RU2486631C2 - Method for manufacturing wafer holder to use it in electrostatic wafer chuck - Google Patents

Method for manufacturing wafer holder to use it in electrostatic wafer chuck Download PDF

Info

Publication number
RU2486631C2
RU2486631C2 RU2011130815/28A RU2011130815A RU2486631C2 RU 2486631 C2 RU2486631 C2 RU 2486631C2 RU 2011130815/28 A RU2011130815/28 A RU 2011130815/28A RU 2011130815 A RU2011130815 A RU 2011130815A RU 2486631 C2 RU2486631 C2 RU 2486631C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
holder
electrostatic
semiconductor wafer
wafer
polishing
Prior art date
Application number
RU2011130815/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2011130815A (en
Inventor
Такахиро НАНБА
Наоки МОРИМОТО
Коудзи СОГАБЕ
Масахико ИСИДА
Original Assignee
Улвак, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Улвак, Инк. filed Critical Улвак, Инк.
Publication of RU2011130815A publication Critical patent/RU2011130815A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2486631C2 publication Critical patent/RU2486631C2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

FIELD: electrical engineering.
SUBSTANCE: invention is related to the method for manufacturing of wafer holder for electrostatic wafer chuck with acceptable efficiency, free from unsatisfactory removal of semiconductor wafer which is a substrate and is to be treated from the first moment of electrostatic chuck delivery for new usage. The method of electrostatic chuck manufacturing is aimed to coat surface of the holder body having electrodes. It includes stages of sintered body receipt by raw power formation by pressing into a mould and its further sintering, formation, polishing of the sintered body surface, which will contact with substrate; it should be treated up to certain degree of roughness and smoothness; and then performance of spot blasting in order to remove only separable particles which appear in result of the above polishing.
EFFECT: wafer improvement.
2 cl, 2 dwg

Description

Область техники, к которой относится изобретениеFIELD OF THE INVENTION

Настоящее изобретение относится к способу производства пластины держателя, в качестве диэлектрического тела, для использования в электростатическом держателе, который служит для притягивания и удержания подложки, которая должна быть обработана (здесь и далее именуемой как "подложка, которая должна быть обработана"), такой как кремниевая полупроводниковая пластина или подобные.The present invention relates to a method for manufacturing a holder plate, as a dielectric body, for use in an electrostatic holder which serves to attract and hold a substrate to be processed (hereinafter referred to as “substrate to be processed”), such as silicon semiconductor wafer or the like.

Предшествующий уровень техникиState of the art

Для того чтобы получить желаемую структуру устройства в процессе производства полупроводников, выполняются такие операции по обработке, как: обработка с образованием тонкой пленки способом PVD (физического осаждения из паровой фазы), способом CVD (химического осаждения из паровой фазы) или подобными; обработка ионной имплантацией; обработка травлением или подобными. В вакуумных обрабатывающих устройствах для выполнения этих операций по обработке расположены так называемые электростатические держатели, для того чтобы удерживать кремниевые полупроводниковые пластины в положении удержания (для простоты здесь и далее именуемые как "полупроводниковые пластины") в камерах обработки в вакуумной атмосфере. В качестве электростатического держателя в патентном документе 1 имеется традиционно известный так называемый биполярный тип, в котором пластина держателя как диэлектрическое тело установлена на верхней поверхности главного тела держателя, имеющего установленные, введенные в него положительные и отрицательные электроды.In order to obtain the desired structure of the device during the semiconductor manufacturing process, processing operations such as: thin film processing by the PVD method (physical vapor deposition), CVD (chemical vapor deposition) method or the like are performed; ion implant treatment; etching or the like. In vacuum processing devices to carry out these processing operations, so-called electrostatic holders are arranged in order to hold the silicon semiconductor wafers in a holding position (hereinafter referred to as "semiconductor wafers" for simplicity) in the processing chambers in a vacuum atmosphere. As an electrostatic holder, in patent document 1 there is a traditionally known so-called bipolar type, in which the holder plate as a dielectric body is mounted on the upper surface of the main body of the holder having positive and negative electrodes inserted into it.

Дополнительно, в зависимости от операций обработки, которые должны быть выполнены внутри вакуумного обрабатывающего устройства, существуют случаи, когда подложка управляется при предварительно определенной температуре. В таком случае известны: установка в главное тело держателя или подобного средства нагревания, например, типа электрического сопротивления; образование реберного участка, который соприкасается с периферийным краевым участком на задней поверхности (стороне, противоположной поверхности, на которой выполняется предварительно определенная обработка) полупроводниковой пластины; и вертикального расположения множества поддерживающих участков, например, концентрическим образом во внутреннем пространстве, охватываемом ребристым участком. Во время нагревания или охлаждения полупроводниковой пластины инертный газ, такой как газ Ar или подобный, подается во внутреннее пространство через проход для газа, образованный в главном теле держателя. При таком образовании атмосферы инертного газа во внутреннем пространстве, ограниченном реберным участком и задней поверхностью полупроводниковой пластины, передача тепла от главного тела держателя к полупроводниковой пластине способствует, таким образом, эффективному нагреванию или охлаждению полупроводниковой пластины.Additionally, depending on the processing operations to be performed inside the vacuum processing device, there are cases where the substrate is controlled at a predetermined temperature. In this case, it is known: installation in the main body of the holder or a similar heating means, for example, a type of electrical resistance; the formation of a rib portion that is in contact with the peripheral edge portion on the back surface (the side opposite the surface on which the predefined processing is performed) of the semiconductor wafer; and the vertical arrangement of the plurality of supporting sections, for example, in a concentric manner in the inner space covered by the ribbed section. During heating or cooling of the semiconductor wafer, an inert gas, such as Ar gas or the like, is supplied to the interior through a gas passage formed in the main body of the holder. With this formation of an inert gas atmosphere in the inner space bounded by the rib portion and the rear surface of the semiconductor wafer, heat transfer from the main body of the holder to the semiconductor wafer thus contributes to efficient heating or cooling of the semiconductor wafer.

