RU2798440C1 - Способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ-микрополосковых плат с помощью вакуумного отжига - Google Patents

Способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ-микрополосковых плат с помощью вакуумного отжига Download PDF

Info

Publication number
RU2798440C1
RU2798440C1 RU2022116135A RU2022116135A RU2798440C1 RU 2798440 C1 RU2798440 C1 RU 2798440C1 RU 2022116135 A RU2022116135 A RU 2022116135A RU 2022116135 A RU2022116135 A RU 2022116135A RU 2798440 C1 RU2798440 C1 RU 2798440C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
boards
vacuum
internal stresses
vacuum annealing
layer
Prior art date
Application number
RU2022116135A
Other languages
English (en)
Inventor
Максим Константинович Сучков
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс")
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс") filed Critical Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс")
Application granted granted Critical
Publication of RU2798440C1 publication Critical patent/RU2798440C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники, в том числе к снятию внутренних напряжений тонких пленок, нанесенных на диэлектрическую основу. Технический результат - снятие внутренних напряжений пленок металла топологического слоя микрополосковых плат методом вакуумного отжига и, как следствие, улучшение параметра межслоевой адгезии изделия путем устранения скрытых дефектов микрополосковых плат в процессе их изготовления, не допуская их выпуск и последующий монтаж, тем самым существенно снижая риск отказа изделия в составе аппаратуры. Технический результат достигается тем, что способ включает очистку поверхности плат методом протирки спиртом или ацетоном для обезжиривания поверхности. Изделия помещают в камеру вакуумной печи так, чтобы проводниковой слой плат был не перекрыт, производят вакуумный отжиг изделий в вакууме, составляющем не менее 10-5 мм рт.ст., при температуре процесса 290°С для плат без барьерного никеля - в течение 4 часов, и при температуре процесса 400°С для плат с барьерным никелем - в течение 2,5 часов. По окончании термотренировки проводят контроль адгезии элементов топологического рисунка платы методом испытания на отрыв липкой ленты с клеевым слоем в двух взаимно перпендикулярных направлениях, производят очистку поверхности плат от остатков клеевого состава методом протирки и обезжиривания поверхности спиртом или ацетоном, проводят контроль внешнего вида плат с помощью микроскопа на предмет отслоения проводникового слоя. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Description

