RU2732950C1 - Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction - Google Patents

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction Download PDF

Info

Publication number
RU2732950C1
RU2732950C1 RU2020115042A RU2020115042A RU2732950C1 RU 2732950 C1 RU2732950 C1 RU 2732950C1 RU 2020115042 A RU2020115042 A RU 2020115042A RU 2020115042 A RU2020115042 A RU 2020115042A RU 2732950 C1 RU2732950 C1 RU 2732950C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
field
error signal
control
source
Prior art date
Application number
RU2020115042A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Дмитрий Геннадьевич Дроздов
Олег Владимирович Дворников
Илья Викторович Пахомов
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority to RU2020115042A priority Critical patent/RU2732950C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2732950C1 publication Critical patent/RU2732950C1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: physics.
SUBSTANCE: invention relates to secondary power sources and can be used in the structure of analogue and digital microcircuits operating in cryogenic temperatures and radiation effects. Technical result of the claimed invention is creation of conditions in the architecture of the known degenerative voltage stabilizer (DVS) on the CMOS field transistors at which it becomes possible to use JFET transistors and, as a result, reliable operation of the device in heavy operating conditions. Besides, created JFET DVS will have one more additional positive quality - voltage on gate of its JFET control element with n-channel will be less than output voltage of DVS. Technical result of claimed invention is achieved due to that low-temperature and radiation-stable compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control pn junction (Fig. 2) comprises first (1) power supply bus, output of device (2), output field transistor (3) of control element, source of which is connected to device output (2), and drain is connected to first (1) power supply bus, differential error signal amplifier (4) with first (5) and second (6) current outputs and common source circuit (7), second (8) power supply bus, current mirror (9), input of which is connected to first (5) current output of the differential error signal amplifier (4), inverting output is connected to second (6) current output of the differential error signal amplifier (4), wherein current mirror (9) has non-inverting output (10), resistive voltage divider (11), which input is connected to device (2) output, and output is connected to inverting differential signal amplifier (4) inverting input (12), reference voltage source (13) connected to non-inverting input (14) of differential error signal amplifier (4). Circuit includes first (15) additional field-effect transistor, drain of which is connected to second (8) power supply bus, gate is connected to second (6) current output of differential error signal amplifier (4), and source is connected to gate of output field transistor (3) of control element and is connected to device (2) output through additional resistor (16), wherein all said field transistors used are field-effect transistors with p-n control junction.
EFFECT: invention significantly simplifies control circuit of JFET control element and creates optimum conditions for potential matching in degenerative voltage stabilizer scheme, when maximum voltages on all other active elements of DVS are less than its output voltage; and this is impossible in CMOS DVS.
8 cl, 14 dwg

Description

Изобретение относится к области вторичных источников электропитания (ВИЭП) и может быть использовано в структуре аналоговых и цифровых микросхем, работающих в условиях криогенных температур и воздействия радиации.The invention relates to the field of secondary power supplies (RES) and can be used in the structure of analog and digital microcircuits operating in cryogenic temperatures and exposure to radiation.

В современной микроэлектронике, в задачах космического приборостроения и низкотемпературных интерфейсах широко применяются компенсационные стабилизаторы напряжения (КСН), имеющие классическую архитектуру (источник опорного напряжения, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования и регулирующий элемент). Известно два класса КСН – с высокоомным выходом регулирующего элемента [1-15] и низкоомным выходом регулирующего элемента [16-22], каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. Следует отметить, что в КСН на полевых транзисторах наиболее популярна структура с высокоомным выходом, что обусловлено физическими свойствами применяемых КМОП транзисторов с n-каналом. В то же время КМОП КСН с истоковым выходом [16-22] применяется значительно реже, что связано с необходимостью специального построения цепей управления такого РЭ. In modern microelectronics, in problems of space instrumentation and low-temperature interfaces, compensation voltage stabilizers (VSC) are widely used, which have a classical architecture (reference voltage source, differential amplifier of the error signal and a regulating element). There are two classes of KCHs - with a high-resistance output of the control element [1-15] and a low-resistance output of the control element [16-22], each of which has its own advantages and disadvantages. It should be noted that a structure with a high-impedance output is the most popular in KCHs based on field-effect transistors, which is due to the physical properties of the n-channel CMOS transistors used. At the same time, CMOS KCH with a source output [16-22] is used much less frequently, which is associated with the need for a special construction of control circuits for such an electronic device.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является компенсационный стабилизатор напряжения на КМОП полевых транзисторах, представленный в статье A. Maity, R. G. Raghavendra and P. Mandal, "On-chip voltage regulator with improved transient response," 18th International Conference on VLSI Design held jointly with 4th International Conference on Embedded Systems Design, Kolkata, India, 2005, pp. 522-527, fig. 2. doi: 10.1109/ICVD.2005.130. Он содержит (фиг. 1) первую 1 шину источника питания, выход устройства 2, выходной полевой транзистор 3 регулирующего элемента, исток которого соединен с выходом 2 устройства, а сток подключен к первой 1 шине источника питания, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования 4 с первым 5 и вторым 6 токовыми выходами и общей истоковой цепью 7, вторую 8 шину источника питания, токовое зеркало 9, вход которого соединен с первым 5 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, инвертирующий выход связан со вторым 6 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, причем токовое зеркало 9 имеет неинвертирующий выход 10, резистивный делитель напряжения 11, вход которого соединен с выходом устройства 2, а выход подключен к инвертирующему входу 12 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, источник опорного напряжения 13, соединенный с неинвертирующим входом 14 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4.The closest in technical essence to the claimed device is a compensation voltage regulator on CMOS field-effect transistors, presented in the article A. Maity, RG Raghavendra and P. Mandal, "On-chip voltage regulator with improved transient response," 18th International Conference on VLSI Design held jointly with 4th International Conference on Embedded Systems Design, Kolkata, India, 2005, pp. 522-527, fig. 2.doi: 10.1109 / ICVD.2005.130. It contains (Fig. 1) the first 1 bus of the power supply, the output of the device 2, the output field-effect transistor 3 of the regulating element, the source of which is connected to the output 2 of the device, and the drain is connected to the first 1 bus of the power supply, the differential amplifier of the error signal 4 with the first 5 and the second 6 current outputs and a common source circuit 7, the second 8 bus of the power supply, the current mirror 9, the input of which is connected to the first 5 current output of the differential error signal amplifier 4, the inverting output is connected to the second 6 current output of the differential error signal amplifier 4, and current mirror 9 has a non-inverting output 10, a resistive voltage divider 11, the input of which is connected to the output of device 2, and the output is connected to the inverting input 12 of the differential error signal amplifier 4, a reference voltage source 13 connected to the non-inverting input 14 of the differential error signal amplifier 4.

