RU2534758C1 - Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes - Google Patents

Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes Download PDF

Info

Publication number
RU2534758C1
RU2534758C1 RU2013116179/07A RU2013116179A RU2534758C1 RU 2534758 C1 RU2534758 C1 RU 2534758C1 RU 2013116179/07 A RU2013116179/07 A RU 2013116179/07A RU 2013116179 A RU2013116179 A RU 2013116179A RU 2534758 C1 RU2534758 C1 RU 2534758C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
bus
current
collector
transistor
input
Prior art date
Application number
RU2013116179/07A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2013116179A (en
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Анна Витальевна Бугакова
Вячеслав Вячеславович Суворов
Сергей Сергеевич Белич
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2013116179/07A priority Critical patent/RU2534758C1/en
Publication of RU2013116179A publication Critical patent/RU2013116179A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2534758C1 publication Critical patent/RU2534758C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering, communication.
SUBSTANCE: device contains the first (1) and the second (2) current outputs, the first (3) and the second (4) input transistors with common bases, the first (5) and the second (6) auxiliary transistors, whose bases are connected to auxiliary voltage source (7). Emitters are connected to the first (8) power source bus via corresponding the first (9) and the second (10) current-stabilising two-poles, and collectors are connected to the corresponding emitters of the first (3) and the second (4) input transistors, the third (11) current-stabilising two-pole, connected between the bus of the second (12) power source and collector of the first (3) input transistor, the fourth (13) current-stabilising two-pole is connected between the bus of the second (12) power source and collector of the second (4) input transistor, the first (14) output transistor, whose base is connected to collector of the first (3) input transistor, and collector is connected to the bus of the second (12) power source, and emitter is connected to the first (15) device output and via the fifth (16) current-stabilising two-pole is connected to the bus of the first (8) power source, the second (17) output transistor, whose base is connected to collector of the second (4) input transistor, collector is connected to the bus of the second (12) power source, and emitter is connected to the second (18) device output and to the bus of the first (8) power source via the sixth (19) current-stabilising two-pole. The first (1) and the second (2) current inputs of the device are connected to the emitters of the corresponding input transistors (3) and (4), auxiliary resistors (20) and (21), connected in series, are connected between the first and the second device outputs (15) and (18). Common assembly of the resistors is connected to the bases of the first and the second input transistors (3 and 4), between the emitters of the first and the second auxiliary transistors (5 and 6) the third and the fourth auxiliary resistors (22 and 23) are connected in series. Their common assembly is connected to the collector of the first (24) auxiliary transistor, whose emitter, in turn, is connected to the common bus (25) of the first and the second power sources (8 and 12), and the base is connected to the common assembly of the fifth and the sixth auxiliary resistors (26 and 27), connected in series between the first and the second current outputs of the device (1 and 2).
EFFECT: expansion of transistance R0 variation range.
2 cl, 4 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в системах обработки оптической информации, датчиках оптических излучений малой интенсивности, измерителях оптических сигналов в физике высоких энергий и т.п.The present invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used in optical information processing systems, low-intensity optical radiation sensors, optical signal meters in high-energy physics, etc.

В задачах выделения оптических сигналов сегодня широко используются преобразователи выходных токов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей в выходное напряжение, реализуемые на основе каскадов с низким входным сопротивлением - так называемых трансрезистивных усилителей (ТРУ) [1-10]. Их основной параметр - сопротивление передачи R0, определяет усилительные свойства ТРУ:Converters of the output currents of avalanche photodiodes and silicon photomultipliers to the output voltage, which are realized on the basis of cascades with low input impedance — the so-called transresistive amplifiers (TRUs) [1–10], are widely used today in the problems of isolating optical signals. Their main parameter - transmission resistance R 0 , determines the amplification properties of the TRU:

uвых - iвых-R0,u o - i o - R 0 ,

где iвх, uвых - входной ток и выходное напряжение ТРУ.where i in , u out are the input current and the output voltage of the TRU.

