاع فواني الغاز السفلية. بسبب ترتيب
الفواني» يتم في المفاعل تكوين طبقة مميعة fluidized bed مكونة لفقاعات مع إدخال غاز ثانوي
رأسي إضافي. يتم إدخال جسيمات بذور السيليكون silicon seed particles لداخل المفاعل 0 عن طريق جهاز تلقيم. يتم إخراج المنتج الحبيبي من البولي سيليكون من خلال خط مأخذ
offtake line في أسفل المفاعل. يتم إخراج غاز عادم المفاعل عن طريق وسيلة لتفريغ غاز عادم
المفاعل.
تم بذهول اكتشاف أن استخدام مكون كالمذكور أعلاه بين جهاز التسخين وأنبوب المفاعل ليس فقط
مناسباً لمعادلة درجة الحرارة لكنه Load يعمل على وقاية جهاز التسخين أثناء سحب أنبوب المفاعل لالخارج.
في المجال السابق ذات الصلة؛ حدث Cali لعناصر التسخين كنتيجة لتحطم أنبوب المفاعل. يمكن
تجنب ذلك عن طريق الاختراع الحالي. فإن المكون غير حساس لكسر أجزاء من أنبوب المفاعل
ويمكن إعادة استخدامه.
بالإضافة إلى ذلك؛ بخلاف المجال السابق ذات العلاقة؛ لا يوجد حاجب radiation glad] Cua shield 0 أن المكون يحتوي على فتحات ويالتالي يحدث إدخال طاقة لداخل الطبقة المميعة
بطريقة أكثر اقتصاداً.
شرح مختصر للرسومات يتم توضيح الاختراع أدناه بمساعدة الأشكال. شكل 1 يبين تخطيطياً» فى رسمين» كيفية ترتيب المكون بين السخان heaters وأنبوب المفاعل .reactor tube شكل 2 يبين تجسيم أول للمكون. شكل 3 يبين تجسيم ثاني للمكون. الوصف التفصيلى: قائمة بالأرقام الإشارية المستخدمة 1 مخان Heater 0 102 مكون Component 3 أنبوب مفاعل Inner reactor tube ils 104 طبقة مميعة fluidized bed يتم وضع الطبقة المميعة 104 في أنبوب المفاعل الداخلي 103. يتم وضع المكون 102 بين السخان 101 وأنبوب المفاعل الداخلي 103. يتم ترتيب السخان 101 والمكون 102 حول أنبوب 5 المفاعل الداخلي 103 بشكل متحد المركز. يبين الشكلان 2 و3 تجسيمين لمكونين يمكن استخدامها؛ مع ذلك؛ فإنها غير مقصودة لحصر الفكرة الابتكارية العامة عليها بأي طريقة. يبين شكل 2 مكون يتم فيه فتح 9655 من السطح الاسطواني surface ل[07/10001068. الفتحات في شكل مستطيل (شقوق slits في الاتجاه الطولي للاسطوانة) ang بانتظام توزيعها فوق السطح 0 الاسطواني للمكون الاسطواني. هذا التجسيم بالتحديد مفيد لترتيب عناصر تسخين في الفتحات.
— 1 0 —
يبين شكل 3 مكون يتم فيه فتح 9647 من السطح الاسطواني. توجد عديد من فتحات مربعة
الشكل على السطح الاسطواني للمكون الاسطواني.
يوفر الاختراع أيضاً عملية لتحضير بولي سيليكون حبيبي granular polysilicon باستخدام
مفاعل وفقاً للاختراع» تشتمل على تمييع جسيمات بذور سيليكون silicon seed particles عن طريق تيار غاز gas stream في dah مميعة fluidized bed مسخنة بجهاز تسخين؛ مع
ترسيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على أسطح جسيمات البذور الساخنة
عن طريق إدخال غاز تفاعل يحتوي على سيليكون من خلال تحلله بالحرارة لتكوين البولي
سيليكون الحبيبي.
