RU2525865C2 - Способ изготовления мдм-катода - Google Patents

Способ изготовления мдм-катода Download PDF

Info

Publication number
RU2525865C2
RU2525865C2 RU2012125919/07A RU2012125919A RU2525865C2 RU 2525865 C2 RU2525865 C2 RU 2525865C2 RU 2012125919/07 A RU2012125919/07 A RU 2012125919/07A RU 2012125919 A RU2012125919 A RU 2012125919A RU 2525865 C2 RU2525865 C2 RU 2525865C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
pores
lower electrode
metal
substrate
Prior art date
Application number
RU2012125919/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012125919A (ru
Inventor
Иван Владимирович Кулинич
Тамара Ивановна Данилина
Валерий Григорьевич Мирончик
Валентина Викторовна Сохорева
Павел Ефимович Троян
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР)
Priority to RU2012125919/07A priority Critical patent/RU2525865C2/ru
Publication of RU2012125919A publication Critical patent/RU2012125919A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2525865C2 publication Critical patent/RU2525865C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области электронной техники. Способ изготовления МДМ-катода заключается в нанесении на подложку нижнего электрода, диэлектрика, верхнего электрода и формовку структуры. На нижнем электроде создается регулярная наноострийная структура в виде столбиков с плотностью 5·10 см-2 путем электрохимического осаждения металла через шаблон из полимерной пленки со сквозными порами. Технический результат - повышение плотности тока эмиссии и ее равномерности по поверхности МДМ-катода. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к технологии изготовления элементов электровакуумных приборов, в частности катодов.
Известен МДМ-катод [1], выполненный в виде тонкопленочной системы «металл-диэлектрик-металл» на полированной подложке, отличающийся тем, что для увеличения эмиссионных параметров катода в качестве диэлектрика используется пористая пленка диоксида кремния.
Пористые пленки диоксида кремния (SiO2) с различной концентрацией пор получались путем магнетронного распыления комбинированной мишени Si+C в среде смеси газов Аr+O2. Формирование пор объясняется протеканием химических реакций углерода с кислородом на подложке с образованием газового компонента (СО2), который покидает пленку SiO2, разрыхляя ее и формируя в ней сквозные поры и поры с газовыми включениями. Наличие пор облегчает формовку МДМ-катода и повышает эмиссионные параметры. Недостатком такого МДМ-катода является неравномерная эмиссия по поверхности вследствие неупорядоченного расположения на ней пор.
Недостатком известных способов является, то, что шероховатая поверхность имеет нерегулярную структуру с плохой воспроизводимостью.
Целью изобретения является повышение плотности и равномерности тока эмиссии МДМ-катодов.
Поставленная цель достигается тем, что на нижнем электроде МДМ-катода формируются металлические наноострия с плотностью 5·108 см-2 путем электрохимического осаждения металла через сквозные поры шаблона из полимерной пленки.
Предлагаемый способ изготовления холодного МДМ-катода осуществляется следующим образом. На гладком нижнем металлическом электроде выращивается регулярная наноострийная структура путем электрохимического высаживания металла в электролитической ячейке через специальный шаблон. В качестве шаблона используется полимерная пленка, которая подвергается облучению ионами аргона, что приводит к образованию несквозных латентных треков. При воздействии на пленку специальными химическими реагентами в области треков происходит травление пленки. В результате образуются сквозные поры с диаметром 300-450 нм и плотностью порядка 108см-2.
Перед выращиванием острий подложка выдерживается в серной кислоте 2-3 сек. Для высаживания металла подложка закрепляется в электролитической ячейке (Фиг.1). Плотный прижим шаблона осуществляется с помощью пористого фетра. Металл высаживается на подложку через поры шаблона путем пропускания электролита вдоль поверхности подложки с закрепленным шаблоном. Электрохимическое осаждение металла проводится при напряжении не более 1 В. Контроль высоты острий осуществляется прошедшим зарядом при контроле тока и времени высаживания. После осаждения подложка выдерживается в растворе щелочи для удаления шаблона. На Фиг.2 представлено изображение наноострийной поверхности, полученное в электронном микроскопе. Наноострия представляют собой столбики диаметром 300-450 нм с плотностью порядка 108 см-2. Диаметр и плотность острий определяется параметрами шаблона.
На подложку с регулярными наноостриями с помощью ионно-плазменного метода напыления наносится пленка рабочего диэлектрика толщиной 80 нм. Верхний электрод получается термическим испарением алюминия в вакууме толщиной 30 нм.
Изготовленный по предложенному способу МДМ-катод подвергался процессу формовки и показал равномерное распределение эмиссионных центров, которое соответствовало сформированному наноострийному рельефу. При этом плотность тока эмиссии МДМ-катода с наноострийным нижним электродом была на порядок выше, чем для МДМ-катодов с гладким нижним электродом.
Источники информации
1. Усов С.П., Сахаров Ю.В., Троян П.Е. МДМ-катод. RU 107399 U1, МПК H01J 9/02.

