RU2599769C2 - Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния - Google Patents
Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2599769C2 RU2599769C2 RU2013126901/28A RU2013126901A RU2599769C2 RU 2599769 C2 RU2599769 C2 RU 2599769C2 RU 2013126901/28 A RU2013126901/28 A RU 2013126901/28A RU 2013126901 A RU2013126901 A RU 2013126901A RU 2599769 C2 RU2599769 C2 RU 2599769C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microcrystalline
- heterostructure
- sio
- silicone
- deposition
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии устройств нано- и микроэлектроники, нанофотоники. Сущность изобретения заключается в получении многослойной фотоактивной гетероструктуры на основе монолитно-стыкованных последовательно осажденных гидрогенизированных слоев микрокристаллического кремния µc-Si:H(i) и двуокиси кремния µc-SiO2(n), µc-SiO2(p) плазмохимическим осаждением с горячей нитью при температуре процесса, не превышающей 180°C, на подложки из боросиликатного стекла, на которые методом ВЧ-магнетронного осаждения наносится связующий слой толщиной не более 100 нм из прозрачного проводящего оксида, например ZnO, для улучшения адгезии и уменьшения плотности дефектов в микрокристаллической n-i-p гетероструктуре. Техническим результатом изобретения является выращивание на подложке боросиликатного стекла большой площади тонкопленочной структуры с однородными по толщине и малодефектными слоями гидрогенизированного микрокристаллического кремния и двуокиси кремния n-, i-, р-типа проводимости.
Description
Изобретение относится к технологии устройств нано- и микроэлектроники, нанофотоники. Может быть использовано в солнечной энергетике и при разработке фотодетекторов и устройств типа КНИ (кремний на изоляторе).
Известен способ получения тонкой кристаллической пленки методом лазерной кристаллизации [Н. Kummori "Location control of crystal grains in excimer laser crystallization of silicon thin films" // Applied Physics Letters. Vol.83, (2003), pp.434-436; B. Rezek, C.E. Nebel, M. Stutzmann "Laser beam induced currents in polycrystalline silicon thin films prepared by interference laser crystallization"// Journal of Applied Physics. Vol.91, (2002), pp.4220-4228], который включает в себя нанесение на стеклянную подложку пленки кремния и последующую кристаллизацию пленки при помощи лазерного излучения. Недостатком метода является высокая стоимость технологического процесса, использующего длительные по времени режимы работы интерференционных лазерных систем, а также значительная зависимость однородности пленки от мощности излучения. Полученные поликристаллы имеют случайную форму и границы, которые определяются наличием распределения дефектов в аморфной пленке кремния.
Наиболее близким к изобретению является способ получения тонких пленок кремния с толщинами менее 100 нм на стекле [Патент РФ "Способ изготовления тонких кристаллических пленок кремния для полупроводниковых приборов", патент № RU 2333567 С2, автор(ы): Миловзоров Д.Е.]. Его сущность заключается в способе изготовления тонких кристаллических пленок кремния с толщинами менее 100 нм на стекле для полупроводниковых приборов, включающем очистку в вакууме поверхности слабоионизованной плазмой водорода, вакуумно-плазменное осаждение из газовой фазы кремнийсодержащих газов, формирование тонкой кристаллической пленки на подложку стекла, нанесение тонкопленочных металлических электродов. Недостатком данного метода является высокая температура вакуумного плазменного напыления тонкой кристаллической пленки кремния на металлическую сетку из тугоплавких металлов Мо, W, Та, V и их сплавов, находящуюся при температуре 800°C. Кроме того, требуется дополнительная технологическая операция по нанесению слоя двуокиси церия для формирования полностью кристаллической пленки кремния.
Целью изобретения является получение многослойной фотоактивной гетероструктуры из гидрогенизированных слоев микрокристаллического кремния и двуокиси кремния на подложке стекла с малой концентрацией дефектов и низкой температурой процесса осаждения. Задачей изобретения является разработка способа выращивания слоев микрокристаллического кремния и оксида кремния из смеси газов силана и водорода плазмохимическим осаждением с горячей нитью.
Для выполнения поставленной задачи предлагается способ получения многослойной тонкопленочной фотоактивной гетероструктуры на основе монолитно-стыкованных последовательно осажденных слоев n-, i- и р-типа проводимости гидрогенизированного микрокристаллического кремния плазмохимическим осаждением с горячей нитью на подложки боросиликатного стекла.