Область техники
Заявленное изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники, а также может использоваться в других областях техники и может быть использовано для вакуумного отжига тонких пленок, нанесенных на диэлектрическую основу. Изготавливаемые платы широко используются в ракетно-космическом и наземном приборостроении, где предъявляются высокие требования по надежности.
Уровень техники
Из уровня техники известен способ испытания на стойкость к термоудару образцов многослойных печатных плат, заключающийся в том, что образец нагревают и фиксируют появление начального расслоения образца по скачкообразному изменению толщины (см. авторское свидетельство СССР на изобретение №1826019, опубл. 07.07.1993).
Недостатком данного метода является выработка ресурса изделия и выход его из строя, а не улучшение параметров изделия.
Из уровня техники известен метод термоциклирования керамических подложек с нанесенными тонкими пленками (см. авторское свидетельство СССР на изобретение №1588732, опубликован 30.08.1990), целью которого является повышение адгезионной прочности подложек с металлизированными слоями. В описании изобретения указано, что керамические подложки имеют дополнительное включения в состав 1% оксида рения и исследуется его влияние методами наработки на отказ (10000 часов при 350°С) и термоциклирование 40-50 раз в широком диапазоне температур -60 - +350°С.
Недостатком метода является то, что основной целью изобретения является исследование влияния включения в состав керамической подложки оксида рения, а не влияние термоциклирования на параметры металлизированных слоев; также в описании изобретения не указаны точные режимы термоциклов (дан лишь широкий диапазон температур - 60 -+350°С).
Из уровня техники известен способ выявления потенциально ненадежных плат для гибридных интегральных микросхем (см. авторское свидетельство РФ на изобретение №2577823, опубл. 20.03.2016), целью которого является выявление скрытых дефектов, приводящих к браку изделий в процессе эксплуатации в составе аппаратуры. Применяется метод искусственного старения плат в термостате в присутствии кислорода воздуха (170 часов при 130°С), в результате которого проявляются скрытые дефекты изделий.
Недостатком метода является то, что основной целью изобретения является выявление скрытого брака, приводящим к потере части ресурса изделий.
Техническое описание
Раскрытие изобретения
Техническим результатом заявленного изобретения является снятие внутренних напряжений пленок металла топологического слоя микрополосковых плат методом вакуумного отжига и, как следствие, улучшение параметра межслоевой адгезии изделия в целом. Заявленное изобретение позволяет устранять скрытые дефекты микрополосковых плат в процессе их изготовления, не допуская их выпуск и последующий монтаж, тем самым существенно снижая риск отказа изделия в составе аппаратуры.
Технический результат заявленного изобретения достигается тем, что способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ-микрополосковых плат методом вакуумного отжига включает следующие действия:
- производят обезжиривание поверхности плат методом протирки спиртом или ацетоном;
- помещают платы в камеру вакуумной печи так, чтобы проводниковой слой платы был не перекрыт;
- производят вакуумный отжиг плат в вакууме составляющем не менее 10-5 мм рт.ст., при температуре процесса 290°С для плат без барьерного никеля в течение 4 часов, и при температуре процесса 400°С для плат с барьерным никелем в течение 2,5 часов;
- по окончании термотренировки проводят контроль адгезии элементов топологического рисунка платы методом испытания на отрыв липкой ленты с клеевым слоем в двух взаимно перпендикулярных направлениях;
- производят очистку поверхности плат от остатков клеевого состава методом протирки и обезжиривания поверхности спиртом или ацетоном;
- проводят контроль внешнего вида плат с помощью микроскопа на предмет отслоения проводникового слоя.
При этом все операции с платами проводят в напальчниках, а протирка изделий проводится с помощью ватного тампона или чистой бязевой тряпочки. Липкая лента должна соответствовать ГОСТ 20477 - 86.
Контроль адгезии методом испытания на отрыв элементов топологического рисунка лентой с липким слоем, интегральный метод, является одним из самых эффективных. Перед операцией плату необходимо протереть ватным тампоном, смоченным ацетоном. Отрезать ножницами полоску ленты с липким слоем размером, превышающим габариты платы, и плотно приклеить ленту к поверхности платы. Резко отделить ленту от платы, после чего произвести контроль внешнего вида плат под микроскопом при увеличении 16-32x. При визуальном контроле необходимо проконтролировать весь проводниковый слой платы и в случае отслоений изделие бракуется.
Операцию проводить в двух взаимно перпендикулярных направлениях.
Краткое описание чертежей
На Фиг. 1 представлен график, отображающий результаты проверки адгезии плат, выполненных по стандартной технологии и плат, прошедших вакуумный отжиг, построенный на основании Таблицы 1. Из полученных значений следует, что сила межслоевой адгезии металлизированных слоев возрастает после вакуумного отжига.
Figure 00000001
Осуществление и примеры реализации заявленного изобретения:
Для проведения экспериментальных исследований использовались тестовые платы, не имеющие отклонения по номиналу резисторов, внешнему виду и адгезии. Количество тестовых плат - 15 шт.
Практический эксперимент показал, что при увеличении температуры процесса уменьшается время снятия внутренних напряжений, но, в случае, если у платы нет барьерного никеля, то при температуре отжига свыше 300°С золотое покрытие платы растворяется в меди, приводя к забраковыванию изделий. При наличии барьерного никеля, температура отжига может составлять до 400°С. Отжиг свыше 400°С не применялся в связи с применением узкоспециального редкого оборудования.
Не допускается отжигать платы с нанесенным защитного слоя фоторезиста по причине повреждения органического слоя фоторезиста.
Выбранная температура процесса Т=290°С для плат без барьерного никеля и Т=400°С для плат с барьерным никелем.
Время отжига рассчитывалось исходя из возможностей оборудования, времени отжига и полного остывания установки с учетом рабочей смены 8 часов.
Выбранное время процесса t=4 часа для процесса при Т=290°С и t=2,5 часа при Т=400°С.
Практический эксперимент проводился на платах без барьерного никеля - t=4 часа; Т=290°С с последующей проверкой адгезии методом припайке бронзовой проволоки в 10 случайных местах каждой из СВЧ плат с проверкой силы адгезии металлизированных слоев на отрыв. Опыт показал, что способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ микрополосковых плат методом вакуумного отжига эффективен для увеличения силы адгезии металлизированных слоев СВЧ микрополосковых плат.
На основании полученных результатов можно сделать вывод, что оптимальное время вакуумного отжига составляет от 4 часов, а оптимальная температура составляет 290С0.
Способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ - микрополосковых плат методом вакуумного отжига осуществляется следующим образом.
Все операции с платами проводят в напальчниках.
Перед началом процесса термотренировки испытуемые платы необходимо обезжирить спиртом или ацетоном, при этом протирка изделий проводится с помощью ватного тампона или чистой бязевой тряпочки. Далее помещают изделия в камеру вакуумной печи так, чтобы у проводникового слоя платы был не перекрыт, во избежание диффузионного сращивания плат друг с другом/инородными телами.
Запускается вакуумная печь. Температура отжига плат не должна превышать 290°С в вакуумной печи в атмосфере цеха. Нагрев и охлаждение плат в вакуумной печи осуществляют со скоростью 3-6°С в минуту. По окончании термотренировки необходимо проверить платы на адгезию липкой лентой с клеевым слоем в двух взаимно перпендикулярных направлениях и произвести контроль внешнего вида плат под микроскопом при увеличении 16-32х. При визуальном контроле необходимо проконтролировать весь проводниковый слой платы и в случае отслоений изделие бракуется.
Платы, прошедшие контроль адгезии, необходимо очистить от клеевого состава путем протирки и обезжиривания поверхности спиртом или ацетоном.
Таким образом, заявленное изобретение позволяет устранять скрытые дефекты микрополосковых плат, усилить межслойную адгезию в процессе их изготовления, не допуская выпуск и последующий монтаж изделий со скрытым браком.
Результаты обработки данным способом подтвердили качество и надежность обрабатываемых изделий, тем самым положительно оценив эффективность и целесообразность применения заявленного изобретения для создания радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники.

