RU2669000C1 - Резистивная паста - Google Patents
Резистивная паста Download PDFInfo
- Publication number
- RU2669000C1 RU2669000C1 RU2017120299A RU2017120299A RU2669000C1 RU 2669000 C1 RU2669000 C1 RU 2669000C1 RU 2017120299 A RU2017120299 A RU 2017120299A RU 2017120299 A RU2017120299 A RU 2017120299A RU 2669000 C1 RU2669000 C1 RU 2669000C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide
- resistors
- paste
- silver
- palladium
- Prior art date
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N Dibutyl decanedioate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCCCC PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002674 ointment Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- YXNVQKRHARCEKL-UHFFFAOYSA-K ytterbium(3+);phosphate Chemical compound [Yb+3].[O-]P([O-])([O-])=O YXNVQKRHARCEKL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати. Резистивная паста, содержащая токопроводящую фазу на основе серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку. При этом паста дополнительно содержит оксид рутения, оксид свинца, оксид бора, оксид алюминия, оксид кремния, оксид цинка, оксид меди, оксид марганца и оксид тантала, подобранные в определенном количественном соотношении. Изобретение позволяет расширить диапазон удельного поверхностного сопротивления и снизить температурный коэффициент сопротивления.
Description
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.
Общеизвестно, что резистивные пасты являются многокомпонентными композициями, содержащими резистивную фазу (оксиды или другие соединения металлов), неорганическое связующее (стекло) и временную технологическую добавку, обеспечивающую необходимый комплекс реологических свойств. Распространенными резистивными пастами для толстопленочных резисторов являются система Ag-Pd.
Поэтому с целью расширения диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления ведутся работы по подбору различных составов резистивных паст.
Так в авторском свидетельстве № 841068 от 23.06.1981 предлагается резистивная паста содержащая: окись серебра, металлический палладий, стеклофрита, гексатанталат металла и органическое связующее выбранные в определенном количестве.
В авторском свидетельстве № 894802 от 30.12.1981 предлагается резистивная паста содержащая: порошок палладия, порошок платины, двуокись кремния, окись алюминия, окись бора, окись бария, окись кальция и органическое связующее выбранные в определенном количестве.
В авторском свидетельстве № 1103294 от 15.07.1984 предлагается резистивная паста содержащая: оксид серебра, металлический палладий, стеклофрита, кислый или средний ортофосфат иттербия, и органическое связующее выбранные в определенном количестве.
В целях расширения диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления нами экспериментально был подобран новый оптимальный состав резистивной пасты.
Технический результат - расширение диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижение температурного коэффициента сопротивления.
Технический результат достигается за счет того, что резистивная паста содержит токопроводящую фазу на основе серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку. При этом паста дополнительно содержит оксид рутения, оксид свинца, оксид бора, оксид алюминия, оксид кремния, оксид цинка, оксид меди, оксид марганца и оксид тантала, при следующем количественном соотношении исходных компонентов, мас. %:
Серебро (0,1%-40%)
Палладий (0,1%-20%)
Оксид рутения (0,1%-25%)
Оксид свинца (0,1%-35%)
Триоксид бора (0,1%-5%)
Оксид алюминия (0,1%-5%)
Диоксид кремния (0,1%-25%)
Оксид цинка (0,1%-3%)
Оксид меди (0,1%-1%)
Оксид марганца (0,1%-2%)
Оксид тантала (0,1%-2%)
Терпинеол (0,1%-30%)
Дибутил декандиоат (0,1%-10%).
Соответственно массовый % всех вышеуказанных веществ должен быть не более 100%.
Полученная паста - это вещество суспензионной консистенции (вроде очень плотной мази), которая нами была опробована и показала отличные результаты при производстве чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати (паста наносится мазком в трафарет, и далее отправляется в специальную печку на некоторое время, после чего затвердевает).
Предлагаемая паста оценивалась в технологическом процессе изготовления прецизионных (точных) чип-резисторов:
1) нанесение на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки методом трафаретной печати слоя предлагаемой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки;
2) напыление на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии резистивного слоя;
3) формирование методом фотолитографии и ионного травления топологии резистивного слоя на подложке;
4) нанесение методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне;
5) подгонку методом лазерной подгонки величины сопротивления резисторов в номинал;
6) нанесение методом трафаретной печати на резистивный слой с последующим вжиганием слоя низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой;
7) скрайбирование и ломку пластины изоляционной подложки на полосы;
8) напыление методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на торцы, соединяя тем самым между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки;
9) ломку рядов пластины на чипы;
10) нанесение гальваническим методом поверх электродных контактов - торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слоя никеля;
11) нанесение поверх слоя никеля гальваническим методом слоя припоя в виде сплава олова со свинцом.
Нами было проведено много экспериментов по применению различных резистивных паст в вышеуказанной технологии, однако одни из лучших результатов показала предлагаемая в данной заявке резистивная паста.