Существенный недостаток известного КСН состоит в том, что при его реализации на КМОП полевых транзисторах не обеспечивается устойчивая работа схемы в диапазоне криогенных температур и воздействии проникающей радиации. Это связано со свойствами КМОП транзисторов, которые неудовлетворительно работают в данных тяжелых условиях эксплуатации, либо требуют специальных конструктивно-технологических решений [23]. В то же время полевые транзисторы с управляющим p-n переходом лишены данных недостатков и могут работать при высоком уровне потока нейтронов, а также при криогенных температурах [23]. Однако, формальное применение JFET в классических СН невозможно в связи с тем, что полярность напряжения между их истоком и затвором противоположна полярности напряжения между истоком и стоком. Для решения данной задачи необходимы новые схемотехнические решения и архитектуры КСН, адаптированные под применение JFET транзисторов. Эта задача решается в заявляемом устройстве. A significant disadvantage of the known CSC is that when it is implemented on CMOS field-effect transistors, stable operation of the circuit in the range of cryogenic temperatures and exposure to penetrating radiation is not ensured. This is due to the properties of CMOS transistors, which operate unsatisfactorily in these severe operating conditions, or require special design and technological solutions [23]. At the same time, field-effect transistors with a control pn junction are devoid of these disadvantages and can operate at a high level of neutron flux, as well as at cryogenic temperatures [23]. However, the formal application of JFETs in classical MV is impossible due to the fact that the polarity of the voltage between their source and gate is opposite to the polarity of the voltage between the source and drain. To solve this problem, new circuitry solutions and STV architectures are needed, adapted for the use of JFET transistors. This problem is solved in the claimed device.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании условий в архитектуре известного КСН на КМОП полевых транзисторах, при которых становится возможным применение JFET транзисторов и, как следствие, обеспечивается надежная работа устройства в тяжелых условиях эксплуатации. Кроме этого, создаваемые JFET КСН будут иметь еще одно дополнительное положительное качество – напряжение на затворе его JFET регулирующего элемента с n-каналом будет меньше выходного напряжения КСН. Это существенно упрощает цепи управления JFET регулирующим элементом и создает оптимальные условия для согласования потенциалов в схеме КСН, когда максимальные напряжения на всех других активных элементах КСН меньше, чем его выходное напряжение. В КМОП КСН это принципиально невозможно. The main objective of the present invention is to create conditions in the architecture of the well-known SVC on CMOS field-effect transistors, in which it becomes possible to use JFET transistors and, as a consequence, ensure reliable operation of the device in severe operating conditions. In addition, the JFET-created PSCs will have one more additional positive quality - the voltage at the gate of its JFET regulating element with n-channel will be less than the output voltage of the PSC. This greatly simplifies the control circuits of the JFET by the regulating element and creates optimal conditions for matching the potentials in the PSC circuit, when the maximum voltages on all other active PSC elements are less than its output voltage. In CMOS IOS this is fundamentally impossible.

Поставленная задача решается тем, что в стабилизаторе напряжения фиг. 1, содержащем первую 1 шину источника питания, выход устройства 2, выходной полевой транзистор 3 регулирующего элемента, исток которого соединен с выходом 2 устройства, а сток подключен к первой 1 шине источника питания, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования 4 с первым 5 и вторым 6 токовыми выходами и общей истоковой цепью 7, вторую 8 шину источника питания, токовое зеркало 9, вход которого соединен с первым 5 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, инвертирующий выход связан со вторым 6 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, причем токовое зеркало 9 имеет неинвертирующий выход 10, резистивный делитель напряжения 11, вход которого соединен с выходом устройства 2, а выход подключен к инвертирующему входу 12 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, источник опорного напряжения 13, соединенный с неинвертирующим входом 14 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, предусмотрены новые элементы и связи – в схему введен первый 15 дополнительный полевой транзистор, сток которого подключен ко второй 8 шине источника питания, затвор соединен с вторым 6 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, а исток связан с затвором выходного полевого транзистора 3 регулирующего элемента и соединен с выходом устройства 2 через дополнительный резистор 16, причем в качестве всех упомянутых выше полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.The problem is solved by the fact that in the voltage regulator of FIG. 1, containing the first 1 bus of the power supply, the output of the device 2, the output field-effect transistor 3 of the regulating element, the source of which is connected to the output 2 of the device, and the drain is connected to the first 1 bus of the power supply, the differential amplifier of the error signal 4 with the first 5 and the second 6 current outputs and a common source circuit 7, the second 8 bus of the power supply, the current mirror 9, the input of which is connected to the first 5 current output of the differential amplifier of the error signal 4, the inverting output is connected to the second 6 current output of the differential amplifier of the error signal 4, and the current mirror 9 has non-inverting output 10, resistive voltage divider 11, the input of which is connected to the output of device 2, and the output is connected to the inverting input 12 of the differential error signal amplifier 4, the reference voltage source 13 connected to the non-inverting input 14 of the differential error signal amplifier 4, new elements are provided elements and connections - the first 15 additional field-effect transistor is introduced into the circuit, the drain of which is connected to the second 8 bus of the power source, the gate is connected to the second 6 current output of the differential amplifier of the error signal 4, and the source is connected to the gate of the output field-effect transistor 3 of the regulating element and is connected to the output of device 2 through an additional resistor 16, and as all the above-mentioned field-effect transistors used field-effect transistors with a control pn junction.