Здесь в качестве пластины держателя для электростатического держателя используется спеченное тело, которое демонстрирует высокое электрическое сопротивление, такое как нитрид алюминия, нитрид кремния или подобные. Однако если компоновка выполнена для образования атмосферы инертного газа, как описано выше, область контакта с полупроводниковой пластиной, как и следовало ожидать, становится меньше. Следовательно, для того чтобы обеспечить обязательное притягивание полупроводниковой пластины без увеличения напряжения, которое должно быть приложено к электродам, необходимо изготовить поверхность контакта пластины держателя с полупроводниковой пластиной, т.е. верхнюю поверхность реберного участка и выступающие участки предварительно определенной шероховатости и степени гладкости поверхности.Here, a sintered body that exhibits high electrical resistance, such as aluminum nitride, silicon nitride or the like, is used as the holder plate for the electrostatic holder. However, if the arrangement is made to form an inert gas atmosphere, as described above, the contact area with the semiconductor wafer, as one would expect, becomes smaller. Therefore, in order to ensure mandatory attraction of the semiconductor wafer without increasing the voltage that must be applied to the electrodes, it is necessary to make the contact surface of the wafer with the semiconductor wafer, i.e. the upper surface of the rib section and the protruding sections of a predetermined roughness and degree of smoothness of the surface.

В связи с вышеизложенным известно, например, в патентном документе 2 об обработке спеченного тела воском, и поверхность продукта, полученная таким образом, подвергается поверхностному шлифованию, полировке или химико-механической полировке (CMP) и затем удалению воска, чтобы посредством этого достичь предварительно определенной шероховатости и степени гладкости (параллельности) плоскости.In connection with the foregoing, it is known, for example, in patent document 2 on the treatment of a sintered body with wax, and the surface of the product thus obtained is subjected to surface grinding, polishing or chemical-mechanical polishing (CMP) and then wax removal, thereby achieving a predetermined roughness and degree of smoothness (parallelism) of the plane.

Однако, когда используется пластина держателя, которая была получена, как описано выше, в результате того, что поверхность спеченного тела подвергается поверхностному шлифованию и полировке, существовали случаи, в которых, даже если прекращалась подача напряжения в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования, полупроводниковая пластина не способна была высвободиться из-за влияния остаточных электрических зарядов. Такой тип задачи может быть решен повторением присоединения и высвобождения пластины держателя несколько сотен раз, используя фиктивную подложку (т.е. присоединение и высвобождение полупроводниковой пластины может быть выполнено удовлетворительно без влияния остаточных электрических зарядов). Однако этот способ имеет недостаток в том, что требуется много времени для держателя, чтобы функционировать в качестве электростатического держателя, и недостаток в том, что этапы производства удлиняются.However, when the holder plate is used, which was obtained as described above, as a result of the surface of the sintered body being subjected to surface grinding and polishing, there were cases in which, even if the power supply stopped at the initial moment of providing the holder plate for new use, the semiconductor wafer was not able to be released due to the influence of residual electric charges. This type of problem can be solved by repeating the attachment and release of the holder plate several hundred times using a dummy substrate (i.e., the attachment and release of the semiconductor plate can be satisfactorily performed without the influence of residual electric charges). However, this method has the disadvantage that it takes a long time for the holder to function as an electrostatic holder, and the disadvantage is that the production steps are lengthened.

В качестве решения изобретатели этого изобретения выяснили, в результате долгих исследований, что проблема невозможности присоединения и высвобождения полупроводниковой пластины в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования происходит по следующим причинам. Выполняется описание примера, в котором пластина держателя выполнена из спеченного тела нитрида алюминия. Проблема заключается в том, что поверхность спеченного тела подвергается повреждениям при шлифовании и полировке поверхности. Готовые к отделению частицы нитрида алюминия (т.е. частицы, которые могли быть относительно легко отделены или выведены из сцепленного состояния) присутствуют локально, и в результате этого частицы нитрида алюминия переходят в электрически плавающее состояние, и они функционируют в качестве сопротивлений, когда электрическая подзарядка электродов останавливается. Поэтому остаточные электрические заряды не могут быть разряжены, таким образом приводя к возникновению вышеупомянутой задачи.As a solution, the inventors of this invention found out, after a long study, that the problem of the inability to attach and release the semiconductor wafer at the initial moment of providing the wafer for new use occurs for the following reasons. An example is described in which the holder plate is made of a sintered body of aluminum nitride. The problem is that the surface of the sintered body is damaged when grinding and polishing the surface. The aluminum nitride particles ready for separation (i.e., particles that could be relatively easily separated or removed from the adhered state) are present locally, and as a result, the aluminum nitride particles become electrically floating and function as resistances when the electrical Electrode charging stops. Therefore, residual electric charges cannot be discharged, thus leading to the aforementioned task.

Документ предшествующего уровня техники (Патентный документ)Prior Art Document (Patent Document)

Патентный Документ 1: JP-A-1989-321136Patent Document 1: JP-A-1989-321136

Патентный документ 2: JP-A-2000-2I963Patent Document 2: JP-A-2000-2I963

Сущность изобретенияSUMMARY OF THE INVENTION

Задачи, решаемые изобретениемThe tasks solved by the invention

На основании вышеизложенного это изобретение имеет задачей предоставить способ производства пластины держателя для использования в электростатическом держателе, который имеет удовлетворительную продуктивность и не вызывает неудовлетворительного высвобождения подложки в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования.Based on the foregoing, this invention seeks to provide a method of manufacturing a holder plate for use in an electrostatic holder that has satisfactory productivity and does not cause unsatisfactory release of the substrate at the initial moment of providing the holder plate for new use.

