RU2715267C2 - Режущий инструмент с покрытием и способ - Google Patents

Режущий инструмент с покрытием и способ Download PDF

Info

Publication number
RU2715267C2
RU2715267C2 RU2018126628A RU2018126628A RU2715267C2 RU 2715267 C2 RU2715267 C2 RU 2715267C2 RU 2018126628 A RU2018126628 A RU 2018126628A RU 2018126628 A RU2018126628 A RU 2018126628A RU 2715267 C2 RU2715267 C2 RU 2715267C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cutting tool
layer
pvd layer
pvd
coating
Prior art date
Application number
RU2018126628A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2018126628A3 (ru
RU2018126628A (ru
Inventor
Ларс ЙОНСОН
Original Assignee
Сандвик Интеллекчуал Проперти Аб
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сандвик Интеллекчуал Проперти Аб filed Critical Сандвик Интеллекчуал Проперти Аб
Publication of RU2018126628A3 publication Critical patent/RU2018126628A3/ru
Publication of RU2018126628A publication Critical patent/RU2018126628A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2715267C2 publication Critical patent/RU2715267C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • C23C30/005—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process on hard metal substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
    • B23B27/14—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0664—Carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325—Electric arc evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • C23C28/044—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
  • Drilling Tools (AREA)

Abstract

Изобретение относится к режущему инструменту с покрытием и способу его получения. режущий инструмент содержит подложку и покрытие. покрытие включает PVD-слой (A), который представляет собой соединение формулы Ti1-xSixCaNbOc, 0,10<x≤0,30, 0≤a≤0,75, 0,25≤b≤1, 0≤c≤0,2, a+b+c=1. PVD-слой (A) представляет собой твердый раствор со структурой типа NaCl. Pежущий инструмент изготавливают с PVD -слоем (A) катодно-дуговым испарением с использованием импульсного напряжения смещения от около -40 до около -450 в на подложке, и с использованием рабочего цикла менее чем около 12%, и частоты импульсного смещения менее чем около 10 кГц. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр., 5 табл.

