RU98109664A - Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения - Google Patents
Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его полученияInfo
- Publication number
- RU98109664A RU98109664A RU98109664/09A RU98109664A RU98109664A RU 98109664 A RU98109664 A RU 98109664A RU 98109664/09 A RU98109664/09 A RU 98109664/09A RU 98109664 A RU98109664 A RU 98109664A RU 98109664 A RU98109664 A RU 98109664A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- substrate
- deposition
- carbon film
- containing additive
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 6
- 230000000996 additive Effects 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002113 nanodiamond Substances 0.000 claims 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 claims 1
Claims (7)
1. Холодноэмиссионный пленочный катод, содержащий подложку с нанесенной на нее углеродной пленкой, отличающийся тем, что дополнительно содержит вторую углеродную пленку, нанесенную поверх первой, при этом первая углеродная пленка выполнена в виде структуры нерегулярно расположенных углеродных микро- и наноребер и/или микро- и нанонитей, ориентированных перпендикулярно поверхности подложки, с характерным масштабом от 0,005 до 1 мкм и плотностью расположения 0,1 - 100 мкм-2, а вторая углеродная пленка выполнена в виде наноалмазной пленки толщиной 0,1- 0,5 мкм.
2. Способ получения холодноэмиссионного пленочного катода, включающий нанесение на подложку, расположенную на аноде, углеродной пленки путем осаждения из разряда постоянного тока в смеси водорода с углесодержащей добавкой, отличающийся тем, что осаждение углеродной пленки производят из плазмы разряда с плотностью постоянного тока 0,15 - 0,5 А/см2 в смеси водорода с углеродосодержащей добавкой при полном давлении 50 - 300 Торр, температуре на подложке 600 - 1100oС, а поверх первой углеродной пленки наносят вторую углеродную пленку в виде наноалмазного слоя.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве углеродосодержащей добавки используют пары этилового спирта при концентрации 5 - 15%.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве углеродосодержащей добавки используют метан при концентрации 6 - 30%.
5. Способ по п. 2, отличающийся тем, что нанесение наноалмазного слоя производят путем осаждения из плазмы разряда постоянного тока до толщины с плотностью тока 0,15 - 0,5 А/см2 в смеси водорода с углеродосодержащей добавкой при концентрации 0,5 - 4% при полном давлении 50 - 300 Торр и температуре на подложке 600 - 1100oС.
6. Способ по пп.2-5, отличающийся тем, что осаждение проводят с добавлением в газовую смесь до 75% инертного газа при сохранении полного давления.
7. Способ по п. 2, отличающийся тем, что нанесение наноалмазного слоя производят методом газофазного синтеза, включающий нагрев металлической нити-активатора до температуры 1800 - 2500oС, подложки до температуры 600 - 1100oС, осаждение в смеси водорода с углеродосодержащей добавкой с концентрацией 0,5 - 10% через расположенный между нитью и подложкой сетчатый экран.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98109664/09A RU2194328C2 (ru) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения |
| PCT/RU1999/000166 WO1999060597A1 (fr) | 1998-05-19 | 1999-05-19 | Cathode de type film a emission froide et procede de fabrication |
| KR1020007012840A KR100622435B1 (ko) | 1998-05-19 | 1999-05-19 | 저온 방출형 박막 캐소드 및 그 제조방법 |
| JP2000550126A JP2004511064A (ja) | 1998-05-19 | 1999-05-19 | 冷陰極放出用フイルムタイプ陰極及びその製造法 |
| AU39633/99A AU3963399A (en) | 1998-05-19 | 1999-05-19 | Cold-emission film-type cathode and method for producing the same |
| EP99922692A EP1081734A4 (en) | 1998-05-19 | 1999-05-19 | FILM-SHAPED COLD-EMISSIONS CATHODE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US09/700,694 US6577045B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-01-19 | Cold-emission film-type cathode and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98109664/09A RU2194328C2 (ru) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98109664A true RU98109664A (ru) | 2000-03-20 |
