RU2745826C1 - Подложка матрицы и устройство отображения - Google Patents
Подложка матрицы и устройство отображения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2745826C1 RU2745826C1 RU2019115831A RU2019115831A RU2745826C1 RU 2745826 C1 RU2745826 C1 RU 2745826C1 RU 2019115831 A RU2019115831 A RU 2019115831A RU 2019115831 A RU2019115831 A RU 2019115831A RU 2745826 C1 RU2745826 C1 RU 2745826C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pixel
- light
- pixelblock
- light emitting
- white
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 88
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 123
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Подложка матрицы содержит множество пиксельных блоков, причем каждый пиксельный блок содержит светоизлучающий блок и слой ограничения пикселя, расположенный вокруг светоизлучающего блока; при этом в по меньшей мере одном из пиксельных блоков канавка для разделения световых волн обеспечена в слое ограничения пикселя, блокирующий световые волны слой обеспечен в канавке для разделения световых волн. Канавки для разделения световых волн содержат строчные канавки для разделения световых волн, параллельные направлению строк пиксельных блоков, и/или столбцевые канавки для разделения световых волн, параллельные направлению столбцов пиксельных блоков; длина строчной канавки для разделения световых волн вдоль направления строк пиксельных блоков больше или равна длине светоизлучающего блока вдоль направления строк пиксельных блоков; а длина столбцевой канавки для разделения световых волн вдоль направления столбцов пиксельных блоков больше или равна длине светоизлучающего блока вдоль направления столбцов пиксельных блоков. Изобретение обеспечивает возможность повышения качества отображения устройством отображения 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 8 ил.
Description
ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННУЮ ЗАЯВКУ
[0001] В настоящей заявке заявлен приоритет Китайской патентной заявки № 201721137287,8 от 6 сентября 2017 г., содержание которой полностью включено в настоящую работу в виде ссылки.
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
[0002] Настоящее раскрытие относится к области техники отображения, и в частности, к подложке матрицы и устройству отображения.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0003] Органические светоизлучающие диоды (ОСИД), особенно активные матрицы на светоизлучающих диодах (АМОСИД) обладают преимуществами высокой яркости, полного угла обзора, быстрого отклика и гибкого дисплея, и, таким образом, широко применяются в области отображения.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0004] Настоящее раскрытие обеспечивает подложку матрицы и устройство отображения.
[0005] Первый аспект настоящего раскрытия обеспечивает подложу матрицы, содержащую множество пиксельных блоков, расположенных в виде матрицы, где каждый пиксельный блок включает в себя светоизлучающий блок и слой ограничения пикселя, расположенный вокруг светоизлучающего блока; причем в по меньшей мере одном из пиксельных блоков, в слое ограничения пикселя, по меньше мере, на одной стороне светоизлучающего блока обеспечена канавка для разделения световых волн, а в канавке для разделения световых волн обеспечен блокирующий световые волны слой.
[0006] Необязательно, канавка для разделения световых волн, имеющая форму кольца, окружает светоизлучающий блок в пиксельном блоке; или
[0007] Канавка для разделения световых волн расположена линейно на по меньшей мере одной стороне светоизлучающего блока в пиксельном блоке.
[0008] Необязательно, канавки для разделения световых волн включают в себя строчные канавки для разделения световых волн, параллельные направлению строк пиксельных блоков, и/или столбцевые канавки для разделения световых волн, параллельные направлению столбцов пиксельных блоков; в которых:
[0009] Длина строчной канавки для разделения световых волн вдоль направления строк пиксельных блоков больше или равна длине светоизлучающего блока вдоль направления строк пиксельных блоков; и
[0010] Длина столбцевой канавки для разделения световых волн вдоль направления столбцов пиксельных блоков больше или равна длине светоизлучающего блока вдоль направления столбцов пиксельных блоков.
[0011] Необязательно, соседние строчные канавки для разделения световых волн в одной и той же строке сообщаются друг с другом; и/или
[0012] Соседние столбцевые канавки для разделения световых волн в одном и том же столбце сообщаются друг с другом.
[0013] Необязательно, светоизлучающий блок представляет собой органический светоизлучающий диод (ОСИД), который содержит анод и катод, расположенные друг напротив друга, и светоизлучающий слой ОСИД между анодом и катодом; и
[0014] Блокирующий световые волны слой является удлиненной частью катода.
[0015] Необязательно, выравнивающий слой и/или пассивирующий слой расположен на стороне анода, обращенной от катода, причем в области выравнивающего слоя и/или пассивирующего слоя, соответствующего канавке для разделения световых волн, обеспечен удлиненный желобок канавки для разделения световых волн, а блокирующий световые волны слой дополнительно покрывает удлиненный желобок.
[0016] Необязательно, подложка матрицы содержит красные пиксельные блоки, зеленые пиксельные блоки, синие пиксельные блоки и белые пиксельные блоки; группа пиксельных блоков, состоящая из красного пиксельного блока, зеленого пиксельного блока и синего пиксельного блока, обеспечена на каждой из двух сторон белого пиксельного блока вдоль направления строк пиксельных блоков или направления столбцов пиксельных блоков, а белый пиксельный блок расположен так, что он находится рядом с красным пиксельным блоком, с зеленым пиксельным блоком или с синим пиксельным блоком группы пиксельных блоков; причем:
[0017] По меньшей мере один из пиксельных блоков, обеспеченных канавкой для разделения световых волн, представляет собой белый пиксельный блок; и
[0018] Светоизлучающий блок в белом пиксельном блоке представляет собой белое ОСИД.
[0019] Необязательно, подложка матрицы содержит красные пиксельные блоки, зеленые пиксельные блоки, синие пиксельные блоки и белые пиксельные блоки; группа пиксельных блоков, состоящая из красного пиксельного блока, зеленого пиксельного блока и синего пиксельного блока, обеспечена на каждой из двух сторон белого пиксельного блока вдоль направления строк пиксельных блоков или направления столбцов пиксельных блоков, а белый пиксельный блок расположен так, чтобы он был смежным с красным пиксельным блоком, зеленым пиксельным блоком или синим пиксельным блоком группы пиксельных блоков; в которой:
[0020] По меньшей мере один из пиксельных блоков, снабженных канавкой для разделения световых волн, представляет собой красный пиксельный блок, смежный с белым пиксельным блоком; или
[0021] По меньшей мере один из пиксельных блоков, снабженных канавкой для разделения световых волн, представляет собой зеленый пиксельный блок, смежный с белым пиксельным блоком; или
[0022] По меньшей мере один из пиксельных блоков, снабженных канавкой для разделения световых волн, представляет собой синий пиксельный блок, смежный с белым пиксельным блоком; и
[0023] Светоизлучающий блок в белом пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения.