Description

Настоящее изобретение относится к режущему инструменту с покрытием, включающему слой (Ti,Si)(C,N,O). Оно также относится к способу его изготовления.
Уровень техники
Физическое осаждение из паровой фазы (PVD) представляет собой общеизвестный способ получения износостойких покрытий на подложке, например, твердом сплаве. Эти покрытия находят применение в качестве режущих инструментов для обработки металлов резанием, таких как режущие пластины и сверла. Разработано несколько PVD-способов. Одним основным способом является способ катодно-дугового испарения.
Обычно используемые PVD-способы включают дуговое испарение, магнетронное распыление и ионное плакирование. Преимущества способа дугового испарения перед другими PVD-способами в общем включает лучшую адгезию к нижележащим подложке или слою, и более высокие скорости осаждения.
Однако в слоях, сформированных способом дугового испарения, обычно получаются покрытия с большим количеством дефектов кристаллической решетки, которые при рассматривании с увеличением сверху выглядят «размытыми», без любых признаков отдельных видимых кристаллических зерен. Дефекты, такие как точечные дефекты, приводят к повышенным остаточным сжимающим напряжениям в покрытии.
С другой стороны, в напыленных слоях могли бы получаться меньшая плотность дефектов, более высокая кристалличность, и иногда грани кристаллов на поверхности.
В способе дугового испарения ток дугового разряда подводится к металлической мишени или к мишеням, создающим пары или плазму металла внутри вакуумной камеры. Напряжение смещения подводится к подложке, тогда как мишень действует в качестве катодной поверхности. Дуга зажигается, и создается небольшая площадь испускания, где испаренный материал катода уходит с катода с высокой скоростью в сторону подложки. При обычной конфигурации используется мишень или мишени из желательного металла или комбинации металлов, которые должны присутствовать в покрытии, и процесс осаждения выполняется в присутствии реакционного газа, в зависимости от того, какое соединение должно быть осаждено в виде покрытия. Обычно в качестве реакционного газа применяется азот, когда желателен нитрид металла, метан или этан для карбида металла, метан или этан вместе с азотом для карбонитрида металла, и дополнительно добавление кислорода для осаждения карбоксинитрида металла.
Напряжение смещения, подводимое к покрываемой подложке, может подаваться в режиме постоянного тока (DC) или в переменном во времени режиме. Переменный во времени режим может быть импульсным режимом, где напряжение варьирует во времени, например, так, что переменное напряжение смещения включается, и напряжение смещения отключается. Процентная доля «времени включения», то есть, времени, в течение которого смещение подводится, относительно общего времени для периода следования импульсов смещения во время осаждения, называется «рабочим циклом».
Частота напряжения смещения в импульсном режиме также может варьировать и обычно выражается в кГц.
Хотя часто желательно поддерживать остаточное сжимающее напряжение в PVD-слое на определенном уровне, оно предпочтительно не должно быть слишком высоким вследствие опасности вредных влияний на адгезию к нижележащему слою или к подложке.
В области режущих инструментов для обработки металлов резанием обычно применяются (Ti,Si)N-покрытия. (Ti,Si)N представляет собой интенсивно изучаемую систему материалов. Например, авторы Flink и др. описывают, что содержание Si является основным определяющим параметром для микроструктуры (Ti,Si)N-покрытий. Для x≤0,1 (в Ti1-xSixN) традиционное покрытие имеет столбчатую структуру, и в состоянии твердого раствора со структурой типа NaCl, тогда как для x>0,1 рост изменяется на выращивание нанокомпозита с наноколонками Ti(Si)N в матричной фазе Si(Ti)Nx (сетчатая фаза). Толщина сетчатой фазы зависит от содержания Si, но обычно составляет величину порядка 1-5 нм.
Существует непреходящая потребность в режущих инструментах с покрытием (Ti,Si)N, в которых покрытие имеет превосходные свойства в плане адгезии к подложке и устойчивости к скалыванию, и также превосходную износостойкость, такую как стойкость к луночному износу и/или сопротивление износу по задней поверхности.
Кроме того, существует потребность в осажденном дуговым испарением (Ti,Si)N-слое, который, кроме имеющихся общих достоинств, обеспечиваемых осажденным дуговым испарением слоем, таких как хорошая адгезия к подложке, имеет к тому же низкий уровень дефектов кристаллической решетки, такой как низкая плотность точечных дефектов.
Определения
Под термином «рабочий цикл» подразумевается процентная доля времени, в течение которого напряжение смещения «включено», то есть, активно, во время всего периода следования импульсов («время во включенном состоянии»+«время в выключенном состоянии»).
Под термином «частота импульса смещения» подразумевается число полных периодов следования импульсов в секунду.
Термином «FWHM» обозначается «полная ширина на половине пика», которая представляет собой ширину, в градусах (2тета), пика рентгеновской дифракции на половине его максимальной интенсивности.
Термином «FWQM» обозначается «полная ширина на четверти пика», которая представляет собой ширину, в градусах (2тета), пика рентгеновской дифракции на четверти его максимальной интенсивности.
Краткие описания чертежей
Фиг. 1 показывает объединенные рентгеновские дифрактограммы для покрытий Образцов 1-4.
Фиг. 2 показывает увеличенную часть рентгеновской дифрактограммы для Образца 2 около (111)-пика.
Фиг. 3 показывает увеличенную часть рентгеновской дифрактограммы для Образца 3 около (111)-пика.
Фиг. 4 показывает увеличенную часть рентгеновской дифрактограммы для Образца 4 около (111)-пика.
Подробное описание изобретения
Теперь же неожиданно было обнаружено, что могут быть созданы PVD-слои из (Ti,Si)N, имеющие более высокое содержание Si, в то же время по-прежнему остающиеся в состоянии твердого раствора, и тем самым не переходящие в нанокристаллическое состояние.
