RU94031613A - Способ легирования кремния халькогенами - Google Patents

Способ легирования кремния халькогенами

Info

Publication number
RU94031613A
RU94031613A RU94031613/25A RU94031613A RU94031613A RU 94031613 A RU94031613 A RU 94031613A RU 94031613/25 A RU94031613/25 A RU 94031613/25A RU 94031613 A RU94031613 A RU 94031613A RU 94031613 A RU94031613 A RU 94031613A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
annealing
doping silicon
chalkogens
doping
Prior art date
Application number
RU94031613/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2069414C1 (ru
Inventor
Б.А. Зайцев
А.М. Мясников
А.А. Таскин
Е.Г. Тишковский
И.Б. Чистохин
Original Assignee
Институт физики полупроводников СО РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики полупроводников СО РАН filed Critical Институт физики полупроводников СО РАН
Priority to RU94031613A priority Critical patent/RU2069414C1/ru
Publication of RU94031613A publication Critical patent/RU94031613A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2069414C1 publication Critical patent/RU2069414C1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к процессу легирования кремния халькогенами, и может быть использовано при изготовлении термодатчиков, фотоприемников. Способ легирования кремния халькогенами включает в себя ионное легирование, отжиг и диффузионную разгонку примеси при температуре 600°С-1350°С и последующую закалку. Закалку проводят посредством импульсного отжига в течение от 80 мс до 10 с с удельной мощностью от 50 Вт/смдо 1 кВт/см. Способ позволяет повысить концентрацию примеси в кремнии, снижает ее комплексообразование и устраняет искривление пластин.

Claims (1)

  1. Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к процессу легирования кремния халькогенами, и может быть использовано при изготовлении термодатчиков, фотоприемников. Способ легирования кремния халькогенами включает в себя ионное легирование, отжиг и диффузионную разгонку примеси при температуре 600°С-1350°С и последующую закалку. Закалку проводят посредством импульсного отжига в течение от 80 мс до 10 с с удельной мощностью от 50 Вт/см2 до 1 кВт/см2. Способ позволяет повысить концентрацию примеси в кремнии, снижает ее комплексообразование и устраняет искривление пластин.
RU94031613A 1994-08-29 1994-08-29 Способ легирования кремния халькогенами RU2069414C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94031613A RU2069414C1 (ru) 1994-08-29 1994-08-29 Способ легирования кремния халькогенами

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94031613A RU2069414C1 (ru) 1994-08-29 1994-08-29 Способ легирования кремния халькогенами

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94031613A true RU94031613A (ru) 1996-07-10
RU2069414C1 RU2069414C1 (ru) 1996-11-20

Family

ID=20160100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94031613A RU2069414C1 (ru) 1994-08-29 1994-08-29 Способ легирования кремния халькогенами

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2069414C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2550868C2 (ru) * 2013-05-28 2015-05-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Способ формирования микроструктурированного и высокодопированного слоя на поверхности кремния

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2597647C2 (ru) * 2014-12-15 2016-09-20 Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП") Способ легирования полупроводниковых пластин

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2550868C2 (ru) * 2013-05-28 2015-05-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Способ формирования микроструктурированного и высокодопированного слоя на поверхности кремния

Also Published As

Publication number Publication date
RU2069414C1 (ru) 1996-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100194450B1 (en) A thin film tr
KR880002272A (ko) 반도체장치의 제조방법
GB1266243A (ru)
RU94031613A (ru) Способ легирования кремния халькогенами
JPS6477174A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6450569A (en) Manufacture of polycrystalline silicon thin film transistor
JPS6454734A (en) Semiconductor device
JP2840802B2 (ja) 半導体材料の製造方法および製造装置
JPS5687361A (en) Semiconductor device and its manufacture
JPS58182816A (ja) シリコン系半導体材料の再結晶方法
JPS6445172A (en) Hydrogen plasma treatment of polycrystalline silicon thin film transistor
JPS6489371A (en) Manufacture of semiconductor storage device
JPH0255416A (ja) 半導体装置
JPS5687364A (en) Semiconductor device
JPS56160071A (en) Manufacture of insulated gate type field effect transistor
KR960002571A (ko) 반도체소자의 게이트전극 형성방법
JP3021250B2 (ja) 半導体膜の製造方法
KR960026967A (ko) 다결정 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JPS5638838A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6474758A (en) Insulated gate field-effect transistor
JPS6442864A (en) Thin film transistor and manufacture thereof
JPS5617023A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6418266A (en) Manufacture of amorphous silicon thin film transistor
KR970009277B1 (en) Source/drain junction formation method of semiconductor device
KR930024206A (ko) 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 어닐링 방법