RU98111744A - Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулями - Google Patents
Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулямиInfo
- Publication number
- RU98111744A RU98111744A RU98111744/28A RU98111744A RU98111744A RU 98111744 A RU98111744 A RU 98111744A RU 98111744/28 A RU98111744/28 A RU 98111744/28A RU 98111744 A RU98111744 A RU 98111744A RU 98111744 A RU98111744 A RU 98111744A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor module
- power semiconductor
- submodules
- module according
- gate
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 210000002105 Tongue Anatomy 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 1
Claims (8)
1. Силовой полупроводниковый модуль (10) с большим числом подмодулей (1), содержащих соответственно, по меньшей мере, один полупроводниковый чип (5а, 5b), причем подмодули (1) закреплены на общей, отводящей тепло плате (11) основания и имеют электрический контакт с подсоединяемыми снаружи проводниками (12, 14, 18), отличающийся тем, что по меньшей мере, один полупроводниковый чип (5а, 5b) подмодуля (1) заключен в корпус, оболочка подмодулей (1) содержит наружные электроды (3, 7) для силовых контактов (С, Е), по меньшей мере, одного полупроводникового чипа (5а, 5b), причем крепление и контактирование каждого заключенного в оболочку подмодуля (1) на силовом полупроводниковом модуле (10) выполнены с возможностью легкого разъединения.
2. Силовой полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что оболочка подмодулей (1) включает в себя заливку (8) из электроизолирующей массы, причем внешние электроды (3, 7) выполнены плоскими и в частности, затворное подсоединение (9) для затворного контакта (G), по меньшей мере, одного полупроводникового чипа (5а, 5b) выведено через заливку (8).
3. Силовой полупроводниковый модуль по п.1 или 2, отличающийся тем, что оболочка подмодулей (1) включает в себя электроизолирующую подложку (2) с металлическим покрытием (3) и металлической платой (7), причем, по меньшей мере, один полупроводниковый чип (5а, 5b) своими силовыми контактами (С, Е) предпочтительно с помощью слоев пайки (4, 6) электрически соединен с металлическим покрытием (3) или металлической платой (7), а внешние электроды (3, 7) включают в себя выступающую часть покрытой металлом подложки (2) и металлическую плату (7).
4. Силовой полупроводниковый модуль по п.3, отличающийся тем, что подмодуль (1) имеет минимальную комплектацию полупроводниковыми чипами (5а, 5b), в частности, имеет один IGBT (22) и/или один силовой диод (23), подложка (2) содержит керамический материал, металлическая плата (7) содержит молибден, заливочная масса (8) состоит из пластика, а затворное подсоединение (9) представляет собой монтажный провод.
5. Силовой полупроводниковый модуль по одному из пп.1-4, отличающийся тем, что провода (12, 14) расположены над платой (11) основания в штабеле со слабой индуктивностью и на достаточном расстоянии друг над другом для обеспечения электроизоляции (13а, 13b, 13с, 17), что выполнены участки в штабельной системе с выступающими в виде язычков или пазообразно углубленных областей проводников в качестве мест (19) вставки и поверхностей (20) подсоединения для заключенных в оболочку подмодулей (1) и что, в частности, затворные контакты заключенных в оболочку подмодулей (1) посредством затворных подключений (9) соединены с затворным блоком (18).
6. Силовой полупроводниковый модуль по п.6, отличающийся тем, что проводники (12, 14) находятся на расстоянии друг от друга благодаря изоляции (13а, 13b, 13с) из твердого материала, а в области мест (19) вставки - благодаря воздушной или газовой изоляции (17), при этом предусмотрено нажимное контактирование внешних электродов (3, 7) подмодулей (1) посредством контактных поверхностей (20) и в частности, контактные поверхности (20) оснащены пружинными контактами.