Настоящее изобретение относится к режущему инструменту с покрытием, содержащему подложку и покрытие, причем покрытие включает PVD-слой (А), который представляет собой соединение формулы Ti1-xSixCaNbOc, 0,10<x≤0,30, 0≤a≤0,75, 0,25≤b≤1, 0≤c≤0,2, a+b+c=1, причем PVD-слой (A) представляет собой твердый раствор со структурой типа NaCl.
В формуле Ti1-xSixCaNbOc, должным образом 0,11≤x≤0,27, или 0,12≤x≤0,25, или 0,13≤x≤0,24, или 0,14≤x≤0,23, или 0,15≤x≤0,22, или 0,16≤x≤0,22, или 0,17≤x≤0,22.
В формуле Ti1-xSixCaNbOc, должным образом 0≤a≤0,5, 0,5≤b≤1, 0≤c≤0,1, или 0≤a≤0,25, 0,75≤b≤1, 0≤c≤0,05, или 0≤a≤0,1, 0,9≤b≤1, 0≤c≤0,02, или a=0, b=1, c=0, a+b+c=1.
Присутствие твердого раствора со структурой типа NaCl в PVD-слое (A) может быть выявлено, например, анализом TEM-изображений (Трансмиссионной Электронной Микроскопии).
Кроме того, настоящее изобретение относится к способу нанесения покрытия на подложку, причем покрытие включает PVD-слой (А), осажденный катодно-дуговым испарением, который представляет собой соединение формулы Ti1-xSixCaNbOc, 0,10<x≤0,30, 0≤a≤0,75, 0,25≤b≤1, 0≤c≤0,2, a+b+c=1, и причем PVD-слой (А) представляет собой твердый раствор со структурой типа NaCl, PVD-слой (А) осаждается приложением импульсного напряжения смещения от около -40 до около -450 В к подложке, и с использованием рабочего цикла менее, чем около 12%, и частоты импульсного смещения менее, чем около 10 кГц.
В одном варианте исполнения рабочий цикл может быть менее чем около 11%. Кроме того, рабочий цикл может составлять от около 1,5 до около 10%, или от около 2 до около 10%.
В одном варианте исполнения рабочий цикл может быть менее чем около 10%. Кроме того, рабочий цикл может составлять от около 1,5 до около 8%, или от около 2 до около 6%.
На протяжении «времени в выключенном состоянии» потенциал должным образом является плавающим.
Частота импульсного смещения может составлять более, чем около 0,1 кГц, или от около 0,1 до около 8 кГц, или от около 1 до около 6 кГц, или от около 1,5 до около 5 кГц, или от около 1,75 до около 4 кГц.
Напряжение смещения в импульсном режиме может составлять от около -40 до около -450 В, или от около -50 до около -450 В.
Наиболее подходящий диапазон для напряжения смещения в импульсном режиме может варьировать в зависимости от конкретного используемого PVD-реактора.
В одном варианте исполнения напряжение смещения в импульсном режиме может быть от около -55 до около -400 В, или от около -60 до около -350 В, или от около -70 до около -325 В, или от около -75 до около -300 В, или от около -75 до около -250 В, или от около -100 до около -200 В.
В еще одном варианте исполнения напряжение смещения в импульсном режиме может быть от около -45 до около -400 В, или от около -50 до около -350 В, или от около -50 до около -300 В.
Напряжение смещения в импульсном режиме должным образом является однополярным.
PVD-слой (А) должным образом осаждается при температуре камеры между 400 и 700°С, или между 400-600°С, или между 450-550°С.
PVD-слой (А) должным образом осаждается в вакуумной PVD-камере, как раскрытой в патентном документе US 2013/0126347 A1, оснащенной катодными сборными узлами, где оба катода размещены с кольцеобразным анодом, помещенным вокруг них, и с использованием системы, создающей магнитное поле с силовыми линиями поля, выходящими из поверхности мишени и входящими в анод.
Давление газа во время осаждения PVD-слоя (А) может составлять от около 0,5 до около 15 Па, или от около 0,5 до около 10 Па, или от около 1 до около 5 Па.
Подложка может быть выбрана из группы спеченного карбида, металлокерамического материала, керамического материала, кубического нитрида бора и быстрорежущей стали.
Подложке должным образом придается форма режущего инструмента.
Режущий инструмент может быть режущей пластиной режущего инструмента, сверлом или твердой концевой фрезой, для обработки металлов резанием.
Описываемые здесь дополнительные возможные признаки PVD-слоя (А) имеют отношение как к PVD-слою (А), определяемому в режущем инструменте с покрытием, так и к PVD-слою (А), определяемому в способе.
Очень резкие пики дифракционной картины видны, когда выполняется рентгенодифракционный анализ PVD-слоя (А). Это означает высокую кристалличность. Также должным образом получается предпочтительная внеплоскостная кристаллографическая ориентация (111).
PVD-слой (А) должным образом имеет значение FWHM для пика (111) кубической структуры в картине рентгеновской дифракции ≤0,4 градуса (2тета), или ≤0,35 градуса (2тета), или ≤0,3 градуса (2тета), или ≤0,25 градуса (2тета), или ≤0,2 градуса (2тета), или ≤0,18 градуса (2тета).
PVD-слой (А) должным образом имеет значение FWQM (полной ширины на четверти пика) для пика (111) кубической структуры в картине рентгеновской дифракции, составляющее ≤0,45 градуса (2тета), или ≤0,4 градуса (2тета), или ≤0,35 градуса (2тета), или ≤0,3 градуса (2тета).
PVD-слой (А) должным образом имеет значение FWHM для пика (200) кубической структуры в картине рентгеновской дифракции ≤0,5 градуса (2тета), или ≤0,45 градуса (2тета), или ≤0,4 градуса (2тета), или ≤0,35 градуса (2тета).
PVD-слой (А) должным образом имеет соотношение максимумов интенсивности пиков I(111)/I(200) в картине рентгеновской дифракции, составляющее ≥0,3, или ≥0,5, или ≥0,7, или ≥0,8, или ≥0,9, или ≥1, или ≥1,5, или ≥2, или ≥3, или ≥4.
Максимумы интенсивности пиков I(111) и I(200), используемые здесь, а также пик (111), применяемый для определения значений FWHM и FWQM, представляют собой значения с удалением Cu-Kα2.
PVD-слой (А) должным образом имеет остаточное напряжение, составляющее >-3 ГПа, или >-2 ГПа, или >-1 ГПа, или >-0,5 ГПа, или >0 ГПа.
PVD-слой (А) должным образом имеет остаточное напряжение, составляющее <4 ГПа, или <3 ГПа, или <2 ГПа, или <1,5 ГПа, или <1 ГПа.
