RU99104770A

RU99104770A - Карта со встроенным кристаллом ис и полупроводниковый кристалл ис для применения в карте

Info

Publication number: RU99104770A
Application number: RU99104770/09A
Authority: RU
Inventors: Михель Хубер; Петер Штампка; Детлеф Удо
Original assignee: Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date: 1996-08-08
Filing date: 1997-07-14
Publication date: 2001-01-27

Claims

1. Карта со встроенным кристаллом ИС, с телом карты и множеством выполненных из электрически проводящего материала контактных площадок, которые электрически соединены с контактными выводами, которые приданы в соответствие электронной схеме, выполненной на полупроводниковой подложке полупроводникового кристалла ИС, отличающаяся тем, что контактные площадки изготовлены в виде структурированного покрытия на обращенной к электронной схеме главной поверхности полупроводникового кристалла ИС так, что контактные площадки полностью опираются полупроводниковой подложкой полупроводникового кристалла ИС, а изготовленный вместе с контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС вставлен в приемное отверстие тела карты и закреплен таким образом, что контактные площадки проходят в основном заподлицо с внешней поверхностью тела карты.

2. Карта со встроенным кристаллом ИС по п.1, отличающаяся тем, что несущий на своей главной поверхности контактные площадки кристалл ИС прочно закреплен посредством клеящего или адгезионного материала внутри приемного отверстия тела карты.

3. Карта со встроенным кристаллом ИС по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина состоящей предпочтительно из кремния полупроводниковой подложки для повышения гибкости составляет значительно меньше, чем 200 мкм, предпочтительно порядка 150 мкм или меньше, в частности, предпочтительно порядка 100 мкм или меньше.

4. Карта со встроенным кристаллом ИС по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что на несущей электронную схему главной поверхности полупроводниковой подложки нанесен тонкий изолирующий слой, на котором осаждены контактные площадки в форме структурированного покрытия.

5. Полупроводниковый кристалл ИС с контактными выводами, которые приданы в соответствие электрической схеме, выполненной на полупроводниковой подложке полупроводникового кристалла ИС, отличающийся тем, что электрически соединенные с контактными выводами контактные площадки изготовлены в форме структурированного покрытия на обращенной к схеме главной поверхности полупроводникового кристалла ИС так, что контактные площадки полностью опираются полупроводниковой подложкой полупроводникового кристалла ИС.

6. Полупроводниковый кристалл ИС по п.5, отличающийся тем, что на несущей электронную схему главной поверхности полупроводниковой подложки нанесен тонкий изолирующий слой, на котором осаждены контактные площадки в форме структурированного покрытия.

7. Полупроводниковый кристалл ИС по любому из пп.5-6, отличающийся тем, что толщина предпочтительно состоящей из кремния полупроводниковой подложки для повышения гибкости составляет значительно меньше 200 кмк, предпочтительно порядка 150 мкм или меньше, в частности, предпочтительно порядка 100 мкм или меньше.

8. Полупроводниковый кристалл ИС по п.7, отличающийся тем, что толщина предпочтительно состоящей из кремния полупроводниковой подложки составляет порядка 50-100 мкм.

9. Полупроводниковый кристалл ИС по любому из пп.5-8, отличающийся тем, что общая толщина электрически проводящего покрытия для контактных площадок составляет порядка 30-50 мкм.

10. Полупроводниковый кристалл ИС по любому из пп.5-9, отличающийся тем, что электрически проводящее покрытие для контактных площадок состоит из множества электрически проводящих слоев.