RU2567117C1 - Способ отжига полупроводниковых структур - Google Patents
Способ отжига полупроводниковых структур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2567117C1 RU2567117C1 RU2014120807/28A RU2014120807A RU2567117C1 RU 2567117 C1 RU2567117 C1 RU 2567117C1 RU 2014120807/28 A RU2014120807/28 A RU 2014120807/28A RU 2014120807 A RU2014120807 A RU 2014120807A RU 2567117 C1 RU2567117 C1 RU 2567117C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor structures
- annealing method
- semiconductor
- layer
- laser
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе отжига полупроводниковых структур после формирования контактно-металлизационной системы Al/W - Ti/n+ - поли Si структуру обрабатывают Ar лазером с длиной волны излучения 0,51 мкм, в режиме непрерывного излучения, со скоростью сканирования 3-5 мм/с, при мощности в луче 5-13 Вт. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур.
Известен способ отжига полупроводниковых пластин [Пат. 5385115 США, МКИ C30B 1/02], вырезанных из слитка, выращенного по методу Чохральского управлением количеством преципитатов кислорода путем внутреннего геттерирования, за счет изменения режима термообработки для регулирования количества термодоноров в исходном кристалле, обеспечивающий создание преципитатов. В таких полупроводниковых структурах ухудшаются электрофизические параметры за счет увеличения дефектности.
Известен способ отжига [Пат. 5312771 США, МКИ H01L 21/326] слоя полупроводникового материала, обеспечивающий однородный нагрев на большой площади. На подложку из кварца наносят слои кремния толщиной 0,1 мкм. Для увеличения эффективности лампового нагрева на слой кремния осаждают изолирующий слой (оксид, оксинитрид или нитрид кремния либо оксид тантала), поглощающий слой (например, поликристаллический кремний или α-Si, поликристалл сплавов Ge с Si-ем) и защитный слой, который пропускает свет и выдерживает высокие температуры (SiO2, Si3N4 или 2-слойная структура из этих материалов). Нагрев при температурах 1200-1400°C с одновременным облучением мощностью 10-150 Вт/см2 приводит к образованию слоя кремния с высоким кристаллическим совершенством, который далее может использоваться, например, для изготовления полевых транзисторов.
Недостатками способа являются:
- высокие значения токов утечек;
- низкая технологическая воспроизводимость;
- низкие значения напряжения пробоя.
Задача, решаемая изобретением: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается тем, что после формирования контактно-металлизационной системы Al/W - Ti/n+ - поли Si структуру обрабатывают Ar лазером с длиной волны излучения 0,51 мкм, в режиме непрерывного излучения, со скоростью сканирования 3-5 мм/с, при мощности в луче 5-13 Вт.
Технология способа состоит в следующем: МОП-транзисторы формировали на пластинах p-Si (10 Ом∗см) с ориентацией (100), используя технологию n - МОП приборов с электронно-лучевой литографией. Для изоляции канала транзисторов проводилось ионное внедрение бора В. Подзатворный диэлектрик толщиной 20 нм выращивали путем окисления в парах H2O. Далее с помощью химического парофазного осаждения (ХПО) поликристаллического кремния толщиной 0,4 мкм, диффузии Р, литографии и плазменного травления формировали электроды затвора, проводили ионное внедрение As для создания областей истока и стока (глубина 0,2 мкм), с помощью ХПО формировали защитный слой SiO2, вытравливали в нем контактные окна и создавали контактно-металлизационную систему Al/W - Ti/n+ - поли Si (толщина барьерного слоя W - Ti - 0,1 мкм) с помощью ионного распыления в атмосфере Ar для предотвращения взаимодействия Аl с поли - Si. Сформированную структуру подвергали отжигу Ar лазером длиной волны 0,51 мкм, со скоростью сканирования 3-5 мм/с при мощности в луче 5-13 Вт.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18,1%.
Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ отжига полупроводниковых структур путем обработки контактно-металлизационной системы Al/W - Ti/n+ - Si∗ Ar лазером длиной волны 0,51 мкм, со скоростью сканирования 3-5 мм/с, при мощности в луче 5-13 Вт позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ отжига полупроводниковых структур, включающий слой полупроводникового материала, изолирующий слой, отличающийся тем, что после формирования контактно-металлизационной системы Al/W - Ti/n+ - Si∗ структуру обрабатывают Ar лазером длиной волны 0,51 мкм, со скоростью сканирования 3-5 мм/с, при мощности в луче 5-13 Вт.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014120807/28A RU2567117C1 (ru) | 2014-05-22 | 2014-05-22 | Способ отжига полупроводниковых структур |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014120807/28A RU2567117C1 (ru) | 2014-05-22 | 2014-05-22 | Способ отжига полупроводниковых структур |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2567117C1 true RU2567117C1 (ru) | 2015-11-10 |
Family
ID=54536891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014120807/28A RU2567117C1 (ru) | 2014-05-22 | 2014-05-22 | Способ отжига полупроводниковых структур |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2567117C1 (ru) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4415383A (en) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Northern Telecom Limited | Method of fabricating semiconductor devices using laser annealing |
US5312771A (en) * | 1990-03-24 | 1994-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical annealing method for semiconductor layer and method for producing semiconductor device employing the same semiconductor layer |
US5602047A (en) * | 1996-06-13 | 1997-02-11 | Industrial Technology Research Institute | Process for polysilicon thin film transistors using backside irradiation and plasma doping |
US6245602B1 (en) * | 1999-11-18 | 2001-06-12 | Xerox Corporation | Top gate self-aligned polysilicon TFT and a method for its production |
US6569716B1 (en) * | 1997-02-24 | 2003-05-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a polycrystalline silicon film and thin film transistor using lamp and laser anneal |
US7381600B2 (en) * | 2004-12-02 | 2008-06-03 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Method of annealing polycrystalline silicon using solid-state laser and devices built thereon |
RU2368703C2 (ru) * | 2007-02-22 | 2009-09-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои |
-
2014
- 2014-05-22 RU RU2014120807/28A patent/RU2567117C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4415383A (en) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Northern Telecom Limited | Method of fabricating semiconductor devices using laser annealing |
US5312771A (en) * | 1990-03-24 | 1994-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical annealing method for semiconductor layer and method for producing semiconductor device employing the same semiconductor layer |
US5602047A (en) * | 1996-06-13 | 1997-02-11 | Industrial Technology Research Institute | Process for polysilicon thin film transistors using backside irradiation and plasma doping |
US6569716B1 (en) * | 1997-02-24 | 2003-05-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a polycrystalline silicon film and thin film transistor using lamp and laser anneal |
US6245602B1 (en) * | 1999-11-18 | 2001-06-12 | Xerox Corporation | Top gate self-aligned polysilicon TFT and a method for its production |
US7381600B2 (en) * | 2004-12-02 | 2008-06-03 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Method of annealing polycrystalline silicon using solid-state laser and devices built thereon |
RU2368703C2 (ru) * | 2007-02-22 | 2009-09-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW595003B (en) | Thin-film transistor and method for manufacturing same | |
US8653536B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor substrate, and semiconductor device | |
TW201543572A (zh) | 用於在薄膜堆疊中精確置入氮的氨環境中之毫秒退火 | |
US10886122B2 (en) | Methods for conformal treatment of dielectric films with low thermal budget | |
JP2012146716A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW200924067A (en) | Methods of fabricating crystalline silicon, thin film transistors, and solar cells | |
KR100737662B1 (ko) | 박막반도체장치 및 그 제조방법 | |
JP2003158137A (ja) | 薄膜半導体装置及びその製造方法 | |
TW200939357A (en) | Manufacturing method of thin film transistor and thin film transistor | |
JPH02148831A (ja) | レーザアニール方法及び薄膜半導体装置 | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2567117C1 (ru) | Способ отжига полупроводниковых структур | |
TWI305055B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
TWI677921B (zh) | 基於在沉積的非晶半導體材料基礎上形成結晶半導體材料的技術及相關的半導體裝置 | |
RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2621372C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2738772C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
JP3146702B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
RU2654819C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
JP2011040594A (ja) | 薄膜トランジスターの製造方法 | |
RU2629655C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
RU2726904C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2813176C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170523 |