RU94027303A - Резистивный материал - Google Patents

Резистивный материал

Info

Publication number
RU94027303A
RU94027303A RU94027303/07A RU94027303A RU94027303A RU 94027303 A RU94027303 A RU 94027303A RU 94027303/07 A RU94027303/07 A RU 94027303/07A RU 94027303 A RU94027303 A RU 94027303A RU 94027303 A RU94027303 A RU 94027303A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
selenide
silver
electrical resistance
silver chalcogenide
gese
Prior art date
Application number
RU94027303/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2066076C1 (ru
Inventor
Е.Р. Баранова
Л.Я. Кобелев
В.Б. Злоказов
Н.В. Мельникова
Л.Л. Нугаева
А.Л. Воробьев
Original Assignee
Уральский Государственный Университет Им.А.М.Горького
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уральский Государственный Университет Им.А.М.Горького filed Critical Уральский Государственный Университет Им.А.М.Горького
Priority to RU94027303A priority Critical patent/RU2066076C1/ru
Publication of RU94027303A publication Critical patent/RU94027303A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2066076C1 publication Critical patent/RU2066076C1/ru

Links

Landscapes

  • Contacts (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

Созданный материал предназначен для использования в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10-150°C. Такой интервал рабочих температур, уменьшение времени релаксации электросопротивления до 11-60 с, повышение величины электросопротивления до 10-10Ом.м обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (AgSe)(GeSe)(AsSe), где 0,1 ≅X≅0,5. 1 ил., 2 табл.

Claims (1)

  1. Созданный материал предназначен для использования в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10-150°C. Такой интервал рабочих температур, уменьшение времени релаксации электросопротивления до 11-60 с, повышение величины электросопротивления до 103-105 Ом.м обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (Ag2Se)X(GeSe)2(1-X)(As2Se3)X, где 0,1 ≅X≅0,5. 1 ил., 2 табл.
RU94027303A 1994-07-18 1994-07-18 Резистивный материал RU2066076C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94027303A RU2066076C1 (ru) 1994-07-18 1994-07-18 Резистивный материал

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94027303A RU2066076C1 (ru) 1994-07-18 1994-07-18 Резистивный материал

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94027303A true RU94027303A (ru) 1996-04-27
RU2066076C1 RU2066076C1 (ru) 1996-08-27

Family

ID=20158712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94027303A RU2066076C1 (ru) 1994-07-18 1994-07-18 Резистивный материал

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2066076C1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2533551C1 (ru) * 2013-07-23 2014-11-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Резистивный материал
RU2614942C1 (ru) * 2015-12-31 2017-03-31 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Резистивный материал на основе стеклообразных халькогенидов с содержанием нанотрубок
RU2614738C1 (ru) * 2015-12-31 2017-03-29 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Резистивный материал на основе нестехиометрических сульфидов

Also Published As

Publication number Publication date
RU2066076C1 (ru) 1996-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK1128395T3 (da) Kraftkabel til höjspændt og meget höjspændt jævnström
FI910935A (fi) Bensyylitolueeniin ja (metyylibensyyli)ksyleeniin perustuvat dielektriset koostumukset
ATE24628T1 (de) Sinterkontaktwerkstoff fuer niederspannungsschaltgeraete.
RU94027303A (ru) Резистивный материал
JPS564290A (en) Superconductive element
JPS5350982A (en) Low-high temperature testing station
JPS522287A (en) Semiconductor switching element
ZA854389B (en) Sintered contact material for low-voltage switching apparatus in power engineering
SE7904141L (sv) Plan transmissionsledningsdempare och -omkopplare
JPS53124985A (en) Semiconductor device
JPS55100746A (en) Semiconductor switch
Mulka Analog switching transistors for ac signals
JPS5760867A (en) Tunnel effect load resistance device
JPS52132683A (en) Semiconductor device
JPS54150319A (en) Electrically conductive material
JPS5410958A (en) Power source circuit
JPS5389378A (en) Semiconductor device
JPS5421448A (en) Semi-conductive polymer composition
Vasilev et al. Investigation of the Thermoelectric Properties of Materials in the Ag sub 2 Te sub x Se sub 1--gx System(0. 00<= x<= 0. 5: 0. 92<= x<= 1. 00)
JPS5523625A (en) Weighting circuit
JPS51145282A (en) Thyrlstor
JPS5574167A (en) Variable dummy load
Miyayama Interfaces of Ceramics and Their Electrical Properties
JPS5511380A (en) Semiconductor
JPS55134538A (en) Parallel circuit of self-arc-extinguishing type switching element