SA515370069B1 - مفاعل طبقي مميع وطريقة لإنتاج بولي سيليكون حبيبي - Google Patents

مفاعل طبقي مميع وطريقة لإنتاج بولي سيليكون حبيبي Download PDF

Info

Publication number
SA515370069B1
SA515370069B1 SA515370069A SA515370069A SA515370069B1 SA 515370069 B1 SA515370069 B1 SA 515370069B1 SA 515370069 A SA515370069 A SA 515370069A SA 515370069 A SA515370069 A SA 515370069A SA 515370069 B1 SA515370069 B1 SA 515370069B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
reactor
fluidized bed
gas
laval
base
Prior art date
Application number
SA515370069A
Other languages
English (en)
Inventor
فورستبوينتر جيرهارد
بيدرون سايمون
Original Assignee
ووكـــر شــيمي ايه جي
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ووكـــر شــيمي ايه جي filed Critical ووكـــر شــيمي ايه جي
Publication of SA515370069B1 publication Critical patent/SA515370069B1/ar

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
    • B01J4/002—Nozzle-type elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
    • B01J4/004—Sparger-type elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/008—Feed or outlet control devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/0015—Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1818—Feeding of the fluidising gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1818—Feeding of the fluidising gas
    • B01J8/1827—Feeding of the fluidising gas the fluidising gas being a reactant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1836—Heating and cooling the reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1872—Details of the fluidised bed reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/24—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles according to "fluidised-bed" technique
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/442—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00743—Feeding or discharging of solids
    • B01J2208/00752—Feeding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00743—Feeding or discharging of solids
    • B01J2208/00761—Discharging
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00796—Details of the reactor or of the particulate material
    • B01J2208/00893—Feeding means for the reactants
    • B01J2208/00902—Nozzle-type feeding elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00796—Details of the reactor or of the particulate material
    • B01J2208/00893—Feeding means for the reactants
    • B01J2208/00911—Sparger-type feeding elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/06—Details of tube reactors containing solid particles
    • B01J2208/065—Heating or cooling the reactor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

يتعلق الاختراع بمفاعل طبقي مميع fluidized bed reactor لإنتاج بولي سيليكون حبيبي granular polysilicon، يشتمل على حاوية مع أنبوب مفاعل داخلي لطبقة مميعة (3) fluidized bed مع البولي سيليكون الحبيبي، وطبقة مفاعل bed reactor، جهاز تسخين لتسخين طبقة مميعة fluidized bed في أنبوب المفاعل الداخلي inner reactor tube ، منفذ واحدة على الأقل (2) في قاعدة المفاعل reactor base لتزويد الغاز المسال ومنفذ واحدة على الأقل في قاعدة المفاعل reactor base لتزويد غاز التفاعل reaction gas، جهاز لتصريف النفايات الغازية للمفاعل، جهاز تزويد لتقديم جزيئات السيليكون silicon particles وأنبوب إزالة للبولي السيليكون الحبيبي granular polysilicon، فوهة لافال (3) Laval nozzle يتم وضعه أمام واحدة على الأقل من المنافذ الموجودة في قاعدة المفاعل reactor base ، خارج أنبوب المفاعل الداخلي inner reactor tube ، من أجل توسيع التدفق الكتلي واحد على الأقل الفائق المزود.