Средство для решения задачMeans for solving problems

Для того чтобы решить вышеупомянутые задачи, способ в соответствии с этим изобретением является способом производства пластины держателя для использования в электростатическом держателе. Электростатический держатель содержит: главное тело держателя, имеющее электроды, и пластину держателя, выполненную из диэлектрического тела, которое покрывает поверхность главного тела держателя. Способ содержит этапы получения спеченного тела посредством формирования прессованием сырьевого порошка в предварительно определенную форму и затем спекания; образования, посредством полировки, такой поверхности спеченного тела, которая будет контактировать с подложкой, которая должна быть притянута, до предварительно определенной шероховатости и гладкости поверхности, и выполнения струйной обработки для выборочного удаления только готовых для отделения частиц, которые появляются на поверхности в результате вышеупомянутой полировки.In order to solve the above problems, the method in accordance with this invention is a method of manufacturing a holder plate for use in an electrostatic holder. The electrostatic holder contains: the main body of the holder having electrodes, and the plate of the holder made of a dielectric body that covers the surface of the main body of the holder. The method comprises the steps of producing a sintered body by compressing a raw powder into a predetermined shape and then sintering; the formation, by polishing, of such a surface of the sintered body, which will come into contact with the substrate, which must be pulled, to a predetermined roughness and smoothness of the surface, and perform blasting to selectively remove only particles ready for separation that appear on the surface as a result of the above polishing .

Согласно этому изобретению, при выполнении струйной обработки после полировки будут выборочно удалены только частицы, которые готовы быть отделены и которые появились на поверхности в результате операции полировки. В результате, когда этот вид пластины держателя собирается с главным телом держателя, и с начального момента предоставления пластины держателя для нового использования в качестве электростатического держателя, подложка, которая должна быть обработана, т.е. полупроводниковая пластина может быть высвобождена без влияния остаточных электрических зарядов, когда приложение напряжения к электродам было остановлено. В дополнение, в этом изобретении струйная обработка выполняется после полировки. Рабочая процедура является простой, а продуктивность может быть улучшена в сравнении с традиционным способом, в котором притяжение и высвобождение подложки пластиной держателя повторяются несколько сотен раз. В дополнение, в вышеупомянутой струйной обработке шероховатость и гладкость поверхности не будут сильно ухудшены, в результате чего зона контакта с полупроводниковой пластиной не будет сокращена.According to this invention, when performing the blasting after polishing, only particles that are ready to be separated and which appear on the surface as a result of the polishing operation will be selectively removed. As a result, when this kind of holder plate is assembled with the main body of the holder, and from the initial moment of providing the holder plate for new use as an electrostatic holder, the substrate to be processed, i.e. a semiconductor wafer can be released without the influence of residual electric charges when the application of voltage to the electrodes has been stopped. In addition, in this invention, blasting is performed after polishing. The working procedure is simple, and productivity can be improved compared to the traditional method in which the attraction and release of the substrate by the holder plate are repeated several hundred times. In addition, in the aforementioned blasting, surface roughness and smoothness will not be severely impaired, as a result of which the contact area with the semiconductor wafer will not be reduced.

В этом изобретении предпочтительно использовать жидкостную струйную обработку в качестве струйной обработки.In this invention, it is preferable to use liquid blasting as blasting.

Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings

Фиг.1 - вид в разрезе, схематически иллюстрирующий электростатический держатель, в котором была осуществлена сборка пластины держателя, изготовленного способом производства согласно варианту осуществления настоящего изобретения.FIG. 1 is a sectional view schematically illustrating an electrostatic holder in which an assembly of a holder plate manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention was assembled.

Фиг.2(a)-2(d) схематично иллюстрируют этапы производства при частичном увеличении пластины держателя согласно этому варианту осуществления.2 (a) -2 (d) schematically illustrate production steps by partially enlarging a holder plate according to this embodiment.

Варианты осуществления изобретенияEmbodiments of the invention

Ссылаясь на чертежи, далее будет описан электростатический держатель, который предоставлен с пластиной держателя, которая изготовлена в соответствии со способом производства этого изобретения, в котором подложка, которая должна быть обработана, определена как полупроводниковая пластина W, в вакуумном устройстве обработки для выполнения операций по обработке, как, например, нанесения тонкого пленочного покрытия посредством способа PVD, способа CVD или подобных, операций по обработке, как, например, обработки ионной имплантацией, обработки травлением или подобными, полупроводниковая пластина W остается притянутой с момента начального использования и может быть непременно освобождена после операций обработки.Referring to the drawings, an electrostatic holder will be described that is provided with a holder plate that is manufactured in accordance with the manufacturing method of this invention, in which the substrate to be treated is defined as a semiconductor plate W in a vacuum processing device for performing processing operations such as applying a thin film coating by means of the PVD method, CVD method or the like, processing operations, such as, for example, ion implantation processing, processing by etching or the like, the semiconductor wafer W remains attracted from the time of initial use and can certainly be released after processing operations.