В зависимости от численных значений iвх=iвх.max схема ТРУ должна допускать изменение (по усмотрению разработчика) величины R0 в широких пределах без изменения статического режима активных элементов.Depending on the numerical values of i in = i in . max scheme TRU should allow a change (at the discretion of the developer) of the value of R 0 over a wide range without changing the static mode of the active elements.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей, представленный в монографии «Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем / Н.Н.Прокопенко, О.В.Дворников, С.Г.Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - С.22, рис.1.12». Он содержит первый 1 и второй 2 токовые входы устройства, первый 3 и второй 4 входные транзисторы с объединенными базами, первый 5 и второй 6 вспомогательные транзисторы, базы которых соединены со вспомогательным источником напряжения 7, эмиттеры подключены к шине первого 8 источника питания через соответствующие первый 9 и второй 10 токостабилизирующие двухполюсники, а коллекторы соединены с соответствующими эмиттерами первого 3 и второго 4 входных транзисторов, третий 11 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго 12 источника питания и коллектором первого 3 входного транзистора, четвертый 13 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго 12 источника питания и коллектором второго 4 входного транзистора, первый 14 выходной транзистор, база которого подключена к коллектору первого 3 входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго 12 источника питания, а эмиттер связан с первым 15 выходом устройства и через пятый 16 токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого 8 источника питания, второй 17 выходной транзистор, база которого подключена к коллектору второго 4 входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго 12 источника питания, а эмиттер соединен со вторым 18 выходом устройства и через шестой 19 токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого 8 источника питания.The closest prototype of the claimed device is a signal converter of avalanche photodiodes and silicon photomultipliers, presented in the monograph "Elemental base of radiation-resistant information-measuring systems / NN Prokopenko, OV Dvornikov, S. G. Krutchinsky; under the general. ed. Doctor of Technical Sciences prof. N.N. Prokopenko - Mines: Federal State Budgetary Educational Establishment of Higher Vocational Education "YURGUES", 2011. - P. 22, Fig. 11.12. " It contains the first 1 and second 2 current inputs of the device, the first 3 and second 4 input transistors with combined bases, the first 5 and second 6 auxiliary transistors, the bases of which are connected to the auxiliary voltage source 7, the emitters are connected to the bus of the first 8 power supply through the corresponding first 9 and second 10 are current-stabilizing two-pole, and the collectors are connected to the corresponding emitters of the first 3 and second 4 input transistors, the third 11 current-stabilizing two-terminal connected between the bus of the second 12 ist power supply and the collector of the first 3 input transistor, the fourth 13 current-stabilizing two-pole connected between the bus of the second 12 power supply and the collector of the second 4 input transistor, the first 14 output transistor, the base of which is connected to the collector of the first 3 input transistor, the collector is connected to the bus of the second 12 source power supply, and the emitter is connected to the first 15 output of the device and through the fifth 16 the current-stabilizing two-terminal device is connected to the bus of the first 8 power supply, the second 17 output transistor, the base of which the second is connected to the collector of the second 4 input transistor, the collector is connected to the bus of the second 12 power supply, and the emitter is connected to the second 18 output of the device and through the sixth 19 the current-stabilizing two-terminal is connected to the bus of the first 8 power supply.

Существенный недостаток известного трансрезистивного усилителя-прототипа состоит в том, что он не обеспечивает широкий диапазон изменения сопротивления передачи Rq. Кроме этого его выходное синфазное напряжение при высокоомных токостабилизирующих двухполюсниках 11 и 13 нестабильно и его уровень существенно отличается от нуля. Данное обстоятельство затрудняет согласование ТРУ с последующим каскадом обработки оптических сигналов.A significant disadvantage of the known transresistive prototype amplifier is that it does not provide a wide range of variation of the transmission resistance Rq. In addition, its output common-mode voltage at high-resistance current-stabilizing two-terminal 11 and 13 is unstable and its level differs significantly from zero. This circumstance makes it difficult to match the TRU with the subsequent cascade of processing of optical signals.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в расширении допустимого диапазона изменения сопротивления передачи R0 трансрезистивного усилителя, которое определяется в заявляемой схеме численными значениями сопротивления вспомогательного резистора 28, не влияющего на статический режим транзисторов схемы.The main objective of the invention is to expand the acceptable range of variation of the transmission resistance R 0 of the transresistive amplifier, which is determined in the claimed circuit by the numerical values of the resistance of the auxiliary resistor 28, which does not affect the static mode of the transistors of the circuit.