Claims (10)

1. Способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ-микрополосковых плат с помощью вакуумного отжига, характеризующийся тем, что:
- производят обезжиривание поверхности плат методом протирки спиртом или ацетоном;
- помещают платы в камеру вакуумной печи так, чтобы проводниковой слой платы был не перекрыт;
- производят вакуумный отжиг плат в вакууме, составляющем не менее 10-5 мм рт.ст., при температуре процесса 290°С для плат без барьерного никеля в течение 4 часов, и при температуре процесса 400°С для плат с барьерным никелем в течение 2,5 часов;
- по окончании термотренировки проводят контроль адгезии элементов топологического рисунка платы методом испытания на отрыв липкой ленты с клеевым слоем в двух взаимно перпендикулярных направлениях;
- производят очистку поверхности плат от остатков клеевого состава методом протирки и обезжиривания поверхности спиртом или ацетоном;
- проводят контроль внешнего вида плат с помощью микроскопа на предмет отслоения проводникового слоя.
2. Способ по п. 1, в котором протирку изделий выполняют в напальчниках ватными тампонами или бязевыми тряпочками.
3. Способ по п. 1, в котором проводят внешний осмотр изделий с помощью микроскопа при увеличении в диапазоне 16-32х.
4. Способ по п. 1, в котором нагрев и охлаждение плат в вакуумной печи осуществляют со скоростью 3-6°С в минуту.
RU2022116135A 2022-06-15 Способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ-микрополосковых плат с помощью вакуумного отжига RU2798440C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2798440C1 true RU2798440C1 (ru) 2023-06-22