Description

— \ — مفاعل طبقي مميع وطريقة لإنتاج بولي سيليكون حبيبي ‎Fluidized bed reactor and method of producing granular polysilicon‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق هذا الاختراع بمفاعل طبقي مميع ‎fluidized bed reactor‏ وطريقة لإنتاج البولي سيليكون الحبيبي ‎.granular polysilicon‏ حبيبات السيليكون متعدد البللورات ‎Polycrystalline silicon granules‏ أو حبيبات ‎sll 5‏ سيليكون ‎polysilicon granules‏ للإختزال تكون بديلة للبولي سيليكون المنتج في عملية سيمنز. بينما يتم الحصول على البولي سيليكون ‎polysilicon‏ في عملية سيمنز ‎Siemens‏ ‏5 كقضيب سيليكون أسطواني والذي يجب أن يسحق قبل معالجة أخرى له بطريقة مكلفة ومهدرة للوقت لإعطاء ما يسمى رقاقة بولي وقد يتم تنقيتها مرة ‎cg AT‏ حبيبات البولي سيليكون لها أغلب خصائص المواد؛ ويمكن استخدامها بشكل مباشر كمادة خام؛ على سبيل المثال لإنتاج بلورة ‎٠‏ مفردة للصناعات الضوئية ‎photovoltaics‏ والالكترونية ‎.electronics‏ ‏ويتم إنتاج حبيبات البولي سيليكون في مفاعل طبقي مميع. وهذا يتحقق عن طريق إسالة جزيئات السيليكون ‎silicon particles‏ عن طريق تدفق الغاز في طبقة مميعة 660 ‎fluidized‏ ‏يتم تسخين الطبقة المميعة المذكورة إلى درجات حرارة عالية عن طريق جهاز التسخين. إضافة سيليكون ‎silicon‏ يحتوي على نتائج غاز التفاعل ‎reaction gas‏ في تفاعل التحليل الحراري ‎pyrrolysis reaction | ٠‏ على سطح الجزيئات المسخنة ‎particle surface‏ 001. في هذه العملية؛ يترسب السيليكون العنصري ‎elemental silicon‏ على جزيئات السيليكون ‎silicon particles‏ وتنمو الجزيئات الفردية في القطر. بواسطة الانسحاب المنتظم للجزيئات ‎regular withdrawal‏ ‎of particles‏ التي نمت واضافة جزيئات السيليكون الصغيرة ‎Jie smaller silicon particles‏ جزيئات الحبيبات؛ (وتسمى فيما بعد في هذه الوثيقة "الحبيبات ‎(‘seed‏ ¢ يمكن تشغيل الطريقة ‎Yo‏ بشكل مستمر مع كل من المزايا المرتبطة بها. ‎Jie‏ السيليكون ‎silicon‏ يحتوي على غاز متفاعل ‎reactant gas‏ مركبات سيليكون- هالوجين ‎silicon—halogen‏ (على سبيل المثال كلورو اد
ا
سيلانات ‎chlorosilanes‏ أو برومو سيلانات ‎«(bromosilanes‏ أحادي سيلان ‎monosilane‏ ‎(SiH4)‏ ومخاليط من هذه الغازات مع الهيدروجين ‎hydrogen‏ أو غازات خاملة ‎inert gases‏ أخرى؛ على سبيل المثال النيتروجين ‎nitrogen‏ التي تم وصفها. كما أن طرق الترسيب والأجهزة لهذا الغرض تكون معروفة؛ على سبيل المثال؛ من ‎shall‏ الأمريكية 47854977 أ.
وتصف البراة الأمريكية 719774946 ب ؟ ‎Jolie‏ مائع طبقي ‎fluid bed reactor‏ والذي يتضمن: غلاف ضغط ‎(Jan‏ أنبوب المفاعل الداخلي ‎inner reactor tube‏ مصنوع من مادة والتي لديها ‎Je Jas‏ للإشعاع الحراري ‎cthermal radiation‏ منفذ لجزيئات السيليكون ‎«silicon particles‏ أداة دخول لإدخال غاز التفاعل الذي يحتوي على مركب السيليكون الغازي أو البخاري» موزع غاز fluidizing aly) ‏غير المتفاعل؛ غاز‎ reactiongas ‏ا لتزويد غاز إسالة؛ مخرج لغاز التفاعل‎ ٠ ‏وكذلك المنتجات الغازية أو البخارية من التفاعل والتي تتراكم فوق سطح طبقة مميعة؛ مخرج‎ 5 ‏تم الكشف أن وعاء من‎ (JE ‏للمنتج؛ جهاز التسخين وتزويد الطاقة لجهاز التسخين. على سبيل‎ ‏يوضع أنبوب‎ Jalal ‏ملليمترء أنبوب المفاعل‎ 77٠0 ‏الصلب المقاوم للضغط له قطر داخلي‎ ‏مم قطر داخلي و١٠77 مم في الطول. في الطرف الأدنى من أنبوب الكوارتز؛‎ ٠0١ ‏الكوارتز‎
‎No‏ لوحة مصنوعة من الكوارتز ومجهزة بمنافذ تشكل موزع غاز لغاز الإسالة. ؛ ‎(Al‏ من أنابيب الكوارتز ‎quartz tubes‏ بقطر داخلي ‎٠١‏ ملليمتر وبطول ‎YOu‏ مم مرتبة في دائرة مركزية يبلغ قطرها ‎You‏ ملليمتر تظهر من لوحة توزيع الغاز في أنبوب المفاعل الداخلي كأداة دخول لتزويد الغاز الذي يحتوي على السيليكون أو خليط الغاز ‎mixture‏ 985. بالإضافة إلى ذلك؛ يتم توفير لوحة الكوارتز ‎quartz plate‏ مع فتحتين لإزالة المنتج.
‎٠‏ تتكشف ‎shall‏ الأمريكية 79947491/7008» أ١‏ عن طريقة لانتاج حبيبات البولي سيليكون عالية النقاء بواسطة ترسيب غاز التفاعل على حبيبات السيليكون في مفاعل طبقي مميع. يتم حقن غاز التفاعل في هذه الحالة كواحد أو أكثر من الغازات النفاثة الموجهة عموديا نحو الأعلى من الطبقة المميعة والذي يكون مميع ضعيف عن طريق غاز التخفيف؛ وبالتحديد في مثل هذه الطريقة تشكل مناطق التفاعل المحلية واحد أو أكثر أعلى فوهات الإمداد ‎Jab‏ الطبقة المميعة؛ حيث مناطق
‎Yo‏ التفاعل المحلية وغاز التفاعل يتفاعل تقريبا تماما بالموازنة الكيميائية؛ قبل أن تصل إلى طبقة
‏اد
تشمل جدار الطبقة المميعة أو سطح طبقة مميعة. يفضل أن يتم تغذية غاز التخفيف عن طريق مجموعة من فوهات فردية موزعة على النحو بالتساوي قدر الإمكان على المقطع العرضي للطبقة المميعة. ونتيجة لذلك؛ في هذه المنطقة تكون الطبقة المميعة ضعيفة؛ يتم إنشاء مقياس عال من الاضطراب؛ نتيجة منها تشكيل تكتلات يمكن منعت بشكل فعال. وبشكل ‎ala‏ على وجه 0 الخصوص؛ لأنه يتم سحب حبيبات المنتج المترسبة أيضا من طبقة مميعة من هذه المنطقة. وأجرى غاز التخفيف عن طريق فوهات فردية في المنطقة السفلية من الطبقة المميعة؛ حيث تتشكل منطقة نفاثة محلية في كل فوهة. وتذوب هذه الإنبعاثات الفردية أيضاً لإعطاء طبقة مميعة ‎)١(‏ ‏لتشكيل فقاعة. وأجرى غاز التفاعل في مفاعل خلال واحد أو أكثر من غاز التفاعل الداخل من خلال الطبقة ويتدفق المفاعل على الارتفاع المحددة أعلاه على مستوى فوهات غاز التخفيف في ‎Ye‏ الطبقة المميعة. ونتيجة لذلك؛ بين مخرج الغاز من غاز التفاعل ومنفذ الغاز من فوهات غاز التخفيف؛ وتشكل الطبقة المميعة خلال منطقة الطبقة خلال تدفق غاز التخفيف فقط. كما يتم تصنيع فوهات غاز التخفيف وإمدادات غاز التفاعل من مواد نقية بقدر الإمكان والتي تلوث حبيبات السيليكون بأقل قدر ممكن؛ ويفضل أن تكون بنقاء عالي من الكوارتز. تتكون إمداد غاز التفاعل في كل حالة من فوهة غاز التفاعل المركزية وفوهة حلقية تحيط به؛ بهذه الطريقة تشكل ‎١‏ فجوة حلقية لتغذية غاز التخفيف. في الأجهزة والطرق المذكورة منذ البداية؛ فقد وجد تفاوت في ظروف الضغط مع مرور الوقت في الطبقات المميعة التي تسبب تقلبات تيارات كتلة الغاز ‎gas mass streams‏ التي يتم تغذيتها. وهذا يؤدي إلى عدم ثبات العملية الكيميائية ‎chemical process‏ وتوزيع درجات الحرارة. تعليق المائع موضعياً كما لوحظ؛ ونتيجة لذلك؛ تكلس على الأسطح المسخنة؛ على سبيل المثال؛ تقلب ‎٠‏ ظروف الضغط موضعياً في طبقة مميعة يكون لها نفس التأثيرء ولا سيما عندما يتم تغذية تيارات كتلة الغاز من خلال مجموعة من المنافذ. ‎lo Sie‏ سبيل المثال فوهات؛ موزعة على المقطع العرضي. ‎(Luss‏ المعالجة والاسباب النوعية؛ في ترسيب السيليكون باستخدام سيلانات ‎silanes‏ ‎SiHNXI4-n)‏ حيث ‎=X‏ هالوجين ‎halogen‏ علي سبيل المثال؛ فلور ‎Cl pF‏ يود ا ‎٠#‏ ‎YO‏ - .-4) في مفاعل طبقي مميع؛ فإنه ليس من الممكن استخدام لوحة توزيع الغاز المعروفة خلال ا