| RU2194328C2 RU2194328C2 (ru) | 2002-12-10 |
Family
ID=20206288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98109664/09A RU2194328C2 (ru) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6577045B1 (ru) |
| EP (1) | EP1081734A4 (ru) |
| JP (1) | JP2004511064A (ru) |
| KR (1) | KR100622435B1 (ru) |
| AU (1) | AU3963399A (ru) |
| RU (1) | RU2194328C2 (ru) |
| WO (1) | WO1999060597A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2161838C2 (ru) * | 1997-06-24 | 2001-01-10 | Тарис Технолоджис, Инк. | Холодноэмиссионный пленочный катод и способы его получения |
| KR100615103B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2006-08-25 | 풀러린 인터내셔날 코포레이션 | 나노튜브, 상기 나노튜브를 구비한 전계 방출 음극과 음극선관 및 이들을 형성하기 위한 방법 |
| US6815877B2 (en) * | 2002-07-11 | 2004-11-09 | Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. | Field emission display device with gradient distribution of electrical resistivity |
| JP2004107118A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Ulvac Japan Ltd | グラファイトナノファイバの作製方法、電子放出源及び表示素子 |
| EA008282B1 (ru) * | 2003-07-11 | 2007-04-27 | Тетранова Лтд. | Холодные катоды из углеродных материалов |
| US7913719B2 (en) | 2006-01-30 | 2011-03-29 | Cooligy Inc. | Tape-wrapped multilayer tubing and methods for making the same |
| US8157001B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-04-17 | Cooligy Inc. | Integrated liquid to air conduction module |
| US20070227698A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-04 | Conway Bruce R | Integrated fluid pump and radiator reservoir |
| JP2009263208A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-11-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ナノダイヤモンド膜 |
| RU2524353C2 (ru) * | 2012-07-04 | 2014-07-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Высокие технологии" | Трехмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод |
| RU2537487C2 (ru) * | 2012-12-05 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ) | Способ получения материала на основе углеродных нанотрубок |
| RU2581835C1 (ru) * | 2014-12-12 | 2016-04-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" | Управляемый эмитирующий узел электронных приборов с автоэлектронной эмиссией и рентгеновская трубка с таким эмитирующим узлом |
| RU2640355C2 (ru) * | 2016-04-18 | 2017-12-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Штерн" (ООО "Штерн") | Способ изготовления катода на основе массива автоэмиссионных эмиттеров |
| US9805900B1 (en) | 2016-05-04 | 2017-10-31 | Lockheed Martin Corporation | Two-dimensional graphene cold cathode, anode, and grid |
| US12012666B2 (en) | 2021-01-18 | 2024-06-18 | Eagle Technology, Llc | Nanodiamond article and associated methods of fabrication |
| RU2763046C1 (ru) * | 2021-02-15 | 2021-12-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Автоэмиссионный эмиттер с нанокристаллической алмазной пленкой |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU71326A3 (ru) * | 1939-11-28 | 1947-11-30 | Главное управление электрослаботочной промышленности | Способ покрыти металлов слоем графита и угл |
| SU966782A1 (ru) * | 1979-11-05 | 1982-10-15 | Предприятие П/Я М-5912 | Способ изготовлени многоострийного автокатода |
| DE3205746A1 (de) * | 1982-02-18 | 1983-08-25 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Thermionische kathode und verfahren zu ihrer herstellung |
| RU2083018C1 (ru) * | 1991-08-20 | 1997-06-27 | Моторола, Инк. | Электронный эмиттер и способ его формирования (варианты) |
| US5536193A (en) * | 1991-11-07 | 1996-07-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making wide band gap field emitter |
| US5600200A (en) * | 1992-03-16 | 1997-02-04 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Wire-mesh cathode |