يتم على نحو مفضل تشغيل العملية بشكل متواصل من خلال تفريغ جسيمات ذات قطر تم زيادته
من خلال الترسيب؛ من المفاعل ويتم إدخال جسيمات بذور جديدة. درجة حرارة الطبقة المميعة فى منطقة التفاعل» من المفضل أن تساوي 1100-850 درجة (gic من المفضل بصفة خاصة 1050-900 درجة مثوية؛ من المفضل بصفة خاصة جداً 970-920 درجة مثوية. غاز التمييع fluidizing gas على نحو مفضل هو الهيدروجين.
5 يتم حقن غاز التفاعل لداخل الطبقة المميعة من خلال واحد أو أكثر من الفواني. يتراوح تركيز غاز التفاعل الذي يحتوي على سيليكون على نحو مفضل من 10 مول96 إلى 50 مول % على نحو مفضل بصفة خاصة من 15 مول96 إلى 40 J se % 3 على أساس المقدار الكلي للغاز المتدفق من خلال الطبقة المميعة.
0 يتراوح تركيز غاز التفاعل - سيليكون في غاز التفاعل على نحو مفضل من 20 مول96 إلى 80 مول % على نحو مفضل بصفة خاصة من 30 مول96 إلى 60 J se % ‘ على أساس المقدار الكلي للغاز المتدفق من خلال فواني غاز التفاعل. يُستخدم على نحو مفضل ثالث كلوروسيلان 10686 كغاز تفاعل يحتوي على سيليكون.
— 1 1 —
يقع ضغط المفاعل في المدى من صفر إلى 7 بار معياري» على نحو مفضل في المدى من 0.5
إلى 4.5 بار معياري.
في حالة مفاعل بقطر 400 مم على سبيل المثال 3 يتراوح تدفق الكتلة Gall كلوروسيلان على
نحو مفضل من 200 إلى 400 كجم/ساعة. يتراوح تدفق الحجم للهيدروجين hydrogen على
نحو مفضل من 100 إلى 300 متر مكعب معياري/ساعة. بخصوص المفاعلات الأكبرء؛ يُفضل
استخدام كميات أكبر من ثالث كلوروسيلان TCS trichlorosilane و هيدروجين hydrogen
0 2
سيكون واضحاً للشخص المتمرس في المجال ذات الصلة أن يتم بطريقة مثالية اختيار بعض
متغيرات العملية كدالة في مقاس المفاعل. طاقة تسخين المفاعل؛ معدل إدخال جسيمات البذور 0 ووزن الطبقة على نحو مفضل تكون أكبر من القيم المذكورة آنفاً في حالة المفاعلات الكبيرة نسبياً؛
على سبيل (Jia) في حالة مفاعل بقطر 800 مم.
لتفسير ذلك بوضوح؛ فإن نطاقات بيانات التشغيل المنظمة لمساحة المقطع العرضي للمفاعل الذي
يمكن فيه تطبيق العملية الموصوفة في سياق الاختراع الحالي؛ مبينة أدناه.
تدفق الكتلة النوعية لثالث كلوروسيلان على نحو مفضل يساوي 5500-1600 كجم/ (ساعة *متر 5 مريع).
تدفق الحجم النوعي للهيدروجين على نحو مفضل يساوي 4000-800 jie مكعب
معياري/ (ساعة *متر مربع).
وزن الطبقة النوعية على نحو مفضل يساوي 2000-800 كجم/متر مريع.
المعدل النوعي لإدخال جسيمات البذور على نحو مفضل يساوي 25-8 كجم/(ساعة *متر مريع) . طاقة تسخين المفاعل النوعية على نحو مفضل تساوي 3000-800 كيلووات/متر مريع.
متوسط قطر جسيمات السيليكون (جسيمات البذور) على نحو مفضل تساوي 400 ميكرومتر على
الأقل.
