RU3078U1 - Микросхема - Google Patents
Микросхема Download PDFInfo
- Publication number
- RU3078U1 RU3078U1 RU95106722/20U RU95106722U RU3078U1 RU 3078 U1 RU3078 U1 RU 3078U1 RU 95106722/20 U RU95106722/20 U RU 95106722/20U RU 95106722 U RU95106722 U RU 95106722U RU 3078 U1 RU3078 U1 RU 3078U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- layer
- thickness
- leads
- layers
- Prior art date
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Микросхема, содержащая герметичный полимерный корпус и расположенные в нем кристалл, выводы, соединения кристалла с выводами, отличающаяся тем, что полимерный корпус выполнен как минимум двухслойным, кристалл и выводы расположены в первом и во втором слоях, а соединения кристалла с выводами расположены во втором слое, причем толщина слоя не превышает толщины кристалла, а толщина второго слоя не превышает суммарной толщины кристалла и высоты соединения кристалла и выводов, при этом третий и более слои могут быть расположены как со стороны первого, так и со стороны второго слоя.
Description
МИКРОСХЕМА.
Полезная модель относится к электронной технике, к конструкции микросхем, в частности к конструкции корпусов микросхем.
Известна конструкция микросхемы jflj , содержащая кристалл транзистора с разваренными от него вывоДами-проволочками, и слой герметика на поверхности кристалла.
Данная конструкция микросхемы имеет тонкие, не жесткие, легко гнущиеся вывода-проволочки (15... 50 мкм ), что значительно усложняет последующий монтаж схемы на плату и делает эту работу трудоемкой .
Известна конструкция микросхемы (2 , содержащая герметичный полимерный корпус и расположенные в нем кристалл, вывода и соединения кристалла с выводами.
Такая микросхема не достаточно миниатюрна, объем ее корпуса в 20... 40 раз превышает объм кристалла и не может быть использована во многих миниатюрных изделиях.
Техническим результатом полезной модели является минимизация отношения объема микросхемы к объему кристалла, при жестко ориентированных выводах.
Технический результат достигается тем, что микросхема содержащая полимерный герметичный корпус и расположенный в нем кристалл, вывода и соединения кристалла с выводами, герметичный полимерный корпус выполнен как мининух двухслойным, кристалл и выводы расположены в первом и втором слоях, а соединения кристалла с выводами расположены во втором слое, причем толщина первого слоя не превышает толщины кристалла, а толщина второго слоя не превывает суммарной толщины Кристалла и высоты соединения кристалла и выводов, при этом третий и более слои могут быт расположены как со стороны первого, так и со стороны второго слоя.
Выполнение полимерного корпуса как минимум двуслойным позволяет применить для создания второго слоя технологию нанесения жидкого полимера или лака с последушцей полимеризацией или суякой на воздухе. При этом не требуется пресс-фс рма,что дает возможность создать корпус с минимальным отношением объема кристалла к объему корпуса микросхемы, с высоким процентом выхода годных на данной операции.
Расположение кристалла и выводов в первом и втором слое позволяет жестко фиксировать вывода.
Расположение соединений кристалла с выводами во втором слое обеспечивает нахождение поверхности кристалла и поверхности выводов, на которые крепятся соединения их друг с другом, полностью в монолите второго слоя, что позволяет надежно загерметизировать зти соединения, при минимгшьном отношении объемов кристалла и корпуса микросхемы.
Толщина первого слоя не превышающая толщину кристалла исключает возможность попадания материала слоя на поверхность кристалла и тем самым позволяет создать соединение кристалла с выводами.
Толщина второго слоя, не превышающая суммарную толщину кристалла и высоту соединений кристалла с выводами максимально обеспечивает минимизацию отношения объемов кристалла и микросхемы.
.
-f
Третий и бохеё слой могут быть расположены как со стороны первого, так и слоев и могут нести дополнительные функции. Например, применение слои с побыменйой прочностью позволяет при минимуме толцины это1ч слоя и минимуме отношения объемов кристалла и микросхемы значительно увеличить прочность схемы. Слои могут быть защитой от электромагнитного излучения и пр.
