RU2813281C1 - Gallium arsenide operational amplifier based on pnp bipolar and field-effect transistors with control pn junction - Google Patents
Gallium arsenide operational amplifier based on pnp bipolar and field-effect transistors with control pn junction Download PDFInfo
- Publication number
- RU2813281C1 RU2813281C1 RU2023128380A RU2023128380A RU2813281C1 RU 2813281 C1 RU2813281 C1 RU 2813281C1 RU 2023128380 A RU2023128380 A RU 2023128380A RU 2023128380 A RU2023128380 A RU 2023128380A RU 2813281 C1 RU2813281 C1 RU 2813281C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- bipolar transistor
- matching
- collector
- output
- power supply
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве базового функционального узла многих устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и приборостроения, в т.ч. работающих при высоких температурах.The proposed invention relates to the field of radio engineering and can be used as a basic functional unit for many automation devices, computer technology, communication systems and instrument making, incl. working at high temperatures.
В современной микроэлектронике получили широкое распространение операционные усилители (ОУ) [1-11] с входными полевыми транзисторами, которые при реализации на JFet полупроводниковых приборах отличаются крайне низким уровнем шумов. Предлагаемое изобретение относится к данному классу ОУ. В практических схемах ОУ [1-11] выходной и промежуточный каскады реализуются как на n-p-n, так и на p-n-p биполярных транзисторах, что определяется используемыми технологическими процессами. Однако, перспективный арсенид-галлиевый техпроцесс [12], осваиваемый Минским НИИ радиоматериалов (https://mniirm.by/) в интересах предприятий Союзного государства, обеспечивает создание только p-n-p и nJFet транзисторов. Отсутствие n-p-n транзисторов создает схемотехнические проблемы построения GaAs ОУ с выходным каскадом класса АВ. Это не позволяет создать высокотемпературные GaAs ОУ, востребованные в ряде важных отраслей науки и техники - космическом приборостроении, нефтегазовой, автомобильной и авиационной промышленности.In modern microelectronics, operational amplifiers (OP-amps) [1-11] with input field-effect transistors, which, when implemented on JFet semiconductor devices, are characterized by an extremely low noise level, have become widespread. The proposed invention relates to this class of op-amps. In practical op-amp circuits [1-11], the output and intermediate stages are implemented on both n-p-n and p-n-p bipolar transistors, which is determined by the technological processes used. However, the promising gallium arsenide technical process [12], mastered by the Minsk Research Institute of Radio Materials (https://mniirm.by/) in the interests of Union State enterprises, ensures the creation of only pnp and nJFet transistors. The absence of n-p-n transistors creates circuit design problems for constructing a GaAs op-amp with an AB class output stage. This does not allow the creation of high-temperature GaAs op-amps, which are in demand in a number of important branches of science and technology - space instrument making, oil and gas, automotive and aviation industries.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является операционный усилитель, представленный в публикации «Bob Cordell. LSK489 Application Note. Low Noise Dual Monolithic JFET. URL: https://www.cordellaudio.com/JFETs/LSK489appnote.pdf. 16 p., fig. 11». ОУ-прототип содержит первый 1 и второй 2 входы, а также выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой 6 шиной источника питания через первый 7 источник опорного тока, первый 8 и второй 9 биполярные транзисторы токового зеркала, эмиттеры которых подключены ко второй 10 шине источника питания, а базы объединены, коллектор первого 8 биполярного транзистора токового зеркала соединен со стоком первого 4 входного полевого транзистора, коллектор второго 9 биполярного транзистора токового зеркала связан со стоком второго 5 входного полевого транзистора и подключен к базе первого 11 согласующего биполярного транзистора, эмиттер первого 11 согласующего биполярного транзистора связан со второй 10 шиной источника питания через согласующий двухполюсник 12, второй 13 согласующий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с первой 6 шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй 10 шиной источника питания через первый 14 токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе первого 15 выходного биполярного транзистора, коллектор которого соединен с выходом устройства 3, а эмиттер подключен ко второй 10 шине источника питания, второй 16 токостабилизирующий двухполюсник.The closest prototype (Fig. 1) of the proposed device is the operational amplifier presented in the publication “Bob Cordell. LSK489 Application Note. Low Noise Dual Monolithic JFET. URL: https://www.cordellaudio.com/JFETs/LSK489appnote.pdf. 16 p., fig. eleven". The op-amp prototype contains the first 1 and second 2 inputs, as well as the output 3 of the device, the first 4 and second 5 input field-effect transistors, the combined sources of which are connected to the first 6 power supply bus through the first 7 reference current source, the first 8 and second 9 bipolar transistors current mirror, the emitters of which are connected to the second 10 bus of the power source, and the bases are combined, the collector of the first 8 bipolar transistor of the current mirror is connected to the drain of the first 4 input field-effect transistor, the collector of the second 9 bipolar transistor of the current mirror is connected to the drain of the second 5 input field-effect transistor and is connected to the base of the first 11 matching bipolar transistor, the emitter of the first 11 matching bipolar transistor is connected to the second 10 bus of the power source through a matching two-terminal network 12, the second 13 matching bipolar transistor, the collector of which is connected to the first 6 bus of the power source, and the emitter is connected to the second 10 bus of the source power supply through the first 14 current-stabilizing two-terminal network and connected to the base of the first 15 output bipolar transistor, the collector of which is connected to the output of device 3, and the emitter is connected to the second 10 bus of the power source, the second 16 current-stabilizing two-terminal network.