Co
كل تيارات ‎ABS‏ الغاز التي يمكن تغذيتها. منافذ خلال الغازات التي يتم إمدادها إلى طبقة مميعة ليس لديها انخفاض ضغط كاف لتوزيع تيارات الكتلة بطريقة موحدة النمط بالنسبة للزمن والمكان. تكشف البراة الأمريكية ‎١4909785‏ ب 7 عن جهاز لإنتاج جزيئات حبيبات السيليكون من حبيبات السيليكون يتضمن غرفة نفاثة مرتبة عموديا بها قسم أسطواني عرضي مع فوهة نفاثة في طبقة © الغرفة النفاثة؛ التي يمكن من خلالها إدخال تيار الغاز في غرفة نفاثة وهو المعاكس لاز في أن الغرفة النفاثة قد يبلغ طوله وهو ما يكفي لتوسيع مجرى الغاز الطحن إلى المقطع العرضي للغرفة النفاثة؛ ونفاثة غرفة لديها خلال تدفق أصغر الجزء من المعاكس المغربل خطورة التدفق. ويفضل أن يكون؛ وهذا هو الطبقة المميعة مطحنة نفاثة الطبقة. في هذه الحالة؛ يتم تغذية الغاز خلال فوهة نفاثة؛ كما شيدت فوهة بسيطة أو فوهة لافال ‎Alls Laval nozzle‏ يتم ترتيب في طبقة ‎٠‏ غفة الطحن. الداخل على مواد التغذية ‎Lal‏ خلال مدخل إلى غرفة الطحن. في غرفة الطحن؛ وأشكال طبقة مميعة من الغاز والجزيئات التي الجزيئات التي تتسارع من قبل الغروانية نفاثة الغاز
مع جزيئات وتحليلات أخرى. تكشف البراة الأمريكية 17850107 ‎YO‏ عن طريقة لطحن المواد الصلبة غير المتبلورة عن طريق نظام الطحن (جهاز طحن)؛ ويفضل أن يتضمن نظام الطحن مطحنة نفاثة؛ وتتميز المطحنة بأن ‎Vo‏ يتم تشغيلها في مرحلة الطحن مع التشغيل المتوسط المختار من مجموعة تتألف من الغاز و/ أو ‎la‏ ويفضل أن يكون البخارء و/ أو البخار الذي يحتوي على ‎Gla‏ وذلك في غرفة الطحن المسخنة في مرحلة عالية الحرارة تصل قبل بدء التشغيل الفعلي مع متوسط التشغيل؛ بطريقة أن درجة الحرارة في غرفة الطحن و/ أو في مخرج المطحنة أعلى من نقطة البخار و/ أو وسط التشغيل. تتم الطريقة في نظام طحن (جهاز طحن ‎«(milling apparatus‏ ويفضل أن يتضمن ‎٠‏ نظام الطحن مطحنة نفاثة ‎mill‏ 64 لا سيما يفضل أن يتكون من مطحنة نفاثة متعارضة. لهذا الغرض» إدخال مادة التي سيتم سحقها تستخدم في توسيع إنبعاثات الغاز من سرعة عالية والسحق بواسطة دمج جزيئات-جزيئات. تستخدم المطاحن النفاثة ‎jet mills‏ بشكل خاص جدا ويفضل الطبقة المميعة المقابلة للمطاحن النفاثة أو طبقة مطاحن النفاثة كثيفة أو المطاحن النفاثة لولبية. في حالة الطبقة المقابلة للطبقة المميعة من المطحنة النفاثة يفضل بشكل خاص ‎daa‏ أن تقع بين ‎Yo‏ اثنين أو أكثر من مداخل المطحنة النفاثة في الثلث السفلي من غرفة الطحن؛ ويفضل أن يكون
ا
_ h —_
ذلك في شكل فوهات الطحن؛ ‎lly‏ تقع في مستوى أفقي بشكل مفضل. منافذ الطحن المستخدمة
يمكن أن تكون فوهات لافال ‎Laval nozzles‏
حبيبات السيليكون متعدد البللورات بواسطة طحن حبيبات السيليكون المعروفة بالفعل في حالة
‎oo‏ التقنية الصناعية السابقة. تعتبر ‎Aad‏ لافال عنصر تدفق به مقطع عرضي متقارب عند البداية
‏ومتباعد بعد ذلك؛ حيث الانتقال من نواتج جزء إلى جزء آخر تدريجيا. ويقال أن السطح المقطعي
‏في كل نقطة دائرية؛ نتيجة تدفق السوائل من خلال التسارع إلى تفوق سرعة الصوت؛ بدون حدوث
‏صدمات ضغط قوية. يتم الوصول إلى سرعة الصوت بالضبط في أضيق مقطع عرضي للفوهة.
‏من المشاكل المذكورة أعلاه تتفاوت ظروف الضغط في الطبقات المميعة مع الوقت و/ أو موضعياً ‎Ve‏ في إنتا ‎z‏ حبيبات السيليكون متعدد البللورات 13 ‎Sl‏ نتج موضوع الاختراع.
‏ويتحقق الهدف من اختراع مفاعل طبقي مميع لإنتاج البولي سيليكون الحبيبي» حيث يتضمن وعاء
‏به أنبوب مفاعل داخلي للطبقة المميعة مع البولي سيليكون الحبيبي وقاعدة المفاعل ‎reactor‏
‎base‏ جهاز تسخين لتسخين طبقة مميعة في أنبوب المفاعل الداخلي؛ منفذ واحد على الأقل في
‏طبقة مفاعل ‎bed reactor‏ لتغذية الغاز المسال؛ منفذ واحد على الأقل في طبقة مفاعل لتغذية ‎١‏ غاز التفاعل؛ وجهاز لإزالة الغاز. ‎cde lad)‏ وأجهزة الإمداد لتغذية جزيئات السيليكون؛ وأيضا قناة
‏سحب البولي سيليكون الحبيبي» حيث يقع على فوهة لافال باتجاه واحد على الأقل من المنافذ
‏الموجودة في طبقة المفاعل خارج أنبوب المفاعل الداخلي؛ ومناسبة لتوسيع حدي فائق لتيار كتلة
‎mass stream‏ واحد على الأقل الذي يتم إدخاله.
‏يفضل أن يتكون المفاعل الطبقي المميع من اثنين على الأقل من المنافذ الموجودة في طبقة مفاعل ‎Yo‏ كل منهم يقع باتجاه فوهة لافال.
‏يفضل أن يتكون المفاعل الطبقي المميع مجموعة واحدة على الأقل من المنافذ الموجودة في قاعدة
‏المفاعل» يتضمن اثنين على الأقل من المنافذ. حيث يقع على فوهة لافال باتجاه من مجموعة
‏واحدة على الأقل من المنافذ في كل حالة.
‏ا
يفضل أن يتكون المفاعل الطبقي المميع مجموعة واحدة على الأقل من المنافذ الموجودة في قاعدة ‎ce lid)‏ حيث يتضمن في كل ‎Alla‏ اثنين على الاقل من ‎(lie‏ حيث في كل ‎Alla‏ يقع واحد فوهة لافال باتجاه من كل المنفذء بطريقة أن مجموعة واحدة على الأقل من فوهات لافال يتضمن في كل حالة اثنين على الأقل من منتجات فوهات ‎(JY‏ حيث في كل حالة يتم توصيل أحد فوهات لافال © باتجاه من كل مجموعة واحدة على الأقل من فوهات لافال. ويفضل أن يكون؛ منفذ واحد على الأقل في طبقة مفاعل باتجاه يقع على فوهة لافال هو جهاز ويفضل أن يكون؛ منفذ واحد على الأقل في طبقة مفاعل باتجاه يقع على فوهة لافال هو ثقب في لوحة ‎dik‏ صمام؛ أو ‎Aas‏ ‎٠‏ الوصف العام للاختراع ويتحقق الهدف أيضا من خلال طريقة لإنتاج البولي سيليكون الحبيبي في جهاز وفقا للاختراع أو في الجهاز وفقا لأحد التجسيمات المفضلة المذكورة ‎coded‏ حيث يتضمن إسالة جزيئات السيليكون عن طريق غاز الإسالة في طبقة مميعة ويسخن خلال جهاز التسخين لدرجة حرارة ‎٠‏ 88- ٠م‏ إضافة التي تحتوي على السيليكون غاز التفاعل وترسب من السيليكون على جزيئات ‎١‏ السيليكون. يتعلق هذا الاختراع أيضا بطريقة لإنتاج البولي سيليكون الحبيبي في مفاعل طبقي مميع؛ حيث يتضمن إسالة جزيئات السيليكون عن طريق غاز الإسالة التي يتم تغذيتها عن طريق منفذ واحد على الأقل في طبقة مفاعل طبقي مميع في مفاعل طبقي مميع والتي يتم تسخينها خلال جهاز التسخين لدرجة حرارة ‎"VY em AS‏ بالإضافة إلى سيليكون يحتوي على سيليكون غاز التفاعل ‎A)‏ الداخل عن طريق ‎Mie‏ واحد على ا لأقل في طبقة مفاعل طبقي مميع ؛» وترسب من السيليكون على جزيئات السيليكون؛ حيث يتم توسيع تيار كتلة واحد على الأقل من الهيدروجين ‎H2‏ غاز ‎ALYY‏ ‎fluidizing gas‏ أو غاز التفاعل الداخل (ثلاثي كلورو سيلان) 105 الفائق. يكون ‎Sle‏ الإسالة هو ‎١12‏ بشكل مفضل ويكون ‎Sle‏ التفاعل الذي يحتوي على السيليكون هو بشكل مفضل. ف