Claims (14)
- Резистивная паста, содержащая токопроводящую фазу на основе серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит оксид рутения, оксид свинца, оксид бора, оксид алюминия, оксид кремния, оксид цинка, оксид меди, оксид марганца и оксид тантала, при следующем количественном соотношении исходных компонентов, мас.%:
- Серебро (0,1%-40%)
- Палладий (0,1%-20%)
- Оксид рутения (0,1%-25%)
- Оксид свинца (0,1%-35%)
- Триоксид бора (0,1%-5%)
- Оксид алюминия (0,1%-5%)
- Диоксид кремния (0,1%-25%)
- Оксид цинка (0,1%-3%)
- Оксид меди (0,1%-1%)
- Оксид марганца (0,1%-2%)
- Оксид тантала (0,1%-2%)
- Терпинеол (0,1%-30%)
- Дибутил декандиоат (0,1%-10%).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017120299A RU2669000C1 (ru) | 2017-06-09 | 2017-06-09 | Резистивная паста |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017120299A RU2669000C1 (ru) | 2017-06-09 | 2017-06-09 | Резистивная паста |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2669000C1 true RU2669000C1 (ru) | 2018-10-05 |
Family
ID=63798535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017120299A RU2669000C1 (ru) | 2017-06-09 | 2017-06-09 | Резистивная паста |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2669000C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3776772A (en) * | 1970-11-17 | 1973-12-04 | Shoei Chem Ind Co Ltd | Electrical resistance composition and resistance element |
| US4090009A (en) * | 1977-03-11 | 1978-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Novel silver compositions |
| SU1045278A1 (ru) * | 1982-04-02 | 1983-09-30 | Предприятие П/Я А-3481 | Резистивна паста |
| SU1103294A1 (ru) * | 1982-11-29 | 1984-07-15 | МГУ им.М.В.Ломоносова | Резистивна паста |
| RU2106709C1 (ru) * | 1992-02-14 | 1998-03-10 | Московский институт электронной техники | Проводящая композиция |
-
2017
- 2017-06-09 RU RU2017120299A patent/RU2669000C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3776772A (en) * | 1970-11-17 | 1973-12-04 | Shoei Chem Ind Co Ltd | Electrical resistance composition and resistance element |
| US4090009A (en) * | 1977-03-11 | 1978-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Novel silver compositions |
| SU1045278A1 (ru) * | 1982-04-02 | 1983-09-30 | Предприятие П/Я А-3481 | Резистивна паста |
| SU1103294A1 (ru) * | 1982-11-29 | 1984-07-15 | МГУ им.М.В.Ломоносова | Резистивна паста |
| RU2106709C1 (ru) * | 1992-02-14 | 1998-03-10 | Московский институт электронной техники | Проводящая композиция |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102384488B1 (ko) | 저항 페이스트 및 그의 소성에 의해 제작되는 저항체 | |
| TWI537992B (zh) | Ceramic electronic parts and manufacturing method thereof | |
| JP2007103594A (ja) | 抵抗体組成物並びに厚膜抵抗体 | |
| KR100791877B1 (ko) | 저항 페이스트 및 저항체 | |
| JP6931455B2 (ja) | 抵抗体用組成物及びこれを含んだ抵抗体ペーストとそれを用いた厚膜抵抗体 | |
| US4209764A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| RU2669000C1 (ru) | Резистивная паста | |
| KR20230004485A (ko) | 후막 저항 페이스트, 후막 저항체, 및 전자 부품 | |
| RU2669001C1 (ru) | Резистивная паста | |
| RU2668999C1 (ru) | Резистивная паста | |
| JP2016219256A (ja) | Ｃｕペースト組成物および厚膜導体 | |
| JP2555536B2 (ja) | 白金温度センサの製造方法 | |
| JP2018049900A (ja) | 抵抗ペースト及びその焼成により作製される抵抗体 | |
| JPS6177637A (ja) | グレ−ズ用ガラス組成物 | |
| JPS6221739B2 (ru) | ||
| JPH0917232A (ja) | 導体ペースト組成物 | |
| JP7116362B2 (ja) | 抵抗体用組成物と抵抗ペースト、及び抵抗体 | |
| RU2064700C1 (ru) | Способ изготовления терморезистора | |
| JP7494583B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物及びそれを含む厚膜抵抗ペースト | |
| JP2023135971A (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP7390103B2 (ja) | 抵抗体用組成物、抵抗ペースト、厚膜抵抗体 | |
| JP2008103372A (ja) | 厚膜抵抗体の比抵抗調整方法 | |
| TW202343483A (zh) | 無鉛厚膜電阻組成物及無鉛厚膜電阻 | |
| KR20230004484A (ko) | 후막 저항 페이스트, 후막 저항체, 및 전자 부품 | |
| CN115516578A (zh) | 厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190610 |