На чертеже фиг. 1 показана схема стабилизатора напряжения – прототипа.In the drawing, FIG. 1 shows a prototype voltage regulator circuit.

На чертеже фиг. 2 представлена схема заявляемого стабилизатора напряжения в соответствии с п. 1, п. 2 формулы изобретения, а на чертеже фиг. 3 - в соответствии с п.3 формулы изобретения.In the drawing, FIG. 2 shows a diagram of the inventive voltage stabilizer in accordance with clause 1, clause 2 of the claims, and in the drawing of FIG. 3 - in accordance with claim 3 of the claims.

На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого стабилизатора напряжения в соответствии с п. 4 формулы изобретения для случая, когда усилитель сигнала рассогласования 4 реализован на полевых транзисторах 18, 19 и источнике опорного тока 17, а неуправляемое токовое зеркало 9 выполняет функции активной динамической нагрузки 25.In the drawing, FIG. 4 shows a diagram of the inventive voltage stabilizer in accordance with clause 4 of the claims for the case when the mismatch signal amplifier 4 is implemented on field-effect transistors 18, 19 and a reference current source 17, and the uncontrolled current mirror 9 performs the functions of an active dynamic load 25.

На чертеже фиг. 5 показана схема заявляемого стабилизатора напряжения в соответствии с п. 5 формулы изобретения, а на чертеже фиг. 6 - в соответствии с п. 6 формулы изобретения.In the drawing, FIG. 5 shows a diagram of the inventive voltage stabilizer in accordance with claim 5 of the claims, and in the drawing FIG. 6 - in accordance with claim 6 of the claims.

На чертеже фиг. 7 представлена схема заявляемого стабилизатора напряжения в соответствии с п. 7 формулы изобретения, а на чертеже фиг. 8 - в соответствии с п. 8 формулы изобретения.In the drawing, FIG. 7 shows a diagram of the inventive voltage stabilizer in accordance with clause 7 of the claims, and in the drawing FIG. 8 - in accordance with claim 8 of the claims.

На чертеже фиг. 9 приведен статический режим стабилизатора фиг. 3 в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» при -197°С, R1=2 кОм, V3=5 В, V2=1.5 В, I1=1 мА, I2=500 мкА. In the drawing, FIG. 9 shows the static mode of the stabilizer of FIG. 3 in LTSpice environment on CJFet models of transistors of JSC "Integral" at -197 ° С, R1 = 2 kOhm, V3 = 5 V, V2 = 1.5 V, I 1 = 1 mA, I 2 = 500 μA.

На чертеже фиг. 10 показана нагрузочная характеристика стабилизатора напряжения фиг. 9. Следует заметить, что для получения более высоких значений максимального тока в нагрузке в заявляемом КСН целесообразно параллельное включение нескольких элементарных JFET.In the drawing, FIG. 10 shows the load characteristic of the voltage regulator of FIG. 9. It should be noted that to obtain higher values of the maximum current in the load in the claimed SVC, it is advisable to connect several elementary JFETs in parallel.

На чертеже фиг. 11 представлен статический режим стабилизатора фиг. 6 в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» при 27°С, R1=2 кОм, V3=5 В, V2=2 В, V4=3 В, I1=1 мА, I2=500 мкА.In the drawing, FIG. 11 shows the static mode of the stabilizer of FIG. 6 in LTSpice environment on CJFet models of transistors of JSC "Integral" at 27 ° С, R1 = 2 kOhm, V3 = 5 V, V2 = 2 V, V4 = 3 V, I1 = 1 mA, I2 = 500 μA.

На чертеже фиг. 12 приведена нагрузочная характеристика стабилизатора напряжения фиг. 11.In the drawing, FIG. 12 shows the load characteristic of the voltage regulator of FIG. eleven.

На чертеже фиг. 13 показан статический режим стабилизатора фиг. 8 в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» при 27°С, R1=R2=20 кОм, R3=2 кОм, R4=R5=10 кОм, V3=5 В.In the drawing, FIG. 13 shows the static mode of the stabilizer of FIG. 8 in the LTSpice environment on CJFet models of transistors of JSC "Integral" at 27 ° C, R1 = R2 = 20 kOhm, R3 = 2 kOhm, R4 = R5 = 10 kOhm, V3 = 5 V.

На чертеже фиг. 14 представлена нагрузочная характеристика стабилизатора напряжения фиг. 13 .In the drawing, FIG. 14 shows the load characteristic of the voltage regulator of FIG. thirteen .

Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом фиг. 2 содержит первую 1 шину источника питания, выход устройства 2, выходной полевой транзистор 3 регулирующего элемента, исток которого соединен с выходом 2 устройства, а сток подключен к первой 1 шине источника питания, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования 4 с первым 5 и вторым 6 токовыми выходами и общей истоковой цепью 7, вторую 8 шину источника питания, токовое зеркало 9, вход которого соединен с первым 5 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, инвертирующий выход связан со вторым 6 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, причем токовое зеркало 9 имеет неинвертирующий выход 10, резистивный делитель напряжения 11, вход которого соединен с выходом устройства 2, а выход подключен к инвертирующему входу 12 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, источник опорного напряжения 13, соединенный с неинвертирующим входом 14 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4. В схему введен первый 15 дополнительный полевой транзистор, сток которого подключен ко второй 8 шине источника питания, затвор соединен с вторым 6 токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, а исток связан с затвором выходного полевого транзистора 3 регулирующего элемента и соединен с выходом устройства 2 через дополнительный резистор 16, причем в качестве всех упомянутых выше полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Кроме этого, в схеме фиг. 2 дифференциальный усилитель сигнала рассогласования 4 реализован в частном случае на вспомогательном источнике опорного тока 17, первом 18 и втором 19 вспомогательных полевых транзисторах, а резистивный делитель напряжения 11 реализован по традиционной схеме на первом 20 и втором 21 дополнительных резисторах. Двухполюсник 22 в схеме фиг. 2 моделирует свойства нагрузки КСН.Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage regulator on complementary field-effect transistors with a control pn junction of FIG. 2 contains the first 1 bus of the power supply, the output of the device 2, the output field-effect transistor 3 of the regulating element, the source of which is connected to the output 2 of the device, and the drain is connected to the first 1 bus of the power supply, the differential amplifier of the error signal 4 with the first 5 and second 6 current outputs and a common source circuit 7, the second 8 bus of the power supply, the current mirror 9, the input of which is connected to the first 5 current output of the differential error signal amplifier 4, the inverting output is connected to the second 6 current output of the differential error signal amplifier 4, and the current mirror 9 has a non-inverting output 10, a resistive voltage divider 11, the input of which is connected to the output of device 2, and the output is connected to the inverting input 12 of the differential error signal amplifier 4, a reference voltage source 13 connected to the non-inverting input 14 of the differential error signal amplifier 4. The first 15 is introduced into the circuit. add An additional field-effect transistor, the drain of which is connected to the second 8 bus of the power supply, the gate is connected to the second 6 current output of the differential amplifier of the error signal 4, and the source is connected to the gate of the output field-effect transistor 3 of the control element and is connected to the output of the device 2 through an additional resistor 16, and as all the above-mentioned field-effect transistors, field-effect transistors with a control pn junction are used. In addition, in the circuit of FIG. 2, the differential amplifier of the error signal 4 is implemented in a particular case on the auxiliary source of the reference current 17, the first 18 and second 19 auxiliary field-effect transistors, and the resistive voltage divider 11 is implemented according to the traditional scheme on the first 20 and second 21 additional resistors. The two-terminal device 22 in the circuit of FIG. 2 simulates the load properties of the SPV.

На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, исток первого 15 дополнительного полевого транзистора связан через цепь смещения потенциалов 23 с затвором выходного полевого транзистора 3 регулирующего элемента и соединен с выходом устройства 2 через дополнительный резистор 16.In the drawing, FIG. 2, in accordance with claim 2 of the claims, the source of the first 15 additional field-effect transistor is connected through the potential bias circuit 23 with the gate of the output field-effect transistor 3 of the control element and is connected to the output of the device 2 through an additional resistor 16.

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, цепь смещения потенциалов 23 выполнена на втором 24 дополнительном транзисторе, исток которого подключен к истоку первого 15 дополнительного полевого транзистора, затвор соединен со второй 8 шиной источника питания, а сток связан с затвором выходного полевого транзистора 3 регулирующего элемента и через дополнительный резистор 16 подключен к выходу устройства 2.In the drawing, FIG. 3, in accordance with claim 3 of the claims, the potential bias circuit 23 is made on the second 24 additional transistor, the source of which is connected to the source of the first 15 additional field-effect transistor, the gate is connected to the second 8 bus of the power source, and the drain is connected to the gate of the output field-effect transistor 3 regulating elements and through an additional resistor 16 is connected to the output of device 2.

На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, в качестве токового зеркала 9 используется неуправляемое токовое зеркало, выполняющее по выходу функции активной динамической нагрузки 25 и имеющее высокое выходное сопротивление. В данной схеме общая истоковая цепь 7 ДУ соединена с первой 1 шиной источника питания, а усилитель сигнала рассогласования 4 реализован на полевых транзисторах 18, 19 и источнике опорного тока 17.In the drawing, FIG. 4, in accordance with claim 4 of the claims, an uncontrolled current mirror is used as the current mirror 9, which performs the output functions of an active dynamic load 25 and has a high output resistance. In this circuit, the common source circuit 7 of the remote control is connected to the first 1 bus of the power supply, and the error signal amplifier 4 is implemented on field-effect transistors 18, 19 and a reference current source 17.

