RU2669001C1 - Резистивная паста - Google Patents
Резистивная паста Download PDFInfo
- Publication number
- RU2669001C1 RU2669001C1 RU2017120313A RU2017120313A RU2669001C1 RU 2669001 C1 RU2669001 C1 RU 2669001C1 RU 2017120313 A RU2017120313 A RU 2017120313A RU 2017120313 A RU2017120313 A RU 2017120313A RU 2669001 C1 RU2669001 C1 RU 2669001C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide
- resistors
- paste
- resistive
- resistance
- Prior art date
Links
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000006136 alcoholysis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000779819 Syncarpia glomulifera Species 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002674 ointment Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000001739 pinus spp. Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229940036248 turpentine Drugs 0.000 description 1
- YXNVQKRHARCEKL-UHFFFAOYSA-K ytterbium(3+);phosphate Chemical compound [Yb+3].[O-]P([O-])([O-])=O YXNVQKRHARCEKL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип-резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати. Резистивная паста, содержащая токопроводящую фазу, неорганическое связующее и органическую связку. При этом паста дополнительно содержит оксид свинца, оксид хрома, оксид кремния, оксид бора, оксид висмута, оксид меди и оксид алюминия, подобранные в определенном количественном соотношении. Изобретение позволяет расширить диапазон удельного поверхностного сопротивления и снизить температурный коэффициент сопротивления.
Description
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.
Общеизвестно, что резистивные пасты являются многокомпонентными композициями, содержащими резистивную фазу (оксиды или другие соединения металлов), неорганическое связующее (стекло) и временную технологическую добавку, обеспечивающую необходимый комплекс реологических свойств. Распространенными резистивными пастами для толстопленочных резисторов являются система Ag-Pd.
Поэтому с целью расширения диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления ведутся работы по подбору различных составов резистивных паст. Другим перспективным направлением является создание паст без включений, основанных на редкоземельных элементах.
Так в авторском свидетельстве № 841068 от 23.06.1981 предлагается резистивная паста содержащая: окись серебра, металлический палладий, стеклофрита, гексатанталат металла и органическое связующее выбранные в определенном количестве.
В авторском свидетельстве № 894802 от 30.12.1981 предлагается резистивная паста содержащая: порошок палладия, порошок платины, двуокись кремния, окись алюминия, окись бора, окись бария, окись кальция и органическое связующее выбранные в определенном количестве.
В авторском свидетельстве № 1103294 от 15.07.1984 предлагается резистивная паста, содержащая: оксид серебра, металлический палладий, стеклофрита, кислый или средний ортофосфат иттербия, и органическое связующее выбранные в определенном количестве.
В целях расширения диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления при использовании паст без включения редкоземельных элементов нами экспериментально был подобран новый оптимальный состав резистивной пасты без включения редкоземельных элементов.
Технический результат - расширение диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижение температурного коэффициента сопротивления.
Технический результат достигается за счет того, что резистивная паста содержит токопроводящую фазу, неорганическое связующее и органическую связку. При этом паста дополнительно содержит оксид свинца, оксид хрома, оксид кремния, оксид бора, оксид висмута, оксид меди, и оксид алюминия, при следующем количественном соотношении исходных компонентов, мас.%:
Стеклянный порошок (70%-75%)
Оксид свинца (0,1%-40.0%)
Оксид хрома (0,1%-3.0%)
Оксид кремния (0,1%-20.0%)
Оксид бора (0,1%-5.0%)
Оксид висмута (0,1%-5.0%)
Оксид меди (0,1%-0.6%)
Оксид алюминия (0,1%-10.0%)
Этилцеллюлоза 0,1%-3%
Алкоголиз терпентина 0,1%-20%
Соответственно массовый % всех вышеуказанных веществ должен быть не более 100%.
Полученная паста это вещество суспензионной консистенции (вроде очень плотной мази), которая нами была опробована и показала отличные результаты при производстве чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати (паста наносится мазком в трафарет, и далее отправляется в специальную печку на некоторое время, после чего затвердевает).
Предлагаемая паста оценивалась в технологическом процессе изготовления прецизионных (точных) чип-резисторов:
1) нанесение на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки методом трафаретной печати слоя предлагаемой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки;
2) напыление на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии резистивного слоя;
3) формирование методом фотолитографии и ионного травления топологии резистивного слоя на подложке;
4) нанесение методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне;
5) подгонку методом лазерной подгонки величины сопротивления резисторов в номинал;
6) нанесение методом трафаретной печати на резистивный слой с последующим вжиганием слоя низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой;
7) скрайбирование и ломку пластины изоляционной подложки на полосы;
8) напыление методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на торцы, соединяя тем самым между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки;
9) ломку рядов пластины на чипы;
10) нанесение гальваническим методом поверх электродных контактов - торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слоя никеля;
11) нанесение поверх слоя никеля гальваническим методом слоя припоя в виде сплава олова со свинцом.