Дополнительная задача - введение общей отрицательной обратной связи, обеспечивающей стабилизацию выходного синфазного напряжения ТРУ и его нулевое значение.An additional task is the introduction of a general negative feedback, which ensures stabilization of the output common mode voltage of the TRU and its zero value.

Поставленная задача решается тем, что в трансрезистивном усилителе с парафазным выходом для преобразования сигналов лавинных фотодиодов фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 токовые входы устройства, первый 3 и второй 4 входные транзисторы с объединенными базами, первый 5 и второй 6 вспомогательные транзисторы, базы которых соединены со вспомогательным источником напряжения 7, эмиттеры подключены к шине первого 8 источника питания через соответствующие первый 9 и второй 10 токостабилизирующие двухполюсники, а коллекторы соединены с соответствующими эмиттерами первого 3 и второго 4 входных транзисторов, третий 11 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго 12 источника питания и коллектором первого 3 входного транзистора, четвертый 13 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго 12 источника питания и коллектором второго 4 входного транзистора, первый 14 выходной транзистор, база которого подключена к коллектору первого 3 входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго 12 источника питания, а эмиттер связан с первым 15 выходом устройства и через пятый 16 токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого 8 источника питания, второй 17 выходной транзистор, база которого подключена к коллектору второго 4 входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго 12 источника питания, а эмиттер соединен со вторым 18 выходом устройства и через шестой 19 токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого 8 источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - первый 1 и второй 2 токовые входы устройства подключены к эмиттерам соответствующих первого 3 и второго 4 входных транзисторов, между первым 15 и вторым 18 выходами устройства включены последовательно соединенные первый 20 и второй 21 дополнительные резисторы, общий узел которых соединен с базами первого 3 и второго 4 входных транзисторов, между эмиттерами первого 5 и второго 6 вспомогательных транзисторов включены последовательно соединенные третий 22 и четвертый 23 дополнительные резисторы, общий узел которых связан с коллектором первого 24 дополнительного транзистора, эмиттер которого связан с общей шиной 25 первого 8 и второго 12 источников питания, а база соединена с общим узлом пятого 26 и шестого 27 последовательно соединенных дополнительных резисторов, включенных между первым 1 и вторым 2 токовыми входами устройства.The problem is solved in that in a transresistive amplifier with a paraphase output for converting avalanche photodiode signals of Fig. 1, containing the first 1 and second 2 current inputs of the device, the first 3 and second 4 input transistors with integrated bases, the first 5 and second 6 auxiliary transistors, the bases of which are connected to the auxiliary voltage source 7, the emitters are connected to the bus of the first 8 power supply through the corresponding first 9 and second 10 current-stabilizing two-terminal devices, and the collectors are connected to the corresponding by the emitters of the first 3 and second 4 input transistors, the third 11 current-stabilizing two-pole connected between the bus of the second 12 power supply and the collector of the first 3 input transistor, the fourth 13 current-stabilizing two-pole connected between the bus of the second 12 power supply and the collector of the second 4 input transistor, first 14 the output transistor, the base of which is connected to the collector of the first 3 input transistor, the collector is connected to the bus of the second 12 power supply, and the emitter is connected to the first 15 output of the device After the fifth 16, the current-stabilizing two-terminal is connected to the bus of the first 8 power supply, the second 17 output transistor, the base of which is connected to the collector of the second 4 input transistor, the collector is connected to the bus of the second 12 power supply, and the emitter is connected to the second 18 output of the device and through the sixth 19 a current-stabilizing two-terminal device is connected to the bus of the first 8 power supply, new elements and communications are provided - the first 1 and second 2 current inputs of the device are connected to the emitters of the corresponding first 3 and second of four input transistors, between the first 15 and second 18 outputs of the device, the first 20 and second 21 additional resistors are connected in series, the common node of which is connected to the bases of the first 3 and second 4 input transistors, between the emitters of the first 5 and second 6 auxiliary transistors are connected in series the third 22 and fourth 23 additional resistors, the common node of which is connected to the collector of the first 24 additional transistor, the emitter of which is connected to the common bus 25 of the first 8 and second 12 sources Itani, a base connected to the common node of the fifth 26 and sixth 27 series-connected additional resistor connected between the first 1 and second 2 current inputs.