[0024] Необязательно, между любыми двумя из красного пиксельного блока, зеленого пиксельного блока и синего пиксельного блока в группе пиксельных блоков нет никакой канавки для разделения световых волн.
[0025] Необязательно, светоизлучающий блок в красном пиксельном блоке представляет собой ОСИД красного свечения; светоизлучающий блок в зеленом пиксельном блоке представляет собой ОСИД зеленого свечения; а светоизлучающий блок в синем пиксельном блоке представляет собой ОСИД синего свечения.
[0026] Необязательно, светоизлучающий блок в красном пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения, а красный пиксельный блок дополнительно содержит фильтр красного цвета, обеспеченный на стороне выхода света ОСИД белого свечения;
[0027] Светоизлучающий блок в зеленом пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения, а зеленый пиксельный блок дополнительно содержит фильтр зеленого цвета, обеспеченный на стороне выхода света ОСИД белого свечения; и
[0028] Светоизлучающий блок в синем пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения, а синий пиксельный блок дополнительно содержит фильтр синего цвета, обеспеченный на стороне выхода света ОСИД белого свечения.
[0029] Второй аспект настоящего раскрытия обеспечивает устройство отображения, содержащее вышеупомянутую подложку матрицы.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0030] Фиг. 1 представляет собой принципиальную схему конструкции подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия;
[0031] Фиг. 2 представляет собой разрез A-A' I подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 1;
[0032] Фиг. 3 представляет собой разрез A-A' II подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 1;
[0033] Фиг. 4 представляет собой разрез A-A' III подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 1;
[0034] Фиг. 5 представляет собой схему распределения I канавок для разделения световых волн, обеспеченных некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия;
[0035] Фиг. 6 представляет собой схему распределения II канавок для разделения световых волн, обеспеченных некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия;
[0036] Фиг. 7 представляет собой принципиальную схему конструкции подложки матрицы RGBW-типа, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия;
[0037] Фиг. 8 представляет собой разрез C-C' подложки матрицы RGBW-типа, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 7.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
[0038] Для лучшего понимания, подложка матрицы и устройство отображения, обеспеченное вариантами воплощения настоящего раскрытия, будет подробно описано ниже, применительно к чертежам.
[0039] В настоящее время, подложка матрицы, в которую внедрены АМОСИД, снабжена множеством пиксельных блоков, расположенных в виде матрицы, и каждый пиксельный блок содержит ОСИД и слой ограничения пикселя, расположенный вокруг ОСИД. Однако, после введения слоя ограничения пикселя, часть света, выходящего из ОСИД, вероятно, вызовет световые помехи для смежного пиксельного блока, то есть, часть света, выходящего из ОСИД, которая попадает в слой ограничения пикселя, вероятно, повлияет на эффект светового выхода смежного пиксельного блока, что может снизить качество отображения устройства отображения, обеспеченного подложкой матрицы.
[0040] Фиг. 1 представляет собой принципиальную схему конструкции подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, а Фиг. 2 представляет собой разрез A-A' I подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 1. Применительно к Фиг. 1 и 2, подложка матрицы, обеспеченная некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, содержит множество пиксельных блоков, расположенных в виде матрицы, каждый пиксельный блок, включающий в себя светоизлучающий блок 3 и слой 15 ограничения пикселя, расположенный вокруг светоизлучающего блока 3; в которой в по меньшей мере одном пиксельном блоке, канавка 4 для разделения световых волн обеспечена в слое 15 ограничения пикселя на по меньшей мере одной стороне светоизлучающего блока, а блокирующий световые волны слой 5 обеспечен в канавке 4 для разделения световых волн.
[0041] В вышеуказанных вариантах воплощения, канавка 4 для разделения световых волн сконфигурирована для прерывания связи между настоящим пиксельным блоком и смежным пиксельным блоком на слое 15 ограничения пикселя. Канавка 4 для разделения световых волн может быть расположена во множестве мест в слое 15 ограничения пикселя, например, как показано на Фиг. 1, канавка 4 для разделения световых волн расположена в слое 15 ограничения пикселя внутри настоящего пиксельного блока. Как показано на Фиг. 5, который представляет собой схему распределения I канавок для разделения световых волн, обеспеченных некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, канавка 4 для разделения световых волн расположена на периферии слоя 15 ограничения пикселя настоящего пиксельного блока, т.е., на границе между настоящим пиксельным блоком и смежным пиксельным блоком, и в этом случае канавка 4 для разделения световых волн, соответственно, может принадлежать к любому одному из настоящего пиксельного блока и смежного пиксельного блока. Канавка 4 для разделения световых волн может быть установлена в различных формах, в иллюстративных целях, причем канавка 4 для разделения световых волн задана в форме кольца, окружающего светоизлучающий блок 3 соответствующего пиксельного блока, такого как прямоугольная кольцевая канавка 41 или эллиптическая кольцевая канавка 42, как показано на Фиг. 1; канавка 4 для разделения световых волн также может быть установлена в сегментах, например, канавка 4 для разделения световых волн расположена линейно на по меньшей мере одной стороне светоизлучающего блока 3 в соответствующем пиксельном блоке, т.е., можно линейно устанавливать канавки 4 для разделения световых волн на обеих сторонах светоизлучающего блока 3 в каждом пиксельном блоке; можно линейно устанавливать канавку 4 для разделения световых волн только на одной стороне светоизлучающего блока 3 и линейно устанавливать другую канавку 4 для разделения световых волн на одной стороне светоизлучающего блока в смежном пиксельном блоке, который находится на другой стороне светоизлучающего блока 3, причем одна сторона светоизлучающего блока в смежном пиксельном блоке находится близко к светоизлучающему блоку 3; можно не устанавливать линейно канавку 4 для разделения световых волн ни на одной стороне светоизлучающего блока 3, а линейно устанавливать канавку 4 для разделения световых волн на одной стороне светоизлучающего блока в каждом из двух смежных пиксельных блоков, которые находятся на двух сторонах светоизлучающего блока 3, причем одна сторона светоизлучающего блока находится близко к светоизлучающему блоку 3; и также можно линейно устанавливать канавки 4 для разделения световых волн, как в светоизлучающем блоке 3, так и на одной стороне светоизлучающего блока, близко к светоизлучающему блоку 3 в смежном пиксельном блоке, до тех пор, пока по меньшей мере одна канавка 4 для разделения световых волн расположена между светоизлучающими блоками двух смежных пиксельных блоков.