На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, общая истоковая цепь 7 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4 соединена с выходом устройства 2. При этом дифференциальный усилитель сигнала рассогласования 4 содержит вспомогательный источник опорного тока 17 в виде резистора и первый 18 и второй 19 вспомогательные полевые транзисторы. В схеме фиг. 5 цепь смещения потенциалов 23 реализована в виде стабилитрона или другого источника опорного напряжения, а резистивный делитель напряжения содержит резисторы 20 и 21.In the drawing, FIG. 5, in accordance with claim 5 of the claims, the common source circuit 7 of the differential amplifier of the error signal 4 is connected to the output of the device 2. In this case, the differential amplifier of the error signal 4 contains an auxiliary source of the reference current 17 in the form of a resistor and the first 18 and second 19 auxiliary field transistors. In the circuit in FIG. 5, the potential bias circuit 23 is implemented as a zener diode or other reference voltage source, and the resistive voltage divider contains resistors 20 and 21.

На чертеже фиг. 6, в соответствии с п. 6 формулы изобретения, общая истоковая цепь 7 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4 соединена с первой 1 шиной источника питания, причем дифференциальный усилитель сигнала рассогласования 4 содержит вышеназванные элементы 17, 18, 19. В схеме фиг. 6 неуправляемое токовое зеркало 9 реализовано на активной динамической нагрузке 25 и цепи симметрирования статического режима 26. В частных случаях в качестве цепи симметрирования статического режима 26 может применяться стабилитрон или пассивный резистор, обеспечивающий идентичность напряжений затвор-сток транзисторов 18 и 19. Это уменьшает напряжение смещения нуля усилителя сигнала рассогласования 4. Выходной полевой транзистор 3 регулирующего элемента в схеме фиг. 6 содержит (для получения повышенных уровней токов нагрузки) несколько параллельно включенных элементарных полевых транзисторов или имеет соответствующие геометрические размеры ширины канала. Причем в схеме фиг. 6 делитель напряжения 11 (в частном случае) имеет единичный коэффициент передачи, что обеспечивается соответствующим выбором сопротивления его резистора 20. In the drawing, FIG. 6, in accordance with claim 6 of the claims, the common source circuit 7 of the differential error signal amplifier 4 is connected to the first 1 bus of the power supply, the differential error signal amplifier 4 comprising the aforementioned elements 17, 18, 19. In the circuit of FIG. 6, the uncontrolled current mirror 9 is implemented on an active dynamic load 25 and a static mode balancing circuit 26. In particular cases, a zener diode or a passive resistor can be used as a static mode balancing circuit 26, which ensures the identity of the gate-drain voltages of transistors 18 and 19. This reduces the bias voltage zero of the error signal amplifier 4. The output field-effect transistor 3 of the control element in the circuit of FIG. 6 contains (to obtain increased levels of load currents) several elementary field-effect transistors connected in parallel or has the corresponding geometric dimensions of the channel width. Moreover, in the diagram of FIG. 6, the voltage divider 11 (in a particular case) has a unit transmission coefficient, which is ensured by the appropriate choice of the resistance of its resistor 20.

На чертеже фиг. 7, в соответствии с п. 7 формулы изобретения, неинвертирующий выход 10 токового зеркала 9 соединен с выходом устройства 2, а общая истоковая цепь 7 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4 связана со второй 8 шиной источника питания. Кроме этого, в схеме фиг. 7 резистивный делитель напряжения содержит резисторы 20 и 21. Здесь цепь смещения потенциалов 23 выполнена в виде стабилитрона, а дифференциальный усилитель сигнала рассогласования 4 содержит вспомогательные транзисторы 27, 28, 29, 30, а также вспомогательные резисторы 31 и 32. In the drawing, FIG. 7, in accordance with claim 7, the non-inverting output 10 of the current mirror 9 is connected to the output of the device 2, and the common source circuit 7 of the differential amplifier of the error signal 4 is connected to the second 8 bus of the power supply. In addition, in the circuit of FIG. 7, the resistive voltage divider contains resistors 20 and 21. Here, the potential bias circuit 23 is made in the form of a zener diode, and the differential amplifier of the error signal 4 contains auxiliary transistors 27, 28, 29, 30, as well as auxiliary resistors 31 and 32.

На чертеже фиг. 8, в соответствии с п. 8 формулы изобретения, неинвертирующий выход 10 токового зеркала 9 соединен с первой 1 шиной источника питания, а истоковая цепь 7 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4 подключена ко второй 8 шине источника питания.In the drawing, FIG. 8, in accordance with claim 8 of the claims, the non-inverting output 10 of the current mirror 9 is connected to the first 1 bus of the power supply, and the source circuit 7 of the differential amplifier of the error signal 4 is connected to the second 8 bus of the power supply.

Рассмотрим работу КСН, представленного на чертеже фиг. 5.Consider the operation of the PSC shown in FIG. five.

Источник опорного напряжения 13 в схеме фиг. 5 реализуется по классическим схемам Видлара или в виде традиционного стабилитрона. При этом выходное напряжение КСН в схеме фиг. 5, за счет влияния отрицательной обратной связи, при малых статических ошибках дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, равно опорному напряжению 13. Работоспособность разных модификаций схемы фиг. 5 подтверждается результатами компьютерного моделирования КСН, представленными на чертежах фиг. 10, фиг. 12, фиг. 14.The voltage reference 13 in the circuit of FIG. 5 is implemented according to the classic Widlar circuits or in the form of a traditional zener diode. In this case, the output voltage of the PSC in the circuit of FIG. 5, due to the influence of negative feedback, at small static errors of the differential amplifier of the error signal 4, it is equal to the reference voltage 13. The operability of various modifications of the circuit of FIG. 5 is confirmed by the results of computer simulation of the PSC shown in the drawings of FIG. 10, figs. 12, figs. fourteen.