Family

ID=

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2078148C1 (ru) * 1993-07-05 1997-04-27 Акционерное общество открытого типа "Моторостроитель" Способ нанесения покрытия на лопатку турбины
RU2150160C1 (ru) * 1999-02-16 2000-05-27 Московский государственный институт электронной техники Способ коммутации термоэлемента
JP2001115261A (ja) * 1992-12-21 2001-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子
JP3195093B2 (ja) * 1992-12-21 2001-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ダイヤモンド膜の形成方法
RU2264480C2 (ru) * 2000-04-10 2005-11-20 Падеров Анатолий Николаевич Способ нанесения защитных покрытий на детали из жаропрочных сплавов
RU2363067C1 (ru) * 2008-01-22 2009-07-27 Фонд поддержки науки и образования Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности
RU2446505C1 (ru) * 2010-07-13 2012-03-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Способ изготовления катода для свч-прибора
US20120205656A1 (en) * 2008-05-20 2012-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-Film Electronic Devices Including Pre-Deformed Compliant Substrate

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001115261A (ja) * 1992-12-21 2001-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子
JP3195093B2 (ja) * 1992-12-21 2001-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ダイヤモンド膜の形成方法
RU2078148C1 (ru) * 1993-07-05 1997-04-27 Акционерное общество открытого типа "Моторостроитель" Способ нанесения покрытия на лопатку турбины
RU2150160C1 (ru) * 1999-02-16 2000-05-27 Московский государственный институт электронной техники Способ коммутации термоэлемента
RU2264480C2 (ru) * 2000-04-10 2005-11-20 Падеров Анатолий Николаевич Способ нанесения защитных покрытий на детали из жаропрочных сплавов
RU2363067C1 (ru) * 2008-01-22 2009-07-27 Фонд поддержки науки и образования Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности
US20120205656A1 (en) * 2008-05-20 2012-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-Film Electronic Devices Including Pre-Deformed Compliant Substrate
RU2446505C1 (ru) * 2010-07-13 2012-03-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Способ изготовления катода для свч-прибора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112292360B (zh) 具有改进的可靠性的气密密封金属化通孔
CN111548196A (zh) 一种氮化铝陶瓷基板表面处理方法
RU2798440C1 (ru) Способ снятия внутренних напряжений тонких пленок топологии СВЧ-микрополосковых плат с помощью вакуумного отжига
RU2577823C1 (ru) Способ выявления потенциально ненадежных плат для гибридных интегральных микросхем с помощью термостабилизации
RU2809508C1 (ru) Способ очистки микроволновых диэлектрических подложек, изготовленных из высокочастотных керамических материалов на основе титаната бария, нитрида алюминия или оксида алюминия
KR101767536B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터의 제조방법
JP2008505502A (ja) 金属−セラミック基板
JP2004200620A (ja) 静電チャックおよびその製造方法
CN113008888A (zh) 一种用于fpc电镀纯锡回流焊的预检测方法
RU2806812C1 (ru) Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек
CN113419190B (zh) 一种激光切割后微短路的检测方法及其应用
JP3741918B2 (ja) セラミック基板の金属薄膜形成方法及びセラミック基板
CN116709658B (zh) 一种内埋元件pcb板的沉铜方法及其制成的pcb板
TWI734325B (zh) 電線表面陶瓷絕緣層的修補方法
KR100821290B1 (ko) 피씨비의 표면 리페어 방법 및 그 피씨비
JP7472010B2 (ja) 薄膜キャパシタ及びその製造方法
CN111593349B (zh) 一种用于制备超薄钛箔的化学铣切液及铣切方法
Teverovsky Terminal Solder Dip Testing for Chip Ceramic and Tantalum Capacitors
JPH08264369A (ja) 積層セラミック型電子部品
JPH04179285A (ja) 積層型圧電アクチュエータ素子の製造方法
Teverovsky Susceptibility to Cracking of Different Lots of CDR35 Capacitors
Lea et al. Controlling the Quality of Soldering of PTH Solder Joints
JPH04116888A (ja) 回路基板の製造方法
CN113945513A (zh) 一种通过剥孔检测镀铜结合力的方法
JP2022181993A (ja) サブマウントの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法