Как показано на фиг.1, электростатический держатель (EC) состоит из главного тела 1 держателя, которое расположено в нижней части камеры обработки (не иллюстрирована), и пластины 2 держателя, которая является диэлектрическим телом, расположенным на верхней поверхности главного тела 1 держателя. Главное тело 1 держателя выполнено, например, из нитрида алюминия, а его верхний участок имеет встроенные положительные и отрицательные электроды 3а, 3b в электрических изолированных слоях (не проиллюстрированы). Компоновка выполнена так, что может быть приложено напряжение постоянного тока от известного источника E питания держателя.As shown in FIG. 1, an electrostatic holder (EC) consists of a main holder body 1, which is located at the bottom of the treatment chamber (not illustrated), and a holder plate 2, which is a dielectric body, located on the upper surface of the main holder body 1. The main body 1 of the holder is, for example, made of aluminum nitride, and its upper section has built-in positive and negative electrodes 3a, 3b in electrical insulated layers (not illustrated). The arrangement is such that a DC voltage from a known holder power source E can be applied.

В дополнение, главное тело 1 держателя имеет проход 4 для газа, который проходит внутрь держателя через этот проход в вертикальном направлении. Нижний конец прохода 4 для газа посредством газовой трубы 6, имеющей контроллер 5 весового потока, расположенный на ней, сообщается с источником 7 газа, который содержит в нем входное отверстие для газа, такого как газ Ar или подобный. Эти части образуют средство подачи газа в этом варианте осуществления. Главное 1 тело держателя имеет встроенный в него нагреватель 8 типа нагревания от электрического сопротивления, имеющий известную конструкцию, таким образом, что полупроводниковая пластина W может быть нагрета до предварительно определенной температуры и поддерживать ее.In addition, the main body 1 of the holder has a gas passage 4, which extends vertically into the holder through this passage. The lower end of the gas passage 4 by means of a gas pipe 6 having a weight flow controller 5 located thereon, communicates with a gas source 7, which contains a gas inlet therein, such as Ar gas or the like. These parts form a gas supply means in this embodiment. The main body 1 of the holder has a built-in heater 8 of the type of heating from electrical resistance, having a known design, so that the semiconductor wafer W can be heated to a predetermined temperature and maintain it.

Пластина 2 держателя выполнена, например, из спеченного тела нитрида алюминия и состоит из: кольцевого реберного участка 2а, который допускает поверхностный контакт с внешним периферийным участком задней поверхности полупроводниковой пластины W, и множества поддерживающих участков 2с в форме стержней, которые вертикально расположены концентрическим способом во внутреннем пространстве 2b, охваченном реберным участком 2а. В этом случае высота поддерживающих участков 2с выполнена так, чтобы быть слегка меньше, чем высота реберного участка 2а. Таким образом, компоновка выполнена так, что полупроводниковая пластина W поддерживается каждым из поддерживающих участков 2с, когда полупроводниковая пластина W присоединяется к передней поверхности пластины 2 держателя.The holder plate 2 is made, for example, of a sintered body of aluminum nitride and consists of: an annular rib portion 2a, which allows surface contact with the outer peripheral portion of the rear surface of the semiconductor wafer W, and a plurality of supporting sections 2c in the form of rods that are vertically arranged in a concentric manner in the inner space 2b covered by the rib portion 2a. In this case, the height of the supporting sections 2c is made to be slightly less than the height of the rib section 2a. Thus, the arrangement is such that the semiconductor wafer W is supported by each of the supporting portions 2c when the semiconductor wafer W is attached to the front surface of the holder plate 2.

После того, как полупроводниковая пластина W была размещена в местоположении на пластине 2 держателя, полупроводниковая пластина W притягивается передней поверхностью пластины 2 держателя в соответствии с электростатической силой, порожденной приложенным напряжением постоянного тока между электродами 3а, 3b. В это время в результате поверхностного контакта внешнего периферийного участка задней поверхности полупроводниковой пластины W с реберным участком 2а по всей окружности полупроводниковой пластины W внутреннее пространство 2b может быть герметично изолированно. При подаче газа Ar через средство подачи газа в этом состоянии во внутреннем пространстве 2b формируется газовая атмосфера. В соответствии с такой компоновкой, когда нагреватель 8 работает для нагрева полупроводниковой пластины W, в результате образования атмосферы инертного газа во внутреннем пространстве 2b, которое ограничено реберным участком 2а и задней поверхностью полупроводниковой пластины W, полупроводниковая пластина W может быть эффективно нагрета при содействии в передаче тепла к полупроводниковой пластине W. В этом варианте осуществления описание было сделано со ссылкой на пример, в котором был размещен только нагреватель 8. Без ограничений к нему может быть также выполнена компоновка для сборки известного охлаждающего средства.After the semiconductor plate W has been placed at a location on the holder plate 2, the semiconductor plate W is attracted by the front surface of the holder plate 2 in accordance with the electrostatic force generated by the applied DC voltage between the electrodes 3a, 3b. At this time, as a result of the surface contact of the outer peripheral portion of the rear surface of the semiconductor wafer W with the rib portion 2a along the entire circumference of the semiconductor wafer W, the inner space 2b may be hermetically insulated. When gas Ar is supplied through the gas supply means in this state, a gas atmosphere is formed in the interior space 2b. According to such an arrangement, when the heater 8 operates to heat the semiconductor wafer W, as a result of the formation of an inert gas atmosphere in the inner space 2b, which is limited by the rib portion 2a and the rear surface of the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer can be effectively heated by facilitating transfer heat to the semiconductor wafer W. In this embodiment, a description has been made with reference to an example in which only heater 8 has been placed. Without limitation thereto. an assembly may also be made for assembling a known cooling medium.