_ A —_
‎«Jandy‏ تقع فوهة لافال باتجاه واحد على الأقل من المنافذ الموجودة في قاعدة المفاعل من أجل
‏توسيع فائق لتيار كتلة واحدة على الأقل التي يتم تغذيتها عن طريق الضغط الزائد المنتشر في
‏فوهة لافال .
‏لتوزيع موحد لتيارات كتلة الغاز في الطبقات المميعة؛ لوحات مثقوبة بها فوهة؛ لوحة فوهة؛ لوحات
‏© صمام أو أحيانا لوحات مسامية بها انخفاض الضغط محددة يمكن أن تستخدم أيضا. تثبط ضغط
‏تيار الكتلة في الجانب العرضي الناجم عن تقلبات ضغط مميع كثيرا من انخفاض ضغط موزع
‏للغاز. وعلاوة على ذلك؛ يمكن أن تستخدم منافذ دائرية في قنوات تغذية الغاز في ‎Alla‏ انخفاض
‏غير كافي لضغط منافذ مدخل الغاز.
‏لم يتم تأمين وتوزيع موحد من واحد أو أكثر من تيارات كتلة الغاز لتغذية قاعدة الطبقة المميعة مع ‎٠‏ مرور الوقت وجميع منافذ الدخول في هذا الاختراع خلال لوحة توزيع الغاز وحدها عن طريق
‏انخفاض ضغطهاء ولكن خلال فوهات لافال؛ والتي يتم تشغيلها ويفضل في نسبة الضغط فوق
‏الحرجة.
‏في بعض التطبيقات طبقة مميعة؛ لسبب من أسباب التركيبية؛ متعلقة بالعملية أو الجودة؛ فإنه من
‏غير الممكن لضمان انخفاض الضغط المطلوب لتوزيع الزي الغاز خلال لوحة توزيع الغاز أو ‎Vo‏ الصمامات أو المنافذ المستخدمة.
‏فوهات لافال تقع بسمة ‎Shae‏ أنها يمكن أن تستخدم لمثل هذه التطبيقات لتنسيق تيارات ‎ABS‏ الغاز
‏التي يتم تغذيتها من حيث الوقت والمكان؛ دون التدخل في هندسة الأجهزة المميعة؛ لوحات توزيع
‏الغازء وفوهات أو الصمامات.
‏توزيع موحد للواحد على الأقل من تيارات كتلة الغاز لتغذية مميعة النواتج خلال فوهة لافال يقع ‎A)‏ نحوه.
‏في فوهات لافال؛ يتم إنشاء ضغط منخفض يحدد قسم انقباض وتوسع لاحقا. إذا كان الفرق بين
‏ضغط جانب الدخول وأيضاً جانب خروج فوق نسبة معينة (نسبة الضغط الحرجة)؛ تتسارع السوائل
‏في فوهة لافال لسرعة الصوت في المقطع العرضي الأضيق وبسرعة تفوق سرعة الصوت على
‏ا
الاختلافات في الضغط على جانب الخروج من فوهة لافال بجهاز مميع لا يكون لها تأثير على تيار الكتلة المار خلاله. في ترتيب فوهات لافال والمنافذ (لفتحات المثال في لوحات ‎Gael‏ الصمامات أو المنافذ)؛ العديد من نتيجة الاحتمالات التي تتضح فيما بعد بالإشارة إلى الشكل ‎١‏ إلى 0 © شرح مختصر للرسومات ‎١‏ طبقة مميعة ‎Fluidized bed‏ ؟ منفذ لتغذية تيار كتلة الغاز ‎gas mass stream‏ إلى الطبقة المميعة ‎fluidized bed‏ ؟ فوهة لافال ‎Laval nozzle‏ ؛ تغذية تيار كتلة الغاز ‎Feed gas mass stream‏ ‎oY.‏ تيار كتلة الغاز الخارج ‎mass stream‏ 01085 + تغذية تيارات كتلة الغاز ‎gas mass streams‏ الأخرى ‎١‏ موزع للغاز المتبقي ‎Gas distributor rest‏ (به مجموعة من المنافذ) الشكل ‎١‏ يبين تجسيم واحد له منفذ ‎dad (V)‏ لافال (7) يقع نحوه. الشكل ‏ يبين تجسيم واحد به اثنين أو أكثر من منافذ كل بها فوهة لافال (7) يقع نحوه. ‎No‏ الشكل © يبين تجسيم واحد به واحد أو أكثر من مجموعات من ‎(BA‏ وفيه كل مجموعة بها اثنين على الاقل من المنافذ. تقع فوهة لافال ‎(V)‏ باتجاه من كل مجموعة. الشكل ؛ يبين تجسيم واحد به اثنين أو أكثر من ‎BUA‏ حيث يقع على فوهة لافال (3) باتجاه كل منفذ ‎ally (Y)‏ تتحد لتشكيل واحد أو أكثر من المجموعات لكل منها فوهات لافال (7) تقع نحوه. الشكل © يبين تجسيم واحد به واحد أو أكثر من أجهزة موزعة للغاز كل به اثنين أو أكثر من ‎٠‏ المنافذ. تقع فوهة لافال )7( باتجاه من كل جهاز موزع للغاز. نف
=« \ _ الوصف التفصيلى: أمثلة تبين الأمثلة ‎Led‏ بعد أن تدفق تيار كتلة الغاز خلال فوهات لافال (©) بالاعتماد على ضغط مدخل؛ قطر ‎And‏ وتكوين الغازء ودرجة الحرارة وعدد الفوهات. 0 يفضل أن يتم اختيار الضغط ‎p_out‏ بمثل طريقة إنتشار الحالة فوق الحرجة في فوهة لافال )7( : ) ‎(Be ) < [Bo‏ ‎Pin crit‏ 0 يمكن حساب نسبة الضغط فوق الحرجة على النحو التالي ‎K‏ ‏اد ‎Bis Jeri +1‏ " في هذه الحالة 1 هو هو معامل التدهور الحتمي للغاز التي تتدفق خلالها. تيار الكتلة التي تتدفق من خلال منفذ (7) به أضيق خلال فتح مساحة المقطع ‎A‏ قد تحسب على النحو التالي: - 1 ‎A) Get) pe‏ لتم ‎RET‏ لا ‎MEANT Pn Pe‏ وهنا ‎pin‏ هو كثافة الغاز على جانب دخول الغاز (جانب الضغط). ‎١5‏ _المثال ‎١‏ هو حالة مرجعية. وقد توجد بارامترات الحالة المرجعية وأيضا الأمثلة أخرى في الجدول ‎A‏ ‎oy YY‏
_ \ \ —_
في المثال ‎oY‏ زاد القسم العرضي للفوهة.
‎aud‏ عرضي أكبر من الفوهة خلال بنفس الضغط تعني زيادة تيار الكتلة خلال؛ والتي؛ مع ذلك؛ لا
‏يكون لها تأثير على أناه_م.
‏في المثال ‎oF‏ تم تغيير تركيبة الغاز من خلال فوهة لافال (7). ووجد أن تيار الكتلة يعتمد إلى حد 0 كبير على تكوين الغازات؛ حيث الغازات التي بها كتلة مولية أقل تتطلب خفض الضغط من فوهة
‏لافال ‎(TV)‏ ؛ ويمكن تمرير تيار كتلة أصغر من ‎ADA‏
‏في المثال ‎of‏ تزيد درجة الحرارة. وهذا يؤدي إلى انخفاض ‎AES‏ الغازء وبالتالي يقلل أيضا تيار
‏الكتلة.
‎La‏ تخفيض الضغط الكمي من فوهة لافال ‎(FV)‏ يؤدي إلى انخفاض كتلة تيار الغاز ليكون
‎EY.‏ على التدفق من خلال فوهة.
‎١ ‏الجدول‎
‎ver) ver) v0) A 4 v0) ‏أصغر قطر من فوهة لافال‎
‎[ol )١(
‏ا vrs
Yo. oY. ‏لا‎ 7 Vol | ‏تيار الكتلة من خلال - فوهة‎
TTT
‏فيه أربعة منافذ لكل واحد فوهة لافال (3) ؛ يتم الجمع بين‎ of ‏ويستند المثال 6 على تنظيم الشكل.‎ ‏توصيل فوهة‎ Load ‏كل اثنين من فوهات لافال (3) لتشكيل مجموعة وبالإضافة إلى ذلك ويتم‎ ‏لافال )7( واحدة باتجاه كل مجموعة.‎
XY ‏معدلات الضغط وهندستها تبين في نتيجة الجدول‎ الجدول ؟ ا أصغر قطر من فوهة لافال )7( باتجاه من | ‎٠,09‏ ‏- ‏ب ‏— ‎CAR‏