Остаточное напряжение PVD-слоя (А) оценивается измерениями рентгеновской дифракции с использованием общеизвестного sin2ψ-метода, как описано авторами I.C. Noyan, J.B. Cohen, Residual Stress Measurement by Diffraction and Interpretation, («Дифракционное измерение и интерпретация остаточного напряжения»), издательство Springer-Verlag, Нью-Йорк, 1987 (стр. 117-130). Также смотри, например, работу автора V Hauk, Structural and Residual Stress analysis by Nondestructive Methods («Анализ структуры и остаточного напряжения неразрушающими методами»), издательство Elsevier, Амстердам, 1997. Измерения выполняются с использованием CuKα-излучения на отражении (200). Применялся метод бокового наклона (ψ-геометрия) с ψ-углами от шести до одиннадцати, предпочтительно девятью ψ-углами, на равном расстоянии в пределах выбранного sin2ψ-диапазона. Предпочтительным является эквидистантное распределение Φ-углов в пределах Φ-сектора 90°. Для подтверждения состояния биаксиального напряжения образец нужно поворачивать для Φ=0 и 90°, в то же время наклоняя на угол ψ. Рекомендуется исследовать возможное присутствие напряжений сдвига, и поэтому должны быть измерены как отрицательные, так и положительные ψ-углы. В случае 1/4-маятника Эйлера это выполняется измерением образца также при Φ=180 и 270° для различных ψ-углов. Измерение должно проводиться на настолько плоской поверхности, насколько возможно, предпочтительно на боковой стороне режущей пластины режущего инструмента. Для расчетов значений остаточного напряжения должны применяться коэффициент Пуассона, ν=0,22, и модуль Юнга, E=447 ГПа. Данные оцениваются с использованием имеющегося в продаже на рынке пакета программ, такого как DIFFRACPlus Leptos, версия 7.8, от Bruker AXS, предпочтительно определяющего положение отражение (200) аппроксимацией по псевдофункции Войта. Общее значение напряжения рассчитывается как среднее из полученных биаксиальных напряжений.
PVD-слой (А) должным образом включает ограненные кристаллические зерна на своей поверхности. Под ограненными здесь подразумевается, что на зернах имеются плоские грани.
Ограненные кристаллические зерна PVD-слоя (А) должным образом занимают >50%, или >75%, или >90%, площади поверхности PVD-слоя (А).
Толщина PVD-слоя (А) должным образом составляет от около 0,5 до около 20 мкм, или от около 0,5 до около 15 мкм, или от около 0,5 до около 10 мкм, или от около 1 до около 7 мкм, или от около 2 до около 5 мкм.
PVD-слой (А) должным образом представляет собой осажденный дуговым распылением слой.
PVD-слой (А) должным образом осаждается способом согласно изобретению.
В одном варианте исполнения покрытие включает самый внутренний связующий слой, например, из TiN, CrN или ZrN, ближайший в подложке. Толщина связующего слоя может составлять от около 0,1 до около 1 мкм, или от около 0,1 до около 0,5 мкм.
В одном варианте исполнения покрытие включает самый внутренний связующий слой, например, из TiN, CrN или ZrN, ближайший в подложке. Толщина связующего слоя может составлять от около 0,1 до около 1 мкм, или от около 0,1 до около 0,5 мкм. Самый внутренний связующий слой может быть осажден с использованием иных технологических параметров, нежели использованные для осаждения PVD-слоя (А), например, DC-смещения, вместо импульсного смещения, причем такой самый внутренний связующий слой может иметь по существу такой же элементный состав, как и PVD-слой (А).
Подложка режущего инструмента с покрытием может быть выбрана из группы спеченного карбида, металлокерамического материала, керамического материала, кубического нитрида бора и быстрорежущей стали.
Режущий инструмент с покрытием может представлять собой режущую пластину режущего инструмента, сверло или твердую концевую фрезу, для обработки металлов резанием.
Примеры
Пример 1:
Слой (Ti,Si)N был осажден на заготовки режущих пластин режущего инструмента из спеченного цементированного карбида с геометрией SNMA120804. Цементированный карбид имел состав 10 вес.% Co, 0,4 вес.% Cr, и остальное количество из WC. На заготовки из цементированного карбида было нанесено покрытие в вакуумной PVD-камере системы Oerlikon Balzer INNOVA, модернизированной Усовершенствованным Оптимизатором Плазмы. Вакуумная PVD-камера была оснащена 6 катодными сборными узлами. Каждый узел включал одну мишень из сплава Ti-Si. Катодные сборные узлы были размещены на двух уровнях в камере. Оба катода были размещены с находящимся вокруг них кольцеобразным анодом (как раскрыто в патентном документе US 2013/0126347 A1), с системой, создающей магнитное поле с силовыми линиями поля, выходящими из поверхности мишени и входящими в анод (смотри патентный документ US 2013/0126347 A1).
Камера была откачана до высокого вакуума (менее 10-2 Па) и нагрета до температуры 350-500°С размещенными внутри камеры нагревателями, в этом конкретном случае до 500°С. Затем заготовки были протравлены в Ar-плазме в течение 30 минут.
Были проведены четыре различных осаждения с вариацией отношения Ti к Si в мишенях. Использованные мишени представляли собой Ti0,90Si0,10, Ti0,85Si0,15, Ti0,80Si0,20 и Ti0,75Si0,25.
Давление в камере (давление реакционного газа) было отрегулировано на 3,5 Па газообразного N2, и к комплекту заготовок подводилось однополярное импульсное напряжение смещения -300 В (относительно стенок камеры). Частота импульсного смещения составляла 1,9 кГц, и рабочий цикл составлял 3,8% («время включения» 20 мсек, «время выключения» 500 мсек). Катоды действовали в режиме дугового разряда с током 150 А (каждый) в течение 120 минут. Был осажден слой, имеющий толщину около 3 мкм.
Фактические составы осажденных PVD-слоев были измерены с использованием EDX (энергодисперсионной спектроскопии), и составляли Ti0,91Si0,09, Ti0,87Si0,13, Ti0,82Si0,18 и Ti0,78Si0,22, соответственно.