Получение фотоактивной гетероструктуры осуществляется по следующему алгоритму. Предварительно подготовленная (химическим травлением) подложка загружается в камеру ростовой установки. Для повышения адгезии полупроводникового материала с подложкой стекла необходимо вырастить связующий слой из прозрачного проводящего оксида (например, ZnO). В качестве мишени для формирования связующего слоя используются кристаллические пластины ZnO. Для создания плазмы используется газ Ar особо чистый. Процесс напыления слоя ZnO осуществляется методом ВЧ-магнетронного напыления с частотой 13.56 МГц. Мощность плазмы 100 Вт. Температура подложки 200°C. Скорость потока аргона 10 см3/мин. Давление в камере после напуска аргона - 102 Па. В указанных условиях скорость осаждения ZnO не превышала 50 нм/мин. Выращивался слой ZnO толщиной не более 100 нм. После чего проводилось формирование n-i-p гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния. Особенностью процесса напыления является наличие легированных слоев оксида кремния µc-SiO2(n) и µc-SiO2(p). Первым этапом является выращивание µc-SiO2(n) эмиттера. Для получения легированного слоя µс-SiO2(n) использовалась газовая смесь: силан (SiH4) + двуокись углерода (СО2) + водород (H2) + фосфин (РН3). Соотношение скоростей газовых потоков задавалось следующее: SiH4 - 2 см3/мин, CO2 - 5 см3/мин, Н2 - 10 см3/мин, РН3 - 0,8 см3/мин. Температура подложки 180°C, температура нити накала 1800°C. Давление после закачки газовой смеси 8·103 Па. В указанных условиях скорость осаждения не превышала 18 нм/мин. Выращивался слой толщиной 15 нм.
Получение микрокристаллического слоя абсорбера µc-Si:H(i) собственного типа проводимости проводилось следующим образом. Реагентами являлись газы силан (SiH4) и водород (Н2). В процессе плазменного напыления микрокристаллического кремния температура подложки составляла 180°C, температура нити накала 1800°C. Расход Н2 в процессе химического осаждения i-слоя составлял 5 см3/мин, SiH4 - 2 см3/мин. Давление газов в ростовой камере 101 Па. Скорость осаждения составляла 60 нм/мин. Наносился слой толщиной 1.8 мкм.
Для получения легированного слоя µc-SiO2(p) эмиттера использовался газ диборан (В2Н6). Соотношение скоростей газовых потоков SiH4 - 2 см3/мин, CO2 - 5 см3/мин, Н2 - 10 см3/мин, В2Н6 - 0,6 см3/мин. Температура подложки 180°C, температура нити накала 1800°C. Давление газов в камере 2·103 Па. Скорость осаждения не превышала 19,2 нм/мин. Толщина слоя 15 нм.
Легирование фосфором и бором проводилось до уровня 1019 см-3. После процесса выращивания многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния производилась операция релаксационного отжига в установке быстрых термических процессов. Температура процесса 300°C, время отжига - 1 мин. Толщина гетероструктуры µc-SiO2(n)/µc-Si:H(i)/µc-SiO2(p) составляет 1.8 мкм. Общая толщина структуры 3.35 мм.
Техническим результатом изобретения является выращивание на стеклянной подложке большой площади тонкопленочной многослойной фотоактивной гетероструктуры µc-SiO2(n)/µc-Si:H(i)/µc-SiO2(p) с однородными по толщине и малодефектными слоями гидрогенизированного микрокристаллического кремния.
Claims (1)
- Способ получения многослойной фотоактивной гетероструктуры на основе монолитно-стыкованных последовательно осажденных слоев µс-SiO2(n), µc-Si:H(i), µc-SiO2(p) плазмохимическим осаждением с горячей нитью при давлении в ростовой камере не более 8·103 Па, температуре процесса, не превышающей 180°С, на специально подготовленные подложки из боросиликатного стекла, на которые предварительно методом ВЧ-магнетронного осаждения наносится связующий слой из прозрачного проводящего оксида толщиной не более 100 нм для улучшения адгезии и уменьшения плотности дефектов в микрокристаллической n-i-p гетероструктуре.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013126901/28A RU2599769C2 (ru) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013126901/28A RU2599769C2 (ru) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013126901A RU2013126901A (ru) | 2014-12-20 |
RU2599769C2 true RU2599769C2 (ru) | 2016-10-10 |
Family
ID=53278187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013126901/28A RU2599769C2 (ru) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2599769C2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2667689C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2018-09-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний для солнечных элементов и солнечный элемент с таким гетеропереходом |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2084987C1 (ru) * | 1994-03-16 | 1997-07-20 | Александр Андреевич Величко | Гетероструктура кремний на стекле и способ ее получения |
RU2089656C1 (ru) * | 1993-12-23 | 1997-09-10 | Ольга Викторовна Гончарова | Способ получения фоточувствительных резистивных и оптически нелинейных тонкопленочных гетероструктур на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов |
US6100466A (en) * | 1997-11-27 | 2000-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming microcrystalline silicon film, photovoltaic element, and method of producing same |
WO2001007678A1 (de) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Schott Glas | Plasma-cvd-verfahren und vorrichtung zur herstellung einer mikrokristallinen si:h-schicht |
CN1734793A (zh) * | 2005-09-02 | 2006-02-15 | 中国科学院研究生院 | 纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法 |
RU2333567C2 (ru) * | 2006-09-11 | 2008-09-10 | Дмитрий Евгеньевич Миловзоров | Способ изготовления тонких кристаллических пленок кремния для полупроводниковых приборов |
US20090293948A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell |
US20100279492A1 (en) * | 2009-05-02 | 2010-11-04 | Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research | Method of Fabricating Upgraded Metallurgical Grade Silicon by External Gettering Procedure |
-
2013
- 2013-06-13 RU RU2013126901/28A patent/RU2599769C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2089656C1 (ru) * | 1993-12-23 | 1997-09-10 | Ольга Викторовна Гончарова | Способ получения фоточувствительных резистивных и оптически нелинейных тонкопленочных гетероструктур на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов |
RU2084987C1 (ru) * | 1994-03-16 | 1997-07-20 | Александр Андреевич Величко | Гетероструктура кремний на стекле и способ ее получения |
US6100466A (en) * | 1997-11-27 | 2000-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming microcrystalline silicon film, photovoltaic element, and method of producing same |
WO2001007678A1 (de) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Schott Glas | Plasma-cvd-verfahren und vorrichtung zur herstellung einer mikrokristallinen si:h-schicht |
CN1734793A (zh) * | 2005-09-02 | 2006-02-15 | 中国科学院研究生院 | 纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法 |
RU2333567C2 (ru) * | 2006-09-11 | 2008-09-10 | Дмитрий Евгеньевич Миловзоров | Способ изготовления тонких кристаллических пленок кремния для полупроводниковых приборов |
US20090293948A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell |
US20100279492A1 (en) * | 2009-05-02 | 2010-11-04 | Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research | Method of Fabricating Upgraded Metallurgical Grade Silicon by External Gettering Procedure |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2667689C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2018-09-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний для солнечных элементов и солнечный элемент с таким гетеропереходом |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013126901A (ru) | 2014-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109545657B (zh) | 一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法 | |
JP4768182B2 (ja) | 微結晶質Si:H膜を製造するためのプラズマCVD方法及び装置 | |
KR101484152B1 (ko) | 플라즈마로부터 비정질 물질의 증착에 의하여 구배된 밴드갭을 가지는 막을 형성하는 방법 | |
JPH0794431A (ja) | アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法 | |
KR20010039865A (ko) | 반도체박막, 그것을 사용한 반도체장치, 그들의 제조방법및 반도체박막의 제조장치 | |
CN100568547C (zh) | ZnO/纳米金刚石共面栅紫外光探测器的制备方法 | |
CN112126897A (zh) | 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法 | |
JPH06326024A (ja) | 半導体基板の製造方法及び非晶質堆積膜の形成方法 | |
US9905723B2 (en) | Methods for plasma activation of evaporated precursors in a process chamber | |
RU2599769C2 (ru) | Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния | |
CN102605337A (zh) | 一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法 | |
JP5502210B2 (ja) | 微結晶半導体薄膜製造方法 | |
CN101660132B (zh) | 一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法 | |
CN113658852A (zh) | 硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法 | |
JP2008004813A (ja) | シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置およびシリコン系薄膜光電変換素子 | |
KR101181411B1 (ko) | 대기압 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 미세결정질 실리콘 박막의 결정화도 조절방법 | |
EP4340047A1 (en) | Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition | |
JP2013529374A (ja) | 光起電力アプリケーションにおける微結晶材料を蒸着するための方法および装置 | |
TWI436493B (zh) | 簡化電極設計之太陽能電池及其製造方法 | |
Lee et al. | Characterization of microcrystalline silicon thin film solar cells prepared by high working pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
TW201120942A (en) | Method for depositing microcrystalline silicon and monitor device of a plasma enhanced deposition | |
KR101039150B1 (ko) | 태양전지 제조방법 | |
TWI474499B (zh) | Microcrystalline silicon thin film solar cell element and its manufacturing method | |
TWI481042B (zh) | 太陽能電池之多晶矽質薄膜的製造方法 | |
KR101177057B1 (ko) | 상압 플라즈마 화학기상 증착장치를 이용한 비결정질 및 결정질 실리콘게르마늄 박막의 고속증착방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20150928 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150614 |