Claims (1)

  1. -؟١-‏ عناصر الحماية
    ‎.١‏ مفاعل طبقي مميع ‎fluidized bed reactor‏ لإنتاج البولي سيليكون الحبيبي ‎granular‏ ‎(polysilicon‏ حيث يتضمن وعاء به أنبوب ‎Jolie‏ داخلي للطبقة المميعة (1) ‎fluidized‏ ‏0 مع البولي سيليكون الحبيبي وقاعدة المفاعل ‎reactor base‏ جهاز التسخين لتسخين طبقة مميعة في أنبوب المفاعل الداخلي ‎cdnner reactor tube‏ منفذ داخلي واحد على الأقل في طبقة © مفاعل ‎reactor‏ 560 لتغذية الغاز المسال؛ ‎Mic‏ واحد على الأقل (7) 4 طبقة مفاعل لتغذية غاز التفاعل ‎creaction gas‏ وجهاز لإزالة الغاز المفاعل؛ ‎seals‏ الإمداد لتغذية جزيئات السيليكون ‎silicon particles‏ وأيضا ‎sl‏ انسحاب للبولي سيليكون الحبيبي ‎granular‏ ‎polysilicon‏ وفيه فوهة لافال ‎nozzle (Y)‏ 817/81 توضع باتجاه واحد على الأقل من المنافذ الموجودة في طبقة مفاعل ‎bed reactor‏ خارج أنبوب المفاعل الداخلي ‎«nner reactor tube‏ ‎٠‏ ومناسبة لتوسيع ممتاز بشكل حرج لتيار كتلة ‎stream‏ 01855 واحدة على الأقل التي تم تغذيتها. ‎LY‏ مفاعل طبقي مميع ‎reactor‏ 11101260060 كما ذكر في عنصر الحماية ١؛‏ يتضمن اثنين على الاقل من المنافذ في قاعدة المفاعل ‎reactor base‏ وكلاً به فوهة ‎Laval )( JY‏ 106 موضوعة نحوه. ‎yo ‏ذكر في عنصر الحماية ٠؛ حيث‎ WS fluidized bed reactor ‏المفاعل الطبقي المميع‎ ." ‏يتضمن اثنين‎ reactor base ‏يتضمن مجموعة واحدة على الأقل من المنافذ في قاعدة المفاعل‎ ‏باتجاه مجموعة واحدة على‎ Laval 002216 )7( ‏حيث تقع فوهة لافال‎ Bla) ‏على الاقل من‎ Alla ‏الأقل من المنافذ في كل‎ ‎٠ ‎dua) ‏كما ذكر في عنصر الحماية‎ fluidized bed reactor ‏؛. المفاعل الطبقي المميع‎ ‏حيث تتضمن‎ reactor base ‏يتضمن مجموعة واحدة على الأقل من المنافذ في قاعدة المفاعل‎ ‏حيث تقع فوهة لافال (؟) 00226 21/81 في كل‎ Bll ‏اثنين على الاقل من‎ Als ‏في كل‎ ‏واحدة تقع باتجاه كل منفذء بمثل الطريقة التي فيها مجموعة واحدة على الأقل من فوهات‎ Alla ‎Yo‏ لافال (3) ‎Jam‏ في كل حالة على اثنين على الأقل من فوهات لافال () منتجة؛ حيث في كل ‏اد
    اج \ — ‎Alla‏ تتصل واحدة من فوهات لافال (3) باتجاه كل من مجموعة واحدة على الأقل من ‎Slag‏ ‎Laval nozzles (7) Jay‏ ‎Je lid Lo‏ الطبقي المميع ‎fluidized bed reactor‏ كما ذكر في عنصر الحماية ‎ON‏ حيث يقع منفذ واحد على الأقل ) ‎(Y‏ في طبقة مفاعل ‎reactor‏ 560 باتجاه فوهة لافال )7( ‎Laval‏ ‎sa nozzle‏ جهاز توزيع الغاز.
    7. المفاعل الطبقي المميع ‎bed reactor‏ 111101280 كما ذكر في أي من عناصر الحماية ‎١‏ ‏إلى ©؛ حيث ‎Mic‏ واحد على الأقل في قاعدة المفاعل ‎reactor base‏ يقع باتجاه فوهة لافال ‎Lavalnozzle (V) ٠‏ هو ثقب في لوحة الطبقة ‎dbase plate‏ صمام ‎valve‏ أو فوهة ‎nozzle‏
    ‎.١‏ طريقة لإنتاج البولي سيليكون الحبيبي ‎granular polysilicon‏ مفاعل طبقي مميع ‎bed reactor‏ 111101260 حيث تتضمن إسالة جزيئات السيليكون ‎silicon particles‏ عن طريق غاز ‎Al‏ يتم تغذيته عن طريق منفذ واحد على الأقل (7) في قاعدة المفاعل ‎reactor‏ ‎base Vo‏ لمفاعل طبقي مميع في طبقة مميعة ‎bed‏ 1111101260 والذي يسخن خلال جهاز التسخين إلى درجة حرارة ‎١-88٠‏ ٠١7"٠”م؛‏ إضافة سليكون 51/1007 يحتوي على غاز التفاعل ‎reaction‏ ‏5 الداخل عن طريق منفذ واحد على الأقل ‎(Y)‏ في المفاعل الطبقي ‎(reactor base‏ طبقة المفاعل المميع ‎fluidized bed reactor‏ ويترسب السيليكون ‎silicon‏ على جزيئات السيليكون ‎particles‏ 51/1000؛ حيث تيار كتلة ‎mass stream‏ واحدة على الأقل من الغاز المسال أو ‎Sle‏ ‎٠‏ التفاعل 985 ‎reaction‏ الداخل يتم توسيعه بشكل فائق؛ ‎Cua‏ تقع على فوهة لافال () ‎Laval‏ ‏© باتجاه واحد على الأقل من المنافذ في قاعدة المفاعل ‎reactor base‏ لتوسيع فائق لتيار كتلة ‎stream‏ 71855 واحدة على الأقل التي يتم تغذيتها عن طريق الضغط الزائد المنتشر في ‎das‏ لافال )¥( ‎Laval nozzle‏ ‎Yo‏ 8. الطريقة كما ذكر في عنصر الحماية ‎oF‏ حيث يكون غاز الإسالة ‎fluidizing gas‏ هو ‎H2‏ ‏وغاز التفاعل ‎gas‏ 8861100 المحتوي على السيليكون هو (ثلاثي كلورو سيلان) ‎TCS‏ ‏اد
    4. الطريقة كما ذكر في أي من عناصر الحماية ‎١‏ أو كما ذكر في عنصر الحماية ‎A‏ حيث يستخدم مفاعل طبقي مميع ‎fluidized bed reactor‏ كما ذكر في أي من عناصر الحماية ‎١‏ ‏إلى 1.
    الا
    ل ‎So ii‏ § : 3 ‎TTR‏ ‎sn oN Pe‏ ب و متم ‎ol‏ ‎i 8 > ky‏ 8 ‎H H Ve‏ واي 1 ا 1 ‎i i 5 5‏ الل اا السستاا اليم اراي ليا الوا يم ‎Te‏ لحا جام امك ا سحا اا م ماري لا م ا احا ‎Ot‏ ا ‎a‏ ا ا ا ل ا ل تا ا ا ال لمن اا الت ا ال ل ‎nd‏ ا مر ‎NS‏ الاي عاج دج ‎nD‏ ممع جد تي ا دا دا ل ا ا ا ا ا ا ل ل تا ل ةا ل وي امسا ل لاسا الت ا ام ا ا ات ا ا يت اجات م تانر ل ا ا ا ‎A A NH SE ARE‏ ل ا الول ا ‎Se le‏ لج ل ير ال المت ام الي ات ا ادا اتات ‎RI Se‏ ل ‎ER pve]‏ ا ‎A‏ وت ب م ‎SRR‏ ‏مح ع ات مت ل ‎a)‏ ات ا ا ‎NE‏ ا الم ا ‎IA‏ جاب لكي ‎PA Ea‏ جلا لامجا ا ا ال م اي ا د الست ‎HA‏ ‎pre]‏ ا ا ا ال ‎a‏ ا ا ا ‎ab He‏ ال ا ل لج ل لج ‎NR‏ ا ا ا ٍْ ‎NR Te el‏ ا ‎Sri ER Te‏ ‎eS nn aR a‏ ا ل ‎Sn eed‏ ل ‎ET Re‏ ‎Lr EE‏ ال م ترا و ‎ORR‏ ل ا ل ا ‎en ee‏ ل تم ل ات ‎RR‏ ل ل لت التااي يجي روج يلاي له تباي ني اموي جا جيه لاب ليرب اج نه لو لات ل جر ا حي اج ‎i‏ حل ا ل ا ‎a Teed‏ ار جم اي اجاج يو اح اكير ايد لوا ‎OA‏ ا ‎BRAS PF‏ م ني ا الت ا ا ‎SR RR 2 GIR aH‏ اح ا ل 1 3 #4 ‎FR RA HEEA OR‏ ‎Wn RR Ge‏ التي و و ل ل ل ‎IE AS EC ee‏ ا ل ات ‎EL EN a‏ واد بده "ليد م اح 1 ¥ ‎TT TT TL NT‏ ‎TT‏ ا لاد جر ا ل ا ل ا اا ل ا م ا عا ل ا ‎IER‏ ل ‎Ma ou‏ ل حي د ل و لاد ل د ات ل الاج لكي ‎Ph‏ كرا اجاج جيك ير لمي و ا إن را بي كيل كا ‎ATA‏ جني جا ييز ا ااي ‎a FEE he‏ 0 م ‎ele LR i‏ ا وال ‎Rn ne‏ ا ‎A A RR A Fd‏ ا ل ا ا ‎CYR RN TE a Th OE NCR‏ ‎nS a‏ الا ‎SERRE RTE‏ ‎SRR, WR he‏ ‎SERTRALINE‏ ‏انوت لاج ‎I RC‏ اماي ا لج ا © ‎Lo)‏ ا ‎Cy AR‏ ل ‎A‏ ‎RR Rn Rae Rg aid‏ الى ل ا ‎Fa FAY FAY Fay &‏ 8 ‎iY * 2 > " Si‏ ررك ‎am eons Ny ¥ x ha J‏ ‎res‏ اا = ¥ ¥ ‎ie ~ AR‏ ‎oF .