SU966782A1 - Способ изготовлени многоострийного автокатода - Google Patents

Способ изготовлени многоострийного автокатода Download PDF

Info

Publication number
SU966782A1
SU966782A1 SU792872283A SU2872283A SU966782A1 SU 966782 A1 SU966782 A1 SU 966782A1 SU 792872283 A SU792872283 A SU 792872283A SU 2872283 A SU2872283 A SU 2872283A SU 966782 A1 SU966782 A1 SU 966782A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
substrate
carbon
cathode
crystals
gas
Prior art date
Application number
SU792872283A
Other languages
English (en)
Inventor
Разия Минсафовна Хатапова
Вячеслав Степанович Нешпор
Владимир Константинович Капралов
Валентина Христофоровна Романова
Валерий Александрович Ткаченко
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5912
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5912 filed Critical Предприятие П/Я М-5912
Priority to SU792872283A priority Critical patent/SU966782A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU966782A1 publication Critical patent/SU966782A1/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГООСТРИЙНОГО АВТОКАТОДЛ
1
ТКоЬретение относитс  к катодам электро вакуумных устройств, а конкретно к технологии изготовлени  сильноточных катодов, работающих в режиме взрывной эмиссии. Такие катоды могут использоватьс  в импульсных рентгеновских трубках, ускорител х электронов и других устройствах наход щих широкое применение в различных област х народного хоз йства.
Известен способ изготовлени  сильноточного многоострийного катода, содержащего . множество .кристаллических игл (Si или AlsNi), упор дочено и жестко фиксированных на кристаллической подложке и прО;  вл ющих кристаллографическую ориентацию подложки (1). В этом способе используют технологию пар-жиДкость-твердое тело дл  выращивани  кристаллических кремниевых острий с ориентацией 111 приблизительно 1 мм длиной на кремниевой кристаллической подложке с гранью Ч. В качестве центров кристаллизации используют золото; которое напыл ют на подложку в форме
точек р диаметров 100 мкм и толщиной 1000 А.
Катод, изготовленный таким способом, имеет одинаковую структуру и геометрию игл, что особенно важно дл  получени  равномерной по поверхности катода плотности тока и стабильной эмиссии 1.
Однако -такие катоды выполнены из материалов с низкой температурой плавлени  (Si, А1зМО что ограничивает предельно допустимые токи, отбираемые с катода , так как при больших токах происходит разогрев и разрушение катода за счет джоу: лева тепла; Кроме того, при болыдих элект-. рических пол х у поверхности катода возникают механические напр жени , св занные с пондемоторным действием электрического пол , привод щим к срьгеу вещества катода . Отсутствие у катода хот  бы одного jQ из этих факторов (высокой температуры плавлени  или возгонки, прочности) приво- . дит к нестабильной эмиссии и непродолжительному ресурсу работы прн отборе больших токов. 3 Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ, основанный на газофазном осаждении углерода на подложке 2. В этом способе получают газообразную- смесь, содержащу19 0,2 об.% углеводорода в нейтральном газе, например Аг, и кислородсодержащий (активный) газ, например СО, COj, Н20, нейтральный газ содержит 0,15 ,0,об.% активного газа. Полученную смесь .пропускают через реакционную печь, в которую помещена термостойка  подложка при 900-1200 С, причем поток смеси направл ют параллельно поверхности подложки. При зтом происходит рост нитевидных кристалло углерода диаметром 1-50 мкм со скоростью 0,5 мм/мин. Этот способ обладает достаточНОИ простотой дл  использовани  в промыщ ленном производстве и позвол ет получать высокую воспроизводимость результатов. Однако его использование не позвол ет получать катоды с достаточно хорошими эмиссионными характеристиками, так как изгото ленные таким способом нитевидные кристаллы углерода, служащие остри ми катода, расположень наклонно к поверхности подложки в направлении течени  газового пото ка, что привожит к пространственно-временной нестабильности эмиссионного тока и ма лому ресурсу работы. Цель изобретени  - улучшение эмиссионных характеристик катода, повыщен1 р прост ранственно-временной стабильности эмиссии, а также ресурса его работы. Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу изготовлени  м})огоострийного автокатода путем газофазного осаждени  углерода на нагретую подложку из га-. зообразной смеси, содержащей углеводород с присадкой углекислого газа и пропускаемой параллельно поверхности подложки, используют газообразную смесь в следующем составе об.%: Метал15-25 Водород74- 3 Углекислый газ1-2 подложку нагревают до 1200-1500° С, скорост пропускани  смеси равна а 0,05-1,0 м/с. В качестве подложки может быть использована уплотненна  пироуглеродом углеродна  ткань сетчатой структуры, т.е. материал, имеющий периодическую структуру в поверх ностном слое которого наход тс  углеродсодержащие соединени  высокой концентрации . На фиг. 1 представлена конструкци  мног острийного катода, получаемого предлагаемым |способо.м, на плоской подложке; на фиг. 2 и 3 - то же, на цилиндрической подложке; на фиг. 4 - крепление многоострийного катода дл  электронного прибора с плоскопараллельным расположением электродов. Катод, Представленный на фиг. 1, 2, 3, содержит множество одинаковых по геометрии и структуре кристаллических игл 1 с верщинами 2, выполненных из нитевидных кристаллов углерода и жестко закрепленных на подложке 3, выполненной из углеродсодержащего материала. Подложка 3, в частности, выполнена из углеродной ткани сетчатой структуры. Кристаллические иглы 1 упор дочено закреплены на узлах углеродной ткани. Плотность и периодичность размещени  крис таллических игл 1 соответствует топографии тканевой подложки 3. Иглы I расположены Перпендикул рно к поверхности подложки 3 (см. фиг. 1) и могут иметь диаметр 0,05-0,1 мм и длину 0,1-10 мм. В зависимости от конкретной конструкции прибора катод имеет различную форму, например: плоскую (фиг. 1), цилиндрическую с иглами 1, направленными -к. оси цилиндра (фиг. 2), или с иглами 1, расположенными в направлении образующей цилиндра (фиг. 3).. Катодный узел (фиг. 4) содержит многоострийный катод (см. фиг. 1), закрепленный за кра  подложки 3 на прювод щем держателе 4 .