Рентгенодифракционный (XRD) анализ проводился на боковой поверхности режущих пластин с покрытием с использованием дифрактометра Bruker D8 Discover, оснащенного 2D-детектором (VANTEC-500) и рентгеновским IμS-источником (Cu-Ká, 50,0 кВ, 1,0 мА) со встроенным зеркалом параллельного пучка Монтеля. Режущие пластины режущего инструмента с покрытием были установлены в держателях образцов, которые обеспечивают то, что боковые поверхности образцов были параллельны контрольной поверхности держателя образца, и также то, что боковая поверхность была на надлежащей высоте. Интенсивность дифракции от режущего инструмента с покрытием измерялась по 2θ-углам, где проявлялись соответственные пики, так, что включен по меньшей мере диапазон от 35° до 50°. Анализ данных, в том числе вычитание фона и удаление Cu-Kα2, выполнялся с использованием пакета программ X'Pert HighScore Plus от PANalytical. Для анализа пиков использовалась аппроксимация по псевдофункции Войта. Коррекция тонкой пленки для полученных интенсивностей пиков не применялась. Возможное перекрывание пика (111) или (200) с любым дифракционным максимумом, не относящимся к PVD-слою, например, рефлексом подложки, такого как WC, компенсировалось с помощью программного обеспечения (деконволюцией (разверткой) объединенных пиков) при определении интенсивностей пиков и значений ширины пиков.
Фиг. 1 показывает объединенную рентгеновскую дифрактограмму (без удаления Cu-Kα2) для покрытий Образцов 1-4, изображающую резкий пик (111). Также ясно видно изменение положения пика (111) по мере повышения содержания Si в PVD-слое. Это является свидетельством того, что имеет место изменение параметра кристаллической решетки, в то же время с сохранением структуры типа NaCl, то есть, во всех образцах присутствует твердый раствор (Ti,Si)N. Фиг. 2-4 показывают увеличенные части дифрактограмм (с удалением Cu-Kα2) для Образцов 2-4 около пика (111).
Были рассчитаны значения FWHM и FWQM для образцов.
Результаты показаны в Таблице 1.
Таблица 1. Результаты SEM-анализа и XRD-анализа
Образец № Состав PVD-слоя Ограненные кристаллические зерна на поверхности I(111)/
I(200)
интенсивностей максимумов		 FWHM I(111),
[°2θ]		 FWQM I(111),
[°2θ]
1.
(сравнительный)		 Ti0,91Si0,09N Да, повсюду 3,8 0,15 0,30
2.
(изобретение)		 Ti0,87Si0,13N Да, повсюду 11,1 0,16 0,32
3.
(изобретение)		 Ti0,82Si0,18N Да, повсюду 10,2 0,15 0,31
4.
(изобретение)		 Ti0,78Si0,22N Да, повсюду 9,9 0,16 0,35
Пример 2
Новая серия режущих инструментов с покрытием (Ti,Si)N была сформирована осаждением (Ti,Si)N на заготовки режущих пластин режущего инструмента из спеченного цементированного карбида с геометрией SNMA120804, как в Примере 1, но теперь с использованием несколько иного оборудования.
Были изготовлены заготовки режущих пластин режущего инструмента из спеченного цементированного карбида с такими же составом и геометрией SNMA120804, как использованные в Примере 1.
Слой (Ti,Si)N был осажден катодно-дуговым испарением в вакуумной камере от другого изготовителя, нежели в Примере 1. Вакуумная камера содержала четыре дуговых фланца. Мишени из TiSi с выбранным составом были смонтированы на всех из четырех фланцев напротив друг друга. Все мишени имели одинаковый состав TiSi. Заготовки без покрытия были установлены на штифтах, которые трехкратно поворачивались в PVD-камере.
Осаждения проводились с вариацией отношения Ti к Si в мишенях. Использованные мишени представляли собой Ti0,90Si0,10, Ti0,85Si0,15 и Ti0,80Si0,20. Были сформированы три покрытия (образцы 5-7) с различными уровнями содержания Si согласно заявленному здесь способу с использованием импульсного смещения, смотри технологические параметры в Таблице 2.
Во-первых, был осажден самый внутренний тонкий (около 0,1 мкм) (Ti,Si)N-слой с использованием DC-смещения. Технологические параметры показаны в Таблице 2.
Таблица 2
Давление N2 Напряжение смещения Тип смещения Ток дугового разряда Время осаждения Температура
4 Па 50 В DC 150 А 5 минут Около 500°C
Во-вторых, основной слой (Ti,Si)N для образцов 5-7 был осажден с использованием импульсного смещения. Технологические параметры показаны в Таблице 3.
Таблица 3
Давление N2 Напряжение смещения Тип смещения Частота импульсов Рабочий цикл Ток дугового разряда Время осаждения Температура
10 Па 50 В Импуль-сный 2 кГц 10% 150 А 75 мин Около 500°C
Между осаждением самого внутреннего слоя в DC-режиме и осаждением основного слоя в импульсном режиме была применена промежуточная стадия, которая включала продолжение начального осаждения в DC-режиме, но с плавным повышением давления от 4 Па до 10 Па, и также с постепенным переходом от DC-режима к импульсному режиму, используемому для основного слоя. Продолжительность повышения составляла 10 минут.
Толщина самого внутреннего (Ti,Si)N-слоя (осажденного в DC-режиме+при постепенном изменении) составляла около 0,1 мкм.
Толщина основного (Ti,Si)N-слоя составляла для каждого образца около 2,5 мкм.
Затем три дополнительных образца 8-10 с различными уровнями содержания Si были изготовлены осаждением на заготовки (Ti,Si)N-слоя с использованием способа с DC-смещением для всего слоя, смотри применяемые технологические параметры в Таблице 4.
Таблица 4.
Давление N2 Напряжение смещения Тип смещения Ток дугового разряда Время осаждения Температура
4 Па 50 В DC 150 А 75 минут Около 500°C
Толщины (Ti,Si)N-слоя для каждого образца составляли около 2,5 мкм.
Рентгенодифракционный (XRD) анализ был проведен на боковой поверхности режущих пластин с покрытием с использованием тех же оборудования и процедуры, как в предыдущих примерах.
Были определены значения FWHM для пика (111) и пика (200) образцов, а также соотношения I(111)/I(200).
Результаты показаны в Таблице 5.
Таблица 5. Результаты XRD-анализа
Образец № Состав PVD-слоя* I(111)/I(200)
интенсивностей максимумов		 FWHM I(111),
[°2θ]		 FWHM I(200),
[°2θ]		 Положение пика (111)
[2θ]		 Положение пика (200)
[2θ]		 Тип
5 Ti0,90Si0,10N 0,4 0,19 0,26 37,06 42,98 Твердый раствор с решеткой типа NaCl
6 Ti0,85Si0,15N 0,3 0,19 0,26 37,11 43,04 Твердый раствор с решеткой типа NaCl
7 Ti0,80Si0,20N 0,4 0,18 0,30 37,18 43,12 Твердый раствор с решеткой типа NaCl
8 Ti0,90Si0,10N 0 нет пика 0,59 нет пика 42,73 Нанокомпозит
9 Ti0,85Si0,15N 0 Нет пика 0,67 Нет пика 42,75 Нанокомпозит
10 Ti0,80Si0,20N 0 Нет пика 0,83 Нет пика 42,80 Нанокомпозит
*на основе состава мишени
Более широкой пик (200) для образцов 8-10, который в общем получается, если сравнивать с образцами 5-7, и также при повышении содержания Si, показывает гораздо более выраженную нанокристаллическую микроструктуру.