‏ 0 9 + ٍ 5 1 0 > مم 0 3 : . ®& :0 > ¥ ‎NE‏ 0 ٍ زم 0 3 0 ‎H‏ ا ‎40d a, + 5‏ ا ل ا ا الا ورا ود كي لوا مي ‎RR‏ د عن جا جز 1 90 ؟ ‎x, RS 0 bY N N R 1‏ ‎Ss is HR :‏ ~ يا الل ا ‎SUCRE FEE 1 i‏ ‎Lf STN ER fa‏ ب 5 ‎wo Fa‏ $3 ا ميث 3 ‎Ei‏ 1 ‎vl ana‏ اد ‎Se‏ ‎Lo Te ST‏ 1 و ا مشت اانا : : ‎i i bd 0‏ 1 ما الا اا 8 : 0 ب 8 : ال ا ال
    لاا :8 3 الما 85 ‎X‏
    ‎i. FR‏ 0-2 المي ‎١‏ .> الخ لخدا سب 1 التي لس ‎H 8 +‏ 3 : نغ : 8 ‎i‏ ‎he RL‏ ا ‎H‏ ‏1 ‏1 ‏1 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏0 ‏وان اج ‎OL I I EN I‏ لبن الي ار اج لجا لاتق ال اتا ري اا يول ا و ا ا ا ا تت الل ا يي لات ل ل ال ا وت و ماو ا ل و ا ل الدج حا فوا مدا ديد جا اجا ور جه لامح جو مد ام جما جح جاح ا م ا المح ا يت ‎EE‏ ل امار لدوم الات ايا انا اا م الاي را ري متا ا ل ل ‎ee en et‏ د وو اكور زه ا تداع لاي ماع تيا ريع المي عدي للح ا ا المي رج لاا تج لا ا ا ل ل ا ‎Lh SHA Eh nb fy‏ جا ‎DEHN‏ الها وك راثي ‎a Te TN Ne‏ لاج الوا ارا اما ااال لامر تر لال باس اجا ‎TI‏ ل ‎Te‏ ‎LR (DN 3 RR CG I Eh CNR‏ ا ل ل ‎fs‏ 8 ل ل 1 ال ل ل ل ال اد يه ا ا ا ا لدو انرا لي د ضحم ارا اانا قي وان ‎NN‏ لسار حت ل ا جا ديار جارج زات لو ا يج أ ‎TT TL‏ كد اا مقا اي ا ‎LA‏ اه اح ا وك كل ري كد ا ‎SM‏ وت ار ل مدي ني ا رو وي ا ا ات سيو يري ابي كلمي الي لضاني نج مور ل ات وار تير لاا ا ار ا ل ا ا مر ار حل د سا ري ا ا الج لجا وتاي لكا جار جر تفج جز تر لا ااا حرا لجا لجا رادت امار جه ليا اد و الت جر حل و ل الا ال مامتا جار اج مرا الس د الاج ا ال ل ل ل ‎i it‏ ا ا ل ا كا عي ل ا ا ا وح حا را لا ا م ا ا ‎CE‏ اي كما ارت رادل تي رطم ا ون لي ‎RS‏ لزيا كيت ال رايا جات ‎rs ed‏ تا ا تياد ديا وتيا تلد ا وا ءارا للدي وق الو ا ‎Tn‏ ‎re re nent‏ الل الال م م الس ل ‎a‏ يرا ل مر م لين ا د مر ا حي ا ل ‎OSE Es‏ ا يل اح اود اح الو واد اسلو يد حي ا ا ‎ERR RIN NONE 2‏ ب ااا د اا ما ار الخد ‎I TT‏ يدا لجرك دواع لويد اج رس مالي وروي اندي الجا رار بوتي اج را اس ا 1 ‎NE hed‏ الات تح 8 ‎PEC‏ ال ال الم ا الات اي ا ال الا دنا الدج ب ل الك ‎J‏ ا مذ ا اي ل نا ‎BF‏ الخدم كا ‎TEA‏ ‏الك دارا الست دا ‎Rt‏ الا حا ‎DEGREE‏ ‏ال ا ال كي خا ب لاه ل ا اود ا ‎J EF Rel Yani‏ جور ‎J‏ اي ل ‎HN‏ ‏ال ‎TRE‏ اما اا يرا اخ ا ال اا ‎SRD‏ الج ا ‎ARAN RNC JERR REE OI‏ ‎ORE mm‏ الوا ‎WETS Pere‏ ‎ee Cr JE a Raat J IE Cv tec RS Na‏ الا ل 4 ا ل ‎PRR‏ ‏ا ال ا ا لض د أ ا ل ا جا جنا لي ا ‎SY‏ ااا م ا ‎AREY‏ ناي ا د الا لا ا تي ااا ا ال لا ا الاح ا ا اا م يا ال ‎SET‏ الا ا ا لاد وم ا الا ا ا ال لين ال اح ‎Se RE‏ د ‎FILA Tay‏ ل ال فيا ا ‎WEEE‏ ا ا لح لحا اد ا قي اال اا ون الل ل ال ا دا اال ا عار واي ل ‎SD‏ ل ا ادها اي المت لال الات اتات اا ااا الم الا 2 5 1 1 لكا 8 ‎FAY FA? J A Fa) 4 FAY‏ % ‎H EY !‏ & ع 1 2 3 ‎RY K a‏ ‎ar RR * 3 3 x £1 5 75‏ ب الال * ‎٠‏ : اليم ب ‎re Ne i # [3 3 N 8 5 I IX;‏ ‎xd 4 # 3 € 3 +. 5 : SR‏ = & ‎Voy PARR pe. SORES Les. 1 BE YT :‏ ‎SI 3 3 Ey :‏ , ‎ES SA : : 5 8‏ ادر را الا § & ديري ‎SE‏ ‎ay 3 8:‏ > 1 ب ‎ES‏ يتل ال ل اطي 0 م 1 3 : ‎Be‏ 3 : = ‎a‏ : 1 3 = ‎iad‏ ينا ‎La a)‏ د ‎x Es‏ ‎h i a a‏ ‎bi FR SO‏ ‎A Lo SF‏ المي ابا - 7 ‎ps‏ ‎wall, oh‏ ‎bs be‏ 8 8 ‎H‏ 8 ‎i‏ 8 1 8 1 8 1 8 1 : ‎by H‏ ‎Fond‏
    ا ً ا ‎a‏ ‎CE‏ ٍ ا حا م ‎OEE‏ 3 ¥ "م > ا اح ‎ew,‏ ‎HS : 3 4 0 & 4 NE‏ رض 1 3 ‎H 0 NR‏ 3 ‎H 1 SU 3‏ 3 ‎HS 3 0‏ 3 ‎H nN Ea‏ 3 ‎Tanga Tees‏ ا ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎H N‏ ‎i N‏ ‎i N‏ ‎i 8‏
    3 . :1 , ا : ‎a ht I‏ شح ا ‎Ee‏ ‏الدج مي الج ال جنا تج اج و ل ل ‎a‏ ‎RS IR‏ ل 0 ا ا ل تت ا و موي ا جا را يواه دا رقي جر جه لماي كد ته دجا ماح لي وي متت ا اع متا ري ات الح ا ارا تارم لكا تت ل ا ل ‎RTT‏ ‏ال ‎WE‏ ل ل ل ال ا ال اا ا ا ‎A I ER 3 BE RE SORA NR Ss‏ ا ااا ا ا ا ‎NITY‏ اي ل ‎A‏ ا ل ا ا ‎Oh ALE‏ رما تا ا ا 3 اي ان وا ‎SCAR‏ جا لاد و الا ل ام ‎I I SE EY‏ ا ا ‎hy‏ ا ا م حا اميه ديد عي احا ما متي تدخ و للك اع وا رما مد مش ا الا با موت سنا الجا ري وت مي نوكيو لاو يدي بتو مات اموا اا تي تا جا ‎ns sn TR‏ ا ل ل ا ل ل ل ا ل ا ا ل ل ا ل ا ‎MY‏ ا ا ل لت عا تا ل لت تي ال ل ا الك اه ااي وا حا تالا ل راي اي ا اد ا ا ا لا ل ل ‎ht]‏ ارا ا ا ال الا ‎hh‏ يات اي ا ل م ا ل ا ‎bi a SER‏ 1 ا م ل ا ‎Ee‏ ‎REY‏ 3 دا ال ا ‎RR FENG‏ ‎PERSE SI SRR Ache EAE £4 TNE‏ ا ا ا الاج ‎SE Wn‏ ا ا 5 ا ‎inne Fy‏ المت ام لخر 0 اي ال لاا اا ل ال ا 1 01 م لح ل ا ا 5 ‎Rae Ee kid oo] aT Rt wr F‏ ال ا ا ا ا ل ا لالط ‎HE Fp & nay Se Sad AA‏ ‎EE iad LSE LA Mae‏ ‎San SIRES‏ ا ‎BES PR,‏ ‎REE rn A 3 rea ladies PRN‏ ‎EOIN FEE An RENE 3 ins 3‏ ‎BENIN Er aN SYA RRS SE SRE‏ ا لال ل : 8 2 ‎[IME Rah Arid a‏ ال جا ‎hh SAO JI Ohh‏ قي ا مو جا لوا ات ‎RR SUERTE ANIA‏ ان ا ‎WRN NTN‏ ااا اليو ونا "وار م ‎POE RETR‏ ‎Fo SERA LANNE PETE‏ ا ‎EG‏ ‎Sei BEER a rth Ra enn‏ ‎PSURs Rg‏ ا ‎JASE SEENON BR U8 SEEN af‏ ‎Fag Fay‏ ار ‎Fay‏ ‎RS .‏ ' ‎AN »‏ 0 « 4 & * ® 8 8 ‎or‏ 3 . + ¥ 8 ‎ere a ¥ RE EEN‏ ‎AN penn 30 HI - Shiny oy 5‏ ‎wm‏ ل 2 - 2 ‎Fo > XN K p‏ ‎boc T % 1 i i‏ + 3 = اا ‎SUES IH WE 3 k 3‏ لاط جا عام ‎FR‏ ماء ‎H § v fT ERY ad BEAU SL) EOE‏ ‎IN‏ :0 0 8 ب ‎cols peas SINC,‏ . ب ‎SS‏ الام ب 1 ‎vd‏ ‎A‏ : ا ¥ الح ) ‎i‏ ‏ا ‎J 4 EI‏ ‎Ne ae ae ١‏ ‎t 3‏ ‎AEN‏ ‏ا ‎fog RNS‏ الح 5 اي ‎Ee ER VE 9‏ ‎H RS oe ~‏ ‎H HS H SERS‏ م ‎bo Lo da‏ 1 ‎i H \ &‏ ا ا