7. Силовой полупроводниковый модуль по одному из пп.3-6, отличающийся тем, что плата (11) основания выполнена в виде охладителя или находится в термической связи с охладителем, подложка (2) имеет хорошую теплопроводность и подмодули (1) выполнены с возможностью закрепления рядом друг с другом с хорошим тепловым контактом по отношению к плате (11) основания.
8. Силовой полупроводниковый модуль по одному из пп.1-7, отличающийся тем, что некоторое количество подмодулей (1) выбирают по заданной величине требуемой коммутационной способности силового полупроводникового модуля (10).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19726534.0 | 1997-06-23 | ||
| DE19726534A DE19726534A1 (de) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Leistungshalbleitermodul mit geschlossenen Submodulen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98111744A true RU98111744A (ru) | 2000-03-27 |
| RU2210837C2 RU2210837C2 (ru) | 2003-08-20 |
Family
ID=7833330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98111744/28A RU2210837C2 (ru) | 1997-06-23 | 1998-06-22 | Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулями |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5982031A (ru) |
| EP (1) | EP0889526A3 (ru) |
| JP (1) | JP4051135B2 (ru) |
| CN (1) | CN1196195C (ru) |
| DE (1) | DE19726534A1 (ru) |
| RU (1) | RU2210837C2 (ru) |
| UA (1) | UA60298C2 (ru) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19725836C2 (de) * | 1997-06-18 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiter-Anordnung auf DCB-Substrat |
| DE19942770A1 (de) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleiter-Modul |
| JP3919398B2 (ja) * | 1999-10-27 | 2007-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| DE10109330C1 (de) * | 2001-02-27 | 2002-06-06 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Reparatur einer solchen Schaltungsanordnung |
| EP1318547B1 (de) * | 2001-12-06 | 2013-04-17 | ABB Research Ltd. | Leistungshalbleiter-Modul |
| US6885562B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-04-26 | Medtronic Physio-Control Manufacturing Corporation | Circuit package and method for making the same |
| DE10213648B4 (de) * | 2002-03-27 | 2011-12-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
| US6940712B2 (en) * | 2002-07-17 | 2005-09-06 | International Business Machines Corporation | Electronic device substrate assembly with multilayer impermeable barrier and method of making |
| DE102004046800B4 (de) * | 2004-09-27 | 2016-07-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls |
| US8164868B2 (en) * | 2006-02-23 | 2012-04-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for short-circuiting power semiconductor modules |
| DE102007046969B3 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Siemens Ag | Elektronische Schaltung aus Teilschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung und demgemäßer Umrichter oder Schalter |
| KR101502655B1 (ko) | 2009-03-13 | 2015-03-13 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 층상으로 형성된 절연 측벽을 구비한 파워 반도체 모듈 |
| US8009429B1 (en) | 2010-03-22 | 2011-08-30 | Honeywell International Inc. | Electrical component thermal management |
| BR112014002246B1 (pt) * | 2011-08-30 | 2020-11-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | dispositivo semicondutor |
| US8847384B2 (en) | 2012-10-15 | 2014-09-30 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Power modules and power module arrays having a modular design |
| US9623993B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-04-18 | The Procter & Gamble Company | Method and apparatus for taping containers |
| JP6075128B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-02-08 | 株式会社ジェイテクト | 駆動回路装置 |
| CN104867887A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-08-26 | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 | 一种双层灌封的功率模块及封装方法 |
| RU2656302C1 (ru) * | 2017-06-26 | 2018-06-04 | Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ" | Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля |
| DE102019206823A1 (de) * | 2019-05-10 | 2020-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Ausbildung einer Hochvoltleistungsmodulfamilie |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816616B2 (ja) * | 1978-12-01 | 1983-04-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| DE3521572A1 (de) * | 1985-06-15 | 1986-12-18 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat |
| US5579217A (en) * | 1991-07-10 | 1996-11-26 | Kenetech Windpower, Inc. | Laminated bus assembly and coupling apparatus for a high power electrical switching converter |
| US5200640A (en) * | 1991-08-12 | 1993-04-06 | Electron Power Inc. | Hermetic package having covers and a base providing for direct electrical connection |
| DE9114516U1 (ru) * | 1991-11-21 | 1992-01-16 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
| JP2848068B2 (ja) * | 1991-12-10 | 1999-01-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPH05167218A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電力増幅器の実装構造 |
| JPH0629459A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE4418426B4 (de) * | 1993-09-08 | 2007-08-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls |
| EP0597144A1 (de) * | 1992-11-12 | 1994-05-18 | IXYS Semiconductor GmbH | Hybride leistungselektronische Anordnung |
| US5259781A (en) * | 1992-11-18 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Electrical connector alignment and actuation assembly |
| US5559374A (en) * | 1993-03-25 | 1996-09-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit |
| JP3180863B2 (ja) * | 1993-07-27 | 2001-06-25 | 富士電機株式会社 | 加圧接触形半導体装置およびその組立方法 |
| JP3157362B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2001-04-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP3471880B2 (ja) * | 1994-02-23 | 2003-12-02 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置 |
| JPH07249719A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Omron Corp | 電子機器 |
| JPH07263622A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP3235452B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2001-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 高周波集積回路装置 |
| US5541453A (en) * | 1995-04-14 | 1996-07-30 | Abb Semiconductors, Ltd. | Power semiconductor module |
| DE19530264A1 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-20 | Abb Management Ag | Leistungshalbleitermodul |
| US5705848A (en) * | 1995-11-24 | 1998-01-06 | Asea Brown Boveri Ag | Power semiconductor module having a plurality of submodules |
| JPH09213878A (ja) * | 1996-01-29 | 1997-08-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| DE19617055C1 (de) * | 1996-04-29 | 1997-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise |
| WO1998012748A1 (fr) * | 1996-09-18 | 1998-03-26 | Hitachi, Ltd. | Module a semiconducteur de jonction |
-
1997
- 1997-06-23 DE DE19726534A patent/DE19726534A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-06-10 EP EP98810529A patent/EP0889526A3/de not_active Ceased
- 1998-06-22 RU RU98111744/28A patent/RU2210837C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-06-22 JP JP17468598A patent/JP4051135B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-22 UA UA98063233A patent/UA60298C2/ru unknown
- 1998-06-23 US US09/102,368 patent/US5982031A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 CN CNB981029949A patent/CN1196195C/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU98111744A (ru) | Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулями | |
| US6101114A (en) | Power conversion system having multi-chip packages | |
| JP4264375B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
| US4700273A (en) | Circuit assembly with semiconductor expansion matched thermal path | |
| EP0594395A2 (en) | Semiconductor power module | |
| US5982031A (en) | Power semiconductor module with closed submodules | |
| RU2309482C2 (ru) | Силовой полупроводниковый модуль | |
| CA2256778A1 (en) | Power semiconductor module | |
| JPH04229696A (ja) | エッジ型コネクタに差込み可能な電子回路パッケージ・アセンブリおよび放熱装置 | |
| CA2325148A1 (en) | Bus bar heat sink | |
| US6278199B1 (en) | Electronic single switch module | |
| EP0532244A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0644600B2 (ja) | 半導体組立ユニット | |
| RU2002132828A (ru) | Силовой полупроводниковый субмодуль и силовой полупроводниковый модуль | |
| US6885097B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2848068B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002231884A (ja) | 高出力半導体モジュール及びその用途 | |
| US5617293A (en) | Bridge module | |
| KR100635681B1 (ko) | 매트릭스 컨버터 | |
| US6664629B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6856012B2 (en) | Contact system | |
| JPH0794669A (ja) | 半導体パッケ−ジモジュ−ル | |
| KR20000071430A (ko) | 땜납 및 이에 상응하는 장착 공정으로 지지체 상에 장착된전력용 소자 | |
| EP0181975B1 (en) | Semiconductor device comprising a support body | |
| US8749051B2 (en) | Semiconductor device |