На чертеже фиг. 5 показана схема заявляемого КСН, имеющего ряд существенных особенностей. Первая особенность состоит в том, что истоковая цепь 7 дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4 здесь связана с выходом устройства 2, напряжение на котором достаточно стабильно (в соответствии с принципом работы КСН) и имеет малый уровень шумов. Данный эффект положительно сказывается на шумах усилителя сигнала рассогласования 4 и позволяет обеспечить высокий уровень подавления помех по шине питания 1. Вторая особенность КСН фиг. 5 состоит в том, что напряжение на затворе полевого транзистора 3 регулирующего элемента более отрицательное, чем напряжение на выходе устройства 2. Это упрощает построение цепей управления регулирующим элементом. In the drawing, FIG. 5 shows a diagram of the claimed SPC, which has a number of significant features. The first feature is that the source circuit 7 of the differential amplifier of the error signal 4 is connected here with the output of the device 2, the voltage on which is quite stable (in accordance with the principle of operation of the KCH) and has a low noise level. This effect has a positive effect on the noise of the mismatch signal amplifier 4 and makes it possible to provide a high level of noise suppression on the power bus 1. The second feature of the VSWR in FIG. 5 is that the voltage at the gate of the field-effect transistor 3 of the regulating element is more negative than the voltage at the output of the device 2. This simplifies the construction of control circuits of the regulating element.

В схеме фиг. 7 используется нетрадиционный вариант построения дифференциального усилителя сигнала рассогласования на транзисторах 27-30. Причем здесь неинвертирующий выход 10 токового зеркала 9 подключен к выходу устройства 2. Это также повышает помехоустойчивость предлагаемого КСН. In the circuit in FIG. 7, an unconventional version of the construction of a differential amplifier of the error signal on transistors 27-30 is used. And here the non-inverting output 10 of the current mirror 9 is connected to the output of the device 2. This also increases the noise immunity of the proposed SPC.

В ряде случаев (фиг. 8) неинвертирующий выход 10 токового зеркала 9 может быть связан непосредственно с шиной питания. Однако в таком варианте включения токового зеркала 9 к данному функциональному узлу КСН предъявляются повышенные требования к величине его выходного сопротивления, оказывающего влияние на подавление помех по шине питания 1.In some cases (Fig. 8) the non-inverting output 10 of the current mirror 9 can be connected directly to the power bus. However, in this variant of switching on the current mirror 9, increased requirements are imposed on the value of its output resistance, which affects the suppression of noise on the power bus 1.

Возможны и другие варианты построения базовых функциональных узлов заявляемого КСН (дифференциального усилителя сигнала рассогласования 4, токового зеркала 9, резистивного делителя напряжения 11, источника опорного напряжения 13), при которых обеспечиваются заявляемые преимущества КСН.Other options for constructing the basic functional units of the inventive STV are possible (differential amplifier of the mismatch signal 4, current mirror 9, resistive voltage divider 11, reference voltage source 13), which provide the claimed advantages of STV.

Таким образом, предлагаемый КСН выполняет свои основные функции в диапазоне криогенных температур, а за счет применения JFET транзисторов характеризуется устойчивостью к проникающей радиации [24].Thus, the proposed SVC performs its main functions in the cryogenic temperature range, and due to the use of JFET transistors, it is characterized by resistance to penetrating radiation [24].

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК BIBLIOGRAPHIC LIST

1. Патентная заявка US 2007/0188228, fig.4, 2007 г.1. Patent application US 2007/0188228, fig. 4, 2007.

2. Патентная заявка US 2010/0033144, fig.1, 2010 г.2. Patent application US 2010/0033144, fig.1, 2010

3. Патент US 7.495.422, fig.4, 2009 г.3. Patent US 7.495.422, fig. 4, 2009

4. Патент US 7.301.315, fig.1, fig.2, fig.4, 2007 г.4. Patent US 7.301.315, fig.1, fig.2, fig.4, 2007

5. Патент US 6.465.994, fig.1, 2002 г.5. US patent 6.465.994, fig. 1, 2002

6. Патент US 6.977.490, fig.1, 2005 г.6. Patent US 6.977.490, fig. 1, 2005

7. Патентная заявка US 2014/0218112, fig.3а, 2014 г.7. Patent application US 2014/0218112, fig.3a, 2014

8. Патент US 7.586.371, fig.2, 2009 г.8. Patent US 7.586.371, fig. 2, 2009

9. Патент US 7.986.188, fig.1-4, 2011 г.9. Patent US 7.986.188, fig. 1-4, 2011

10. Патент US 6.407.537, fig.1-4, 2002 г.10. US patent 6.407.537, fig. 1-4, 2002

11. Патентная заявка US 2007/0200623, fig.7, 2007 г.11. Patent application US 2007/0200623, fig. 7, 2007.

12. Патент US 6.700.360, fig.4, 2004 г.12. Patent US 6.700.360, fig. 4, 2004.

13. Патент US 6.690.228, fig.2, 2004 г.13. Patent US 6.690.228, fig. 2, 2004.