[0042] Кроме того, блокирующий световые волны слой 5 может быть изготовлен из светоэкранирующего материала, такого как светоэкранирующий металл, или может быть изготовлен из прозрачного материала, показатель преломления и коэффициент отражения которого отличны от соответствующих показателей материала слоя 15 ограничения пикселя. Слой 15 ограничения пикселя, как правило, изготавливают из материалов типа органической смолы.
[0043] В подложке матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, канавка 4 для разделения световых волн обеспечена в слое 15 ограничения пикселя в по меньшей мере одном пиксельном блоке, а блокирующий световые волны слой 5 обеспечен в канавке 4 для разделения световых волн, вследствие чего связь между настоящим пиксельным блоком и смежным пиксельным блоком на слое 15 ограничения пикселя прерывается канавкой 4 для разделения световых волн. Когда часть света, выходящего из светоизлучающего блока 3, попадает в слой 15 ограничения пикселя и распространяется до канавки 4 для разделения световых волн, блокирующий световые волны слой 5 обеспеченный в канавке 4 для разделения световых волн, может избежать полного отражения части выходящего света в слое 15 ограничения пикселя, и помешать части выходящего света непрерывно распространяться вдоль каждого пути отраженного луча в слое 15 ограничения пикселя, так что слой 15 ограничения пикселя не может служить в качестве проводника световой волны, для эффективного снижения помех для световой волны в настоящем пиксельном блоке к смежному пиксельному блоку, или снижения помех для световой волны в смежном пиксельном блоке к настоящему пиксельному блоку, с повышением, таким образом, качества отображения устройства отображения, обеспеченного подложкой матрицы.
[0044] Следует отметить, что когда канавка 4 для разделения световых волн расположена линейно в сегментах в вышеуказанных вариантах воплощения, направление каждого сегмента канавки 4 для разделения световых может быть установлено в соответствии с конкретными нуждами. Применительно к Фиг. 6, который представляет собой схему распределения II канавок для разделения световых волн, обеспеченных некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, канавки для разделения световых волн, параллельные направлению строк пиксельных блоков, заданы как строчные канавки 46 для разделения световых волн, а канавки для разделения световых волн, параллельные направлению столбцов пиксельных блоков, заданы как столбцевые канавки 47 для разделения световых волн, и в этом случае канавки 4 для разделения световых волн в подложке матрицы, обеспеченной вариантом воплощения, включают в себя строчные канавки 46 для разделения световых волн и/или столбцевые канавки 47 для разделения световых волн, а длина B1 строчной канавки 46 для разделения световых волн вдоль направления строк пиксельных блоков больше или равна длине B0 светоизлучающего блока 3 вдоль направления строк пиксельных блоков, длина L1 столбцевой канавки 47 для разделения световых волн вдоль направления столбцов пиксельных блоков больше или равна длине L0 светоизлучающего блока 3 вдоль направления столбцов пиксельных блоков. Строчная канавка 46 для разделения световых волн и/или столбцевая канавка 47 для разделения световых волн способна предотвращать распространение выходящего света светоизлучающего блока 3 в слое 15 ограничения пикселя, за счет блокирующего световые волны слоя 5, обеспеченного в канавке 4 для разделения световых волн, для эффективного снижения помех для световых волн, идущих из настоящего пиксельного блока в смежный пиксельный блок, или снижения помех для световых волн, идущих из смежного пиксельного блока в настоящего пиксельного блока, с повышением, таким образом, качества отображения устройства отображения, обеспеченного подложкой матрицы.
[0045] Дополнительно, применительно к Фиг. 5 и 6, в подложке матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, для облегчения изготовления канавки 4 для разделения световых волн, при ее установке в кольцевой структуре, канавка 4 для разделения световых волн может быть установлена в виде кольца, окружающего два или более смежных светоизлучающих блоков 3, такого как общая кольцевая канавка 43 на Фиг. 6; когда канавка 4 для разделения световых волн расположена линейно в сегментах, смежные строчные канавки 4 для разделения световых волн в одном и том же ряду могут сообщаться друг с другом, с образованием горизонтальной канавки 45, показанной на Фиг. 6, а смежные столбцевые канавки 4 для разделения световых волн в одном и том же столбце могут аналогично сообщаться друг с другом, с образованием вертикальной канавки 44, показанной на Фиг. 6. Более того, когда каждая канавка 4 для разделения световых волн расположена на границе между настоящим пиксельным блоком и смежным пиксельным блоком, смежные канавки 4 для разделения световых волн могут сообщаться друг с другом так, чтобы каждая строчная канавка 4 для разделения световых волн и каждая столбцевая канавка 4 для разделения световых волн пересекались друг с другом, с образованием сетки в слое 15 ограничения пикселя, как показано на Фиг. 5, где каждый светоизлучающий блок соответственно расположенный в квадрате, заданном пересекающимися строчной канавкой 4 для разделения световых волн и столбцевой канавкой 4 для разделения световых волн.
[0046] Применительно к Фиг. 2, следует понимать, что в подложке матрицы, обеспеченной вышеуказанными вариантами воплощения, в светоизлучающем блоке 3 в пиксельном блоке может быть применен ОСИД, который, как правило, содержит анод 31 и катод 33, расположенные друг напротив друга, и светоизлучающий слой 32 ОСИД между ними; причем: анод 31 обычно изготавливают из оксида индия-олова (ИТО); светоизлучающий слой 32 ОСИД может представлять собой однослойный органический светоизлучающий слой, или многослойную структуру, состоящую из слоя с дырочной проводимостью, органический светоизлучающий слой и слоя с электронной проводимостью; а катод 33 обычно изготавливают из металлического материала, такого как Al, и его сплава. Удлиненную часть катода 33 можно использовать в качестве блокирующего световые волны слоя 5, что может упростить процесс изготовления подложки матрицы и повысить эффективность изготовления подложки матрицы.