— 2 1 — البولي سيليكون الحبيبي بمقاسات جسيم تساوي 10000-150 ميكرومتر»؛ بقيمة وسيطة على أساس الكتلة لتوزيع مقاس الجسيم تساوي 2000-850 ميكرومتر. زمن البقاء لغاز التفاعل في الطبقة المميعة على نحو مفضل يتراوح من 0.1 إلى 10 ثواني؛ على نحو مفضل بصفة خاصة من 0.2 إلى 5 ثواني.
Claims (5)
1. مفاعل لتحضير بولي سيليكون حبيبي reactor for preparing granular polysilicon عن طريق ترسيب deposition سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على جسيمات بذور سيليكون ¢silicon seed particles يشتمل المفاعل على وعاء تفاعل reaction vessel ¢ أنبوب مفاعل داخلي inner reactor tube لطبقة مميعة fluidized bed تشتمل على بولي سيليكون حبيبي granular polysilicon وأسفل مفاعل بداخل وعاء المفاعل reactor vessel ؛ جهاز تسخين heating device لتسخين الطبقة المميعة في أنبوب المفاعل الداخلي cinner reactor tube فونية غاز سفلية bottom gas nozzle واحدة لإدخال غاز تمييع وفونية غاز تفاعل واحدة لإدخال غاز Jeli جهاز تلقيم feed device لإدخال جسيمات بذور سيليكون Lads silicon seed particles خط مأخذ offtake line للبولي سيليكون الحبيبي granular polysilicon 0 وجهاز لتفريغ غاز ale المفاعل من وعاء المفاعل» يتصف بأن يتم وضع مكون اسطواني الشكل cylindrical component مع وجود فتحات على سطحه الاسطواني؛ مع فتح بين 905 إلى 9695 من السطح الاسطواني «cylindrical surface بين أنبوب المفاعل الداخلي inner reactor tube وجهاز التسخين heating device ويتكون المكون 0007100076071 من مادة موصلة حرارياً thermally conductive material بحيث يتم 5 تقل الطاقة الحرارية بالإشعاع الحراري heat radiation والتوصيل الحراري heat conduction إلى المكون component مما يجعله متوهجاً glowing « أو يتكون المكون component من permeable sala) sale لطاقة الإشعاع radiation energy من جهاز التسخين heating
.device 20 2. المفاعل WSTeactor هو مذكور في عنصر الحماية 1؛ حيث يتم فتح 9070-40 من السطح الاسطواني cylindrical surface للمكون .component
3. المفاعل LSTeactor هو مذكور في عنصر الحماية 2( حيث يتم فتح 1060-45 من السطح الاسطواني cylindrical surface للمكون .component 25
4 المفاعل reactor كما هو مذكور في أي من عناصر الحماية 1 إلى 3؛ حيث يكون جهاز التسخين heating device في شكل متعرج meandering shape أو يحتوي على عديد من عناصر التسخين.
5. المفاعل reactor كما هو مذكور في أي من عناصر الحماية 1 إلى 4؛ حيث يشتمل جهاز التسخين heating device على عديد من عناصر التسخين heating elements مرتبة حول أنبوب المفاعل الداخلي inner reactor tube بشكل متحد المركز؛ ويتم أيضاً ترتيب المكون حول أنبوب المفاعل الداخلي inner reactor tube بشكل متحد المركز .
