RU98110074A - Модуль интегральной схемы - Google Patents

Модуль интегральной схемы

Info

Publication number
RU98110074A
RU98110074A RU98110074/09A RU98110074A RU98110074A RU 98110074 A RU98110074 A RU 98110074A RU 98110074/09 A RU98110074/09 A RU 98110074/09A RU 98110074 A RU98110074 A RU 98110074A RU 98110074 A RU98110074 A RU 98110074A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
integrated circuit
circuit module
module according
contact
contact layer
Prior art date
Application number
RU98110074/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2173476C2 (ru
Inventor
Хубер Михель
Штампка Петер
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Priority to RU98110074A priority Critical patent/RU2173476C2/ru
Priority claimed from RU98110074A external-priority patent/RU2173476C2/ru
Publication of RU98110074A publication Critical patent/RU98110074A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2173476C2 publication Critical patent/RU2173476C2/ru

Links

Claims (11)

1. Модуль интегральной схемы с содержащим множество снабженных на передней стороне контактными площадками (3), электрически изолированных друг от друга контактных элементов (4) и изготовленным из электрически проводящего материала контактным слоем (2), с полупроводниковым кристаллом (7) с расположенными на главной поверхности (5) полупроводникового кристалла (7) выводами кристалла, которые через имеющие максимальную монтажную длину гибкие проволочные выводы (6) электрически соединены с обратной стороной присвоенного выводу кристалла контактного элемента (4), и с расположенной между контактным слоем (2) из электрически проводящего материала и полупроводниковым кристаллом (7) изолирующей пленкой (10) из электрически изолирующего материала, снабженной множеством отверстий для микросварки (9), отличающийся тем, что изолирующая пленка (10) снабжена множеством отверстий для микросварки (9), превосходящим количество выводов кристалла, и отверстия для микросварки (9) относительно их расположения, формы, количества, а также присвоения определенному контактному элементу (4) контактного слоя (2) выполнены так, что для каждого контактного элемента (4) предусмотрено несколько отверстий для микросварки (9), причем соответственно через одно из этих отверстий для микросварки (9) проведен гибкий проволочный вывод к контактному элементу (4) так, что при любом положении и содержании поверхности закрепленного полупроводникового кристалла (7) осуществлено контактирование выводов кристалла посредством гибких проволочных выводов (6) с соответствующим контактным элементом (4) контактного слоя (2).
2. Модуль интегральной схемы по п. 1, отличающийся тем, что предусмотренная между электрически проводящим контактным слоем (2) и полупроводниковым кристаллом (7) тонкая изолирующая пленка (10) содержит по меньшей мере два отверстия для микросварки (9) на присвоенный контактный элемент (4).
3. Модуль интегральной схемы по п. 1 или 2, отличающийся тем, что каждый гибкий проволочный вывод (6) для электрического контактирования выводов кристалла с контактными площадками (3) контактного слоя (2) имеет максимальную монтажную длину порядка 3 мм.
4. Модуль интегральной схемы по любому из пп. 1 - 3, отличающийся тем, что предусмотрен связанный в частности в краевой области контактного слоя (2) и окружающий полупроводниковый кристалл (7) носитель (11) из электрически изолирующего материала.
5. Модуль интегральной схемы по п. 4, отличающийся тем, что носитель (11) изготовлен из стеклоэпоксидного материала и имеет толщину до порядка 125 мкм.
6. Модуль интегральной схемы по любому из пп. 1 - 5, отличающийся тем, что расположенная между электрически проводящим контактным слоем (2) и полупроводниковым кристаллом (7) тонкая изолирующая пленка (10) имеет толщину меньше порядка 30 мкм.
7. Модуль интегральной схемы по любому из пп. 1 - 6, отличающийся тем, что полупроводниковый кристалл (7) вклеен в модуль интегральной схемы (1) посредством электрически изолирующего клея.
8. Модуль интегральной схемы по любому из пп. 1 - 7, отличающийся тем, что контактный слой (2) имеет количество от шести до восьми контактных элементов (4).
9. Модуль интегральной схемы по любому из пп. 1 - 8, отличающийся тем, что тонкая изолирующая пленка (10) выштампована в местах отверстий для микросварки (9) и/или в месте полупроводникового кристалла (7), подлежащего закреплению на модуле интегральной схемы (1), а в остальном выполнена по всей поверхности контактного слоя (2) приблизительно непрерывно закрытой.
10. Модуль интегральной схемы по любому из пп. 1 - 9, отличающийся тем, что тонкая изолирующая пленка (10) одновременно служит в качестве адгезионного или клейкого слоя.
11. Модуль интегральной схемы по п. 10, отличающийся тем, что тонкая изолирующая пленка (10) выполнена из адгезионного или клеящего материала, адгезионные или, соответственно клеящие характеристики которого зависят от степени приложенного механического давления.
RU98110074A 1995-11-03 1996-10-28 Модуль интегральной схемы RU2173476C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98110074A RU2173476C2 (ru) 1995-11-03 1996-10-28 Модуль интегральной схемы

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19541072.6 1995-11-03
RU98110074A RU2173476C2 (ru) 1995-11-03 1996-10-28 Модуль интегральной схемы

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98110074A true RU98110074A (ru) 2000-04-10
RU2173476C2 RU2173476C2 (ru) 2001-09-10

Family

ID=48235543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98110074A RU2173476C2 (ru) 1995-11-03 1996-10-28 Модуль интегральной схемы

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2173476C2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU171062U1 (ru) * 2016-07-15 2017-05-18 Константин Дмитриевич Клочков Электронная схема электрошокового устройства

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4638348A (en) Semiconductor chip carrier
US6064116A (en) Device for electrically or thermally coupling to the backsides of integrated circuit dice in chip-on-board applications
KR920001701A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR960026505A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR860004370A (ko) Ic카드
EP1662565A3 (en) Semiconductor package
KR910013444A (ko) 전자장치 및 그 제조방법
KR960706194A (ko) 계층화된 도전 평면을 갖는 리드 프레임(a lead frame having layered conductive planes)
KR970030749A (ko) 집적 회로 패키지
DE59504284D1 (de) Trägerelement für integrierten schaltkreis
BR9712107A (pt) Módulo de chip e processo para a fabricação de um módulo de chip.
RU2004107125A (ru) Контактирование полупроводниковых микросхем в чип-картах
DE59602196D1 (de) Chipmodul
WO1985005735A1 (en) Integrated circuit package
KR880001053A (ko) 집적 회로용 팔라듐 도금 리이드 프레임 및 그 제조 방법
ATE54776T1 (de) Halbleiterelement und herstellungsverfahren.
CA2095609A1 (en) Leadless pad array chip carrier
RU98110074A (ru) Модуль интегральной схемы
KR970024032A (ko) 인터페이스 조립체를 구비한 유에프비지에이(ufbga) 패키지
KR100207902B1 (ko) 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지
KR960019683A (ko) 반도체 장치
JPH06270579A (ja) Icカード
JP2004031432A (ja) 半導体装置
JP2871984B2 (ja) 半導体装置
JPS62183155A (ja) 半導体集積回路装置