[0047] Применительно к Фиг. 2, следует отметить, что, в подложке матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, тонкопленочный транзистор 2 обычно расположен между светоизлучающим блоком 3 и основной 1 подложкой, для приведения в действие светоизлучающего блока 3, для испускания света. Тонкопленочный транзистор 2 может представлять собой любой один из оксидных полупроводниковых тонкопленочных транзисторов, тонкопленочных транзисторов на основе поликристаллического кремния и тонкопленочных транзисторов на основе аморфного кремния, и может представлять собой тонкопленочный транзистор с верхним затвором или тонкопленочный транзистор с нижним затвором, который в настоящей работе специально ничем не ограничен.
[0048] В целях иллюстрации, применительно к Фиг. 2, некоторые варианты воплощения настоящего раскрытия обеспечивает тонкопленочный транзистор с верхним затвором, содержащий активный слой 21, изолирующий слой 11 затвора, затвор 22 и слой 12 межслойной изоляции, которые уложены на основной 1 подложке, сток 23 и исток 24 расположены, соответственно, на слое 12 межслойной изоляции, причем, как слой 12 межслойной изоляции, так и изолирующий слой 11 затвора обеспечены там сквозными межсоединениями, соответствующими стоку 23 и истоку 24, а сток 23 и исток 24 соединены с активным слоем 21, соответственно, через соответствующие сквозные межсоединения; и пассивирующий слой 13 и слой 15 ограничения пикселя обеспечены на верхних поверхностях стока 23 и истока 24, причем множество областей отверстий, соответствующих ОСИД, расположены в слое 15 ограничения пикселя, а ОСИД обеспечен в области отверстий слоя 15 ограничения пикселя. Сквозное межсоединение, соответствующее аноду 31, расположено в пассивирующем слое 13, а анод 31 ОСИД соединен со стоком 23 через сквозное межсоединение в пассивирующем слой 13. Активный слой 21 может быть изготовлен из оксида индия-галлия-цинка (ИГЦО). Как изолирующий слой 11 затвора, так и слой 12 межслойной изоляции могут представлять собой однослойные структуры, такие как слои нитрида кремния и слои оксида кремния, или многослойные структуры, такие как ламинированная структура, состоящая из слоев нитрида кремния и слоев оксида кремния; а пассивирующий слой 13 может представлять собой слой нитрида кремния.
[0049] В подложке матрицы, показанной на Фиг. 2, поскольку слой 15 ограничения пикселя расположен так, чтобы он был смежным с пассивирующим слоем 13, когда часть света, выходящего из ОСИД, попадает в пассивирующий слой 13, вероятно, что поперечное распространение части выходящего света создает помехи для световых волн по направлению к смежному пиксельному блоку. Поэтому, применительно к Фиг. 3, которая представляет собой разрез A-A' II подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 1, и к Фиг. 4 которая представляет собой разрез A-A' III подложки матрицы, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 1, для дополнительного снижения помех для световых волн между смежными пиксельными блоками, в подложке матрицы, обеспеченной вариантом воплощения, если на стороне анода 31 ОСИД, обращенной от катода 33, обеспечены другие слои, такие как выравнивающий слой 14 и/или пассивирующий слой 13, канавка 4 для разделения световых волн может простираться в выравнивающий слой 14 и/или пассивирующий слой 13, а часть канавки 4 для разделения световых волн, простирающейся в выравнивающем слое 14 и/или в пассивирующем слое 13, образует удлиненный желобок 40, который повышает глубину канавки 4 для разделения световых волн и позволяет канавке 4 для разделения световых волн простираться в выравнивающий слой 14 и/или пассивирующий слой 13. Удлиненная канавка 4 для разделения световых волн дополнительно прерывает связь между пиксельным блоком и смежным пиксельным блоком в других слоях, таких как выравнивающий слой 14 и/или пассивирующий слой 13, для эффективного предотвращения поперечного распространения выходящего света в других слоях и последующей интерференции света, вызванной для смежного пиксельного блока. При этом: выравнивающий слой 14 может быть изготовлен из материала на основе полимерной смолы или фоторезистного материала.
[0050] Применительно к Фиг. 3, например, пассивирующий слой 13 расположен на стороне анода 31 ОСИД, обращенной от катода 33, т.е., когда слой 15 ограничения пикселя расположен так, чтобы он был смежным с пассивирующим слоем 13, канавка 4 для разделения световых волн расположена в слое 15 ограничения пикселя и в пассивирующем слое 13, часть канавки 4 для разделения световых волн, простирающаяся между слоем 15 ограничения пикселя и пассивирующим слоем 13, образует удлиненный желобок 40, а блокирующий световые волны слой 5 покрывает всю канавка 4 для разделения световых волн. В этом случае, если часть выходящего света светоизлучающего блока 3 попадает в слой 15 ограничения пикселя и/или в пассивирующий слой 13 и распространяется в канавку 4 для разделения световых волн, блокирующий световые волны слой 5 обеспеченный в канавке 4 для разделения световых волн, может предотвратить распространение части выходящего света светоизлучающего блока 3 в слое 15 ограничения пикселя и/или в пассивирующем слое 13 и предотвратить превращение слоя 15 ограничения пикселя и/или пассивирующего слоя 13 в проводник световых волн, для эффективного снижения помех для световых волн настоящего пиксельного блока, по направлению к смежному пиксельному блоку, или снижения помех для световых волн смежного пиксельного блока по направлению к настоящему пиксельному блоку, с повышением, таким образом, качества отображения устройства отображения, обеспеченного подложкой матрицы.
[0051] При последовательном расположении пассивирующего слоя 14 и пассивирующего слоя 13 на стороне анода 31 ОСИД, обращенной от катода 33, канавка 4 для разделения световых волн расположена, как показано на Фиг. 4, с аналогичным техническим принципом и эффектами, которые не будут описаны подробно в настоящей работе.