На чертеже фиг.1 представлена схема усилителя-прототипа, а на чертеже фиг.2 - схема заявляемого устройства в соответствии с пп.1-2 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 1 is a diagram of the prototype amplifier, and in the drawing of FIG. 2 is a diagram of the inventive device in accordance with claims 1-2.

На чертеже фиг.3 представлена схема фиг.2 в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».The drawing of figure 3 presents a diagram of figure 2 in the environment of PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar.

На чертеже фиг.4 показана частотная зависимость сопротивления передачи (R0) ТРУ фиг.2 при разных значениях сопротивления вспомогательного резистора 28 R28=R7=R0=Rvar=0,l÷100 кОм.The drawing of figure 4 shows the frequency dependence of the transmission resistance (R 0 ) TRU of figure 2 for different values of the resistance of the auxiliary resistor 28 R 28 = R 7 = R 0 = R var = 0, l ÷ 100 kOhm.

Трансрезистивный усилитель с парафазным выходом для преобразования сигналов лавинных фотодиодов фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 токовые входы устройства, первый 3 и второй 4 входные транзисторы с объединенными базами, первый 5 и второй 6 вспомогательные транзисторы, базы которых соединены со вспомогательным источником напряжения 7, эмиттеры подключены к шине первого 8 источника питания через соответствующие первый 9 и второй 10 токостабилизирующие двухполюсники, а коллекторы соединены с соответствующими эмиттерами первого 3 и второго 4 входных транзисторов, третий 11 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго 12 источника питания и коллектором первого 3 входного транзистора, четвертый 13 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго 12 источника питания и коллектором второго 4 входного транзистора, первый 14 выходной транзистор, база которого подключена к коллектору первого 3 входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго 12 источника питания, а эмиттер связан с первым 15 выходом устройства и через пятый 16 токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого 8 источника питания, второй 17 выходной транзистор, база которого подключена к коллектору второго 4 входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго 12 источника питания, а эмиттер соединен со вторым 18 выходом устройства и через шестой 19 токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого 8 источника питания. Первый 1 и второй 2 токовые входы устройства подключены к эмиттерам соответствующих первого 3 и второго 4 входных транзисторов, между первым 15 и вторым 18 выходами устройства включены последовательно соединенные первый 20 и второй 21 дополнительные резисторы, общий узел которых соединен с базами первого 3 и второго 4 входных транзисторов, между эмиттерами первого 5 и второго 6 вспомогательных транзисторов включены последовательно соединенные третий 22 и четвертый 23 дополнительные резисторы, общий узел которых связан с коллектором первого 24 дополнительного транзистора, эмиттер которого связан с общей шиной 25 первого 8 и второго 12 источников питания, а база соединена с общим узлом пятого 26 и шестого 27 последовательно соединенных дополнительных резисторов, включенных между первым 1 и вторым 2 токовыми входами устройства.The transresistive amplifier with a paraphase output for converting the signals of avalanche photodiodes of figure 2 contains the first 1 and second 2 current inputs of the device, the first 3 and second 4 input transistors with integrated bases, the first 5 and second 6 auxiliary transistors, the bases of which are connected to an auxiliary voltage source 7 , the emitters are connected to the bus of the first 8 power supply through the corresponding first 9 and second 10 current-stabilizing two-pole, and the collectors are connected to the corresponding emitters of the first 3 and second 4 in one transistor, the third 11 current-stabilizing two-terminal connected between the bus of the second 12 power supply and the collector of the first 3 input transistor, the fourth 13 current-stabilizing two-terminal connected between the bus of the second 12 power source and the collector of the second 4 input transistor, the first 14 output transistor, the base of which is connected to the collector of the first 3 input transistor, the collector is connected to the bus of the second 12 power supply, and the emitter is connected to the first 15 output of the device and through the fifth 16 is current-stabilizing The first two-terminal is connected to the bus of the first 8 power supply, the second 17 output transistor, the base of which is connected to the collector of the second 4 input transistor, the collector is connected to the bus of the second 12 power supply, and the emitter is connected to the second 18 output of the device and through the sixth 19 the current-stabilizing two-terminal is connected to the bus of the first 8 power supply. The first 1 and second 2 current inputs of the device are connected to the emitters of the corresponding first 3 and second 4 input transistors, between the first 15 and second 18 outputs of the device are connected in series the first 20 and second 21 additional resistors, the common node of which is connected to the bases of the first 3 and second 4 input transistors, between the emitters of the first 5 and second 6 auxiliary transistors connected in series are the third 22 and fourth 23 additional resistors, the common node of which is connected to the collector of the first 24 to olnitelnogo transistor whose emitter is connected to the common bus 25 of the first 8 and the second power sources 12 and base connected to the common node of the fifth 26 and sixth 27 series-connected additional resistor connected between the first 1 and second 2 current inputs.

