CN102605337A - 一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，属半导体薄膜材料领域。采用以下步骤实施：A)30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的Ge填埋层；B)30℃～500℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；C)在真空度为1×10-2～9×10-2帕下，将上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶Si薄膜。在低温度下制备多晶Si薄膜，工艺简单，是一种实用于大规模工业生产的多晶Si薄膜材料的晶化方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，属半导体薄膜材料领域。
背景技术
多晶Si薄膜同时具有单晶Si高迁移率、光照稳定性及非晶Si大面积低成本制备的优点，在薄膜太阳电池、薄膜晶体管(TFT)以及微电子集成电路等方面具有广泛应用前景。现有的金属诱导晶化技术是利用非晶Si与Ni、Al、Cu等金属结合，降低其晶化温度从而实现低温晶化，它具有工艺简单，可使非晶Si薄膜在较短时间内实现晶化, 所制备的薄膜具有多晶Si薄膜均匀性高, 成本低等优点。
如专利（200910244845.4）中，将衬底上沉积包括非晶Si薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550下氢等离子氛围中退火2小时以上即可获得完全晶化了的多晶Si薄膜。 但在非晶Si薄膜晶化的同时薄膜会受到诱导金属的污染, 从而导致器件性能变坏。
为了降低诱导金属对多晶Si薄膜的污染，论文（物理学报，59(2010)：2775～2782）中采用磁控溅射法，以镍硅合金为靶，制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源—自缓释镍源，采用该镍源制备低温多晶Si材料，能有效降低多晶Si薄膜内的残余镍含量，但该方法不能从根本上解决薄膜受诱导金属污染的问题；在专利（201010175536.9）中，首先在所制备的非晶Si薄膜上生长一层氧化物层，然后将氧化物层刻蚀出宽度为2mm～30mm，间距为60～5000mm的凹槽，以暴露出非晶Si层，在氧化物层及非晶Si暴露区上再沉积一层含金属Ni的薄膜，最后将上述的氧化物层去除后，薄膜在惰性气体或者保护气体中590℃退火1小时，从而达到Ni诱导非晶Si薄膜晶化的同时降低Ni在薄膜中的含量，该技术虽然在一定程度上能降低薄膜受诱导金属的污染，但该技术过于复杂。
由于Ge与Si之间的物理性质极为相似，与CMOS技术具有兼容性，通过Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜，在非晶Si薄膜晶化的同时可以通过调整Ge的含量对所制备的材料实行能带裁剪，从而满足不同电子器件的要求。在文献（光电子激光，22(2011):75-78）中，采用磁控溅射法，在衬底温度为800℃时，首先在单晶Si衬底上生长了厚度为400nm的Ge填埋层，然后在Ge层上生长厚度为1200nm的Si薄膜，从而达到在衬底温度为800℃时Ge原位诱导非晶Si薄膜晶化的目的。上述方法制备的非晶Si薄膜的平均晶粒尺寸为53.7nm，在所制备薄膜的X-射线衍射中出现了Si薄膜的(111)、(200)、(220)、(311)、(331)等非晶Si晶化后的晶面衍射峰。但由于其晶化温度高，薄膜制备能耗高；其次高的生长温度对衬底要求高，无法实现在普通玻璃衬底上制备多晶Si薄膜，且在较高的衬底温度下，衬底原子会扩散到外延膜内，影响外延多晶Si薄膜的质量。另外此方法制备的多晶Si薄膜的晶粒尺寸较小，很难满足实际应用的要求。
发明内容
针对背景技术提出的问题，本发明提供一种多晶Si薄膜的低温制备方法。采用与Si物理性质极为相似的Ge为诱导源，在Si衬底、不锈钢衬底、普通玻璃衬底或石英玻璃衬底上，通过Ge低温诱导晶化制备多晶Si薄膜。
为实现上述目的，一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实施：
A) 30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的Ge填埋层；
B) 30℃～500℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；
C) 在真空度为1×10-2～9×10-2帕下，将上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶Si薄膜。
所述步骤A中生成Ge填埋层的具体工艺为：
（1）将晶面指数为150～480的衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟，去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将Ge靶的靶间距设定为75～83 mm，Si靶的靶间距为55～80mm；
(2) 本底真空度优于 4.0×10-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；
(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为150～300℃；
(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制Ge靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长Ge填埋层；
(5) 待Ge靶的溅射30分钟后，Ge填埋层生长结束。
所述衬底为Si衬底、不锈钢衬底、普通玻璃衬底或石英玻璃衬底。
所述步骤B中Ge填埋层上生成非晶Si层的具体工艺：
(1) 将控制Si靶的射频功率调至150～330瓦，在上述生长的Ge层上开始生长非晶Si层；
(2) 待Si靶的溅射时间达到90～150分钟后，关上述射频电源，Si层生长结束；
(3) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃后取出上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜。
本发明的优点及效果：本发明采用与Si物理性质极为相似的Ge为诱导源，在低温度下制备多晶Si薄膜，工艺简单，是一种实用于大规模工业生产的多晶Si薄膜材料的晶化方法；而且通过选择不同的衬底及通过不同Ge层厚度对多晶Si薄膜带隙的调制作用，能满足不同半导体器件的要求。通过此方法制备的多晶Si薄膜能广泛用于多晶Si薄膜太阳电池及微电子器件领域。
附图说明
图1为Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜的结构示意图。
图2为实施例采用Ge诱导晶化制备的多晶Si薄膜的X-射线衍射谱图。
图3为实施例采用Ge诱导晶化制备的多晶Si薄膜的断面场发射扫描电镜图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
实施例1
一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实施，
A)200℃在衬底上生长一层400nm的Ge填埋层：
（1）将晶面指数为400的单晶Si衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟, 去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将Ge靶的靶间距设定为80 mm，Si靶的靶间距为60mm；
(2) 本底真空度优于 4.0×10-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；
(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为200℃；
(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制Ge靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长Ge填埋层；
(5) 待Ge靶的溅射时间达到30分钟后，关闭上述直流电源，Ge填埋层生长结束；
B) 300℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；
(1) 将控制Si靶的射频功率调至250瓦，在上述生长的Ge层上开始生长非晶Si层；