[0052] Применительно к Фиг. 7 которая представляет собой принципиальную схему конструкции подложки матрицы RGBW-типа, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, следует отметить, что, в подложке матрицы в четырехцветном пиксельном режиме RGBW, пиксельные блоки обычно включают в себя красный пиксельный блок (R), зеленый пиксельный блок (G), синий пиксельный блок (B) и белый пиксельный блок (W) 6; причем: группа 7 пиксельных блоков, состоящая из красного пиксельного блока (R), зеленого пиксельного блока (G) и синего пиксельного блока (B), обеспечена на каждой стороне белого пиксельного блока (W) 6 вдоль направления строк пиксельных блоков или направления столбцов пиксельных блоков. Поскольку красный пиксельный блок (R), зеленый пиксельный блок (G) и синий пиксельный блок (B) в группе 7 пиксельных блоков может быть расположен в случайном порядке, белый пиксельный блок (W) 6 может быть расположен так, чтобы он был смежным с красным пиксельным блоком (R), зеленым пиксельным блоком (G) или синим пиксельным блоком (B) группы 7 пиксельных блоков.
[0053] Поскольку красный пиксельный блок (R) испускает красный свет, зеленый пиксельный блок (G) испускает зеленый свет, синий пиксельный блок (B) испускает синий свет, а белый пиксельный блок (W) 6 испускает белый свет, белый пиксельный блок (W) 6 обладает более высокой яркостью, чем красный пиксельный блок (R), зеленый пиксельный блок (G) и синий пиксельный блок (B) группы 7 пиксельных блоков, и будет существенно влиять на эффекты выходящего света красного пиксельного блока (R), зеленого пиксельного блока (G) и синего пиксельного блока (B) смежной группы 7 пиксельных блоков. Поэтому, применительно к Фиг. 7, в некоторых вариантах воплощения настоящего раскрытия, канавки 4 для разделения световых волн обеспечены между светоизлучающим блоком 3 по меньшей мере одного белого пиксельного блока (W) 6 и смежными группами 7 пиксельных блоков, т.е., канавки 4 для разделения световых волн обеспечены между светоизлучающим блоком 3 по меньшей мере одного белого пиксельного блока (W) 6 и светоизлучающими блоками 3 смежного красного пиксельного блока (R), или между светоизлучающим блоком 3 по меньшей мере одного белого пиксельного блока (W) 6 и светоизлучающими блоками 3 смежного зеленого пиксельного блока (G), или между светоизлучающим блоком 3 по меньшей мере одного белого пиксельного блока (W) 6 и светоизлучающими блоками смежного синего пиксельного блока (B), вследствие чего блокирующие световые волны слои в канавках 4 для разделения световых волн могут эффективно снижать помехи для световых волн, вызванные белым пиксельным блоком (W) 6, по направлению к красным пиксельным блокам (R), зеленым пиксельным блокам (G) и синим пиксельным блокам (B) смежных групп 7 пиксельных блоков, для предотвращения снижения цветовой гаммы света, выходящего из подложки матрицы, и гарантирования хорошего качества отображения устройства отображения, обеспеченного подложкой матрицы.
[0054] Следует отметить, что светоизлучающий блок 3 в белом пиксельном блоке (W) 6 представляет собой ОСИД белого свечения, причем, когда канавки 4 для разделения световых волн обеспечены между светоизлучающим блоком 3 белого пиксельного блока (W) 6 и смежной группой 7 пиксельных блоков, канавка 4 для разделения световых волн может быть расположена на стороне ОСИД белого свечения белого пиксельного блока (W) 6 близко к смежной группе 7 пиксельных блоков, т.е., канавка 4 для разделения световых волн может быть расположена в области слоя ограничения пикселя в белом пиксельном блоке (W) 6 близко к смежной группе 7 пиксельных блоков; канавка 4 для разделения световых волн также может быть расположена в другом пиксельном блоке группы 7 пиксельных блоков, смежных с белым пиксельным блоком (W) 6, например, канавка 4 для разделения световых волн может быть расположена на стороне светоизлучающего блока 3 красного пиксельного блока (R), смежного с белым пиксельным блоком (W) 6, когда красный пиксельный блок (R) расположен смежно с белым пиксельным блоком (W) 6, или может быть расположена на стороне светоизлучающего блока 3 зеленого пиксельного блока (G), смежного с белым пиксельным блоком (W) 6, когда зеленый пиксельный блок (G) расположен смежно с белым пиксельным блоком (W) 6, или может быть расположена на стороне светоизлучающего блока 3 синего пиксельного блока (B), смежного с белым пиксельным блоком (W) 6, когда синий пиксельный блок (B) расположен смежно с белым пиксельным блоком (W) 6. Кроме того, канавка 4 для разделения световых волн может быть расположена на границе между группой 7 пиксельных блоков и белым пиксельным блоком (W) 6, или может быть расположена на каждой из двух сторон границы между группой 7 пиксельных блоков и белым пиксельным блоком (W) 6, что не будет описано подробно в настоящей работе.
[0055] В целях иллюстрации, применительно к Фиг. 7, в некоторых вариантах воплощения настоящего раскрытия, группы 7 пиксельных блоков обеспечены на обеих сторонах белых пиксельных блоков (W) 6 вдоль направления строк пиксельных блоков, и в этом случае столбцевые канавки для разделения световых волн могут быть выбраны в качестве канавок 4 для разделения световых волн и могут быть расположены на обеих сторонах светоизлучающих блоков 3 белых пиксельных блоков (W) 6, близко к группам 7 пиксельных блоков. Поскольку группа 7 пиксельных блоков состоит из красного пиксельного блока (R), зеленого пиксельного блока (G) и синего пиксельного блока (B), а интерференция света между любыми двумя из красного пиксельного блока (R), зеленого пиксельного блока (G) и синего пиксельного блока (B) меньше, чем интерференция света, вызванная белым пиксельным блоком (W) по направлению к красному пиксельному блоку (R), зеленому пиксельному блоку (G) и синему пиксельному блоку (B), канавку 4 для разделения световых волн между любыми двумя из красного пиксельного блока (R), зеленого пиксельного блока (G) и синего пиксельного блока (B) в группе 7 пиксельных блоков можно не устанавливать, т.е., канавку 4 для разделения световых волн между любыми двумя смежными светоизлучающими блоками 3 красного пиксельного блока (R), зеленого пиксельного блока (G) и синего пиксельного блока (B) в группе 7 пиксельных блоков можно не устанавливать, что может снизить количество канавок 4 для разделения световых волн и сложность процесса.