На чертеже фиг.2, в соответствии с п.2 формулы изобретения, между коллекторами первого 3 и второго 4 входных транзисторов включен вспомогательный резистор 28.In the drawing of FIG. 2, in accordance with claim 2, between the collectors of the first 3 and second 4 input transistors, an auxiliary resistor 28 is connected.

Рассмотрим работу схемы фиг.2 для случая, когда на вход Bx.i1(l) подается ток 1вхЛ от фотодиода, а второй вход (Bx.i2) не используется.Consider the operation of the circuit of FIG. 2 for the case when a 1vhl current from the photodiode is applied to the input Bx.i 1 (l), and the second input (Bx.i 2 ) is not used.

Изменение входного тока ТРУ вызывает соответствующее изменение эмиттерного и коллекторного тока транзистора 3:A change in the input current of the TRU causes a corresponding change in the emitter and collector current of the transistor 3:

i к 3 i э 3 i в 3                                                                                           (1)  

Figure 00000001
i to 3 i uh 3 i at 3 (one)
Figure 00000001

Приращение коллекторного тока транзистора 3 передается в нагрузку 28 и вызывает (за счет отрицательной обратной связи) соответствующее изменение выходного дифференциального напряжения ТРУ:The increment of the collector current of the transistor 3 is transferred to the load 28 and causes (due to negative feedback) a corresponding change in the output differential voltage of the TRU:

u в ы х R 28 i в х .                                                                                           (2)

Figure 00000002
u at s x R 28 i at x . (2)
Figure 00000002

Таким образом, сопротивление передачи заявляемого ТРУ (R0) определяется величиной сопротивления вспомогательного резистора 28, не влияющего на статический режим схемы в широком диапазоне изменения R2s:Thus, the transmission resistance of the claimed TRU (R 0 ) is determined by the resistance value of the auxiliary resistor 28, which does not affect the static mode of the circuit in a wide range of R2s:

u в ы х R 28 = 0 ÷                                                                                     (3)

Figure 00000003
u at s x R 28 = 0 ÷ (3)
Figure 00000003

Результаты моделирования схемы фиг.3 подтверждают эффект существенного расширения допустимого диапазона изменения сопротивления передачи R0 ТРУ, которое обеспечивается без изменения статического режима транзисторов (фиг.4). Кроме этого в схеме фиг.3 устанавливается нулевой уровень выходного синфазного напряжения, который оказывается достаточно стабильным в условиях температурных и радиационных воздействий благодаря отрицательной обратной связи по синфазному сигналу.The simulation results of the circuit of figure 3 confirm the effect of a substantial expansion of the permissible range of variation of the transmission resistance R 0 TRU, which is provided without changing the static mode of the transistors (figure 4). In addition, in the circuit of FIG. 3, a zero common-mode voltage level is set, which turns out to be quite stable under conditions of temperature and radiation effects due to negative feedback on the common-mode signal.

Таким образом, предлагаемое схемотехническое решение трансрезистивного усилителя сигналов характеризуется широким диапазоном регулировки усилительного параметра R0 (например, от -20 дБ до 60 дБ), что является его существенным преимуществом в сравнении с прототипом.Thus, the proposed circuitry solution of the transresistive signal amplifier is characterized by a wide range of adjustment of the amplifier parameter R 0 (for example, from -20 dB to 60 dB), which is its significant advantage in comparison with the prototype.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST

1. Патент US 6.590.455 fig. 1.1. Patent US 6.590.455 fig. one.

2. Патент US 6.069.534 fig. 6.2. Patent US 6.069.534 fig. 6.