Далее будет выполнено описание способа производства пластины 2 держателя, которая является спеченным телом нитрида алюминия. Сначала получают порошок нитрида алюминия в качестве сырья (или сырьевой муки) посредством известного способа, такого как способ восстановления в азоте или подобные. Затем, после надлежащего добавления к порошку нитрида алюминия органических вяжущих веществ или спекающих добавок, для того чтобы улучшить прессуемость, сырьевой порошок формуется посредством использования известной формовочной машины, чтобы таким образом изготовить прессованную порошковую деталь, имеющую вышеупомянутую форму. Затем прессованная порошковая деталь, полученная таким образом, спекается в печи для спекания в атмосфере инертного газа при 2000°С, чтобы таким образом получить спеченное тело нитрида алюминия, имеющее желаемое конкретное объемное сопротивление. Должно быть замечено, что так называемый способ спекания горячего прессования может быть использован в производстве спеченного тела нитрида алюминия.Next, a description will be made of a method for manufacturing a holder plate 2, which is a sintered body of aluminum nitride. First, aluminum nitride powder is obtained as a raw material (or raw meal) by a known method such as a reduction method in nitrogen or the like. Then, after appropriately adding organic binders or sintering additives to the aluminum nitride powder, in order to improve compressibility, the raw powder is molded using a known molding machine to thereby produce a pressed powder part having the aforementioned shape. Then, the pressed powder part thus obtained is sintered in a sintering furnace in an inert gas atmosphere at 2000 ° C., so as to obtain a sintered body of aluminum nitride having the desired specific volume resistance. It should be noted that the so-called hot pressing sintering method can be used in the production of a sintered body of aluminum nitride.

Затем, как показано на фиг.2, из всего числа поверхностей таким образом полученного тела S нитрида алюминия поверхность, приходящая в соприкосновение с полупроводниковой пластиной W, подвергается полировке до предварительно определенной шероховатости и гладкости (параллельности) поверхности. В качестве полировки можно прибегнуть к поверхностному шлифованию, в котором используется алмазный шлифовальный камень, к полировочному станку, в котором используются свободные абразивные зерна, или к химической механической полировке (CMP). Механическая обработка выполняется таким образом до достижения предварительно определенной шероховатости (Ra 0,1 мкм или менее) и гладкости (0,005 или менее) поверхности.Then, as shown in FIG. 2, from the total number of surfaces of the thus obtained body of aluminum nitride S, the surface coming into contact with the semiconductor plate W is polished to a predetermined surface roughness and smoothness (parallelism). As polishing, you can resort to surface grinding, which uses a diamond grinding stone, to a polishing machine that uses loose abrasive grains, or to chemical mechanical polishing (CMP). Machining is performed in this way until a predetermined roughness (Ra 0.1 μm or less) and smoothness (0.005 or less) of the surface are achieved.

Здесь, ссылаясь на фиг.2, в вышеупомянутом спеченном теле S нитрида алюминия поверхность будет повреждена во время полировки и в результате придет в состояние, в котором в некоторых районах будут присутствовать частицы g нитрида алюминия, которые готовы к тому, чтобы отделиться или отвалиться (см. фиг.2(а)). Если этот тип готовых к отделению частиц g нитрида алюминия присутствует на поверхности контакта с полупроводниковой пластиной W, частицы g нитрида алюминия придут в электрически плавающее состояние (см. фиг.2(b)). Когда подача напряжения к электродам 3а, 3b прекращается, электрически плавающее состояние частиц становится сопротивлением, в результате чего остаточные электрические заряды не могут быть разряжены (на фиг.2 поток электрических зарядов показан стрелками). Следовательно, особенно в начальный момент предоставления пластины держателя для нового использования существует вероятность, что может часто происходить неудовлетворительное отделение или высвобождение полупроводниковой пластины W.Here, referring to FIG. 2, in the aforementioned sintered body of aluminum nitride S, the surface will be damaged during polishing and as a result will come to a state in which particles of aluminum nitride g are present in some areas, which are ready to separate or fall off ( see figure 2 (a)). If this type of aluminum nitride particles g ready for separation is present on the contact surface with the semiconductor wafer W, the aluminum nitride particles g will come into an electrically floating state (see FIG. 2 (b)). When the voltage supply to the electrodes 3a, 3b is stopped, the electrically floating state of the particles becomes a resistance, as a result of which the residual electric charges cannot be discharged (in Fig. 2, the flow of electric charges is shown by arrows). Therefore, especially at the initial time the holder plate is provided for new use, it is likely that unsatisfactory separation or release of the semiconductor plate W can often occur.

В качестве решения в этом варианте осуществления выполняется струйная обработка. При этой струйной обработке выборочно удаляются только готовые к отделению частицы g нитрида алюминия, которые присутствуют на поверхности контакта с полупроводниковой пластиной W пластины 2 держателя, которая является спеченным телом S нитрида алюминия (см. фиг.2(с)). В качестве такого типа пескоструйной обработки наиболее подходящей является так называемая жидкостная струйная обработка, в которой вода, смешанная со шлифовальными частицами, совместно с воздухом направляется струей к объекту, который должен быть обработан, т.е к пластине 2 держателя, в результате чего полируется поверхность объекта, который должен быть обработан.As a solution, blasting is performed in this embodiment. With this blasting, only the aluminum nitride particles g ready to be separated that are present on the contact surface with the semiconductor plate W of the holder plate 2, which is the sintered body of aluminum nitride S, are selectively removed (see FIG. 2 (c)). As this type of sandblasting, the most suitable is the so-called liquid blasting, in which water mixed with grinding particles, together with the air, is directed by the jet to the object to be treated, i.e. to the holder plate 2, as a result of which the surface is polished the object to be processed.

В качестве шлифовальных частиц, которые должны быть использованы в жидкостной струйной обработке, используются частицы, которые выполнены из оксида алюминия, а размер частиц находится в диапазоне ниже среднего размера частиц спеченного оксида алюминия. Шлифующие частицы смешиваются с водой в предварительно определенном весовом соотношении. В дополнение, предпочтительно установить давление воды в струйной обработке от 0,01 до 0,05 МПа и давление сжатого воздуха от 0,1 до 0,3 МПа. Если давление воды и давление воздуха находятся ниже вышеупомянутых давлений, то становится невозможным удалить частицы, сила адгезии которых среди частиц была снижена. С другой стороны, если давление воды и воздуха выше вышеупомянутых давлений, существует недостаток в том, что шероховатость поверхности будет увеличиваться, и в том, что не смогут быть удалены частицы, чья сила адгезии среди частиц снижена.As grinding particles to be used in liquid blasting, particles are used that are made of alumina, and the particle size is in the range below the average particle size of the sintered alumina. Grinding particles are mixed with water in a predetermined weight ratio. In addition, it is preferable to set the water pressure in the blasting from 0.01 to 0.05 MPa and the pressure of compressed air from 0.1 to 0.3 MPa. If the water pressure and air pressure are below the above pressures, it becomes impossible to remove particles whose adhesion force among the particles has been reduced. On the other hand, if the pressure of water and air is higher than the aforementioned pressures, there is a disadvantage in that the surface roughness will increase, and that particles whose adhesion strength among the particles are reduced cannot be removed.

Как описано выше, при дополнительном выполнении жидкостной струйной обработки, после выполнения полировки, могут быть выборочно удалены только готовые к отделению частицы g нитрида алюминия, которые появились на поверхности при полировке. Поэтому в случае, когда пластина 2 держателя, которая была изготовлена способом производства согласно этому варианту осуществления, собирается с вышеупомянутым главным телом держателя 1, чтобы таким образом предложить продукт такой, как электростатический держатель EC, сначала к положительным и отрицательным электродам 3а, 3b может быть приложено напряжение посредством источника E питания держателя. После притяжения полупроводниковой пластины W посредством предварительно определенной силы притяжения и впоследствии, когда прекращается подача электроэнергии, полупроводниковая пластина W может быть благополучно высвобождена без влияния эффекта остаточных электрических зарядов (см. фиг.2(d)). В дополнение, исходя из того, что струйная обработка выполняется после полировки, обработка является простой, а продуктивность может быть повышена в сравнении с традиционным способом, в котором притягивание и освобождение полупроводниковой пластины W посредством пластины 2 держателя повторяется несколько сотен раз. Дополнительно, в вышеупомянутой струйной обработке шероховатость и гладкость поверхности пластины 2 держателя показывает небольшой износ или его отсутствие, и не существует возможности сокращения зоны контакта с полупроводниковой пластиной W.As described above, in the additional liquid blasting process, after polishing is performed, only aluminum nitride particles g ready to be separated which appeared on the surface during polishing can be selectively removed. Therefore, in the case where the holder plate 2, which was manufactured by the manufacturing method according to this embodiment, is assembled with the aforementioned main body of the holder 1 in order to thereby offer a product such as an electrostatic holder EC, first to the positive and negative electrodes 3a, 3b voltage is applied by the holder power source E. After the semiconductor wafer W is attracted by a predetermined attractive force and subsequently when the power supply is cut off, the semiconductor wafer W can be safely released without affecting the effect of residual electric charges (see FIG. 2 (d)). In addition, since the blasting is carried out after polishing, the processing is simple and productivity can be improved in comparison with the traditional method in which the attraction and release of the semiconductor wafer W by the wafer 2 is repeated several hundred times. Additionally, in the aforementioned blasting, the roughness and smoothness of the surface of the holder plate 2 shows little or no wear, and there is no possibility of reducing the contact area with the semiconductor plate W.

Для того чтобы показать вышеупомянутый эффект, было произведено, посредством известного способа, спеченное тело нитрида алюминия с вариантом осуществления, как описано выше. Затем поверхность контакта с полупроводниковой пластиной W была зеркально отполирована, чтобы иметь шероховатость поверхности 0,1 мкм. Соответственно, была выполнена жидкостная струйная обработка.In order to show the above effect, a sintered body of aluminum nitride was produced by a known method with an embodiment as described above. Then, the contact surface with the semiconductor wafer W was mirror polished to have a surface roughness of 0.1 μm. Accordingly, liquid blasting was performed.

Затем пластина 2 держателя была установлена на главное 1 тело держателя для образования электростатического держателя EC. Полупроводниковая пластина W была установлена в местоположение, которое обеспечивается множеством известных подъемных штырей для подъема полупроводниковой пластины W до местоположения, находящегося прямо над электростатическим держателем EC. Затем, после размещения полупроводниковой пластины W на пластине 2 держателя, полупроводниковая пластина была притянута напряжением в диапазоне от 0 до 1000 В посредством источника E питания держателя. Затем, при отключении напряжения источника E питания держателя сработал подъемный механизм. Затем было подтверждено, что полупроводниковая пластина W была поднята подъемными штырями с отсутствием недостаточного высвобождения.Then, the holder plate 2 was mounted on the main 1 body of the holder to form an electrostatic holder EC. The semiconductor wafer W has been installed at a location provided by a plurality of known lifting pins for raising the semiconductor wafer W to a location directly above the electrostatic holder EC. Then, after placing the semiconductor wafer W on the wafer 2, the semiconductor wafer was drawn with a voltage in the range from 0 to 1000 V by the holder power source E. Then, when the voltage of the power source E of the holder was turned off, the lifting mechanism worked. It was then confirmed that the semiconductor wafer W was raised by lifting pins with no insufficient release.

Хотя до настоящего времени описывался настоящий вариант осуществления, без ограничения к вышеупомянутому химическому составу, настоящее изобретение может быть также применено в том случае, в котором пластина держателя выполнена из других материалов, таких как спеченное тело нитрида кремния или подобных. В дополнение, до настоящего времени выполнялось описание примера, в котором была применена жидкостная струйная обработка. Однако подобным образом может быть применен другой способ при условии, что готовые к отделению частицы могут быть выборочно удалены простым способом.Although the present embodiment has been described to date, without limiting the aforementioned chemical composition, the present invention can also be applied in which the holder plate is made of other materials such as a sintered body of silicon nitride or the like. In addition, up to now, a description has been made of an example in which a liquid jet treatment has been applied. However, a different method can be applied in a similar way, provided that the particles ready for separation can be selectively removed in a simple way.

Описание ссылочных позиций и символовDescription of Reference Positions and Symbols

ECEC электростатический держательelectrostatic holder 1one главное тело держателяholder main body 22 пластина держателя (спеченное тело S нитрида алюминия)holder plate (sintered body S of aluminum nitride) 2а2a реберный участокcostal region 2b2b внутреннее пространствоinner space 2c2c поддерживающий участокsupporting section 3a, 3b3a, 3b электродыelectrodes gg готовые к отделению частицы AINAIN particles ready for separation WW полупроводниковая пластинаsemiconductor wafer

Claims (2)

1. Способ производства пластины держателя для использования в электростатическом держателе, причем электростатический держатель содержит: главное тело держателя, имеющее электроды, и пластину держателя, выполненную из диэлектрического тела, которое покрывает поверхность главного тела держателя, при этом способ содержит этапы, на которых:
получают спеченное тело посредством формования прессованием сырьевого порошкового материала в предварительно определенную форму и затем ее спекания;
образуют, посредством полировки, такую поверхность спеченного тела, которая будет контактировать с подложкой, которая должна быть притянута, до предварительно определенной шероховатости и гладкости поверхности; и
выполняют струйную обработку для выборочного удаления только готовых к отделению частиц, которые появляются на поверхности в результате вышеупомянутой полировки.1. A method of manufacturing a holder plate for use in an electrostatic holder, the electrostatic holder comprising: a main holder body having electrodes and a holder plate made of a dielectric body that covers the surface of the main body of the holder, the method comprising the steps of:
a sintered body is obtained by compression molding the raw powder material into a predetermined shape and then sintering it;
form, by polishing, such a surface of the sintered body that will come into contact with the substrate, which must be pulled to a predetermined roughness and smoothness of the surface; and
they perform blasting to selectively remove only particles that are ready for separation that appear on the surface as a result of the above polishing. 2. Способ по п.1, в котором струйная обработка является жидкостной струйной обработкой. 2. The method according to claim 1, in which the blasting is a liquid blasting.
RU2011130815/28A 2008-12-25 2009-12-09 Method for manufacturing wafer holder to use it in electrostatic wafer chuck RU2486631C2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-329612 2008-12-25
JP2008329612 2008-12-25
PCT/JP2009/006731 WO2010073514A1 (en) 2008-12-25 2009-12-09 Method for manufacturing chuck plate for electrostatic chuck

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011130815A RU2011130815A (en) 2013-01-27
RU2486631C2 true RU2486631C2 (en) 2013-06-27

Family

ID=42287172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011130815/28A RU2486631C2 (en) 2008-12-25 2009-12-09 Method for manufacturing wafer holder to use it in electrostatic wafer chuck

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20110256810A1 (en)
JP (1) JP5188584B2 (en)
KR (1) KR101316804B1 (en)
CN (1) CN102265390B (en)
DE (1) DE112009003808T5 (en)
RU (1) RU2486631C2 (en)
SG (1) SG171819A1 (en)
TW (1) TWI455791B (en)
WO (1) WO2010073514A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2815294C1 (en) * 2023-03-02 2024-03-13 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" Method for processing reverse side of silicon transistor structure

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT521222B1 (en) * 2018-05-07 2020-04-15 Engel Austria Gmbh Device for handling and local fixing

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213774A (en) * 1996-01-30 1997-08-15 Kyocera Corp Wafer holding member and its manufacturing method
JPH09219441A (en) * 1996-02-08 1997-08-19 Fujitsu Ltd Separation of substrate to be treated from electrostatic chick and manufacturing device
JPH10256358A (en) * 1997-03-06 1998-09-25 Ngk Insulators Ltd Wafer chucking apparatus and manufacture thereof
JP2000277598A (en) * 1999-03-25 2000-10-06 Ibiden Co Ltd Electrostatic chuck and its manufacture
EP1690845A1 (en) * 2003-10-31 2006-08-16 Tokuyama Corporation Aluminum nitride joined article and method for manufacture thereof
RU2295799C2 (en) * 2001-06-28 2007-03-20 Лэм Рисерч Корпорейшн Electrostatic holder for use in high-temperature-treatment vacuum chamber, method for substrate treatment, and expansion unit of electrostatic holder
WO2008048518A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-24 Applied Materials Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US20080276865A1 (en) * 2006-11-29 2008-11-13 Toto Ltd. Electrostatic Chuck, Manufacturing method thereof and substrate treating apparatus