    =« \ _ ‎LRN‏ ‎a DE Ea‏ ‎a oe pT . oa‏ ‎ay‏ 1 الا © 3 3
    3 .2% 8 ا ‎N‏ ‎HN N 5 io "6 ّ‏ ‎La‏ - ,~ مي ات ل ا ‎HL eal‏ ل نا لات ‎TE‏ ا اا ‎RS He i‏ ا ‎A A RE‏ ‎NR Eas‏ الت ‎ER HE‏ ا اه رت ل ل ل م الوا مز يو تي متاح اجأ ‎a‏ دو ل ل ‎EN‏ ‏اما ا لت ا ا ل را ا ا تي لتحا ا ا ‎ARR‏ ل ا ‎ERR‏ ‎TL TT LL‏ بال الكو تب ‎x Re‏ ا ل ل ال ال ا ل ا ‎THA % BA FR SRE‏ ‎Se‏ ‏اكت ما لج ا ل لاا ال ‎era A‏ ا لم مي ا 1 ‎Ree TI A SE PSE‏ ‎RNR ER‏ عي ل اا ‎Nr‏ ل ل ل الج ‎hd‏ ونيا جا ري واب نوا جلي حيرا دان اي حرا لضي دحوي جل خاي و ازا لح متي ل ا يا اا ا لد عي وي ات ا او ا م ل ا ا ع وت لضي وا ام ل ات ات د ل ا ل ا ل ل ا الا ا ا ‎SE TINE‏ ل ا لا لا ل ‎Ahr Ras NER. JIE Fos VOR‏ ا ‎X‏ د" ‎FS‏ ال ‎RS‏ © الي ال 20 ‎PLINY‏ الج 1 ‎eben‏ الال لاحت الل ا ‎Fi LR‏ الال ‎eee‏ ‏ا ل لاا تا ‎Ret‏ ‎aig BR pete ul BEE SR,‏ دا ‎HER‏ تح ا ‎PEER‏ الا ام ‎SEC pa‏ ‎daen‏ ا ‎J) Sortie pl BRC Seb gif I‏ د مح را ار ‎CREAT EAEES ENE EE Cg IE SHNES‏ د الا ‎oP‏ الك ‎oF BER Ig‏ قد الا ‎SHR Franny‏ لو لل 1 لاا ا ا مد الك اام ال 2 ‎me‏ ‏ا ال ا ‎LSE‏ ا[ ‎Yun‏ ال ايه الما اال ادا ان ا ل ا ا ‎ph‏ ا ا ال ا ال ‎SAREE RT ROLE OF IER J Sati ll INE JES Ett of BI es‏ ‎EY &‏ ¥ 3 4 1 5 ا 0 : + 1 ؟ 8 ‎i‏ ا ا + ~ : 3 1 & ‎HEY‏ لحل حلي 1 ا 5 ل : المي ل 5 ‎٠ * 9 iy UR‏ 3 ل * 4 31 5 ‎FO SU § i‏ ا ‎i i 3 SE TO‏ ‎i 0 ١‏ الا ا د د ال ‎rd‏ ا لاج اد تي يد ‎ih i‏ ريا 13 { ‎EN HRY &‏ : 1 3 3 % ‎oT‏ لكا ‎PR‏ 3 : د ا ب ‎d NE SS‏ ] ا ‎ati‏ الل الا ‎a RES i 9 a‏ ‎oe 5 *‏ 5 ¥ مااي ا جم ‎i‏ ‎F 3 ] : 1 ETT‏ 1 ‎CO‏ ال : : : 1 1 ‎pe +‏ ف" 3 ‎RH‏ 3 ‎"١! 3‏ ] 3 3 : 4 ‎k : 1 EL Y 0‏ ارا ا ‎En‏ 00 0 ‎EN‏ 1 1 : م 1 3[ ‎Er g el ~~ Ra‏ ‎Foose‏ ‎A‏ ‎NT‏ ‎Noa”‏ ‏البح اا ‎١ 3 Je on‏ م > الا الحا ‎I‏ ‎X‏ 2 ا لحم ‎TE‏ 3 ‎N H FRE SI.‏ ‎H he 5‏ § ‎N H i‏ ‎N 3 Ae‏ الت
    ا ‎JR‏ } 1 5 الح اي ليم يا ‎avg PIES ST‏ ‎$d 0 hi‏ : % 3 & 3 : ‎Yana‏ = لا ‎i PE‏ : ‎i$‏ <> 4 3 1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏1 ‎i‏ ‏الج ار ناا ار انا ‎LT‏ اران يات ران يلاب لوا دبال اراي انان اليا لال انا الغا ‎LT‏ مانا ا لاا ا الج ‎Te‏ جا لت جوتي لك م حا ممه الي رت كوي لكاي رت مراع مو ل ا ‎RT Rel‏ وح ل ا ل ا ل ا ا ال ا ا ا ع لت ا ل ‎SE a Se‏ ل ل ل ل ل ا ال ا ل ا ل ا ل ل لي يت اجا يجي جر تي موت جع لواحي وكيا لج ما عه جيه وج وي لج عد بوي وي ا ل ‎Ot RG TAA CO AS CA TEL EN IE AR CP‏ ل ‎fa TL ER‏ ‎RS RR‏ ات ل ‎Lee RE i SR‏ 0 0 جحت لا و لجوج ال ل ا ا ا ل تك تج ا يلح انل ل ا ا ل ل ‎EO‏ ‏ال ا لمات ل الي ا ال لملا ا ري تي الو تا ا اح ا لي اطع ا ا ل ل لت ل ‎nase he na ane‏ ا ا ل ل ل ‎IT‏ يي ااا اموا زات لويد لي الاي :لاا و ار وز اي مدن ارو اليا روت اج ا اتج م ا ا اا متي ا ا م و مي لح ا ل ل ا اام ‎mn‏ دا يجيو لدم حال داجيا مي دي وين عي مجو ل حي ل ا ما ل ا م تا اليه لمات تا عت لا تج لاا الما جاع ل ا ا حت لا ل ا ل ا ا ل ا 1 ‎Sn a‏ ل ان فوت زد ا لي يت و ل ل ل ‎A a‏ ا ا ل ا اا لا ال ال با ارال ارات ارات ااال اكز ارا الال اماي مال الجر تيا كا الاين اا ل ‎Ne‏ ا ا م ا ا ل لجعي جني دا وان ايان اياي اريت لحاس ادا الت حي جز اداح اجا الجن وار سان للد د لج ال تجاه تاج محم كات لجرت مه لمت تق ل تا اه ري جم واي د تاي د حا لح ا ل ا ا ‎NG‏ ع ل ا ل ال ل ات ا ا ل ا ا اماي الح حت ل تي اج تت ا ‎SEWN EY Nr a Ne ¥ AEE NY‏ £ #االت عت ااا ا ‎Fol ea RE SS eS $I‏ ‎BRE ed‏ الا ‎PRIA TS TR‏ ل ‎Sed La Re‏ لت ا ل م ا ا ل ‎ary NS‏ د ا ‎NL aaa‏ يدم افق الاي اد نا عا يدح ال ل ا الحا انط جار الأ ل ات حو ا ا ا ل 1 ا ‎PERIGEE FREE SES‏ ‎DARIN‏ اا ليا ‎EERE: Ryu BI ge uo ROBSIRI RY Ferra‏ ا ‎ER pt BE‏ ل اا الم د ا ا ‎EEA BER Pha‏ ‎SR at‏ الي ا ا ‎AE‏ ا ‎EI ER‏ تيا ‎A‏ اص 5 . ْ 1 ‎EIR SY et ny‏ « 0 ¥ % بج لات 1 ‎ST X f°] ¥ < i 8 8: 5 J‏ ‎a ٠ 7 Pod ES 0‏ ب ‎a‏ ا 3 ‎SE‏ ‎i H‏ لهام اذ ‎Sra‏ ب ايد ‎N a H TEIN ATER NNN Bn NN PPR EERIE‏ ‎PRE § : ١ bY Poy 0‏ ل اا : " و 8 > ‎an‏ مستي زلا مال مطل لس ل ‎a ] 8‏ " 1 8 ‎id % £ B‏ 3 ® ال ا 2 ‎i L N‏ ‎oe Nags” 3‏ ‎Ea ‘B‏ 3 24 ‎N 1‏ ‎FR‏ ‎TN : a‏ ‎“New, Ne wn‏ = ‎frei RC 7‏
    مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏
SA515370069A 2013-05-06 2015-10-28 مفاعل طبقي مميع وطريقة لإنتاج بولي سيليكون حبيبي SA515370069B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013208274.6A DE102013208274A1 (de) 2013-05-06 2013-05-06 Wirbelschichtreaktor und Verfahren zur Herstellung von granularem Polysilicium
PCT/EP2014/058588 WO2014180693A1 (de) 2013-05-06 2014-04-28 Wirbelschichtreaktor und verfahren zur herstellung von granularem polysilicium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA515370069B1 true SA515370069B1 (ar) 2016-11-08