3. Патент US 6.801.084.3. Patent US 6.801.084.

4. Патент US 6.218.905.4. Patent US 6.218.905.

5. Патент US 6.639.477 fig. 3В.5. Patent US 6.639.477 fig. 3B.

6. Патент US 6.809.594 fig. 1.6. Patent US 6.809.594 fig. one.

7. Патент US 5.714.909 fig. 2.7. US Pat. No. 5,714,909 fig. 2.

8. Патент US 7.042.295.8. Patent US 7.042.295.

9. Патент US 4.511.857 fig. 3а.9. Patent US 4,511,857 fig. 3a.

10.Патент US 5.345.073 fig. 3.10. Patent US 5,345,073 fig. 3.

Claims (2)

1. Трансрезистивный усилитель с парафазным выходом для преобразования сигналов лавинных фотодиодов, содержащий первый (1) и второй (2) токовые входы устройства, первый (3) и второй (4) входные транзисторы с объединенными базами, первый (5) и второй (6) вспомогательные транзисторы, базы которых соединены со вспомогательным источником напряжения (7), эмиттеры подключены к шине первого (8) источника питания через соответствующие первый (9) и второй (10) токостабилизирующие двухполюсники, а коллекторы соединены с соответствующими эмиттерами первого (3) и второго (4) входных транзисторов, третий (11) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго (12) источника питания и коллектором первого (3) входного транзистора, четвертый (13) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между шиной второго (12) источника питания и коллектором второго (4) входного транзистора, первый (14) выходной транзистор, база которого подключена к коллектору первого (3) входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго (12) источника питания, а эмиттер связан с первым (15) выходом устройства и через пятый (16) токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого (8) источника питания, второй (17) выходной транзистор, база которого подключена к коллектору второго (4) входного транзистора, коллектор соединен с шиной второго (12) источника питания, а эмиттер соединен со вторым (18) выходом устройства и через шестой (19) токостабилизирующий двухполюсник подключен к шине первого (8) источника питания, отличающийся тем, что первый (1) и второй (2) токовые входы устройства подключены к эмиттерам соответствующих первого (3) и второго (4) входных транзисторов, между первым (15) и вторым (18) выходами устройства включены последовательно соединенные первый (20) и второй (21) дополнительные резисторы, общий узел которых соединен с базами первого (3) и второго (4) входных транзисторов, между эмиттерами первого (5) и второго (6) вспомогательных транзисторов включены последовательно соединенные третий (22) и четвертый (23) дополнительные резисторы, общий узел которых связан с коллектором первого (24) дополнительного транзистора, эмиттер которого связан с общей шиной (25) первого (8) и второго (12) источников питания, а база соединена с общим узлом пятого (26) и шестого (27) последовательно соединенных дополнительных резисторов, включенных между первым (1) и вторым (2) токовыми входами устройства.1. A transistor amplifier with a paraphase output for converting avalanche photodiode signals, comprising the first (1) and second (2) current inputs of the device, the first (3) and second (4) input transistors with integrated bases, the first (5) and second (6 ) auxiliary transistors, the bases of which are connected to an auxiliary voltage source (7), emitters are connected to the bus of the first (8) power source through the corresponding first (9) and second (10) current-stabilizing two-terminal devices, and the collectors are connected to the corresponding emitters of the first (3) and the second (4) input transistors, the third (11) current-stabilizing two-terminal connected between the bus of the second (12) power supply and the collector of the first (3) input transistor, the fourth (13) current-stabilizing two-terminal connected between the bus of the second (12) power source and the collector the second (4) input transistor, the first (14) output transistor, the base of which is connected to the collector of the first (3) input transistor, the collector is connected to the bus of the second (12) power source, and the emitter is connected to the first (15) output of the device and through The second (16) current-stabilizing two-terminal device is connected to the bus of the first (8) power source, the second (17) output transistor, the base of which is connected to the collector of the second (4) input transistor, the collector is connected to the bus of the second (12) power source, and the emitter is connected to the second (18) output of the device and through the sixth (19) current-stabilizing two-terminal device is connected to the bus of the first (8) power source, characterized in that the first (1) and second (2) current inputs of the device are connected to the emitters of the corresponding first (3) and second (4) input transistor s, between the first (15) and second (18) outputs of the device, the first (20) and second (21) additional resistors are connected in series, the common node of which is connected to the bases of the first (3) and second (4) input transistors, between the emitters of the first (5) and the second (6) auxiliary transistors connected in series are the third (22) and fourth (23) additional resistors, the common node of which is connected to the collector of the first (24) additional transistor, the emitter of which is connected to the common bus (25) of the first (8 ) and second (12) power sources, and the base is connected to a common node of the fifth (26) and sixth (27) series-connected additional resistors connected between the first (1) and second (2) current inputs of the device. 2. Трансрезистивный усилитель с парафазным выходом для преобразования сигналов лавинных фотодиодов по п.1, отличающийся тем, что между коллекторами первого (3) и второго (4) входных транзисторов включен вспомогательный резистор (28). 2. A transistor amplifier with a paraphase output for converting avalanche photodiode signals according to claim 1, characterized in that an auxiliary resistor (28) is connected between the collectors of the first (3) and second (4) input transistors.
RU2013116179/07A 2013-04-09 2013-04-09 Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes RU2534758C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013116179/07A RU2534758C1 (en) 2013-04-09 2013-04-09 Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013116179/07A RU2534758C1 (en) 2013-04-09 2013-04-09 Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013116179A RU2013116179A (en) 2014-10-20
RU2534758C1 true RU2534758C1 (en) 2014-12-10

