RU94000703A - Полупроводниковый прибор с характеристикой лямбда-типа - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в аналоговых и цифровых интегральных микросхемах, предназначенных для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов, а также в качестве дискретных активных приборов. Техническим результатом изобретения является расширение области работоспособности ПП. Технический результат достигается тем, что в ПП введены следующие конструктивные изменения: изменена конструкция первой области, в которой устранен разрыв для третьей области, имеющий размеры, исключающие соприкосновение третьей и шестой областей, и введен новый разрыв первой кольцеобразной области, не имеющий указанного выше ограничения, изменено взаимное расположение конструктивных элементов, а именно поликремниевая область истока первого полевого транзистора расположена на пятой области в разрыве первой кольцеобразной области и за пределами первой и пятой областей на изоляции кармана, которая выполнена из диэлектрика, контакт шестой поликремниевой области истока первого транзистора металлической шины расположен за пределами первой и пятой областей на изоляции кармана, третья область расположена меду первой и второй областями.

Claims (1)

1. Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в аналоговых и цифровых интегральных микросхемах, предназначенных для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов, а также в качестве дискретных активных приборов. Техническим результатом изобретения является расширение области работоспособности ПП. Технический результат достигается тем, что в ПП введены следующие конструктивные изменения: изменена конструкция первой области, в которой устранен разрыв для третьей области, имеющий размеры, исключающие соприкосновение третьей и шестой областей, и введен новый разрыв первой кольцеобразной области, не имеющий указанного выше ограничения, изменено взаимное расположение конструктивных элементов, а именно поликремниевая область истока первого полевого транзистора расположена на пятой области в разрыве первой кольцеобразной области и за пределами первой и пятой областей на изоляции кармана, которая выполнена из диэлектрика, контакт шестой поликремниевой области истока первого транзистора металлической шины расположен за пределами первой и пятой областей на изоляции кармана, третья область расположена меду первой и второй областями.