Существенный недостаток ОУ – прототипа состоит в том, что он не реализуется в рамках перспективного арсенид-галлиевого технологического процесса, осваиваемого Минским НИИ радиоматериалов, из-за отсутствия n-p-n арсенид-галлиевых транзисторов [12]. Кроме этого, известный ОУ характеризуется повышенным уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля (десятки милливольт), что обусловлено наличием токовой ошибки ΔIΣ1 в его высокоимпедансном узле Σ1:A significant drawback of the prototype op-amp is that it is not implemented within the framework of the promising gallium arsenide technological process being mastered by the Minsk Research Institute of Radio Materials due to the lack of npn gallium arsenide transistors [12]. In addition, the known op-amp is characterized by an increased level of the systematic component of the zero offset voltage (tens of millivolts), which is due to the presence of a current error ΔI Σ1 in its high-impedance node Σ 1 :
(1) (1)
где gDK – крутизна усиления входного каскада ОУ со входов 1, 2 в высокоимпедансный узел Σ1.where g DK is the slope of the gain of the op-amp input stage from inputs 1, 2 to the high-impedance node Σ 1 .
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании схемы ОУ, которая реализуется в рамках совмещенного GaAs технологического процесса, позволяющего создавать только p-n-p биполярные и nJFet полевые транзисторы. Дополнительная задача – создание схемы ОУ с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), что не реализуется в схеме ОУ-прототипа.The main objective of the proposed invention is to create an op-amp circuit, which is implemented within the framework of a combined GaAs technological process, allowing the creation of only pnp bipolar and nJFet field-effect transistors. An additional task is to create an op-amp circuit with a low level of the systematic component of the zero offset voltage (U cm ), which is not implemented in the prototype op-amp circuit.
Поставленные задачи достигаются тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы, а также выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой 6 шиной источника питания через первый 7 источник опорного тока, первый 8 и второй 9 биполярные транзисторы токового зеркала, эмиттеры которых подключены ко второй 10 шине источника питания, а базы объединены, коллектор первого 8 биполярного транзистора токового зеркала соединен со стоком первого 4 входного полевого транзистора, коллектор второго 9 биполярного транзистора токового зеркала связан со стоком второго 5 входного полевого транзистора и подключен к базе первого 11 согласующего биполярного транзистора, эмиттер первого 11 согласующего биполярного транзистора связан со второй 10 шиной источника питания через согласующий двухполюсник 12, второй 13 согласующий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с первой 6 шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй 10 шиной источника питания через первый 14 токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе первого 15 выходного биполярного транзистора, коллектор которого соединен с выходом устройства 3, а эмиттер подключен ко второй 10 шине источника питания, второй 16 токостабилизирующий двухполюсник, предусмотрены новые элементы и связи – объединенные базы первого 8 и второго 9 биполярных транзисторов токового зеркала соединены со стоком первого 4 входного полевого транзистора, коллектор второго 9 биполярного транзистора токового зеркала подключен к базе второго 13 согласующего биполярного транзистора, согласующий двухполюсник 12 выполнен в виде эмиттерного p-n перехода на основе биполярного транзистора, коллектор первого 11 согласующего биполярного транзистора связан с первой 6 шиной источника питания через второй 16 токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор второго 13 согласующего биполярного транзистора соединен с первой 6 шиной источника питания, первый 7 источник опорного тока выполнен в виде двух параллельно включенных и идентичных второго 17 и третьего 18 источников опорного тока, каждый из которых реализован на основе выходного полевого транзистора 19, затвор которого связан с истоком этого 19 выходного полевого транзистора через согласующий резистор 20, второй 17 и третий 18 источники опорного тока, а также второй 16 токостабилизирующий двухполюсник выполнены по идентичным схемам на основе выходных полевых транзисторов 19, затворы которых соединены с истоками этих выходных транзисторов через согласующие резисторы 20, причем коллектор первого 11 согласующего биполярного транзистора