14. Патент US 6.188.211, fig.1, 2001 г.14. US patent 6.188.211, fig.1, 2001

15. Патент US 6.812.590, fig._, 2005 г.15. Patent US 6.812.590, fig._, 2005

16. Патент WO 2010/028430, fig. 2, 2010 г.16. Patent WO 2010/028430, fig. 2, 2010

17. Патентная заявка US 2009/027032, fig. 2, 2009 г.17. Patent application US 2009/027032, fig. 2, 2009

18. Патент US 5.966.006, fig. 2, 1999 г. 18. US patent 5.966.006, fig. 2, 1999

19. Патент US 6.600.305, fig. 6, 2003 г. 19. Patent US 6.600.305, fig. 6, 2003

20. Патент US 6.778.005, fig. 1, fig. 2, 2004г. 20. US patent 6.778.005, fig. 1, fig. 2, 2004

21. Патент US 6.969.982, fig. 2, 2005 г. 21. Patent US 6.969.982, fig. 2, 2005

22. Патент US 6.437.550, fig. 10, 2002 г. 22. Patent US 6.437.550, fig. 10, 2002

23. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 1 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника. - № 4. – 2015. - С. 44-49.23. Creation of low-temperature analog ICs for processing pulse signals from sensors. Part 1 / O. Dvornikov, V. Chekhovsky, V. Dyatlov, N. Prokopenko // Modern electronics. - No. 4. - 2015. - S. 44-49.

24. O. V. Dvornikov, N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin and I. V. Pakhomov, "The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC," 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Moscow, 2016, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2016.7491792.24. OV Dvornikov, NN Prokopenko, NV Butyrlagin and IV Pakhomov, "The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC," 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Moscow, 2016 , pp. 1-6. DOI: 10.1109 / SIBCON.2016.7491792.

Claims (8)

1. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, содержащий первую (1) шину источника питания, выход устройства (2), выходной полевой транзистор (3) регулирующего элемента, исток которого соединен с выходом (2) устройства, а сток подключен к первой (1) шине источника питания, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования (4) с первым (5) и вторым (6) токовыми выходами и общей истоковой цепью (7), вторую (8) шину источника питания, токовое зеркало (9), вход которого соединен с первым (5) токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), инвертирующий выход связан со вторым (6) токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), причем токовое зеркало (9) имеет неинвертирующий выход (10), резистивный делитель напряжения (11), вход которого соединен с выходом устройства (2), а выход подключен к инвертирующему входу (12) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), источник опорного напряжения (13), соединенный с неинвертирующим входом (14) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), отличающийся тем, что в схему введен первый (15) дополнительный полевой транзистор, сток которого подключен ко второй (8) шине источника питания, затвор соединен с вторым (6) токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), а исток связан с затвором выходного полевого транзистора (3) регулирующего элемента и соединен с выходом устройства (2) через дополнительный резистор (16), причем в качестве всех упомянутых выше полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.1. Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage regulator based on complementary field-effect transistors with a control pn junction, containing the first (1) bus of the power supply, the output of the device (2), the output field-effect transistor (3) of the control element, the source of which is connected to the output (2 ) of the device, and the drain is connected to the first (1) bus of the power supply, the differential amplifier of the error signal (4) with the first (5) and second (6) current outputs and a common source circuit (7), the second (8) bus of the power supply, current mirror (9), the input of which is connected to the first (5) current output of the differential error signal amplifier (4), the inverting output is connected to the second (6) current output of the differential error signal amplifier (4), and the current mirror (9) has a non-inverting output (10), resistive voltage divider (11), the input of which is connected to the output of the device (2), and the output is connected to the inverting input (12) of the differential error signal amplifier (4), a reference voltage source (13) connected to the non-inverting input (14) of the differential error signal amplifier (4), characterized in that the first (15) additional field-effect transistor is introduced into the circuit, the drain of which is connected to the second ( 8) the power supply bus, the gate is connected to the second (6) current output of the differential amplifier of the error signal (4), and the source is connected to the gate of the output field-effect transistor (3) of the control element and is connected to the output of the device (2) through an additional resistor (16) , and as all the above-mentioned field-effect transistors used field-effect transistors with a control pn junction. 2. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 1, отличающийся тем, что исток первого (15) дополнительного полевого транзистора связан через цепь смещения потенциалов (23) с затвором выходного полевого транзистора (3) регулирующего элемента и соединен с выходом устройства (2) через дополнительный резистор (16).2. Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage stabilizer on complementary field-effect transistors with a control pn junction according to claim 1, characterized in that the source of the first (15) additional field-effect transistor is connected through a potential bias circuit (23) with the gate of the output field-effect transistor (3 ) of the control element and is connected to the device output (2) through an additional resistor (16). 3. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 2, отличающийся тем, что цепь смещения потенциалов (23) выполнена на втором (24) дополнительном транзисторе, исток которого подключен к истоку первого (15) дополнительного полевого транзистора, затвор соединен со второй (8) шиной источника питания, а сток связан с затвором выходного полевого транзистора (3) регулирующего элемента и через дополнительный резистор (16) подключен к выходу устройства (2).3. Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage stabilizer on complementary field-effect transistors with a control pn junction according to claim 2, characterized in that the potential bias circuit (23) is made on the second (24) additional transistor, the source of which is connected to the source of the first (15 ) of an additional field-effect transistor, the gate is connected to the second (8) bus of the power source, and the drain is connected to the gate of the output field-effect transistor (3) of the control element and through an additional resistor (16) is connected to the output of the device (2). 4. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 3, отличающийся тем, что в качестве токового зеркала (9) используется неуправляемое токовое зеркало, выполняющее по выходу функции активной динамической нагрузки (25) и имеет высокое выходное сопротивление.4. Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage stabilizer on complementary field-effect transistors with a control pn junction according to claim 3, characterized in that an uncontrolled current mirror is used as the current mirror (9), which performs the function of an active dynamic load (25) at the output and has a high output impedance. 5. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 2, отличающийся тем, что общая истоковая цепь (7) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4) соединена с выходом устройства (2).5. Low-temperature and radiation-resistant compensating voltage stabilizer on complementary field-effect transistors with a control pn junction according to claim 2, characterized in that the common source circuit (7) of the differential amplifier of the error signal (4) is connected to the output of the device (2). 6. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 1, отличающийся тем, что общая истоковая цепь (7) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4) соединена с первой (1) шиной источника питания.6. Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage regulator on complementary field-effect transistors with a control pn junction according to claim 1, characterized in that the common source circuit (7) of the differential amplifier of the error signal (4) is connected to the first (1) bus of the power supply. 7. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 2, отличающийся тем, что неинвертирующий выход (10) токового зеркала (9) соединен с выходом устройства (2), а общая истоковая цепь (7) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4) связана со второй (8) шиной источника питания.7. Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage stabilizer on complementary field-effect transistors with a control pn junction according to claim 2, characterized in that the non-inverting output (10) of the current mirror (9) is connected to the output of the device (2), and the common source circuit ( 7) of the differential amplifier of the error signal (4) is connected to the second (8) bus of the power supply. 8. Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 1, отличающийся тем, что неинвертирующий выход (10) токового зеркала (9) соединен с первой (1) шиной источника питания, а истоковая цепь (7) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4) подключена ко второй (8) шине источника питания.8. Low-temperature and radiation-resistant compensation voltage stabilizer on complementary field-effect transistors with a control pn junction according to claim 1, characterized in that the non-inverting output (10) of the current mirror (9) is connected to the first (1) bus of the power source, and the source circuit (7) differential error amplifier (4) is connected to the second (8) power supply bus.
RU2020115042A 2020-04-29 2020-04-29 Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction RU2732950C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020115042A RU2732950C1 (en) 2020-04-29 2020-04-29 Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020115042A RU2732950C1 (en) 2020-04-29 2020-04-29 Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2732950C1 true RU2732950C1 (en) 2020-09-24