Изобретение поясняется чертежом, где на Фиг.1 приведены примеры конструкций микросхемы, где первый слой полимера-1,второй слой полимера -2, кристалл -3, выводы -4, соединения кристалла с выводами 5, слой полимера с повышенной механической прочностью -6.
Пример: В данной конструкции кристалл кремния -3 толщиной 150 мкм и выводы -4 из никелиевой фольги толщиной 50 мкм, полученные химическим фрезерованием, вдавлены частично в первый слой полимера- 1 (пленку ИКС-171) и скреплены им. Для механической прочности под первым полимерным слоем находится слой-6 с повышенными механическими свойствами (полиимид толщиной ЗОмкм). Над первым слоем расположен второй слой-2 (лак ФЛ-98), который герметизирует поверхность самого кристалла, всех выводов, а также соединений-5 кристалла и выводов (алхяшниевые проволочки диаметром 30 мкм).
Такая конструкция позволяет создавать схемы с малой толщиной, определяемой практически только суммой толщины кристалла (100...200мкм) и высоты петель соединений кристалла с выводами (для разварки проволокой 30... 100 мкм ). Т.е. общая толщина схемы составит порядка 150...400 мкм. Таким образом отношение объема схемы по отношению к объему кристалла составляет 4...10 раз.
Реализация данного технического решения позволяет не только уменьшить размер микросхем, но кроме того из-за наличия достаточно жестких четко ориентированных выводов значительно уменьшить трудоемкость монтажа таких микросхем на плате.
Источники информации:
1.Поупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник, под редакцией Н.Н., Москва, Энергоиздат, 1982 г.стр. 178.
2.В.Н.Черняев Технология производства интеграьных микросхем и микропроцессоров,Москва,Радио и связь,1987г.,стр.337...340.
ЗАЯВИТЕЛЬ М.П.ДУХНОВСКИЙ
Claims (1)
- Микросхема, содержащая герметичный полимерный корпус и расположенные в нем кристалл, выводы, соединения кристалла с выводами, отличающаяся тем, что полимерный корпус выполнен как минимум двухслойным, кристалл и выводы расположены в первом и во втором слоях, а соединения кристалла с выводами расположены во втором слое, причем толщина слоя не превышает толщины кристалла, а толщина второго слоя не превышает суммарной толщины кристалла и высоты соединения кристалла и выводов, при этом третий и более слои могут быть расположены как со стороны первого, так и со стороны второго слоя.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU95106722/20U RU3078U1 (ru) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Микросхема |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU95106722/20U RU3078U1 (ru) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Микросхема |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU3078U1 true RU3078U1 (ru) | 1996-10-16 |
Family
ID=48265345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU95106722/20U RU3078U1 (ru) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Микросхема |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU3078U1 (ru) |
-
1995
- 1995-04-26 RU RU95106722/20U patent/RU3078U1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900004636B1 (ko) | 집적회로 패키지 | |
ATE167319T1 (de) | Basis folie für chip karte | |
CN106169466A (zh) | 半导体封装组件及其制造方法 | |
KR880001180A (ko) | 인쇄회로장치 | |
MY125230A (en) | Method of manufacturing semiconductor device having resin sealing body | |
JPH0456262A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR950004467A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JPH05121644A (ja) | 電子回路デバイス | |
RU3078U1 (ru) | Микросхема | |
JPS56161696A (en) | Board | |
CN106068682B (zh) | 电子控制模块和其制造方法 | |
JPH01106455A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR950034706A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JPS55138241A (en) | Sealing structure for semiconductor device | |
KR940005200A (ko) | 배선기판상의 배선표면 처리방법 | |
KR970063590A (ko) | 탭 테이프를 적용한 칩 스케일 패키지 | |
TW502413B (en) | Semiconductor chip encapsulation structure with passive device | |
JPH02122534A (ja) | 混成集積回路 | |
JPH03190299A (ja) | 混成集積回路基板 | |
JPH01187846A (ja) | 半導体装置 | |
JPS55138240A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
DE3576866D1 (de) | Datenverarbeitungssystem in einer karte und verfahren zu dessen herstellung. | |
JPS61292328A (ja) | 半導体封止構造体の製法 | |
KR970053637A (ko) | 칩 크기형 반도체패키지 | |
JPS6094745A (ja) | プリント配線板 |