Claims (12)

1. Режущий инструмент с покрытием, содержащий подложку и покрытие, при этом покрытие включает PVD-слой (А), который представляет собой соединение формулы Ti1-xSixCaNbOc, 0,10<x≤0,30, 0≤a≤0,75, 0,25≤b≤1, 0≤c≤0,2, a+b+c=1, причем PVD-слой (A) представляет собой твердый раствор со структурой типа NaCl.
2. Режущий инструмент с покрытием по п. 1, отличающийся тем, что покрытие включает упомянутый PVD-слой (А) соединения формулы Ti1-xSixCaNbOc, где 0,12<x≤0,25.
3. Режущий инструмент с покрытием по п. 1 или 2, отличающийся тем, что PVD-слой (А) имеет значение FWHM пика (111) кубической структуры в картине рентгеновской дифракции, составляющее ≤0,4 градуса (2тета).
4. Режущий инструмент с покрытием по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что PVD-слой (А) имеет значение FWHM пика (111) кубической структуры в картине рентгеновской дифракции, составляющее ≤0,25 градуса (2тета).
5. Режущий инструмент с покрытием по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что PVD-слой (А) имеет остаточное напряжение >-3 ГПа.
6. Режущий инструмент с покрытием по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что PVD-слой (А) включает ограненные кристаллические зерна на своей поверхности.
7. Режущий инструмент с покрытием по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что толщина PVD-слоя (A) составляет от около 0,5 до около 20 мкм.
8. Режущий инструмент с покрытием по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что PVD-слой (А) представляет собой осажденный дуговым испарением слой.
9. Способ изготовления покрытия на подложке, причем покрытие включает PVD-слой (А), осажденный катодно-дуговым испарением, который представляет собой соединение формулы Ti1-xSixCaNbOc, 0,10<x≤0,30, 0≤a≤0,75, 0,25≤b≤1, 0≤c≤0,2, a+b+c=1, при этом PVD-слой (A) представляет собой твердый раствор со структурой типа NaCl, при этом PVD-слой (А) осаждают приложением импульсного напряжения смещения от около -40 до около -450 В к подложке, причем используют рабочий цикл менее чем около 12%, и частоту импульсного смещения менее чем около 10 кГц.
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что рабочий цикл составляет от около 2 до около 10%.
11. Способ по п. 9 или 10, отличающийся тем, что частота импульсного смещения составляет от около 0,1 до около 8 кГц.
12. Способ по любому из пп. 9-11, отличающийся тем, что напряжение смещения в импульсном режиме составляет от около -50 до около -350 В.
RU2018126628A 2015-12-22 2016-12-20 Режущий инструмент с покрытием и способ RU2715267C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15201981 2015-12-22
EP15201981.6 2015-12-22
PCT/EP2016/081992 WO2017108836A1 (en) 2015-12-22 2016-12-20 A coated cutting tool and method