[0056] Дополнительно, в вышеуказанных вариантах воплощения светоизлучающий блок в красном пиксельном блоке (R) может представлять собой ОСИД красного свечения; светоизлучающий блок в зеленом пиксельном блоке (G) может представлять собой ОСИД зеленого свечения; и светоизлучающий блок в синем пиксельном блоке (B) может представлять собой ОСИД синего свечения.
[0057] Более того, применительно к Фиг. 8, которая представляет собой разрез C-C' подложки матрицы RGBW-типа, обеспеченной некоторыми вариантами воплощения настоящего раскрытия, по Фиг. 7, поскольку светоизлучающий блок в белом пиксельном блоке (W) представляет собой ОСИД белого свечения, для облегчения изготовления подложки матрицы, все светоизлучающие блоки в красном пиксельном блоке (R), зеленом пиксельном блоке (G) и синем пиксельном блоке (B) могут представлять собой ОСИД белого свечения, где фильтр 16 красного цвета обеспечен на стороне выхода света ОСИД белого свечения в красном пиксельном блоке (R), фильтр 17 зеленого цвета обеспечен на стороне выхода света ОСИД белого свечения в зеленом пиксельном блоке (G), а фильтр 18 синего цвета обеспечен на стороне выхода света ОСИД белого свечения в синем пиксельном блоке (B).
[0058] В целях иллюстрации, применительно к Фиг. 8, в варианте воплощения, все светоизлучающие блоки в красном пиксельном блоке (R), зеленом пиксельном блоке (G), синем пиксельном блоке (B) и белом пиксельном блоке (W) представляют собой ОСИД белого свечения; светоизлучающий слой 32 ОСИД и катод 33 в каждом белом ОСИД могут быть образованы, как одно целое, т.е., могут быть установлены как целый слой. В этом случае, блокирующий световые волны слой 5 соответственно расположенный в канавке 4 для разделения световых волн и в его удлиненном желобке 40, может представлять собой часть ламинированного слоя светоизлучающего слоя 32 ОСИД и катод 33.
[0059] Применительно к Фиг. 8, в настоящем варианте воплощения, в белых ОСИД применяется режим излучения снизу, т.е., сторона выхода света ОСИД белого свечения находится на его стороне анода 31; когда выравнивающий слой 14 и пассивирующий слой 13 уложены между анодом 31 ОСИД белого свечения и истоком и стоком тонкопленочного транзистора, фильтр 16 красного цвета красного пиксельного блока (R) может быть расположен в области, соответствующей красному пиксельному блоку (R), между выравнивающим слоем 14 и пассивирующием слой 13, фильтр 17 зеленого цвета зеленого пиксельного блока (G) может быть расположен в области, соответствующей зеленому пиксельному блоку (G), между выравнивающим слоем 14 и пассивирующим слоем 13, а фильтр 18 синего цвета синего пиксельного блока (B) может быть расположен в области, соответствующей синему пиксельному блоку (B), между выравнивающим слоем 14 и пассивирующим слоем 13; а в области, соответствующей белому пиксельному блоку (W), между выравнивающим слоем 14 и пассивирующим слоем 13, нет никакого цветного фильтра. В этом случае, канавка 4 для разделения световых волн простирается от слоя 15 ограничения пикселя в выравнивающий слой 14, причем часть канавки 4 для разделения световых волн, простирающаяся между слоем 15 ограничения пикселя и выравнивающим слоем 14, образует удлиненный желобок 40, а блокирующий световые волны слой 5 покрывает всю канавку 4 для разделения световых волн. Когда белый свет, испускаемый из ОСИД белого свечения, проходит через цветной фильтр и преобразуется в соответствующий окрашенный свет, блокирующий световые волны слой 5 обеспеченный в удлиненном желобке 40 в канавке 4 для разделения световых волн, может избежать полного отражения соответствующего окрашенного света (такого как синий свет) в выравнивающем слое 14 и предотвратить непрерывное распространение части выходящего света вдоль каждого пути отраженного луча в выравнивающем слое 14, вследствие чего выравнивающий слой 14 не будет работать как проводник световых волн, для эффективного снижения помех для световых волн пиксельного блока по направлению к смежному пиксельному блоку, с повышением, таким образом, качества отображения устройства отображения, обеспеченного подложкой матрицы.
[0060] В некоторых вариантах воплощения настоящего раскрытия дополнительно обеспечено устройство отображения, содержащее подложку матрицы, обеспеченную вышеуказанными вариантами воплощения. Подложка матрицы устройства отображения обладает теми же преимуществами, что и подложка матрицы, обеспеченная вышеуказанными вариантами воплощения, что не будет описано подробно в настоящей работе.
[0061] Устройство отображения, обеспеченное вышеуказанными вариантами воплощения, может представлять собой продукт или компонент, обладающий функцией отображения, такой как мобильный телефон, планшетный компьютер, телевизор, дисплей, компактный компьютер, цифровую фоторамку и навигатор.
[0062] В вышеприведенном описании воплощений, конкретные признаки, структуры, материалы или характеристики могут быть скомбинированы в любом одном или более вариантах воплощения или примерах надлежащими способами.
[0063] Выше приведены необязательные варианты воплощения настоящего раскрытия. Следует отметить, что обычные специалисты в данной области техники могут создать различные усовершенствования и модификации, не отступая от принципа настоящего раскрытия, и эти усовершенствования и модификации следует рассматривать как попадающие в объем правовой охраны настоящего раскрытия.