Family

ID=53285626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013116179/07A RU2534758C1 (en) 2013-04-09 2013-04-09 Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2534758C1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6069534A (en) * 1997-12-04 2000-05-30 Trw Inc. Balance photo-receiver with complementary HBT common-base push pull pre-amplifier
US6590455B1 (en) * 2002-04-25 2003-07-08 Sirenza Microdevices, Inc. Common-base amplifier with high input overload and/or tunable transimpedance
RU2339973C2 (en) * 2002-01-21 2008-11-27 Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч Charge or particle detection

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6069534A (en) * 1997-12-04 2000-05-30 Trw Inc. Balance photo-receiver with complementary HBT common-base push pull pre-amplifier
RU2339973C2 (en) * 2002-01-21 2008-11-27 Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч Charge or particle detection
US6590455B1 (en) * 2002-04-25 2003-07-08 Sirenza Microdevices, Inc. Common-base amplifier with high input overload and/or tunable transimpedance

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013116179A (en) 2014-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2624565C1 (en) Instrument amplifier for work at low temperatures
RU2523124C1 (en) Multi-differential operational amplifier
RU2566963C1 (en) Differential input stage of high-speed operational amplifier for cmos technological processes
RU2677401C1 (en) Bipolar-field buffer amplifier
RU2571578C1 (en) Input stage of multidifferential operational amplifier for radiation-resistant bipolar-field process
RU2534758C1 (en) Transresistive amplifier with paraphase input to convert signals of avalanche photodiodes
RU2523947C1 (en) Output stage of power amplifier based on complementary transistors
RU2615070C1 (en) High-precision two-stage differential operational amplifier
RU2595927C1 (en) Bipolar-field operational amplifier
RU2515201C1 (en) Transresistive amplifier for signals of avalanche photodiodes
RU2568384C1 (en) Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process
RU2615068C1 (en) Bipolar-field differential operational amplifier
RU2536376C1 (en) Operational amplifier with paraphase output
RU2595926C1 (en) Bipolar-field operational amplifier
RU2571579C1 (en) Precision operational amplifier for radiation-proof bipolar field technological process
RU2589323C1 (en) Bipolar-field operational amplifier
RU2568318C1 (en) Multidifferential operating amplifier with low zero offset voltage
RU2452077C1 (en) Operational amplifier with paraphase output
RU2595923C1 (en) High-speed operational amplifier based on "bent" cascode
RU2433523C1 (en) Precision differential operational amplifier
RU2439778C1 (en) Differential operational amplifier with paraphase output
RU2446555C2 (en) Differential operational amplifier
RU2432666C1 (en) Differential operational amplifier with low supply voltage
RU2504896C1 (en) Input stage of high-speed operational amplifier
RU2423779C1 (en) Differential amplifier with low-voltage input transistors

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150410