Family

ID=50639484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA515370069A SA515370069B1 (ar) 2013-05-06 2015-10-28 مفاعل طبقي مميع وطريقة لإنتاج بولي سيليكون حبيبي

Country Status (11)

Country Link
US (1) US10899626B2 (ar)
EP (1) EP2994420B1 (ar)
JP (1) JP6149154B2 (ar)
KR (1) KR101819012B1 (ar)
CN (1) CN105189350B (ar)
DE (1) DE102013208274A1 (ar)
ES (1) ES2627760T3 (ar)
MY (1) MY171935A (ar)
SA (1) SA515370069B1 (ar)
TW (1) TWI532677B (ar)
WO (1) WO2014180693A1 (ar)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3278872B1 (en) 2015-04-01 2021-07-07 Hanwha Chemical Corporation Method for preparing granular polysilicon using a fluidised-bed reactor system
DE102016204651A1 (de) 2016-03-21 2017-09-21 Wacker Chemie Ag Quetschmanschetten für die Herstellung von Polysilicium-Granulat
US11154870B2 (en) 2016-11-07 2021-10-26 Wacker Chemie Ag Method for grinding silicon-containing solids
CN110075765A (zh) * 2018-10-22 2019-08-02 湖北兴瑞硅材料有限公司 一种有机硅流化床
KR102422089B1 (ko) * 2019-02-28 2022-07-18 주식회사 엘지화학 유동층 반응기
KR20210083601A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 에스케이이노베이션 주식회사 유동층 반응기 및 이를 활용한 리튬 이차 전지의 활성 금속 회수 방법

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE752280C (de) * 1941-03-18 1953-05-26 Gustav Weissenberg Verfahren zur Darstellung von reinstem Silicium
US2868590A (en) * 1956-04-30 1959-01-13 Simon Ltd Henry Pneumatic conveyors and the like for powdered and granular materials
FR1467158A (fr) * 1965-12-14 1967-01-27 Siderurgie Fse Inst Rech Dispositif de réglage de débit de gaz
US4014577A (en) * 1974-07-15 1977-03-29 Henry Simon Limited Pneumatic conveying systems
KR880000618B1 (ko) 1985-12-28 1988-04-18 재단법인 한국화학연구소 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법
US4748052A (en) * 1987-08-21 1988-05-31 Ethyl Corporation Fluid bed reactor and process
JPH0230611A (ja) * 1988-07-21 1990-02-01 Nkk Corp 多結晶シリコンの製造方法及び装置
US5382412A (en) * 1992-10-16 1995-01-17 Korea Research Institute Of Chemical Technology Fluidized bed reactor heated by microwaves
DE4338869A1 (de) * 1992-11-21 1994-05-26 Zeppelin Schuettguttech Gmbh Vorrichtung zum Einstellen einer vorgegebenen Gasmenge
DE69317107T2 (de) * 1993-01-13 1998-07-23 Wurth Paul Sa Verfahren zum Evakuieren von festen Abfällen aus einer Gasreinigungsvorrichtung
WO1996041036A2 (en) * 1995-06-07 1996-12-19 Advanced Silicon Materials, Inc. Method and apparatus for silicon deposition in a fluidized-bed reactor
DE19722570A1 (de) * 1997-05-30 1998-12-03 Messer Griesheim Gmbh Apparat und Verfahren zur Durchführung von Reaktionen in fluidisierten Partikelschichten
HRP980257B1 (en) * 1997-05-28 2002-08-31 Messer Griesheim Gmbh Apparatus and method for conducting reactions in fluidized particle layers
DE19735378A1 (de) 1997-08-14 1999-02-18 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat
JPH11181514A (ja) * 1997-12-17 1999-07-06 Kawasaki Steel Corp 転炉の底吹き羽口
DE19948395A1 (de) * 1999-10-06 2001-05-03 Wacker Chemie Gmbh Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor
DE10055343A1 (de) * 2000-11-08 2002-05-29 Messer Griesheim Gmbh Verfahren zum Herstellen von SO2 aus H2S-haltigem Gas
KR100411180B1 (ko) * 2001-01-03 2003-12-18 한국화학연구원 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치
FR2838839B1 (fr) * 2002-04-19 2004-07-09 Olicorp Sarl Dispositif de regulation du debit et/ou de la pression d'un fluide
WO2007012027A2 (en) 2005-07-19 2007-01-25 Rec Silicon Inc Silicon spout-fluidized bed
DE102005039118A1 (de) 2005-08-18 2007-02-22 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern von Silicium
KR100807710B1 (ko) 2005-08-18 2008-02-28 와커 헤미 아게 실리콘 분쇄 방법 및 장치
DE102005042753A1 (de) * 2005-09-08 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor
DE102006048850A1 (de) 2006-10-16 2008-04-17 Evonik Degussa Gmbh Amorphe submicron Partikel
KR100783667B1 (ko) 2006-08-10 2007-12-07 한국화학연구원 입자형 다결정 실리콘의 제조방법 및 제조장치
DE102007021003A1 (de) 2007-05-04 2008-11-06 Wacker Chemie Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat
SG192438A1 (en) 2008-06-30 2013-08-30 Memc Electronic Materials Fluidized bed reactor systems and methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls
CN201390803Y (zh) 2008-12-02 2010-01-27 广州有色金属研究院 用于制备多晶硅颗粒的无筛板流化床反应装置
JP5407983B2 (ja) * 2010-03-29 2014-02-05 株式会社デンソー エジェクタ
CN202460597U (zh) 2012-02-21 2012-10-03 山东大学 一种热解反应器

Also Published As

Publication number Publication date
EP2994420A1 (de) 2016-03-16
MY171935A (en) 2019-11-07
EP2994420B1 (de) 2017-03-22
KR20150142008A (ko) 2015-12-21
TW201505967A (zh) 2015-02-16
JP2016522782A (ja) 2016-08-04
US20160101982A1 (en) 2016-04-14
CN105189350A (zh) 2015-12-23
WO2014180693A1 (de) 2014-11-13
TWI532677B (zh) 2016-05-11
US10899626B2 (en) 2021-01-26
KR101819012B1 (ko) 2018-01-16
CN105189350B (zh) 2017-08-25
JP6149154B2 (ja) 2017-06-14
ES2627760T3 (es) 2017-07-31
DE102013208274A1 (de) 2014-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA515370069B1 (ar) مفاعل طبقي مميع وطريقة لإنتاج بولي سيليكون حبيبي
CA2661985C (en) Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process
TWI437139B (zh) 流體化床反應器系統及降低反應器壁上矽沈積之方法
US20100112744A1 (en) Silicon Production with a Fluidized Bed Reactor Utilizing Tetrachlorosilane to Reduce Wall Deposition
US9222733B2 (en) Reactor apparatus and methods for reacting compounds
US10442694B2 (en) Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor
KR20080098322A (ko) 다결정질 고순도 실리콘 과립의 연속 제조 방법
KR20160018685A (ko) 열 교환기
US20120100059A1 (en) Production of Polycrystalline Silicon By The Thermal Decomposition of Trichlorosilane In A Fluidized Bed Reactor
CN102989238A (zh) 排气捕集器
TW201111281A (en) Process and plant for preparing trichlorosilane
US10442695B2 (en) Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor
NO160735B (no) Boremaskin.
NO116340B (ar)
WO2021100286A1 (ja) フィルタ
US20160348983A1 (en) Heat exchange apparatus