0 6. المفاعل كما هو مذكور في أي من عناصر الحماية 1 إلى 5؛ dus يشتمل جهاز التسخين heating device على عناصر تسخين heating elements يتم ترتيبها في فتحات في المكون
.component
7. المفاعل reactor كما هو مذكور في أي من عناصر الحماية 1 إلى 6؛ حيث يشتمل المكون 5 على مادة مختارة من المجموعة التي تتكون من جرافيت (graphite كلوروفلوروكربون CFC (Chlorofluorocarbon سيليكون 51600؛ كرييد سيليكون Silicon carbideSiC وسيليكا مدمجة fused silica ؛ مع مكون يتكون من واحدة أو أكثر من المواد المذكورة أو يتم طلاؤه بواحدة أو أكثر من المواد المذكورة. 0 8#. عملية لتحضير بولي سيليكون حبيبي process for preparing granular polysilicon باستخدام مفاعل reactor كما هو مذكور في أي من عناصر الحماية 1 إلى 7؛ تشتمل على تمييع fluidization جسيمات بذور سيليكون silicon seed particles عن طريق تيار غاز stream 5 في طبقة مميعة fluidized bed مسخنة بجهاز تسخين heating device ؛ مع ترسيب سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon على أسطح جسيمات البذور الساخنة 5 عن طريق إدخال غاز تفاعل يحتوي على سيليكون silicon وتحلله بالحرارة لتكوين البولي سيليكون الحبيبي .granular polysilicon
Ey AE 1 أ 8 0 + ب 8 TE EN | ا | ا ER Mi ال Ri REE = 18 Wi 1 iE 2 FE 2 ا 2 Fi OB - EE 2 3 IR ؟ 3 1 لا أ HE MB E WE iE i Rl 34 ب 3 0 ا A] + مه 3 SS Fy OE 4 SIS FYE 4 : أ أ ّ 3 I . :: 0 EE الب “8 3 2 جحي 11 : أي 1 OH 4 : WE : ا i LE HN WE لض يب i - bf eo 34 dE 4 = AS te 3 4 . 1 EE Se 34 4 REE df 3 » EE fF 1
1 8.1 نع Fi of 4 EN ¥ 7 4 IE 1 3 MN بع ARS 1 EI ME 3 1 F rE 1 ا لم AE 28020 1h NH ERY : HE 1 0 ع عل 3 0 MN] ع 1B 1 IW (RS 3 HEE ا 3 WER HEH ] م [SS 1 EI HWE 1 LR Hig Ey ا ّ SES Fi of 4 BE (3k 1 أ 1 م أ 343 = MH 1: x, Ea : i 4 HB ad ا يل ل ل fin » oe 0 د ال ل J Son a a fa NER Fig EF i 8 ل i Pg 250 A ge AN ad ES SN EF 0 ا ال A 5 ; EF ار k = EF % Ta sy 7 ER FR 0 5 1 3 ad Yo ¥ OX 8 HF 1 HH pe EER eo &d 0 ل مي FB يد % 4 + Ea ال ضر لاا 1 م اد أ 1 pS ار SE EY ah sf EE 2 REGIE REN NEN SES Cay, ير ال ات 8 زوج ام م 3 ا الي : لي ندا ا oY Ne BREET al i 4 فى ا ابا الشكل ؟ a الل 3 ل١٠١ ه١ ا ا ااا | 0 [EL ا | LT [EE - ا الا Bl CHE ا ل ل ا ا ال NN ال ل ل ال ا ال ا ا ا ال ا ل ال ا الال EE all! a - ا م Ba BB م بج باه 7 الشكل ؟
-17- ss . & oo Lo > 9A oo le ب TV ow اا > ON WW a A XY wy AMAR DAN ANT ROO NA DRX SAY ويا a . a 0 a ON ل XX مضي 4 0 ا a . OD LL 5 ا A 4 X ) 1 ا ض بير DOO Ro 47 60 ا 8 Le) الا ا NA ل | 4 رايا ٍ RAM ب i KE @ Da . 0 ما PO. © و 0 ب 7 be AX b O° ٠ & 0 ل 0 INS LD ~ 0 ! 0 \ BRO x : كا لبون , Md. 0 لشكل ؟ ايه
لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا Sued Authority for intallentual Property RE .¥ + \ ا 0 § 8 Ss o + < م SNE اج > عي كي الج TE I UN BE Ca a ةا ww جيثة > Ld Ed H Ed - 2 Ld وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. Ad صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب 101١ .| لريا 1*١ v= ؛ المملكة | لعربية | لسعودية SAIP@SAIP.GOV.SA
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014205025.1A DE102014205025A1 (de) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | Reaktor und Verfahren zur Herstellung von granularem Polysilicium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA516371842B1 true SA516371842B1 (ar) | 2019-12-15 |
Family