с помощью гайки 5. Выбор метана в качестве углеродосодержащего газа св зан с его повышенной термической стабильностью (по сравнению с углеводородами в прототипе), что позвол ет вести процесс при высоких температурах и получать нитевидные кристаллы с повышенной плотностью и прочностью, пригодные дл  работы в услови х автокатода. Применение метана позвол ет также добитьс  более высокой воспроизводимости процесса. Выбор концентрации метана и водорода определ етс  услови ми образовани  жидких углеводородов в объеме. При снижении концентрации метана 15 об.% процесс образовани  жидких углеводородов не происходит, вследствие чего прекращаетс  рост нитевидных кристаллов. При увеличении Концентрации 25 об.% происходит по вление сажистых частиц в объеме и рост нитевидных кристаллов также прекращаетс . Выбор диапазона температур определ етс  скоростью протекани  процесса и качеством получаемых нитевидных кисталлов , при температуре ниже 1200 С процесс становитс  невоспроизводимым и протекает очень медленно , при теитературе выше 1500° С прак-, ткчески прекращаетс  рост кристаллов и ухудшаетс  их качество (структура кристаллов становитс  несовершенной, а распределение на подложке нерегул рно и с недостаточной плотностью). Использование в газовой смеси водорода (вместо аргона) преп тствует развитию в га зовой смеси объемных процессов, привод щих к выделению сажистых частиц в про-цессе роста нитевидных кристаллов, и образ ванию кристаллов нерегул рной формы, а следовательно, улучшает качество автокатодов Концентращ1  водорода находитс  в пр мой зависимости от концентрации метана, так как водород  вл етс  его разбавителем до 100% по объем Однако в отличие от инертного газа-разбавител , водород оказывает более активное вли ние на процессь образовани  и роста нитевидных кристаллов, участву  в формировании предзародышевого активированного комплекса, хот  окончательно этот вопрос в физико-химическом отношении не изучен. Введение в реакционную смесь углекислого газа облегчает образование капель высокомолекул рного углеводорода, которые обуславливают зарождение и рост нитевидных кристаллов. Отсутствие СО приводит к образованию сплошной или островковой пленки пироуглероДа на подлож:ке вместо нитевидных кристаллов. Введение С0 меньше 1 об.% практически слабо вли ет на процесс и не дает воспроизводимого ро та нитевидных кристаллов. Добавка COj свыше 2 об.% ухудшает качество нитевидных кристаллов, понижает их прочность, повышает хрупкость и приводит к нерегул рности роста, что делает выращиваемую совокупность нитевидных кристаллов непригодной дл  использовани  в многорстрийном автокатоде.. Выбор скорости пропускани  газообразной смеси (0,05-1,0 м/с) определ етс , с одной стороны, минимальной скоростью подвода реакционной смеси, обеспечивающей транспорт углерода в зону роста нитевидных кристаллов, а с другой - требованием перпендикул рности нитевидных кристаллов к поверхности осаждени , при скорост х . 1 м/с наблюдаетс  наклон нитевидных кристаллов в сторону направлени  потока. Выбор материала подложки в предложенном способе обусловлен следующими требо вани ми: наличие высокой концентраций свободного углерода в поверхностном слое дл  обеспечени  совместимости с- нитевидными кристаллами, достаточно высока  механическа  жесткость. и прочность, обеспе чивающа  возможность креплени  - автокатода в катодном узле; прочное сцепление с основани ми нитевидных кристаллов; наличие регул рной структуры мест зарождени  нитевидных кристаллов. В качестве подложки ,может i служить любой углеродный материал (злектродный и пиролитический графит, композиционный углеродный материал И т.п.). Однако создание регул рной структуры центров, способных селективно адсорбировать на стадии зарождени  повышенную концентрацию компонентов реакционной смеси, представл ет ° технрлогичес1 и1 ..сложную задачу. Пред«оженна  подложка: в виде уплотненной пиРоуглеродом углеродной ткани сетчатой структуры естественным образом сочетает в себе все изложенные требовани . Места перегибов и пересечени  нитей ткани представл ют собою регул рную систему центров с повышенной адсорбционной активностыр. На первой стадии процесса они адсорбируют компоненты газовой смеси, обогащен-. ные в местах прилипани  кислородсодержащей добавкой, что. дает начало образова-, нию зародыщей роста нитевидных кристаллов ... П р и м е р . В качестве подложки (фиг. 1, 2, 3) берут углеродную ткань предварительно уплотненную пирюуглеродом. и, в зависимости от конкретной конструкции прибора, придают необходимую форму, а нерабочую часть зкранируют с помощью термостойкого материала. Затем подложку помешают в реакционную печь и нагревают до 1200° С в потоке нейтрального газа (аргона или азота). При достижении указачной температуры в печь вместо нейтрального газа подают газообразную смесь в составе , об.%: Метан20 Водород79 Углекислый газ1,0 Смесь пропускают параллельно рабочей поверхности подложки со скоростью 0,1 м/с в течение 30 мин. После чего подачу смесч прекращают и . производ т охлаждение 3 также в потоке нейтрального ПО.У1ОЖКИ Изготовленный таким способом многоострийный катод (фиг. 1) состоит из «одннаково ориентированных перпендикул рно поверхности подложки 3 кристаллических игл 1, вьшолненных в виде нитевидных кристаллов углерода диаметром 100 мкм и длиной 2 мм, со сглаженными вершинами 2 сфе- . рической формы.. По своей структуре нитевидные кристаллы . представл ют собой скру