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2018126628A3 RU2018126628A3 (ru) 2020-01-23
RU2018126628A RU2018126628A (ru) 2020-01-23
RU2715267C2 true RU2715267C2 (ru) 2020-02-26

Family

ID=55083295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018126628A RU2715267C2 (ru) 2015-12-22 2016-12-20 Режущий инструмент с покрытием и способ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11440102B2 (ru)
EP (1) EP3394312B1 (ru)
JP (1) JP6960406B2 (ru)
KR (1) KR102375083B1 (ru)
CN (1) CN108368601B (ru)
RU (1) RU2715267C2 (ru)
WO (1) WO2017108836A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6858347B2 (ja) * 2017-07-28 2021-04-14 株式会社タンガロイ 被覆切削工具
EP3650584A1 (en) * 2018-11-08 2020-05-13 Walter Ag An industrial pvd method for producing a coated cutting tool
JP7268691B2 (ja) * 2021-01-27 2023-05-08 株式会社タンガロイ ドリル

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1710326A1 (en) * 2003-12-05 2006-10-11 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. Surface-coated cutting tool
WO2006118513A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-09 Seco Tools Ab Cutting tool insert, solid end mill or drill coated with wear resistant layer.
EP1736565A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-27 Seco Tools Ab Composite coatings for finishing of hardened steels
WO2009011650A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Seco Tools Ab Fine grained cemented carbide for turning in heat resistant super alloys (hrsa)
WO2010140958A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Seco Tools Ab Nanolaminated coated cutting tool
RU2456371C2 (ru) * 2006-10-10 2012-07-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Слоистая система с по меньшей мере одним слоем смешанных кристаллов многокомпонентного оксида
RU2466828C2 (ru) * 2007-05-16 2012-11-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Режущий инструмент
RU2469128C2 (ru) * 2006-09-26 2012-12-10 Эрликон Трейдинг Аг Трюббах Деталь с твердым покрытием
RU2507302C2 (ru) * 2009-06-18 2014-02-20 Зульцер Метаплас Гмбх Защитное покрытие, покрытый элемент, имеющий защитное покрытие, а также способ получения защитного покрытия