Claims (30)
1. Подложка матрицы, содержащая множество пиксельных блоков, расположенных в матрице, причем каждый пиксельный блок содержит светоизлучающий блок и слой ограничения пикселя, расположенный вокруг светоизлучающего блока; при этом в по меньшей мере одном из пиксельных блоков канавка для разделения световых волн обеспечена в слое ограничения пикселя на по меньшей мере одной стороне светоизлучающего блока и блокирующий световые волны слой обеспечен в канавке для разделения световых волн,
причем канавки для разделения световых волн содержат строчные канавки для разделения световых волн, параллельные направлению строк пиксельных блоков, и/или столбцевые канавки для разделения световых волн, параллельные направлению столбцов пиксельных блоков; при этом
длина строчной канавки для разделения световых волн вдоль направления строк пиксельных блоков больше или равна длине светоизлучающего блока вдоль направления строк пиксельных блоков и
длина столбцевой канавки для разделения световых волн вдоль направления столбцов пиксельных блоков больше или равна длине светоизлучающего блока вдоль направления столбцов пиксельных блоков.
2. Подложка матрицы по п. 1, в которой
канавка для разделения световых волн кругообразно окружает светоизлучающий блок в пиксельном блоке или
канавка для разделения световых волн расположена линейно на по меньшей мере одной стороне светоизлучающего блока в пиксельном блоке.
3. Подложка матрицы по п. 1, в которой
смежные строчные канавки для разделения световых волн в одной и той же строке сообщаются друг с другом и/или
смежные столбцевые канавки для разделения световых волн в одном и том же столбце сообщаются друг с другом.
4. Подложка матрицы по любому из пп. 1-3, в которой светоизлучающий блок представляет собой органический светоизлучающий диод (ОСИД), содержащий анод и катод, расположенные друг напротив друга, и светоизлучающий слой ОСИД между анодом и катодом; и
блокирующий световые волны слой представляет собой удлиненную часть катода.
5. Подложка матрицы по п. 4, в которой выравнивающий слой и/или пассивирующий слой расположены на стороне анода, обращенной от катода, канавка для разделения световых волн продолжается в выравнивающий слой и/или пассивирующий слой и удлиненная часть канавки для разделения световых волн представляет собой удлиненный желобок.
6. Подложка матрицы по п. 1, в которой подложка матрицы содержит красные пиксельные блоки, зеленые пиксельные блоки, синие пиксельные блоки и белые пиксельные блоки; группа пиксельных блоков, состоящая из красного пиксельного блока, зеленого пиксельного блока и синего пиксельного блока, обеспечена на каждой из двух сторон каждого белого пиксельного блока вдоль направления строк пиксельных блоков или направления столбцов пиксельных блоков, и белый пиксельный блок расположен так, чтобы он был смежным с красным пиксельным блоком, зеленым пиксельным блоком или синим пиксельным блоком группы пиксельных блоков; при этом
по меньшей мере один из пиксельных блоков, обеспеченных канавкой для разделения световых волн, представляет собой белый пиксельный блок и
светоизлучающий блок в белом пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения.
7. Подложка матрицы по п. 1, в которой подложка матрицы содержит красные пиксельные блоки, зеленые пиксельные блоки, синие пиксельные блоки и белые пиксельные блоки; группа пиксельных блоков, состоящая из красного пиксельного блока, зеленого пиксельного блока и синего пиксельного блока, обеспечена на каждой из двух сторон каждого белого пиксельного блока вдоль направления строк пиксельных блоков или направления столбцов пиксельных блоков и белый пиксельный блок расположен так, чтобы он был смежным с красным пиксельным блоком, зеленым пиксельным блоком или синим пиксельным блоком группы пиксельных блоков; при этом
по меньшей мере один из пиксельных блоков, обеспеченных канавкой для разделения световых волн, представляет собой красный пиксельный блок, смежный с белым пиксельным блоком; или
по меньшей мере один из пиксельных блоков, обеспеченных канавкой для разделения световых волн, представляет собой зеленый пиксельный блок, смежный с белым пиксельным блоком; или
по меньшей мере один из пиксельных блоков, обеспеченных канавкой для разделения световых волн, представляет собой синий пиксельный блок, смежный с белым пиксельным блоком; и
светоизлучающий блок в белом пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения.
8. Подложка матрицы по п. 6 или 7, в которой
ортогональная проекция канавки для разделения световых волн на подложку матрицы не накладывается на ортогональную проекцию промежутка между любыми двумя из красного пиксельного блока, зеленого пиксельного блока и синего пиксельного блока в группе пиксельных блоков на подложку матрицы.
9. Подложка матрицы по п. 6 или 7, в которой
светоизлучающий блок в красном пиксельном блоке представляет собой ОСИД красного свечения; светоизлучающий блок в зеленом пиксельном блоке представляет собой ОСИД зеленого свечения; а светоизлучающий блок в синем пиксельном блоке представляет собой ОСИД синего свечения.
10. Подложка матрицы по п. 6 или 7, в которой
светоизлучающий блок в красном пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения и красный пиксельный блок дополнительно содержит фильтр красного цвета, обеспеченный на стороне выхода света ОСИД белого свечения;
светоизлучающий блок в зеленом пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения и зеленый пиксельный блок дополнительно содержит фильтр зеленого цвета, обеспеченный на стороне выхода света ОСИД белого свечения; и
светоизлучающий блок в синем пиксельном блоке представляет собой ОСИД белого свечения и синий пиксельный блок дополнительно содержит фильтр синего цвета, обеспеченный на стороне выхода света ОСИД белого свечения.