Family

ID=72922362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020115042A RU2732950C1 (en) 2020-04-29 2020-04-29 Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2732950C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2793452C1 (en) * 2022-08-16 2023-04-04 Общество с ограниченной ответственностью "Радиокомп" Voltage stabilizer

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583465A (en) * 1995-05-09 1996-12-10 Philips Electronics North America Corporation Method and apparatus for improving the speed and accuracy of a circuit utilizing a feedback amplifier configuration
RU2333593C1 (en) * 2007-05-21 2008-09-10 ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) Differential amplifier with wider active operation range
US7495422B2 (en) * 2005-07-22 2009-02-24 Hong Kong University Of Science And Technology Area-efficient capacitor-free low-dropout regulator
RU2571578C1 (en) * 2014-11-11 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Input stage of multidifferential operational amplifier for radiation-resistant bipolar-field process
RU2624565C1 (en) * 2016-02-11 2017-07-04 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Instrument amplifier for work at low temperatures
RU2710917C1 (en) * 2019-08-21 2020-01-14 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583465A (en) * 1995-05-09 1996-12-10 Philips Electronics North America Corporation Method and apparatus for improving the speed and accuracy of a circuit utilizing a feedback amplifier configuration
US7495422B2 (en) * 2005-07-22 2009-02-24 Hong Kong University Of Science And Technology Area-efficient capacitor-free low-dropout regulator
RU2333593C1 (en) * 2007-05-21 2008-09-10 ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) Differential amplifier with wider active operation range
RU2571578C1 (en) * 2014-11-11 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Input stage of multidifferential operational amplifier for radiation-resistant bipolar-field process
RU2624565C1 (en) * 2016-02-11 2017-07-04 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Instrument amplifier for work at low temperatures
RU2710917C1 (en) * 2019-08-21 2020-01-14 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. Maity, R. G. Raghavendra and P. Mandal. "On-chip voltage regulator with improved transient response". 18th International Conference on VLSI Design held jointly with 4th International Conference on Embedded Systems Design. Kolkata, India. 2005. pp. 522-527, fig. 2. *
A. Maity,R. G. Raghavendra and P. Mandal. "On-chip voltage regulator with improved transientresponse". 18th International Conference on VLSI Design held jointly with 4th InternationalConference on Embedded Systems Design. Kolkata, India. 2005. pp. 522-527, fig. 2. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2793452C1 (en) * 2022-08-16 2023-04-04 Общество с ограниченной ответственностью "Радиокомп" Voltage stabilizer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6075407A (en) Low power digital CMOS compatible bandgap reference
US7535285B2 (en) Band-gap voltage reference circuit
EP0369530A2 (en) Temperature sensing circuit
US20030227756A1 (en) Temperature characteristic compensation apparatus
KR20080101215A (en) Reference bias circuit of compensating for process variation
US20160276991A1 (en) Summing amplifier and method thereof
RU2736548C1 (en) Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures
RU2684489C1 (en) Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures
US11604487B2 (en) Low noise reference circuit
RU2732950C1 (en) Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction
US10095260B2 (en) Start-up circuit arranged to initialize a circuit portion
US9641129B2 (en) Low power circuit for amplifying a voltage without using resistors
CN115016592B (en) Band gap reference source circuit
RU2710846C1 (en) Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2712416C1 (en) Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures
RU2741055C1 (en) Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction
US20130154604A1 (en) Reference current generation circuit and reference voltage generation circuit
RU2687161C1 (en) Buffer amplifier for operation at low temperatures
US20200272189A1 (en) Current generation circuit
CN113434005A (en) Controllable resistance circuit
RU2684473C1 (en) Differential cascade on complementary field-effect transistors
RU2670777C9 (en) Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures
RU2723673C1 (en) Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters
RU2721945C1 (en) Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors
US20210336709A1 (en) Transmitter device and calibration method