Claims (1)

  1. Способ изготовления МДМ-катода, включающий в себя нанесение на подложку нижнего электрода, диэлектрика, верхнего электрода и формовку структуры, отличающийся тем, что с целью повышения плотности тока эмиссии и равномерности ее по поверхности на нижнем электроде формируется регулярная наноострийная структура в виде столбиков с плотностью 5·108 см-2 путем электрохимического осаждения металла через шаблон из полимерной пленки со сквозными порами.
RU2012125919/07A 2012-06-21 2012-06-21 Способ изготовления мдм-катода RU2525865C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012125919/07A RU2525865C2 (ru) 2012-06-21 2012-06-21 Способ изготовления мдм-катода

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012125919/07A RU2525865C2 (ru) 2012-06-21 2012-06-21 Способ изготовления мдм-катода

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012125919A RU2012125919A (ru) 2013-12-27
RU2525865C2 true RU2525865C2 (ru) 2014-08-20

Family

ID=49785930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012125919/07A RU2525865C2 (ru) 2012-06-21 2012-06-21 Способ изготовления мдм-катода

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2525865C2 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7545088B2 (en) * 2006-01-31 2009-06-09 Motorola, Inc. Field emission device
RU2385835C1 (ru) * 2008-10-23 2010-04-10 Учреждение Российской Академии Наук Институт Проблем Химической Физики Ран (Ипхф Ран) Способ получения наноструктур полупроводника
RU107399U1 (ru) * 2011-01-12 2011-08-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Мдм-катод

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7545088B2 (en) * 2006-01-31 2009-06-09 Motorola, Inc. Field emission device
RU2385835C1 (ru) * 2008-10-23 2010-04-10 Учреждение Российской Академии Наук Институт Проблем Химической Физики Ран (Ипхф Ран) Способ получения наноструктур полупроводника
RU107399U1 (ru) * 2011-01-12 2011-08-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Мдм-катод

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012125919A (ru) 2013-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Understanding the growth mechanism of vertically aligned graphene and control of its wettability
CN103608966B (zh) 无针孔介电薄膜制造
TWI504049B (zh) 電池及處理其電極的方法
US20220056599A1 (en) Vertical Branched Graphene
TWI658633B (zh) 鋰硫電池隔膜的製備方法
JP2015505153A5 (ja) 電池及び電池の電極を処理する方法
CN108615893A (zh) 一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的集流体、其制备方法及用途
Boukmouche et al. Supercapacitance of MnO2 films prepared by pneumatic spray method
TWI656681B (zh) 鋰硫電池隔膜以及鋰硫電池
CN111430713A (zh) 一种金属锂负极的制备方法、金属锂负极及电池和应用
CN106011969A (zh) 镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法
CN104862759A (zh) 一种常温、低电压条件下电沉积类金刚石薄膜的方法
RU2525865C2 (ru) Способ изготовления мдм-катода
CN108615892A (zh) 一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途
CN117248183A (zh) 一种金属双极板耐蚀涂层及其制备方法
CN108796438B (zh) 一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备
CN108417842A (zh) 纸团状石墨烯用作金属锂负极集流体
CN100342474C (zh) 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法
KR102582119B1 (ko) 실리콘 나노선을 구비한 이차전지용 음극 활물질 및 그 제조 방법
TWI573158B (zh) 電容器陰極箔結構之製造方法
CN107557835B (zh) 一种基于Fe2+调控电沉积碳膜粒径大小的方法
JP2012001798A (ja) 電解装置用電極の製造方法
Geng-Min et al. Field emission from an array of free-standing metallic nanowires
Li et al. Structural transformation of macroporous silicon anodes as a result of cyclic lithiation processes
Lee et al. Characterization of Teflon-like carbon cloth prepared by plasma surface modification for use as gas diffusion backing in membrane electrode assembly

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160622