связан с базой второго 21 выходного биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом устройства 3, а коллектор согласован с первой 6 шиной источника питания. Двухполюсник 22 моделирует свойства нагрузки.The objectives are achieved by the fact that in the operational amplifier of FIG. 1, containing the first 1 and second 2 inputs, as well as the output 3 of the device, the first 4 and second 5 input field-effect transistors, the combined sources of which are connected to the first 6 power supply bus through the first 7 reference current source, the first 8 and second 9 bipolar current transistors mirrors, the emitters of which are connected to the second 10 bus of the power source, and the bases are combined, the collector of the first 8 bipolar transistor of the current mirror is connected to the drain of the first 4 input field-effect transistor, the collector of the second 9 bipolar transistor of the current mirror is connected to the drain of the second 5 input field-effect transistor and connected to base of the first 11 matching bipolar transistor, the emitter of the first 11 matching bipolar transistor is connected to the second 10 bus of the power source through a matching two-terminal network 12, the second 13 matching bipolar transistor, the collector of which is connected to the first 6 bus of the power source, and the emitter is connected to the second 10 bus of the power source through the first 14 current-stabilizing two-terminal network and connected to the base of the first 15 output bipolar transistor, the collector of which is connected to the output of device 3, and the emitter is connected to the second 10 power supply bus, the second 16 current-stabilizing two-terminal network, new elements and connections are provided - combined bases of the first 8 and second 9 bipolar transistors of the current mirror are connected to the first 4 input field transistor, the collector of the second 9 bipolar transistor of the current mirror is connected to the base of the second 13 coordinating bipolar transistor, which consists of a two -pole of 12 is made in the form of an emitter PN transition based on a bipolar transistor, a collector of the first 11 coordinating bipolar transistor is connected to the first 6 bus of the power source through the second 16 current-stabilizing two-terminal network, and the collector of the second 13 matching bipolar transistor is connected to the first 6 bus of the power source, the first 7 reference current source is made in the form of two parallel connected and identical second 17 and third 18 reference current sources, each of which is implemented on the basis of an output field-effect transistor 19, the gate of which is connected to the source of this 19 output field-effect transistor through a matching resistor 20, the second 17 and third 18 reference current sources, as well as the second 16 current-stabilizing two-terminal network are made according to identical circuits based on output field-effect transistors 19, the gates of which are connected to the sources of these output transistors through matching resistors 20, and the collector of the first 11 matching bipolar transistor is connected to the base of the second 21 output bipolar transistor, the emitter of which is connected to the output of device 3, and the collector is matched to the first 6 bus of the power source. Two-terminal network 22 models the properties of the load.
На чертеже фиг. 1 показана схема операционного усилителя – прототипа.In the drawing FIG. Figure 1 shows the circuit of the prototype operational amplifier.
На чертеже фиг. 2 представлена схема заявляемого операционного усилителя в соответствии с формулой изобретения.In the drawing FIG. Figure 2 shows a diagram of the proposed operational amplifier in accordance with the claims.
На чертеже фиг. 3 приведен статический режим ОУ фиг. 2 в среде LTspice при t=27 °C, Vcc=10 В, Vee=-10 В, R1÷R4=5 кОм, Cк=5 пФ и высокоомной нагрузке Rн=10 МОм.In the drawing FIG. Figure 3 shows the static mode of the op-amp of Fig. 2 in LTspice environment at t=27 °C, Vcc=10 V, Vee=-10 V, R1÷R4=5 kOhm, CTo=5 pF and high-resistance load Rn=10 MOhm.
На чертеже фиг. 4 представлена зависимость выходного напряжения ОУ от входного напряжения ОУ фиг. 3 и изменении сопротивления нагрузки в диапазоне Rн=4 кОм/ 10кОм/ 10 МОм.In the drawing FIG. Figure 4 shows the dependence of the op-amp output voltage on the op-amp input voltage of Fig. 3 and changing the load resistance in the range Rn=4 kOhm/ 10 kOhm/ 10 MOhm.