Нами было проведено много экспериментов по применению различных резистивных паст без включения редкоземельных элементов, таких как палладий в вышеуказанной технологии, однако одни из лучших результатов показала предлагаемая в данной заявке резистивная паста.
Claims (11)
- Резистивная паста, содержащая токопроводящую фазу, неорганическое связующее и органическую связку, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит оксид свинца, оксид хрома, оксид кремния, оксид бора, оксид висмута, оксид меди и оксид алюминия, при следующем количественном соотношении исходных компонентов, мас.%:
- Стеклянный порошок (70%-75%)
- Оксид свинца (0,1%-40.0%)
- Оксид хрома (0,1%-3.0%)
- Оксид кремния (0,1%-20.0%)
- Оксид бора (0,1%-5.0%)
- Оксид висмута (0,1%-5.0%)
- Оксид меди (0,1%-0.6%)
- Оксид алюминия (0,1%-10.0%)
- Этилцеллюлоза 0,1%-3%
- Алкоголиз терпентина 0,1%-20%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017120313A RU2669001C1 (ru) | 2017-06-09 | 2017-06-09 | Резистивная паста |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017120313A RU2669001C1 (ru) | 2017-06-09 | 2017-06-09 | Резистивная паста |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2669001C1 true RU2669001C1 (ru) | 2018-10-05 |
Family
ID=63798541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017120313A RU2669001C1 (ru) | 2017-06-09 | 2017-06-09 | Резистивная паста |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2669001C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3776772A (en) * | 1970-11-17 | 1973-12-04 | Shoei Chem Ind Co Ltd | Electrical resistance composition and resistance element |
US4090009A (en) * | 1977-03-11 | 1978-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Novel silver compositions |
SU1045278A1 (ru) * | 1982-04-02 | 1983-09-30 | Предприятие П/Я А-3481 | Резистивна паста |
SU1103294A1 (ru) * | 1982-11-29 | 1984-07-15 | МГУ им.М.В.Ломоносова | Резистивна паста |
SU1347099A1 (ru) * | 1986-03-14 | 1987-10-23 | Предприятие П/Я Р-6281 | Диэлектрическа паста |
-
2017
- 2017-06-09 RU RU2017120313A patent/RU2669001C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3776772A (en) * | 1970-11-17 | 1973-12-04 | Shoei Chem Ind Co Ltd | Electrical resistance composition and resistance element |
US4090009A (en) * | 1977-03-11 | 1978-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Novel silver compositions |
SU1045278A1 (ru) * | 1982-04-02 | 1983-09-30 | Предприятие П/Я А-3481 | Резистивна паста |
SU1103294A1 (ru) * | 1982-11-29 | 1984-07-15 | МГУ им.М.В.Ломоносова | Резистивна паста |
SU1347099A1 (ru) * | 1986-03-14 | 1987-10-23 | Предприятие П/Я Р-6281 | Диэлектрическа паста |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102384488B1 (ko) | 저항 페이스트 및 그의 소성에 의해 제작되는 저항체 | |
JPS6339082B2 (ru) | ||
JP6931455B2 (ja) | 抵抗体用組成物及びこれを含んだ抵抗体ペーストとそれを用いた厚膜抵抗体 | |
JPH10224004A (ja) | 厚膜抵抗体ペースト | |
JPH0574166B2 (ru) | ||
RU2669001C1 (ru) | Резистивная паста | |
RU2669000C1 (ru) | Резистивная паста | |
RU2668999C1 (ru) | Резистивная паста | |
JP2555536B2 (ja) | 白金温度センサの製造方法 | |
JPS6326522B2 (ru) | ||
JPS6177637A (ja) | グレ−ズ用ガラス組成物 | |
JPS6221739B2 (ru) | ||
CN100590754C (zh) | 电阻体膏剂、电阻体、及使用了所述电阻体的电路基板 | |
RU2064700C1 (ru) | Способ изготовления терморезистора | |
JPH0349108A (ja) | 銅導体組成物 | |
JPH1012045A (ja) | 低温焼成用導電ペースト | |
JPH0318089A (ja) | 抵抗体ペースト、厚膜抵抗体層、配線基板および配線基板の製造方法 | |
JP2008103372A (ja) | 厚膜抵抗体の比抵抗調整方法 | |
WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
JP4843823B2 (ja) | 絶縁ペースト | |
JP7116362B2 (ja) | 抵抗体用組成物と抵抗ペースト、及び抵抗体 | |
JP2023135971A (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
TW202147353A (zh) | 厚膜電阻糊、厚膜電阻體、及電子元件 | |
JPH0368485B2 (ru) | ||
JPH03183640A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190610 |