ID=52682709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA516371842A SA516371842B1 (ar) | 2014-03-18 | 2016-09-16 | مفاعل وعملية لتحضير البولي سيليكون الحبيبي |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10258951B2 (ar) |
| EP (1) | EP3119511B1 (ar) |
| JP (1) | JP6328788B2 (ar) |
| KR (1) | KR101850830B1 (ar) |
| CN (1) | CN106132530B (ar) |
| CA (1) | CA2941326C (ar) |
| DE (1) | DE102014205025A1 (ar) |
| ES (1) | ES2666171T3 (ar) |
| SA (1) | SA516371842B1 (ar) |
| TW (1) | TWI579419B (ar) |
| WO (1) | WO2015140028A1 (ar) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150015920A (ko) * | 2013-08-02 | 2015-02-11 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
| DE102016204651A1 (de) | 2016-03-21 | 2017-09-21 | Wacker Chemie Ag | Quetschmanschetten für die Herstellung von Polysilicium-Granulat |
| KR101876870B1 (ko) * | 2017-04-20 | 2018-07-12 | 한국생산기술연구원 | 고온 부식 방지를 위한 액체금속의 유동장치 및 이의 작동방법 |
| EP3858788B1 (de) * | 2017-10-05 | 2022-02-23 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur herstellung von chlorsilanen |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4207360A (en) * | 1975-10-31 | 1980-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Silicon seed production process |
| US4643890A (en) * | 1984-09-05 | 1987-02-17 | J. M. Huber Corporation | Perforated reactor tube for a fluid wall reactor and method of forming a fluid wall |
| KR880000618B1 (ko) | 1985-12-28 | 1988-04-18 | 재단법인 한국화학연구소 | 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| US5260538A (en) * | 1992-04-09 | 1993-11-09 | Ethyl Corporation | Device for the magnetic inductive heating of vessels |
| US5382412A (en) | 1992-10-16 | 1995-01-17 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Fluidized bed reactor heated by microwaves |
| GB2271518B (en) * | 1992-10-16 | 1996-09-25 | Korea Res Inst Chem Tech | Heating of fluidized bed reactor by microwave |
| US5405658A (en) * | 1992-10-20 | 1995-04-11 | Albemarle Corporation | Silicon coating process |
| JP3081110B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2000-08-28 | 株式会社トクヤマ | 電磁誘導加熱炉 |
| FR2728486A1 (fr) * | 1994-12-26 | 1996-06-28 | Inst Francais Du Petrole | Dispositif de test et d'analyse d'un procede petrochimique |
| JP3705623B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2005-10-12 | 株式会社トクヤマ | シラン類の分解・還元反応装置および高純度結晶シリコンの製造方法 |
| DE19948395A1 (de) | 1999-10-06 | 2001-05-03 | Wacker Chemie Gmbh | Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor |
| US7070743B2 (en) * | 2002-03-14 | 2006-07-04 | Invista North America S.A R.L. | Induction-heated reactors for gas phase catalyzed reactions |
| DE102005042753A1 (de) | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor |
| US8465809B2 (en) * | 2006-05-04 | 2013-06-18 | Sri International | Multiarc discharge moving bed reactor system |
| KR100813131B1 (ko) | 2006-06-15 | 2008-03-17 | 한국화학연구원 | 유동층 반응기를 이용한 다결정 실리콘의 지속 가능한제조방법 |
| KR100783667B1 (ko) | 2006-08-10 | 2007-12-07 | 한국화학연구원 | 입자형 다결정 실리콘의 제조방법 및 제조장치 |
| CN101586041A (zh) * | 2009-06-25 | 2009-11-25 | 华东理工大学 | 一种连续制备生物柴油的装置及方法 |
| WO2011063007A2 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Rec Silicon Inc | Fluid bed reactor |