(2) 待Si靶的溅射时间达到120分钟后，关上述射频电源，Si层生长结束；
(3) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃左右后取出上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜；
C)将上述制备的具有Ge填埋层的非晶Si薄膜在真空度为2.0×10-2帕下密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火3小时。
技术效果分析：上述制备的多晶Si薄膜用Renishaw in via 的拉曼（Raman）光谱仪测得的Raman散射谱，经过520cm-1、 512cm-1、 480cm-13峰高斯拟合，用Xc=( I520+I512)/（I520+I512+I480）计算出上述多晶Si薄膜的晶化率为95%。
图2所示为上述多晶Si薄膜的X-射线衍射谱图，其中“S”表示Si衬底(400)衍射峰。从X-射线衍射图谱中可见采用该发明制备的多晶Si薄膜除观察到微弱的Ge填埋层的(111)、(220)、(311)晶面衍射峰和衬底衍射峰外，出现了唯一的多晶Si薄膜Si(200)强衍射峰，表明上述多晶Si薄膜在Si(200)方向具有很好的单晶性，而文献(光电子激光，22(2011):75-78)在800℃时采用Ge原位诱导晶化制备的多晶Si薄膜的X-射线衍射谱中，除出现Si(200)衍射峰外，还出现了(111)、(220)、(311)、(331)等非晶Si晶化后的晶面衍射峰。采用公式 D hkl =kλ/βcosθ，其中, D hkl为沿垂直于晶面(hkl)方向的晶粒直径, k为Scherrer常数(0.89), λ为入射X-射线波长(Cuk a ,λ=0.15406nm), θ为布拉格衍射角(°), β为衍射峰的半高峰宽(弧度)。计算出上述多晶Si薄膜的平均晶粒尺寸为600nm，与上述文献在800℃时采用Ge原位诱导晶化制备的多晶Si薄膜的平均晶粒尺寸(53.7nm)相比，晶粒尺寸提高了10倍以上，且晶化温度降低了200℃。
图3为上述方法制备的具有Ge填埋层的多晶Si薄膜的断面场发射扫描电镜(日立S－4800)图，从图中可清楚看到所制备的薄膜具有清晰的GeSi界面，Ge层厚度为400nm，Si层厚度为1350nm，未发现Ge向多晶Si薄膜内的扩散，表明该方法制备的多晶Si薄膜能有效避免诱导源向薄膜内的扩散。
实施例2
一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实施，
A) 30℃在衬底上生长一层200nm的Ge填埋层：
(1)将晶面指数为150的衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟，去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将Ge靶的靶间距设定为83 mm，Si靶的靶间距为80mm；
(2) 本底真空度优于 4.0×10-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；
(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为300℃；
(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制Ge靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长Ge填埋层；
(5) 待Ge靶的溅射30分钟后，Ge填埋层生长结束。
B) 300℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；
(1) 将控制Si靶的射频功率调至280瓦，在上述生长的Ge层上开始生长非晶Si层；
(2) 待Si靶的溅射时间达到100分钟后，关上述射频电源，Si层生长结束；
(3) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃后取出上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜。
在真空度为8×10-2帕下，将上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火2小时，即可获得多晶Si薄膜。
实施例3
一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实施，
A) 500℃在衬底上生长一层500nm的Ge填埋层：
（1）将晶面指数为500的单晶Si衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟, 去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将Ge靶的靶间距设定为75 mm，Si靶的靶间距为55mm；
(2) 本底真空度优于 4.0×10-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；
(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为500℃；
(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制Ge靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长Ge填埋层；
(5) 待Ge靶的溅射时间达到30分钟后，关闭上述直流电源，Ge填埋层生长结束；
B) 30℃～500℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；
(2) 将控制Si靶的射频功率调至150瓦，在上述生长的Ge层上开始生长非晶Si层；
(3) 待Si靶的溅射时间达到150分钟后，关上述射频电源，Si层生长结束；
(8) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃左右后取出上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜；
C)将上述制备的具有Ge填埋层的非晶Si薄膜在真空度为2.0×10-2帕下密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火3小时。
实施例4
一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实施，
A) 400℃在衬底上生长一层400nm的Ge填埋层：
（1）将晶面指数为(400)的单晶Si衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟, 去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将Ge靶的靶间距设定为80 mm，Si靶的靶间距为60mm；
(2) 本底真空度优于 4.0×10-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；
(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为400℃；
(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制Ge靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长Ge填埋层；
B) 200℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；
(1) 待Ge靶的溅射时间达到30分钟后，关闭上述直流电源，Ge填埋层生长结束；
(2) 将控制Si靶的射频功率调至250瓦，在上述生长的Ge层上开始生长非晶Si层；
(3) 待Si靶的溅射时间达到120分钟后，关上述射频电源，Si层生长结束；
(8) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃左右后取出上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜；
C)将上述制备的具有Ge填埋层的非晶Si薄膜在真空度为2.0×10-2帕下密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火3小时。
实施例5
