RU97118326A

RU97118326A - Устройство термообработки полупроводниковых пластин

Info

Publication number: RU97118326A
Application number: RU97118326/28A
Authority: RU
Inventors: Геццо Марио; Дитрих Пейдж Тимоти; Берт Горчица Томас; Сверре Бергман Рольф; Бачубхай Вакил Химансу; Сэмюель Хю Чарльз; Дэвид Силверстейн Сет
Original assignee: Дженерал Электрик Компани
Priority date: 1996-11-04
Filing date: 1997-11-03
Publication date: 1999-10-10

Claims

1. Устройство термообработки по меньшей мере одной полупроводниковой пластины, содержащее камеру реактора для закрепления по меньшей мере одной полупроводниковой пластины, причем камера реактора содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нанометров; покрытие на по меньшей мере части камеры реактора, отличающееся тем, что покрытие содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нанометров и, по существу, отражающий инфракрасное излучение; причем имеется источник излучения для подачи энергии излучения на по меньшей мере одну полупроводниковую пластину через покрытие и камеру реактора.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что источник излучения представляет собой ультрафиолетовую газоразрядную лампу, галогенную инфракрасную лампу накаливания или металлогалогенную газоразрядную лампу видимого излучения.

3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что камера реактора выполнена из кварца, оксида алюминия, легированного кварцем, оксида алюминия или синтетического оксида кремния.

4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что покрытие выполнено из оксида индий-олово, оксида сурьма-олово, оксида фтор-олово, нелегированного оксида олова, дихроичного фильтра или тонкой металлической пленки.

5. Устройство термообработки по меньшей мере одной полупроводниковой пластины, содержащее камеру реактора для закрепления по меньшей мере одной полупроводниковой пластины, причем камера реактора содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нанометров, отличающееся тем, что предусмотрена лампа, содержащая ультрафиолетовую газоразрядную лампу, галогенную инфракрасную лампу накаливания или металлогалогенную газоразрядную лампу видимого излучения, причем лампа способна подавать энергию излучения на по меньшей мере одну полупроводниковую пластину через камеру реактора.

6. Устройство по п. 5, в котором камера реактора выполнена из кварца, оксида алюминия, легированного кварцем, оксида алюминия или синтетического оксида кремния.

7. Устройство термообработки по меньшей мере одной полупроводниковой пластины, содержащее прозрачную камеру реактора для закрепления по меньшей мере одной полупроводниковой пластины, отличающееся тем, что устройство содержит покрытие, содержащее материал, избирательно отражающий инфракрасное излучение, который покрывает по меньшей мере часть камеры реактора; и ультрафиолетовую газоразрядную лампу для подачи энергии излучения на по меньшей мере одну полупроводниковую пластину через покрытие и камеру реактора.

8. Устройство по п. 7, в котором камера реактора выполнена из кварца, оксида алюминия, легированного кварцем, оксида алюминия или синтетического оксида кремния, а покрытие выполнено из оксида индий-олово, оксида сурьма-олово, оксида фтор-олово, нелегированного оксида олова, дихроичного фильтра или тонкой металлической пленки.

9. Устройство для использования в устройстве термообработки, причем указанное устройство содержит камеру реактора для закрепления по меньшей мере одной полупроводниковой пластины, причем камера реактора содержит материал, по существу, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нанометров, отличающееся тем, что устройство содержит покрытие на по меньшей мере части камеры реактора, причем покрытие содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нанометров и по существу, отражающий инфракрасное излучение.

10. Устройство по п. 9, в котором камера реактора выполнена из кварца, оксида алюминия, легированного кварцем, оксида алюминия или синтетического оксида кремния.