| US9217609B2 (en) * | 2011-06-21 | 2015-12-22 | Gtat Corporation | Apparatus and methods for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane |
| CN203295205U (zh) * | 2013-04-16 | 2013-11-20 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | 流化床反应器 |
-
2014
- 2014-03-18 DE DE102014205025.1A patent/DE102014205025A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-03-10 TW TW104107478A patent/TWI579419B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-03-12 WO PCT/EP2015/055143 patent/WO2015140028A1/de active Application Filing
- 2015-03-12 CN CN201580013982.0A patent/CN106132530B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-12 ES ES15709911.0T patent/ES2666171T3/es active Active
- 2015-03-12 US US15/126,921 patent/US10258951B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-12 EP EP15709911.0A patent/EP3119511B1/de not_active Not-in-force
- 2015-03-12 JP JP2016557936A patent/JP6328788B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-12 CA CA2941326A patent/CA2941326C/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-12 KR KR1020167024734A patent/KR101850830B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-09-16 SA SA516371842A patent/SA516371842B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI579419B (zh) | 2017-04-21 |
| CN106132530A (zh) | 2016-11-16 |
| ES2666171T3 (es) | 2018-05-03 |
| CN106132530B (zh) | 2019-12-20 |
| WO2015140028A1 (de) | 2015-09-24 |
| US10258951B2 (en) | 2019-04-16 |
| KR101850830B1 (ko) | 2018-04-20 |
| TW201536968A (zh) | 2015-10-01 |
| JP6328788B2 (ja) | 2018-05-23 |
| DE102014205025A1 (de) | 2015-09-24 |
| EP3119511A1 (de) | 2017-01-25 |
| US20170120210A1 (en) | 2017-05-04 |
| JP2017513790A (ja) | 2017-06-01 |
| KR20160119203A (ko) | 2016-10-12 |
| EP3119511B1 (de) | 2018-02-28 |
| CA2941326C (en) | 2018-04-10 |
| CA2941326A1 (en) | 2015-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8747757B2 (en) | Method and apparatus for preparation of granular polysilicon | |
| JP4971240B2 (ja) | 高純度の多結晶性シリコン顆粒を連続的に製造する方法 | |
| SA516371842B1 (ar) | مفاعل وعملية لتحضير البولي سيليكون الحبيبي | |
| US8168123B2 (en) | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon | |
| US20170158516A1 (en) | Fluidized-bed reactor and process for preparing granular polycrystalline silicon | |
| KR20120110109A (ko) | 주변 실리콘 테트라염화물을 이용하여 반응기 벽 상의 실리콘의 퇴적을 감소시키는 방법 | |
| KR20140005212A (ko) | 유동층 반응기에서 디클로로실란의 열분해에 의한 다결정 실리콘의 제조 | |
| US20120100059A1 (en) | Production of Polycrystalline Silicon By The Thermal Decomposition of Trichlorosilane In A Fluidized Bed Reactor | |
| US10442695B2 (en) | Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor | |
| KR20140071394A (ko) | 유동층 반응기에서의 실란의 열 분해에 의한 다결정 실리콘의 제조 | |
| KR101561426B1 (ko) | 입상 실리콘 생산 방법 및 장치 | |
| US20040091630A1 (en) | Deposition of a solid by thermal decomposition of a gaseous substance in a cup reactor | |
| TWI587923B (zh) | 製備多晶矽顆粒的流化床反應器和組裝該流化床反應器的方法 | |
| US10632438B2 (en) | Fluidized bed reactor and process for producing polycrystalline silicon granules | |
| KR20120069348A (ko) | 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기 |