一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实施，
A) 230℃在衬底上生长一层400nm的Ge填埋层：
（1）将晶面指数为(400)的单晶Si衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟, 去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将Ge靶的靶间距设定为80 mm，Si靶的靶间距为60mm；
(2) 本底真空度优于 4.0×10-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；
(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为230℃；
(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制Ge靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长Ge填埋层；
B) 30℃～500℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；
(1) 待Ge靶的溅射时间达到30分钟后，关闭上述直流电源，Ge填埋层生长结束；
(2) 将控制Si靶的射频功率调至250瓦，在上述生长的Ge层上开始生长非晶Si层；
(3) 待Si靶的溅射时间达到120分钟后，关上述射频电源，Si层生长结束；
(4) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃左右后取出上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜；
C)将上述制备的具有Ge填埋层的非晶Si薄膜在真空度为1.0×10-2帕下密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火4小时。
Claims (5)
1.一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实现：
A) 30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的锗填埋层；
B) 30℃～500℃在上述锗填埋层上生长非晶硅层；
C) 在真空度为1×10-2～9×10-2帕下，将上述具有锗填埋层的非晶硅薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶硅薄膜。
2.如权利要求1所述一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中生成锗填埋层的具体工艺为：
(1)将晶面指数为150～480的衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟，去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将锗靶的靶间距设定为75～83 mm，硅靶的靶间距为55～80mm；
(2) 本底真空度优于 4.0×10-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；
(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为150～300℃；
(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制锗靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长锗填埋层；
(5) 待锗靶的溅射30分钟后，锗填埋层生长结束。
3.如权利要求1所述的一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底、不锈钢衬底、普通玻璃衬底或石英玻璃衬底。
4.如权利要求2所述一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底、不锈钢衬底、普通玻璃衬底或石英玻璃衬底。
5.如权利要求1-4任一项所述一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中锗填埋层上生成非晶硅层的具体工艺：
(1) 将控制硅靶的射频功率调至150～330瓦，在上述生长的锗层上开始生长非晶硅层；
(2) 待硅靶的溅射时间达到90～150分钟后，关上述射频电源，硅层生长结束；
(3) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃后取出上述具有锗填埋层的非晶硅薄膜。
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102605337A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103943836A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-07-23 | 太原理工大学 | 锂离子电池负极材料中空锗纳米管阵列电极及其制备方法 |
| CN106835041A (zh) * | 2017-01-05 | 2017-06-13 | 浙江师范大学 | 一种低温诱导制备硅纳米线的方法 |
| CN107785461A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | 一种激光辅助再晶化Ge/Si虚衬底上直接带隙Ge及其制备方法 |
| CN110660655A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-07 | 闽南师范大学 | 一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135149A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Yuzo Mori | Ｇｅ微結晶核付き基板の作製方法及びＧｅ微結晶核付き基板 |
| CN100999388A (zh) * | 2006-12-30 | 2007-07-18 | 南开大学 | 表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法 |
-
2012
- 2012-04-12 CN CN2012101052358A patent/CN102605337A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135149A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Yuzo Mori | Ｇｅ微結晶核付き基板の作製方法及びＧｅ微結晶核付き基板 |
| CN100999388A (zh) * | 2006-12-30 | 2007-07-18 | 南开大学 | 表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 邓书康等: "Ge诱导晶化多晶Si薄膜的制备及结构表征", 《光电子激光》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103943836A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-07-23 | 太原理工大学 | 锂离子电池负极材料中空锗纳米管阵列电极及其制备方法 |
| CN107785461A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | 一种激光辅助再晶化Ge/Si虚衬底上直接带隙Ge及其制备方法 |
| CN107785461B (zh) * | 2016-08-25 | 2019-06-07 | 西安电子科技大学 | 一种激光辅助再晶化Ge/Si虚衬底上直接带隙Ge及其制备方法 |
| CN106835041A (zh) * | 2017-01-05 | 2017-06-13 | 浙江师范大学 | 一种低温诱导制备硅纳米线的方法 |
| CN110660655A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-07 | 闽南师范大学 | 一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120725 |