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3480086B2 (ja) * 1994-10-21 2003-12-15 三菱マテリアル株式会社 硬質層被覆切削工具
US9997338B2 (en) * 2005-03-24 2018-06-12 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Method for operating a pulsed arc source
SE529223C2 (sv) * 2005-05-06 2007-06-05 Seco Tools Ab Belagt skärverktyg innefattande hexagonal h-(Mel,Me2)Xfas
WO2008130316A1 (en) * 2007-04-18 2008-10-30 Sandvik Intellectual Property Ab A coated cutting tool and a method of making thereof
EP2098611B1 (en) * 2008-03-07 2013-02-13 Seco Tools AB Layered coated cutting tool
EP2262924B1 (en) * 2008-03-07 2014-12-03 Seco Tools AB Thermally stabilized (ti, si)n layer for cutting tool insert
JP2009220239A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Mitsubishi Materials Corp 硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具
JP4388582B2 (ja) * 2008-06-09 2009-12-24 株式会社神戸製鋼所 硬質皮膜層及びその形成方法
JP5654562B2 (ja) * 2009-04-03 2015-01-14 サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ 高温を生じる金属切削用途のためのコーティングされた切削工具
JP2012001383A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックス焼結体および切削インサート
US10253407B2 (en) * 2010-06-22 2019-04-09 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Arc deposition source having a defined electric field
US9416440B2 (en) * 2011-09-30 2016-08-16 Cemecon Ag Coating of substrates using HIPIMS
EP2634285A1 (en) * 2012-02-29 2013-09-04 Sandvik Intellectual Property AB Coated cutting tool
EP2636764B1 (en) * 2012-03-07 2014-07-09 Seco Tools Ab Nanolaminated coated cutting tool
WO2014101517A1 (zh) * 2012-12-26 2014-07-03 Wu Shanghua 一种采用物理气相沉积工艺在氮化硅切削刀具表面制备Al2O3涂层及其复合涂层的方法
CN103586520B (zh) * 2013-10-17 2016-01-27 厦门金鹭特种合金有限公司 一种涂层切削刀具及其制作方法
CN108368618B (zh) * 2015-12-22 2020-12-11 山特维克知识产权股份有限公司 制造pvd层的方法和涂覆的切削工具

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1710326A1 (en) * 2003-12-05 2006-10-11 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. Surface-coated cutting tool
WO2006118513A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-09 Seco Tools Ab Cutting tool insert, solid end mill or drill coated with wear resistant layer.
EP1736565A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-27 Seco Tools Ab Composite coatings for finishing of hardened steels
RU2469128C2 (ru) * 2006-09-26 2012-12-10 Эрликон Трейдинг Аг Трюббах Деталь с твердым покрытием
RU2456371C2 (ru) * 2006-10-10 2012-07-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Слоистая система с по меньшей мере одним слоем смешанных кристаллов многокомпонентного оксида
RU2466828C2 (ru) * 2007-05-16 2012-11-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Режущий инструмент
WO2009011650A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Seco Tools Ab Fine grained cemented carbide for turning in heat resistant super alloys (hrsa)
WO2010140958A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Seco Tools Ab Nanolaminated coated cutting tool
RU2507302C2 (ru) * 2009-06-18 2014-02-20 Зульцер Метаплас Гмбх Защитное покрытие, покрытый элемент, имеющий защитное покрытие, а также способ получения защитного покрытия

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017108836A1 (en) 2017-06-29
EP3394312B1 (en) 2020-06-17
KR102375083B1 (ko) 2022-03-15
EP3394312A1 (en) 2018-10-31
RU2018126628A3 (ru) 2020-01-23
CN108368601B (zh) 2020-10-30
JP2019505396A (ja) 2019-02-28
US20200282464A1 (en) 2020-09-10
KR20180089533A (ko) 2018-08-08
RU2018126628A (ru) 2020-01-23
US11440102B2 (en) 2022-09-13
CN108368601A (zh) 2018-08-03
JP6960406B2 (ja) 2021-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102421534B1 (ko) 다층 pvd 코팅을 포함하는 절삭 공구
JP7266810B2 (ja) Ａｌ富化ＡｌＴｉＮ系膜
JP7217740B2 (ja) ＴｉＡｌＮナノレイヤー膜を備える耐摩耗性ＰＶＤ工具コーティング
US8691378B2 (en) Cutting tool
JP5321975B2 (ja) 表面被覆切削工具
JP6842233B2 (ja) コーティングされた切削工具、及びコーティングされた切削工具の製造方法
JP7539418B2 (ja) 被覆切削工具を製造する方法および被覆切削工具
JP2007191765A (ja) 硬質皮膜
RU2715267C2 (ru) Режущий инструмент с покрытием и способ
JP7356975B2 (ja) Ａｌ２Ｏ３の蒸着のためのＰＶＤ法と少なくとも一のＡｌ２Ｏ３層を有する被覆切削工具
JP2023506295A (ja) 被覆切削工具
EP3394320B1 (en) Method of producing a pvd layer and a coated cutting tool
US20210395875A1 (en) Cubic Al-rich AlTiN Coatings Deposited from Ceramic Targets
WO2017010374A1 (ja) 被膜
JP5617933B2 (ja) 硬質皮膜被覆工具及びその製造方法
JP2022539164A (ja) 被覆切削工具
JP2023552393A (ja) 交互層組成物を有する被覆切削工具

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201221