| US5675216A (en) * | 1992-03-16 | 1997-10-07 | Microelectronics And Computer Technololgy Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| US6127773A (en) * | 1992-03-16 | 2000-10-03 | Si Diamond Technology, Inc. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| US5578901A (en) * | 1994-02-14 | 1996-11-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Diamond fiber field emitters |
| US5602439A (en) * | 1994-02-14 | 1997-02-11 | The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer | Diamond-graphite field emitters |
| US5903092A (en) * | 1994-05-18 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device for emitting electrons |
| US6042900A (en) * | 1996-03-12 | 2000-03-28 | Alexander Rakhimov | CVD method for forming diamond films |
| RU2099808C1 (ru) * | 1996-04-01 | 1997-12-20 | Евгений Инвиевич Гиваргизов | Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты) |
| US5726524A (en) * | 1996-05-31 | 1998-03-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Field emission device having nanostructured emitters |
| RU2158037C2 (ru) * | 1996-07-16 | 2000-10-20 | ООО "Высокие технологии" | Способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза |
| US5908699A (en) * | 1996-10-11 | 1999-06-01 | Skion Corporation | Cold cathode electron emitter and display structure |
| US5821680A (en) * | 1996-10-17 | 1998-10-13 | Sandia Corporation | Multi-layer carbon-based coatings for field emission |
| RU2161838C2 (ru) * | 1997-06-24 | 2001-01-10 | Тарис Технолоджис, Инк. | Холодноэмиссионный пленочный катод и способы его получения |
-
1998
- 1998-05-19 RU RU98109664/09A patent/RU2194328C2/ru active IP Right Revival
-
1999
- 1999-05-19 EP EP99922692A patent/EP1081734A4/en not_active Withdrawn
- 1999-05-19 JP JP2000550126A patent/JP2004511064A/ja active Pending
- 1999-05-19 WO PCT/RU1999/000166 patent/WO1999060597A1/ru active IP Right Grant
- 1999-05-19 KR KR1020007012840A patent/KR100622435B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-05-19 AU AU39633/99A patent/AU3963399A/en not_active Abandoned
-
2001
- 2001-01-19 US US09/700,694 patent/US6577045B1/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU98109664A (ru) | Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения | |
| DE3690606C2 (de) | Verfahren zur Synthese von Diamant | |
| JP4944303B2 (ja) | 低圧−ｄｃ−熱化学蒸着法を利用したカーボンナノチューブ垂直配向蒸着方法 | |
| CN1229836C (zh) | 用于有效电子场致发射的金刚石/碳纳米管结构 | |
| Satyanarayana et al. | Low threshold field emission from nanoclustered carbon grown by cathodic arc | |
| JP3049019B2 (ja) | 単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ | |
| KR100245910B1 (ko) | 유사 다이아몬드박막의 제조방법,이에 따른 유사 다이아몬드박막,전계방출어레이 및 전계에미터캐소드 | |
| KR101281168B1 (ko) | 전계 방출 전극, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 전계 방출소자 | |
| US7618300B2 (en) | Method of synthesizing small-diameter carbon nanotubes with electron field emission properties | |
| US4767517A (en) | Process of depositing diamond-like thin film by cathode sputtering | |
| JPH08225393A (ja) | 改善されたダイヤモンド薄膜エミッタを用いた電界放射デバイス | |
| US6577045B1 (en) | Cold-emission film-type cathode and method for producing the same | |
| KR920002479A (ko) | 동위원소적으로 순수한 단결정 에피텍셜(epitaxial) 다이아몬드 필름 및 그의 제조방법 | |
| KR20070106365A (ko) | 유사 다이아몬드 탄소 필름의 제조방법 | |
| JPH07197325A (ja) | 単層カーボンナノチューブの製造法 | |
| EP1004132B1 (en) | A carbon film for field emission devices | |
| Chen et al. | Plasma-induced low-temperature growth of graphitic nanofibers on nickel substrates | |
| JP2969503B2 (ja) | 炭素質ファイバーの作成方法 | |
| JP2004243477A (ja) | 炭素質ナノ構造体の製造方法、炭素質ナノ構造体及びそれを用いた電子源 | |
| RU96113270A (ru) | Способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза | |
| Michau et al. | Influence on diamond nucleation of the carbon concentration near the substrate surface | |
| RU97109616A (ru) | Холодноэмиссионный пленочный катод и способы его получения | |
| WO1998059355A3 (fr) | Cathode froide et procedes de fabrication | |
| JPH09256140A (ja) | 金、銀、又は銅の金属微粒子の製造方法 | |
| RU2158036C2 (ru) | Способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза |