RU2518505C1 - Ленточный втсп-провод - Google Patents

Ленточный втсп-провод Download PDF

Info

Publication number
RU2518505C1
RU2518505C1 RU2012150141/07A RU2012150141A RU2518505C1 RU 2518505 C1 RU2518505 C1 RU 2518505C1 RU 2012150141/07 A RU2012150141/07 A RU 2012150141/07A RU 2012150141 A RU2012150141 A RU 2012150141A RU 2518505 C1 RU2518505 C1 RU 2518505C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
htsc
layer
tape
mpa
substrate
Prior art date
Application number
RU2012150141/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012150141A (ru
Inventor
Виктор Иванович Панцырный
Наталья Евгеньевна Хлебова
Сергей Владимирович Судьев
Николай Серафимович Грязнов
Валерий Андреевич Дробышев
Николай Анатольевич Беляков
Сергей Геннадиевич Сергеев
Ольга Дмитриевна Кукина
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НАНОЭЛЕКТРО"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НАНОЭЛЕКТРО" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НАНОЭЛЕКТРО"
Priority to RU2012150141/07A priority Critical patent/RU2518505C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2518505C1 publication Critical patent/RU2518505C1/ru
Publication of RU2012150141A publication Critical patent/RU2012150141A/ru

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии высокотемпературных ленточных сверхпроводников на основе смешанных оксидов иттрия-бария-меди (YBCO) и может быть использовано при конструировании и изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих проводов второго поколения, в частности в импульсных магнитных системах или в других установках, в которых требуются сверхпроводники с высокой механической прочностью. Задачей предлагаемого изобретения является создание надежной конструкции ВТСП-провода с высокой электропроводностью и механической прочностью выше 1000 МПа, который предназначен для использования в сверхпроводниковых силовых кабелях. Технический результат заявляемого изобретения состоит в стабилизации проводящих свойств ВТСП-провода в условиях изгибающих деформаций. Технический результат достигается тем, что ВТСП-провод включает текстурированную ленточную подложку, нанесенные на нее последовательно буферный слой, ВТСП-слой, защитное покрытие ВТСП-слоя, а также припаянное с двух сторон ленточное металлическое покрытие, причем ленточное покрытие выполнено из нанокомпозиционного материала Cu-Nb, содержащего от 5 до 30% Nb и обладающего механической прочностью от 400 МПа до 1000 МПа. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к технологии высокотемпературных ленточных сверхпроводников на основе смешанных оксидов иттрия-бария-меди (YBCO) и может быть использовано при конструировании и изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих проводов второго поколения, в частности в импульсных магнитных системах или в других установках, в которых требуются сверхпроводники с высокой механической прочностью.
Высокотемпературные сверхпроводящие проводники второго поколения (далее - ВТСП) основаны на явлении резкого падения электрического сопротивления некоторых поликристаллических смешанных оксидов редкоземельного металла, щелочноземельного металла и меди (например, оксидов иттрия-бария-меди) при температурах выше температуры кипения жидкого азота (77,4 К). В результате двух десятилетий активных исследований и разработок основой для создания промышленных технологий ВТСП стали два соединения: (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox (сокращенно BSCCO или 2223, Тс=105-120 К) и YBa2Cu3O7 (YBCO или 123, Tc=90-92 К). Из них провода на основе YBa2Cu3O7 демонстрируют рекордную среди всех прочих сверхпроводников устойчивость критического тока в магнитных полях. В этом состоит их принципиальное отличие и преимущество по сравнению с проводниками первого поколения на основе Bi-керамик. Основное преимущество использования сверхпроводников на основе YBa2Cu3O7 состоит в том, что кабели на их основе способны передавать большую мощность при достаточно малых габаритах и низких напряжениях. Создание ВТСП-проводов предшествует появлению принципиально нового высокоэффективного и компактного электрического оборудования самого различного назначения, например таких, как сверхпроводниковые силовые кабели, сверхпроводниковые индуктивные накопители, трансформаторы высокой мощности и высокополевые магниты.
Технологии ВТСП второго поколения основаны на использовании поликристаллических смешанных оксидов редкоземельного металла, щелочноземельного металла и меди, например оксидах иттрия-бария-меди (YBCO). Эти оксиды формируют в виде тонкого слоя с высокой степенью кристаллографической упорядоченности (текстуры) на поверхности гибкой лентовидной подложки с высокой степенью кристаллографической текстурированности. При этом текстура поверхности подложки обеспечивает образец-шаблон для эпитаксиального роста кристаллического ВТСП-материала, а также структурную целостность слоя ВТСП.
Для изготовления подложки используются такие материалы, как никель, медь, серебро, железо, серебряные сплавы, никелевые сплавы, железные сплавы, нержавеющие стали и медные сплавы. Текстурирование поверхности подложки может быть осуществлено с применением деформационных процессов, таких как деформация с использованием прокатки и рекристаллизационного отжига подложки. Примером такого процесса является процесс биаксиального текстурирования подложки с помощью прокатки (RABiTS-процесс, от англ. «rolling-assistedbiaxiallytexturedsubstrate»). В этом случае металл может быть экономично обработан путем деформации и отжига с получением высокой степени текстурированности. Этим способом до сих пор производили металлические полосы шириной, например, вплоть до 4 см, каждую из которых потом можно было продольно нарезать на множество меньших проводов, например, 10 полос с проводами шириной 0,4 см.
На поверхности подложки с подходящим кристаллографическим шаблоном перед выращиванием ВТСП-материала осаждают один или несколько буферных слоев, которые предотвращают диффузию атомов из материала подложки в кристаллическую решетку ВТСП-материала и способствуют сохранению его электрических свойств. Кроме того, буферные слои обеспечивают улучшенную адгезию между подложкой и слоем ВТСП, а также компенсацию коэффициентов теплового расширения ВТСП-материала и подложки. Слой ВТСП может быть осажден из металлорганических соединений (MOD), химическим осаждением из паровой фазы (MOCVD), импульсным лазерным осаждением (PLD), термовакуумным или электронно-лучевым напылением, или другими подходящими способами. На поверхность ВТСП-пленки наносят верхний слой, например, из серебра, который помогает предотвратить загрязнение слоя ВТСП сверху.
Пример многослойного ВТСП-проводника включает в себя: текстурированную подложку из сплава никеля с 5% вольфрама; последовательно осажденные эпитаксиальные слои Y2O3, YSZ и CeO2; эпитаксиальный слой YBCO; и верхний слой Ag. Примерные толщины этих слоев следующие: подложка - примерно 25-75 микрон, буферные слои - примерно 75 нм каждый, YBCO-слой - примерно 1 микрон, и верхний слой - примерно 1-3 микрона.
При использовании ВТСП-провода для изготовления электротехнических приборов и оборудования он должен выдерживать изгибающие напряжения, связанные с деформациями на растяжение и сжатие. Такие воздействия могут приводить к возникновению повреждений и отслоений слоя ВТСП и резкому ухудшению его электрических свойств. Поэтому эти провода должны удовлетворять многочисленным техническим требованиям, что ставит серьезные задачи при разработке конструкций проводов и при разработке промышленной технологии их производства.
Для повышения и стабилизации электротехнических и механических свойств ВТСП-проводов и защиты их от воздействия окружающей среды используют различные покрытия. Методы нанесения защитных покрытий, материалы для их выполнения и конструкции изоляции для узлов ВТСП описаны, например, в патенте США №6444917, МПК Н01В 12/00. Эти покрытия надежно защищают провод от внешней среды в процессе его эксплуатации, в частности от воздействия жидкого азота.
Однако предлагаемые конструкции ВТСП-провода не обеспечивают его высокую механическую прочность, которая необходима при изготовлении и эксплуатации сверхпроводниковых силовых кабелей, сверхпроводниковых индуктивных накопителей, трансформаторов высокой мощности, высокополевых магнитов и другого электротехнического оборудования на основе сверхпроводников.
В описании изобретения к патенту РФ №2408956, МПК H01L 39/02 описан многослойный ВТСП-провод, имеющий улучшенное перераспределение тока, хорошие механические свойства, надежную изоляцию ВТСП-узла от окружающей среды. Этот провод состоит из двух ленточных ВТСП-проводников, которые соединены между собой со стороны подложек в единый ВТСП-провод. Этот бинарный провод включает двухстороннее покрытие в виде двух металлических лент, расположенных со стороны сверхпроводящих покрытий, и электропроводящий наполнитель (припой), связующий элементы ВТСП-провода в единое целое.
Однако ВТСП-провод описанной конструкции не обеспечивает его высокой механической прочности, которая необходима при использовании его в конструкциях сверхпроводниковых силовых кабелей, сверхпроводниковых индуктивных накопителях энергии, трансформаторах, двигателях, генераторах, магнитах и других электротехнических устройствах.
Известен описанный в патенте США №6828507, МПК Н01В 12/00 ВТСП-провод, включающий текстурированную подложку, нанесенный на нее сверхпроводящий слой, защитные покрытия и медную полосу, размещенную со стороны сверхпроводящего слоя. Толщина медной полосы выбирается с учетом механических свойств и толщины подложки и рассчитывается так, чтобы при изгибе провода сверхпроводящий слой оказывался в средней зоне с минимальными напряжениями и деформациями в поперечном сечении провода. Изобретение предусматривает вариант выполнения конструкции с дополнительной надежностью и электропроводностью, в которой два ВТСП-проводника соединены припоем вместе своими медными полосами с образованием единого ВТСП-провода.
Однако ВТСП-провод описанной конструкции также не обеспечивает его высокой механической прочности, которая необходима для изготовления сверхпроводниковых силовых кабелей, сверхпроводниковых индуктивных накопителях энергии, трансформаторах, двигателях, генераторах, магнитах и других электротехнических устройствах.
Задачей предлагаемого изобретения является создание надежной конструкции ВТСП-провода с высокой электропроводностью и механической прочностью выше 1000 МПа, который предназначен для использования в сверхпроводниковых силовых кабелях.
Технический результат заявляемого изобретения состоит в стабилизации проводящих свойств ВТСП-провода в условиях изгибающих деформаций.
Технический результат достигается тем, что ВТСП-провод включает текстурированную ленточную подложку, нанесенные на нее последовательно буферный слой, ВТСП-слой, защитное покрытие ВТСП-слоя, а также припаянное с двух сторон ленточное металлическое покрытие, причем ленточное покрытие выполнено из нанокомпозиционного материала Cu-Nb, содержащего от 5 до 30% Nb и обладающего механической прочностью от 400 МПа до 1000 МПа.
Технический результат достигается также тем, что нанокомпозиционный материал Cu-Nb имеет размер структурных составляющих: ОЦК (объемно-центрированная кубическая кристаллическая структура) элементов Nb, Fe, V - 5-30 нм и ГЦК (гранецентрированная кубическая кристаллическая структура) элемента Cu - 40÷60 нм, предел прочности при растяжении - 400÷1000 МПа и электропроводность - 50÷80% IACS (IACS - международный стандарт электропроводности отожженной меди; 100% IACS = 1,7241 мкОм·см при 20°С).
Технический результат достигается также тем, что толщина ленточного покрытия, припаянного со стороны ВТСП-слоя, равна сумме толщин подложки и ленточного покрытия, припаянного со стороны подложки.
Отличительными признаками изобретения является то, что ленточное покрытие выполнено из нанокомпозиционного материала Cu-Nb, содержащего от 5 до 30% Nb и обладающего механической прочностью от 400 МПа до 1000 МПа.
Толщины лент покрытия из нанокомпозита Cu-Nb выбирают с учетом механических свойств и толщины подложки и рассчитывают так, чтобы при изгибе провода сверхпроводящий слой оказывался в средней зоне с минимальными напряжениями и деформациями в поперечном сечении провода.
На чертеже приведено поперечное сечение ВТСП-провода.
Провод состоит из металлической подложки (1) с текстурированной рабочей поверхностью, нанесенного на подложку (1) текстурированного буферного слоя (буферных слоев) (2), слоя ВТСП (3), защитного слоя (4), (5) ленточного покрытия (6), выполненного из нанокомпозита Cu-Nb и припаянного со стороны ВТСП-слоя (3), ленточного покрытия (7), выполненного из нанокомпозитного материала Cu-Nb и припаянного со стороны подложки (1), и припоя (8).
Получение ленточного ВТСП-провода, в соответствии с заявляемым изобретением, осуществляют следующим образом.
На подложку в виде ленты из высоколегированного никелевого сплава Хастеллой толщиной 40 мкм наносят известными методами буферные слои (YSZ) с биаксиальной текстурой из оксида церия, оксида иттрия и циркония, общей толщиной 1÷1,5 мкм. На полученную поверхность нанесен ВТСП-слой на основе YBa2Cu3O7 толщиной 1,5÷3 мкм, на который нанесен слой серебра методом магнетронного напыления для защиты ВТСП-слоя от внешнего воздействия. Общая толщина буферных слоев совместно с ВТСП-слоем и серебряным покрытием составляет 10 мкм. На полученную ВТСП ленту припаивают с двух сторон ленточные покрытия, выполненные из нанокомпозита Cu-Nb. При этом толщина ленточного покрытия, припаянного со стороны сверхпроводящего слоя, составляет 60 мкм, и толщина слоя ленточного покрытия, припаянного со стороны подложки, составляет 20. Такие размеры слоев покрытия позволяют обеспечить примерное равенство прочности ленточного покрытия (6), с одной стороны, и общей прочности ленточного покрытия (7) вместе с подложкой, с другой стороны. Такая конструкция обеспечивает не только высокую прочность провода, но и размещение ВТСП-слоя в зоне минимальных деформаций при его изгибе.
Процесс спайки двухстороннего ленточного покрытия с ВТСП-узлом осуществляют с помощью припоя с температурой припоя не выше 300°С, что гарантирует стабильность наноструктуры Cu-Nb ленты и сохранение ее высоких прочностных свойств. В качестве такого припоя используют сплавы с температурой плавления от 180°С до 232°С, например, композицию, состоящую из 40% олова, 58,5% свинца и 1,5% серебра. Для повышения электрической и тепловой стабильности, а также коррозионной устойчивости припой выполняют из электропроводящего материала и находится в электрическом контакте с ВТСП-узлом и покрывает его не только со стороны ленточного покрытия, но и с торцевой стороны.
Изобретение может быть использовано для получения технических ВТСП-проводников с высокими прочностными и проводящими свойствами, способных выдерживать без деградации критического тока значительные деформации. Такие провода могут найти применение для реализации проектов создания сверхпроводниковых силовых кабелей, сверхпроводниковых индуктивных накопителей энергии, трансформаторов, двигателей, генераторов, магнитов и других электротехнических устройств. Применение предложенных сверхпроводников перспективно и при создании компактных магнитных систем различного назначения с повышенными критическими характеристиками. Важной особенностью предлагаемого сверхпроводника является достижение существенного повышения прочности ленточного ВТСП-провода без снижения электрических и тепловых характеристик и коррозионной устойчивости. Использование предложенной конструкции позволяет снизить вероятность нарушения целостности ВТСП-слоя при деформациях провода в процессе изготовления электротехнического оборудования. Использование предлагаемого решения в технологии изготовления ВТСП-проводников обеспечивает их высокую прочность при оптимальных условиях сохранения целостности сверхпроводящего слоя при сгибе ВТСП-провода. Такая конструкция провода позволяет в значительной мере компенсировать повышенную хрупкость свехпроводящего слоя и возможные потери электропроводности ВТСП-провода.

Claims (3)

1. Ленточный ВТСП-провод, включающий текстурированную ленточную подложку, нанесенные на нее последовательно буферный слой, ВТСП-слой, защитное покрытие и припаянные с двух сторон ленточные металлические покрытия, отличающийся тем, что ленточные металлические покрытия выполнены из нанокомпозиционного материала Cu-Nb, содержащего от 5 до 30% Nb и обладающего механической прочностью на растяжение от 400 МПа до 1000 МПа.
2. Ленточный ВТСП-провод по п.1, отличающийся тем, что нанокомпозиционный материал Cu-Nb имеет размер структурных составляющих: ОЦК элементов Nb, Fe, V - 5-30 нм и ГЦК элемента Cu - 40÷60 нм, предел прочности при растяжении - 400÷1000 МПа и электропроводность - 50÷80% IACS.
3. Ленточный ВТСП-провод по п.1, отличающийся тем, что толщина ленточного покрытия, припаянного со стороны ВТСП-слоя, равна сумме толщин подложки и ленточного покрытия со стороны подложки.
RU2012150141/07A 2012-11-26 2012-11-26 Ленточный втсп-провод RU2518505C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012150141/07A RU2518505C1 (ru) 2012-11-26 2012-11-26 Ленточный втсп-провод

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012150141/07A RU2518505C1 (ru) 2012-11-26 2012-11-26 Ленточный втсп-провод

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2518505C1 true RU2518505C1 (ru) 2014-06-10
RU2012150141A RU2012150141A (ru) 2014-06-10

Family

ID=51213833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012150141/07A RU2518505C1 (ru) 2012-11-26 2012-11-26 Ленточный втсп-провод

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2518505C1 (ru)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2629136C2 (ru) * 2015-11-25 2017-08-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке
EA031113B1 (ru) * 2015-11-25 2018-11-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "С-Инновации" (Ооо "С-Инновации") Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего проводника и проводник
RU2707399C1 (ru) * 2019-01-15 2019-11-26 Общество с ограниченной ответственностью "С-Инновации" Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей ленты второго поколения, преимущественно для токоограничивающих устройств, и способ контроля качества такой ленты
RU2719388C1 (ru) * 2017-05-12 2020-04-17 Фудзикура Лтд. Сверхпроводящий провод и сверхпроводящая катушка
RU2726323C1 (ru) * 2017-08-21 2020-07-14 Токемек Энерджи Лтд Обмотка поля с отслоенной лентой
RU2770419C1 (ru) * 2021-12-21 2022-04-18 Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные технологии защиты" Высоковольтный предохранитель с высокотемпературной сверхпроводящей вставкой и токоограничитель c таким предохранителем
RU226436U1 (ru) * 2024-03-06 2024-06-05 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Плоский сверхпроводящий силовой кабель

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2031463C1 (ru) * 1990-11-27 1995-03-20 Институт машиноведения Уральского отделения РАН Способ изготовления сверхпроводящей жилы
US6444917B1 (en) * 1999-07-23 2002-09-03 American Superconductor Corporation Encapsulated ceramic superconductors
US6828507B1 (en) * 1999-07-23 2004-12-07 American Superconductor Corporation Enhanced high temperature coated superconductors joined at a cap layer
RU2386732C1 (ru) * 2008-12-18 2010-04-20 Закрытое акционерное общество "СуперОкс" Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения
RU2408956C2 (ru) * 2005-07-29 2011-01-10 Американ Суперкондактор Корпорейшн Пластинчатый сверхпроводящий провод, способ его изготовления и сверхпроводниковый узел провода

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2031463C1 (ru) * 1990-11-27 1995-03-20 Институт машиноведения Уральского отделения РАН Способ изготовления сверхпроводящей жилы
US6444917B1 (en) * 1999-07-23 2002-09-03 American Superconductor Corporation Encapsulated ceramic superconductors
US6828507B1 (en) * 1999-07-23 2004-12-07 American Superconductor Corporation Enhanced high temperature coated superconductors joined at a cap layer
RU2408956C2 (ru) * 2005-07-29 2011-01-10 Американ Суперкондактор Корпорейшн Пластинчатый сверхпроводящий провод, способ его изготовления и сверхпроводниковый узел провода
RU2386732C1 (ru) * 2008-12-18 2010-04-20 Закрытое акционерное общество "СуперОкс" Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2629136C2 (ru) * 2015-11-25 2017-08-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке
EA031113B1 (ru) * 2015-11-25 2018-11-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "С-Инновации" (Ооо "С-Инновации") Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего проводника и проводник
RU2719388C1 (ru) * 2017-05-12 2020-04-17 Фудзикура Лтд. Сверхпроводящий провод и сверхпроводящая катушка
RU2726323C1 (ru) * 2017-08-21 2020-07-14 Токемек Энерджи Лтд Обмотка поля с отслоенной лентой
RU2707399C1 (ru) * 2019-01-15 2019-11-26 Общество с ограниченной ответственностью "С-Инновации" Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей ленты второго поколения, преимущественно для токоограничивающих устройств, и способ контроля качества такой ленты
RU2770419C1 (ru) * 2021-12-21 2022-04-18 Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные технологии защиты" Высоковольтный предохранитель с высокотемпературной сверхпроводящей вставкой и токоограничитель c таким предохранителем
RU226436U1 (ru) * 2024-03-06 2024-06-05 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Плоский сверхпроводящий силовой кабель

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012150141A (ru) 2014-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7774035B2 (en) Superconducting articles having dual sided structures
US7109151B2 (en) Superconducting articles, and methods for forming and using same
RU2518505C1 (ru) Ленточный втсп-провод
JP5806302B2 (ja) 交流損失を低減したマルチフィラメント超伝導体とその形成方法
US7879763B2 (en) Superconducting article and method of making
KR102362674B1 (ko) 증가된 공학 전류 밀도들을 가지는 라미네이팅된 고온 초전도 배선들
EP2245638B1 (en) Method of forming an hts article
JP4800740B2 (ja) 希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法
JP5154953B2 (ja) 低密度特徴を持つ超伝導性物品
JP2011228065A (ja) 超電導線材の電極部接合構造、超電導線材、及び超電導コイル
US8470744B2 (en) High temperature superconductor, in particular improved coated conductor
JP6507173B2 (ja) 集積超伝導体デバイス及びその製造方法
JP5274895B2 (ja) 酸化物超電導導体
JP5694866B2 (ja) 超電導線材
JP7445238B2 (ja) 超電導線材及び超電導線材の製造方法
JP2014022228A (ja) 酸化物超電導導体および酸化物超電導導体の製造方法並びにそれを用いた超電導機器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20181127

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20200204

PD4A Correction of name of patent owner