RU94037886A - Способ получения неоднородного распределения сопротивлений резистивного слоя в rc-структурах - Google Patents

Способ получения неоднородного распределения сопротивлений резистивного слоя в rc-структурах

Info

Publication number
RU94037886A
RU94037886A RU94037886/07A RU94037886A RU94037886A RU 94037886 A RU94037886 A RU 94037886A RU 94037886/07 A RU94037886/07 A RU 94037886/07A RU 94037886 A RU94037886 A RU 94037886A RU 94037886 A RU94037886 A RU 94037886A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
structures
resistive layer
distributed
obtainment
resistors
Prior art date
Application number
RU94037886/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2074426C1 (ru
Inventor
Ф.А. Карамов
И.А. Салихов
Original Assignee
Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева filed Critical Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева
Priority to RU94037886A priority Critical patent/RU2074426C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2074426C1 publication Critical patent/RU2074426C1/ru
Publication of RU94037886A publication Critical patent/RU94037886A/ru

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к способам электрического управления параметрами RС-структур и может быть использовано при реализации частотно-избирательных цепей с распределенными НС-фильтрами. Техническая задача: является упрощение технологии получения и процесса управления неоднородностью распределенного сопротивления. Способ основан на том, что резистивный слой выполняют из ионно-электронного проводника с переменным составом, к концам которого прикладывают постоянное напряжение смещения, величина которого определяется требуемой неоднородностью и находится в пределах от 0,1 до 0,4 В/мм.

Claims (1)

  1. Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к способам электрического управления параметрами RС-структур и может быть использовано при реализации частотно-избирательных цепей с распределенными НС-фильтрами. Техническая задача: является упрощение технологии получения и процесса управления неоднородностью распределенного сопротивления. Способ основан на том, что резистивный слой выполняют из ионно-электронного проводника с переменным составом, к концам которого прикладывают постоянное напряжение смещения, величина которого определяется требуемой неоднородностью и находится в пределах от 0,1 до 0,4 В/мм.
RU94037886A 1994-10-05 1994-10-05 Способ получения неоднородного распределения сопротивлений резистивного слоя в rc-структурах RU2074426C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94037886A RU2074426C1 (ru) 1994-10-05 1994-10-05 Способ получения неоднородного распределения сопротивлений резистивного слоя в rc-структурах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94037886A RU2074426C1 (ru) 1994-10-05 1994-10-05 Способ получения неоднородного распределения сопротивлений резистивного слоя в rc-структурах

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2074426C1 RU2074426C1 (ru) 1997-02-27
RU94037886A true RU94037886A (ru) 1997-04-20

Family

ID=20161484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94037886A RU2074426C1 (ru) 1994-10-05 1994-10-05 Способ получения неоднородного распределения сопротивлений резистивного слоя в rc-структурах

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2074426C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2074426C1 (ru) 1997-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07503332A (ja) レジスティブメモリ・エレメント
DE60335208D1 (de) Elektrisches bauelement mit einer schicht aus phasenwechsel-material und verfahren zur seiner herstellung
JP2940970B2 (ja) ポリマー厚膜インキ
DE60307306D1 (de) Elektrische einrichtung mit einem phasenänderungsmaterial
ATE128262T1 (de) Elektrische einrichtung mit einem widerstandselement aus ptc-polymer.
ATE342069T1 (de) Verfahren und gerät für einen variablen resistor zur kompensierung von nichtlinearitäten in einem heizelementkreislauf
US3393390A (en) Potentiometer resistance device employing conductive plastic and a parallel resistance
US4323875A (en) Method of making temperature sensitive device and device made thereby
RU94037886A (ru) Способ получения неоднородного распределения сопротивлений резистивного слоя в rc-структурах
RU2007117508A (ru) Способ формования электронагревательного элемента методом пламенного напыления металлической и/или металлооксидной матрицы
JP2008513829A (ja) ファイバ又はフィラメント
ATE302465T1 (de) Elektrische vorrichtung mit ptc-verhalten
JPH08186011A (ja) 電流検知抵抗器及びその調整方法
US3056938A (en) Micro-molecular resistor
US3851293A (en) Electrical resistance element and method of manufacture
EP0232117B1 (en) Semiconductor variable capacitance element
US20050196909A1 (en) Method and circuit for adjusting a resistance in an integrated circuit
JPS647493A (en) Heater with positive temperature coefficient of resistance
US5256464A (en) Substrate
JPH0513206A (ja) トリミング抵抗
JPS5768055A (en) Semiconductor device
DE10297759T5 (de) Schmelzwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH0350704A (ja) 抵抗形成及び修正方法
GB1500394A (en) Electrical resistor network
RU8554U1 (ru) Печатная плата