На чертеже фиг. 5 показана логарифмическая амплитудно-частотная характеристика ОУ фиг. 3. In the drawing FIG. Figure 5 shows the logarithmic amplitude-frequency response of the op-amp of Fig. 3.
Арсенид-галлиевый операционный усилитель на p-n-p биполярных и полевых транзисторах с управляющим p-n переходом фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входы, а также выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой 6 шиной источника питания через первый 7 источник опорного тока, первый 8 и второй 9 биполярные транзисторы токового зеркала, эмиттеры которых подключены ко второй 10 шине источника питания, а базы объединены, коллектор первого 8 биполярного транзистора токового зеркала соединен со стоком первого 4 входного полевого транзистора, коллектор второго 9 биполярного транзистора токового зеркала связан со стоком второго 5 входного полевого транзистора и подключен к базе первого 11 согласующего биполярного транзистора, эмиттер первого 11 согласующего биполярного транзистора связан со второй 10 шиной источника питания через согласующий двухполюсник 12, второй 13 согласующий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с первой 6 шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй 10 шиной источника питания через первый 14 токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе первого 15 выходного биполярного транзистора, коллектор которого соединен с выходом устройства 3, а эмиттер подключен ко второй 10 шине источника питания, второй 16 токостабилизирующий двухполюсник. Объединенные базы первого 8 и второго 9 биполярных транзисторов токового зеркала соединены со стоком первого 4 входного полевого транзистора, коллектор второго 9 биполярного транзистора токового зеркала подключен к базе второго 13 согласующего биполярного транзистора, согласующий двухполюсник 12 выполнен в виде эмиттерного p-n перехода на основе биполярного транзистора, коллектор первого 11 согласующего биполярного транзистора связан с первой 6 шиной источника питания через второй 16 токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор второго 13 согласующего биполярного транзистора соединен с первой 6 шиной источника питания, первый 7 источник опорного тока выполнен в виде двух параллельно включенных и идентичных второго 17 и третьего 18 источников опорного тока, каждый из которых реализован на основе выходного полевого транзистора 19, затвор которого связан с истоком этого 19 выходного полевого транзистора через согласующий резистор 20, второй 17 и третий 18 источники опорного тока, а также второй 16 токостабилизирующий двухполюсник выполнены по идентичным схемам на основе выходных полевых транзисторов 19, затворы которых соединены с истоками этих выходных транзисторов через согласующие резисторы 20, причем коллектор первого 11 согласующего биполярного транзистора связан с базой второго 21 выходного биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом устройства 3, а коллектор согласован с первой 6 шиной источника питания.Gallium arsenide operational amplifier based on pnp bipolar and field-effect transistors with a control pn junction fig. 2 contains the first 1 and second 2 inputs, as well as the output 3 of the device, the first 4 and second 5 input field-effect transistors, the combined sources of which are connected to the first 6 power supply bus through the first 7 reference current source, the first 8 and second 9 bipolar transistors of the current mirror , the emitters of which are connected to the second 10 bus of the power source, and the bases are combined, the collector of the first 8 bipolar transistor of the current mirror is connected to the drain of the first 4 input field-effect transistor, the collector of the second 9 bipolar transistor of the current mirror is connected to the drain of the second 5 input field-effect transistor and connected to the base the first 11 matching bipolar transistor, the emitter of the first 11 matching bipolar transistor is connected to the second 10 bus of the power source through the matching two-terminal network 12, the second 13 matching bipolar transistor, the collector of which is connected to the first 6 bus of the power source, and the emitter is connected to the second 10 bus of the power source through the first 14 is a current-stabilizing two-terminal network and is connected to the base of the first 15 output bipolar transistor, the collector of which is connected to the output of device 3, and the emitter is connected to the second 10 bus of the power source, the second 16 is a current-stabilizing two-terminal network. The combined bases of the first 8 and second 9 bipolar transistors of the current mirror are connected to the drain of the first 4 input field-effect transistor, the collector of the second 9 bipolar transistor of the current mirror is connected to the base of the second 13 matching bipolar transistor, the matching two-terminal network 12 is made in the form of an emitter p-n junction based on a bipolar transistor, the collector of the first 11 matching bipolar transistor is connected to the first 6 bus of the power source through the second 16 current-stabilizing two-terminal network, and the collector of the second 13 matching bipolar transistor is connected to the first 6 bus of the power source, the first 7 reference current source is made in the form of two parallel connected and identical to the second 17 and third 18 reference current sources, each of which is implemented on the basis of an output field-effect transistor 19, the gate of which is connected to the source of this 19 output field-effect transistor through a matching resistor 20, the second 17 and third 18 reference current sources, as well as the second 16 current-stabilizing two-terminal network are made according to identical circuits based on output field-effect transistors 19, the gates of which are connected to the sources of these output transistors through matching resistors 20, and the collector of the first 11 matching bipolar transistor is connected to the base of the second 21 output bipolar transistor, the emitter of which is connected to the output of device 3, and the collector is matched to the first 6 power supply bus.