11. Устройство отображения, содержащее подложку матрицы по любому из пп. 1-10.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721137287.8 | 2017-09-06 | ||
| CN201721137287.8U CN207116483U (zh) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 一种阵列基板及显示装置 |
| PCT/CN2018/099326 WO2019047661A1 (zh) | 2017-09-06 | 2018-08-08 | 阵列基板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2745826C1 true RU2745826C1 (ru) | 2021-04-01 |
Family
ID=61587035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019115831A RU2745826C1 (ru) | 2017-09-06 | 2018-08-08 | Подложка матрицы и устройство отображения |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11430841B2 (ru) |
| EP (1) | EP3680946B1 (ru) |
| JP (1) | JP7452775B2 (ru) |
| KR (1) | KR20190058608A (ru) |
| CN (1) | CN207116483U (ru) |
| AU (1) | AU2018328448B2 (ru) |
| BR (1) | BR112019010409A2 (ru) |
| MX (1) | MX2019006101A (ru) |
| RU (1) | RU2745826C1 (ru) |
| WO (1) | WO2019047661A1 (ru) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN207116483U (zh) * | 2017-09-06 | 2018-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| CN110233168B (zh) * | 2018-06-22 | 2023-10-27 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示器 |
| CN108807494B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-09-14 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| KR20200039875A (ko) * | 2018-10-05 | 2020-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102653342B1 (ko) | 2019-05-20 | 2024-04-02 | 현대모비스 주식회사 | 자율 주행 장치 및 방법 |
| KR20220045037A (ko) | 2019-09-18 | 2022-04-12 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 |
| CN110806655B (zh) * | 2019-11-21 | 2022-11-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种调光器件及柔性显示器 |
| CN111048568B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-06-03 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111162095B (zh) * | 2020-01-02 | 2022-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| JP7101204B2 (ja) | 2020-01-31 | 2022-07-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN112117357B (zh) | 2020-09-17 | 2022-03-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN116134173A (zh) | 2020-09-18 | 2023-05-16 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、记录介质及基板处理装置 |
| JP7307038B2 (ja) | 2020-09-23 | 2023-07-11 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2022064549A1 (ja) | 2020-09-23 | 2022-03-31 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、記録媒体及び基板処理装置 |
| KR20220111814A (ko) * | 2021-02-02 | 2022-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN114975514A (zh) * | 2021-02-19 | 2022-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板 |
| KR20240038105A (ko) | 2021-09-08 | 2024-03-22 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
| JP7387685B2 (ja) | 2021-09-17 | 2023-11-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム、および基板処理装置 |
| KR20240128879A (ko) * | 2021-12-29 | 2024-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| WO2024134878A1 (ja) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020089497A1 (en) * | 1997-08-29 | 2002-07-11 | Seiko Epson Corporation | Active matrix display device |
| US20020101152A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20060155784A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-13 | Microsoft Corporation | Method and system of previewing a volume revert operation |
| US20080220683A1 (en) * | 2002-12-20 | 2008-09-11 | Jae-Bon Koo | Luminance improved organic electroluminescent device |
| US8754577B2 (en) * | 1999-12-15 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4465132B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2010-05-19 | パイオニア株式会社 | ディスプレイパネル |
| JP3943901B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 自己発光表示装置 |
| US7535163B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-05-19 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same |
| KR102069193B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2020-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 |
| JP6159946B2 (ja) | 2013-10-09 | 2017-07-12 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| KR102356592B1 (ko) * | 2014-11-03 | 2022-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20160066650A (ko) * | 2014-12-02 | 2016-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
| KR102458864B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2022-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| US10374197B2 (en) * | 2015-10-30 | 2019-08-06 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device with micro lenses |
| KR102419033B1 (ko) | 2015-12-28 | 2022-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치 |
| CN105511129B (zh) * | 2016-01-28 | 2019-07-16 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的测试方法 |
| CN107134543B (zh) * | 2017-04-24 | 2019-05-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及制造方法、显示装置 |
| CN109411619B (zh) * | 2017-08-17 | 2020-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN207116483U (zh) | 2017-09-06 | 2018-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
-
2017
- 2017-09-06 CN CN201721137287.8U patent/CN207116483U/zh active Active
-
2018
- 2018-08-08 RU RU2019115831A patent/RU2745826C1/ru active
- 2018-08-08 EP EP18853703.9A patent/EP3680946B1/en active Active
- 2018-08-08 KR KR1020197012585A patent/KR20190058608A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-08-08 JP JP2019522978A patent/JP7452775B2/ja active Active
- 2018-08-08 BR BR112019010409A patent/BR112019010409A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2018-08-08 WO PCT/CN2018/099326 patent/WO2019047661A1/zh unknown
- 2018-08-08 MX MX2019006101A patent/MX2019006101A/es unknown
- 2018-08-08 AU AU2018328448A patent/AU2018328448B2/en active Active
- 2018-08-08 US US16/330,694 patent/US11430841B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020089497A1 (en) * | 1997-08-29 | 2002-07-11 | Seiko Epson Corporation | Active matrix display device |
| US8754577B2 (en) * | 1999-12-15 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| US20020101152A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20080220683A1 (en) * | 2002-12-20 | 2008-09-11 | Jae-Bon Koo | Luminance improved organic electroluminescent device |
| US20060155784A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-13 | Microsoft Corporation | Method and system of previewing a volume revert operation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210343803A1 (en) | 2021-11-04 |
| WO2019047661A1 (zh) | 2019-03-14 |
| US11430841B2 (en) | 2022-08-30 |
| JP2020532820A (ja) | 2020-11-12 |
| BR112019010409A2 (pt) | 2019-09-03 |
| EP3680946B1 (en) | 2024-07-31 |
| MX2019006101A (es) | 2019-08-21 |
| EP3680946A4 (en) | 2021-08-04 |
| AU2018328448B2 (en) | 2020-05-14 |
| JP7452775B2 (ja) | 2024-03-19 |
| CN207116483U (zh) | 2018-03-16 |
| EP3680946A1 (en) | 2020-07-15 |
| KR20190058608A (ko) | 2019-05-29 |
| AU2018328448A1 (en) | 2019-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2745826C1 (ru) | Подложка матрицы и устройство отображения | |
| CN109524568B (zh) | 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置 | |
| KR101805552B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR101818423B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR102676050B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| US9935157B2 (en) | OLED display | |
| US10269777B2 (en) | Display apparatus comprising reflection structure | |
| US9887246B2 (en) | Organic light emitting display panel and device with a black bank in a planarization layer | |
| KR20220124667A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20170052455A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| JP6625835B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR20140124614A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102400751B1 (ko) | 전계발광 표시장치 | |
| US10629667B2 (en) | Light-emitting device comprising first light-shielding layer having first opening and second light-shielding layer having second opening corresponding to the first opening | |
| JP2016119185A (ja) | 画像表示装置 | |
| WO2018205590A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
| KR20150129551A (ko) | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20160066680A (ko) | 복합층 구조의 차광층을 구비한 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 | |
| GB2570575A (en) | Light-emitting display device | |
| JP2015149231A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR101957145B1 (ko) | 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20160067314A (ko) | 광 도파 구조의 차광층을 구비한 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 | |
| KR101968570B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| US20240215367A1 (en) | Display substrate and display device | |
| KR20240098733A (ko) | 표시 장치 |