Claims (2)

  1. , Формула изобретения
    1.Способ изготовления многоострийного авто-, катода путем газофазного осаждения углеро1*
  2. 2S
SU792872283A 1979-11-05 1979-11-05 Способ изготовлени многоострийного автокатода SU966782A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792872283A SU966782A1 (ru) 1979-11-05 1979-11-05 Способ изготовлени многоострийного автокатода

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792872283A SU966782A1 (ru) 1979-11-05 1979-11-05 Способ изготовлени многоострийного автокатода

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU966782A1 true SU966782A1 (ru) 1982-10-15

Family

ID=20873342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792872283A SU966782A1 (ru) 1979-11-05 1979-11-05 Способ изготовлени многоострийного автокатода

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU966782A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998002027A2 (fr) * 1996-07-16 1998-01-22 Alexandr Tursunovich Rakhimov Procede de production de pellicules de diamant faisant appel a un systeme de synthese en phase gazeuse
WO1999060597A1 (fr) * 1998-05-19 1999-11-25 Ooo 'vysokie Tekhnologii' Cathode de type film a emission froide et procede de fabrication

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998002027A2 (fr) * 1996-07-16 1998-01-22 Alexandr Tursunovich Rakhimov Procede de production de pellicules de diamant faisant appel a un systeme de synthese en phase gazeuse
WO1998002027A3 (fr) * 1996-07-16 1998-02-19 Ooo 'vysokie Tekhnologii' Procede de production de pellicules de diamant faisant appel a un systeme de synthese en phase gazeuse
WO1999060597A1 (fr) * 1998-05-19 1999-11-25 Ooo 'vysokie Tekhnologii' Cathode de type film a emission froide et procede de fabrication

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Cu-filled carbon nanotubes by simultaneous plasma-assisted copper incorporation
US6827823B2 (en) Nano-carbon and composite material or mixed material containing nano-carbon and metal fine particle and methods for producing and patterning the same
JP3363759B2 (ja) カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
US4467240A (en) Ion beam source
US6630772B1 (en) Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
JP3183845B2 (ja) カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
Nerushev et al. Carbon nanotube films obtained by thermal chemical vapour deposition
US7687109B2 (en) Apparatus and method for making carbon nanotube array
EP1413550B1 (en) Method and device for synthesizing high orientationally arranged carbon nanotubes by using organic liquid
RU2213050C2 (ru) Способ получения углерода
DE3690606C2 (de) Verfahren zur Synthese von Diamant
JP3441923B2 (ja) カーボンナノチューブの製法
US7682658B2 (en) Method for making carbon nanotube array
CN100526217C (zh) 一种准一维氮化硼纳米结构的制备方法
US20070020167A1 (en) Method of preparing catalyst for manufacturing carbon nanotubes
JPH10203810A (ja) カーボンナノチューブの製法
US20080159945A1 (en) Laser-based method for growing array of carbon nanotubes
RU2194328C2 (ru) Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения
JP4156879B2 (ja) カーボン繊維の製造方法。
SU966782A1 (ru) Способ изготовлени многоострийного автокатода
US8926934B2 (en) Laser-based method for growing an array of carbon nanotubes
US3967029A (en) Boron-carbon alloy tape
Srivastava et al. Effect of substrate morphology on growth and field emission properties of carbon nanotube films
JP2002220215A (ja) ナノカーボンの製造方法及びその方法を用いて製造されたナノカーボン、ナノカーボンの製造装置、ナノカーボンのパターン化方法及びその方法を用いてパターン化されたナノカーボン基材及びそのパターン化されたナノカーボン基材を用いた電子放出源
JP2003277031A (ja) カーボンナノチューブの製法