Рассмотрим работу заявляемого ОУ фиг. 2.Let us consider the operation of the proposed op-amp Fig. 2.
Статический режим транзисторов ОУ по току устанавливается вторым 17, третьим 18 источниками опорного тока, а также вторым 16 и первым 14 токостабилизирующими двухполюсниками. Первая существенная особенность ОУ фиг. 2 состоит в том, что его выходной каскад работает в режиме класса АВ и может обеспечить работу с относительно низкоомной нагрузкой. При этом максимальные выходные токи в нагрузке определяются формулами:The static current mode of the op-amp transistors is set by the second 17, third 18 reference current sources, as well as the second 16 and first 14 current-stabilizing two-terminal networks. The first significant feature of the op amp of Fig. 2 is that its output stage operates in class AB mode and can provide operation with a relatively low-resistance load. In this case, the maximum output currents in the load are determined by the formulas:
(2) (2)
(3) (3)
где – коэффициенты усиления по току базы второго 13 согласующего биполярного транзистора и первого 15 выходного биполярного транзистора;Where – base current amplification factors of the second 13 matching bipolar transistor and the first 15 output bipolar transistor;
- коэффициенты усиления по току базы первого 21.1 и второго 21.2 транзисторов, образующих составной транзистор Дарлингтона в структуре второго 21 выходного биполярного транзистора. - base current amplification factors of the first 21.1 and second 21.2 transistors, forming a composite Darlington transistor in the structure of the second 21 output bipolar transistor.
Вторая существенная особенность ОУ фиг. 2 – наличие эффекта собственной компенсации статических токов в высокоимпедансном узле Σ1:The second significant feature of the op amp of Fig. 2 – the presence of the effect of self-compensation of static currents in the high-impedance node Σ 1 :
. (4) . (4)
Как следствие, токовая ошибка ΔIΣ1 в высокоимпедансном узле Σ1 близка к нулю As a consequence, the current error ΔI Σ1 in the high-impedance node Σ 1 is close to zero
(5) (5)
Поэтому систематическая составляющая напряжения смещения нуля в предлагаемой схеме (см. формулу (1)) имеет небольшие значения (порядка 460 мкВ), что недостижимо в ОУ-прототипе.Therefore, the systematic component of the zero offset voltage in the proposed circuit (see formula (1)) has small values (about 460 μV), which is unattainable in the op-amp prototype.
Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с ОУ-прототипом.Thus, the inventive device has significant advantages in comparison with the prototype op-amp.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHICAL LIST
ОУ с входным каскадом на JFET и перегнутым каскодом на p-n-p биполярных транзисторахAn op-amp with a JFET input stage and a bent cascode based on p-n-p bipolar transistors
1. Патент US 6144234, fig. 9, 2000 г.1. US Patent 6144234, fig. 9, 2000
2. Патент US 4406990, fig.4, 1983 г.2. Patent US 4406990, fig.4, 1983
3. Bob Cordell. LSK489 Application Note. Low Noise Dual Monolithic JFET. URL: https://www.cordellaudio.com/JFETs/LSK489appnote.pdf. 16 p., fig. 113. Bob Cordell. LSK489 Application Note. Low Noise Dual Monolithic JFET. URL: https://www.cordellaudio.com/JFETs/LSK489appnote.pdf. 16 p., fig. eleven
ОУ с входным каскадом на JFET и перегнутым каскодом на n-p-n биполярных транзисторахAn op-amp with a JFET input stage and a bent cascode based on n-p-n bipolar transistors
4. Патент RU 2615070, fig. 1, 4. Patent RU 2615070, fig. 1,
ОУ с входными каскадами на КМОП и перегнутым каскодом на p-n-p биполярных транзисторахOp-amp with CMOS input stages and a bent cascode based on p-n-p bipolar transistors
5. Патент US 4390850, 1983 г.5. US Patent 4390850, 1983
6. Патент US 5963085, fig. 3, 1999 г.6. Patent US 5963085, fig. 3, 1999
7. Патент US 5734296, fig. 3, fig. 4, 1998 г.7. US Patent 5734296, fig. 3, fig. 4, 1998
ОУ с входными каскадами на КМОП и перегнутым каскодом на n-p-n биполярных транзисторахOp-amp with CMOS input stages and a bent cascode on n-p-n bipolar transistors
8. Патент US 7411451, fig. 5, 2008 г.8. US Patent 7411451, fig. 5, 2008
9. Патент US 7215200, fig. 6, 2007 г.9. US Patent 7215200, fig. 6, 2007
10. Патент US 5952882, 1999 г. 10. US Patent 5952882, 1999
Серийные ОУ с входными JFET и перегнутым каскодом на n-p-n биполярных транзисторахSerial op-amps with input JFETs and a bent cascode on n-p-n bipolar transistors
11. OPA42, 140УД3011. OPA42, 140UD30
12. Унифицированные схемотехнические решения аналоговых арсенид-галлиевых микросхем / Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е. // Известия вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 4. С. 475–488. DOI: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-4-475-488.12. Unified circuit solutions for analog gallium arsenide microcircuits / Dvornikov O.V., Pavlyuchik A.A., Prokopenko N.N., Chekhovsky V.A., Kunz A.V., Chumakov V.E. // News of universities. Electronics. 2022. T. 27. No. 4. pp. 475–488. DOI: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-4-475-488.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2813281C1 true RU2813281C1 (en) | 2024-02-09 |
Family
ID=
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU500574A1 (en) * | 1974-02-20 | 1976-01-25 | Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина) | Operational amplifier |
| US6501333B1 (en) * | 2001-06-21 | 2002-12-31 | Stmicroelectronics Limited | Differential amplifier circuit |
| RU2411641C1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential operational amplifier with low voltage of zero shift |
| RU2439778C1 (en) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential operational amplifier with paraphase output |
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU500574A1 (en) * | 1974-02-20 | 1976-01-25 | Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина) | Operational amplifier |
| US6501333B1 (en) * | 2001-06-21 | 2002-12-31 | Stmicroelectronics Limited | Differential amplifier circuit |
| RU2411641C1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential operational amplifier with low voltage of zero shift |
| RU2439778C1 (en) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential operational amplifier with paraphase output |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| BOB CORDELL, "LSK489 Application Note. Low Noise Dual Monolithic JFET", https://web.archive.org/web/20180127174550/https://www.cordellaudio.com/JFETs/LSK489appnote.pdf, опубл. 27.01.2018 на 16 страницах, фиг. 11. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2011098759A1 (en) | High power wideband amplifier and method | |
| RU2813281C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier based on pnp bipolar and field-effect transistors with control pn junction | |
| RU2687161C1 (en) | Buffer amplifier for operation at low temperatures | |
| RU2815912C1 (en) | Resistorless gallium arsenide differential cascade and operational amplifier based on it with low zero offset voltage | |
| RU2321159C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
| RU2820562C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier with high gain and low level of systematic component of zero offset voltage | |
| RU2595927C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
| RU2812914C1 (en) | Low offset gallium arsenide op amp | |
| RU2814681C1 (en) | Non-resistive gallium arsenide operational amplifier with low level of systematic component of zero offset voltage | |
| RU2814685C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier for operation in wide temperature range | |
| RU2615068C1 (en) | Bipolar-field differential operational amplifier | |
| RU2615066C1 (en) | Operational amplifier | |
| RU2813370C1 (en) | Precision gallium arsenide operational amplifier with low level of systematic component of zero offset voltage and high gain | |
| RU2820341C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier based on "bent" cascode | |
| RU2770912C1 (en) | Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors | |
| RU2621289C1 (en) | Two-stage differential operational amplifier with higher gain | |
| RU2813140C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier | |
| RU2784666C1 (en) | Gallium arsenide operational amplifier with a low zero-bias voltage | |
| RU2786191C1 (en) | Pull-pull buffer amplifier on complementary bipolar transistors | |
| RU2789482C1 (en) | Push-pull gallium arsenide buffer amplifier with a small dead zone of the amplitude characteristic | |
| RU2419187C1 (en) | Cascode differential amplifier with increased zero level stability | |
| RU2449466C1 (en) | Precision operational amplifier | |
| RU2783042C1 (en) | Class "ab" non-inverting current amplifier | |
| RU2784373C1 (en) | Source signal follower with a low systematic component of the zero offset voltage | |
| RU2771316C1 (en) | Gallium buffer amplifier |