RU97119080A

RU97119080A - Покрытие кристалла интегральной схемы

Info

Publication number: RU97119080A
Application number: RU97119080/28A
Authority: RU
Inventors: Удо Детлеф; Киршбауер Йозеф; Нидерле Кристл; Штампка Петер; Штекхан Ханс-Хиннерк
Original assignee: Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date: 1995-04-25
Filing date: 1996-04-09
Publication date: 1999-10-10

Claims

1. Покрытие кристалла интегральной схемы (ИС) для полного или частичного покрытия электрических, электронных, оптоэлектронных и/или электромеханических компонентов кристалла ИС, отличающееся тем, что предусмотрен активатор, при активировании которого выделяется вещество, которое в состоянии полностью или частично разрушить электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла ИС и который является активируемым за счет попытки удалить покрытие кристалла ИС с кристалла.

2. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.1, отличающееся тем, что за счет покрытия является перекрываемой предусмотренный на карточке с микросхемой или с микропроцессором бескорпусный кристалл ИС.

3. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.1 или 2, отличающееся тем, что кристалл ИС является блоком контроллера или специализированным блоком.

4. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор предусмотрен в выемке, предусмотренной в покрытии кристалла ИС.

5. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор введен в матрицу материала покрытия.

6. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что при активировании активатора выделяется вещество с восстановительным действием.

7. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.6, отличающееся тем, что электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла ИС разрушаются веществом с восстановительным действием.

8. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла ИС представляют собой алюминиевые структуры.

9. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор представляет собой RCl₂
10. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.9, отличающееся тем, что при активировании RCl₂ образуется свободный радикал.

11. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.10, отличающееся тем, что свободный радикал является веществом с восстановительным действием.

12. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активирование активатора происходит посредством растворителя, растворяющего покрытие кристалла ИС.

13. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из пп.1-11, отличающееся тем, что активирование активатора происходит посредством накопленного внутри покрытия ИС активирующего средства.

14. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что над существенной для надежности областью кристалла ИС расположен второй кристалл ИС.

15. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор в покрытии кристалла ИС предусмотрен над существенной для надежности областью кристалла ИС.

16. Покрытие кристалла микросхемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что покрытие кристалла ИС выполнено из нескольких слоев.