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2695436B2 (en) 1988-06-24 1997-12-24 富士通株式会社 Deterioration detection circuit for electrostatic chuck
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
JP2000021963A (en) 1998-07-06 2000-01-21 Nippon Steel Corp Electrostatic chuck device
JP2001035817A (en) * 1999-07-22 2001-02-09 Toshiba Corp Method of dividing wafer and manufacture of semiconductor device
JP2001118664A (en) * 1999-08-09 2001-04-27 Ibiden Co Ltd Ceramic heater
JP3273773B2 (en) * 1999-08-12 2002-04-15 イビデン株式会社 Ceramic heater for semiconductor manufacturing / inspection equipment, electrostatic chuck for semiconductor manufacturing / inspection equipment and chuck top for wafer prober
TW473792B (en) * 2000-01-20 2002-01-21 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck
JP3228924B2 (en) * 2000-01-21 2001-11-12 イビデン株式会社 Ceramic heater for semiconductor manufacturing and inspection equipment
JP2001244320A (en) * 2000-02-25 2001-09-07 Ibiden Co Ltd Ceramic substrate and manufacturing method therefor
US6483690B1 (en) * 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
EP1418160A1 (en) * 2001-07-19 2004-05-12 Ibiden Co., Ltd. CERAMIC CONNECTION BODY, METHOD OF CONNECTING THE CERAMIC BODIES, AND CERAMIC STRUCTURAL BODY
JP2003224180A (en) * 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp Wafer support member
JP4472372B2 (en) * 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック Plasma processing apparatus and electrode plate for plasma processing apparatus
US7102871B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co,, Ltd. Electrostatic chuck assembly having disassembling device
TWI267940B (en) * 2004-06-28 2006-12-01 Kyocera Corp Electrostatic chuck
JP2007088411A (en) * 2005-06-28 2007-04-05 Hitachi High-Technologies Corp Electrostatic attraction device, wafer processing apparatus and plasma processing method
JP4664142B2 (en) * 2005-07-21 2011-04-06 住友重機械工業株式会社 Stage equipment
US7672110B2 (en) * 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
US7869184B2 (en) * 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
US7589025B2 (en) * 2005-12-02 2009-09-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Semiconductor processing
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP4936925B2 (en) * 2006-03-03 2012-05-23 日本碍子株式会社 Blasting method
JP5116330B2 (en) * 2007-03-26 2013-01-09 株式会社東京精密 Electrolytic processing unit device and electrolytic processing cleaning and drying method
JP2009060035A (en) * 2007-09-03 2009-03-19 Shinko Electric Ind Co Ltd Electrostatic chuck member, its manufacturing method, and electrostatic chuck apparatus
JP2009081223A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd Electrostatic chuck member
TWI475594B (en) * 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc Electrostatic chuck
WO2010041409A1 (en) * 2008-10-07 2010-04-15 株式会社アルバック Substrate managing method
CN102308379B (en) * 2009-02-23 2013-12-04 株式会社沙迪克 Colored ceramic vacuum chuck and manufacturing method thereof
JP5510411B2 (en) * 2010-08-11 2014-06-04 Ｔｏｔｏ株式会社 Electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213774A (en) * 1996-01-30 1997-08-15 Kyocera Corp Wafer holding member and its manufacturing method
JPH09219441A (en) * 1996-02-08 1997-08-19 Fujitsu Ltd Separation of substrate to be treated from electrostatic chick and manufacturing device
JPH10256358A (en) * 1997-03-06 1998-09-25 Ngk Insulators Ltd Wafer chucking apparatus and manufacture thereof
JP2000277598A (en) * 1999-03-25 2000-10-06 Ibiden Co Ltd Electrostatic chuck and its manufacture
RU2295799C2 (en) * 2001-06-28 2007-03-20 Лэм Рисерч Корпорейшн Electrostatic holder for use in high-temperature-treatment vacuum chamber, method for substrate treatment, and expansion unit of electrostatic holder
EP1690845A1 (en) * 2003-10-31 2006-08-16 Tokuyama Corporation Aluminum nitride joined article and method for manufacture thereof
WO2008048518A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-24 Applied Materials Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US20080276865A1 (en) * 2006-11-29 2008-11-13 Toto Ltd. Electrostatic Chuck, Manufacturing method thereof and substrate treating apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2815294C1 (en) * 2023-03-02 2024-03-13 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" Method for processing reverse side of silicon transistor structure

Also Published As

Publication number Publication date
TWI455791B (en) 2014-10-11
JP5188584B2 (en) 2013-04-24
RU2011130815A (en) 2013-01-27
SG171819A1 (en) 2011-07-28
US20110256810A1 (en) 2011-10-20
KR20110107796A (en) 2011-10-04
CN102265390A (en) 2011-11-30
TW201032943A (en) 2010-09-16
CN102265390B (en) 2014-10-15
KR101316804B1 (en) 2013-10-11
WO2010073514A1 (en) 2010-07-01
DE112009003808T5 (en) 2012-06-06
JPWO2010073514A1 (en) 2012-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9214376B2 (en) Substrate mounting stage and surface treatment method therefor
JP5225041B2 (en) Electrostatic chuck
KR102174964B1 (en) Electrostatic chuck device
JP4739039B2 (en) Electrostatic chuck device
JP6924327B2 (en) Polishing of electrostatic substrate support geometry
CN107078090A (en) Spring loaded pin for base assembly and the processing method using the spring loaded pin
CN102931056B (en) Surface processing method, a member made of silicon carbide, and a plasma processing apparatus
RU2486631C2 (en) Method for manufacturing wafer holder to use it in electrostatic wafer chuck
TW202239128A (en) Forming mesas on an electrostatic chuck
JP4275682B2 (en) Electrostatic chuck
JP4031419B2 (en) Electrostatic chuck and manufacturing method thereof
JP4545536B2 (en) Vacuum suction jig
KR20050054950A (en) Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
JP3784274B2 (en) Electrostatic chuck
JP4439135B2 (en) Electrostatic chuck
JP6782157B2 (en) Electrostatic chuck
CN101276775A (en) Surface processing method for mounting stage
JPWO2020170514A1 (en) Electrostatic chuck device
JP7398011B2 (en) gap pin
JP4268450B2 (en) Large glass substrate adsorption device for display
JP6934342B2 (en) Manufacturing method of silicon carbide member
JP2003129239A (en) Method and apparatus for plasma treatment
TW201717250A (en) Semiconductor wafer surface machining method capable of creating a required surface form on a wafer
TW202236415A (en) Spark plasma sintered component for plasma processing chamber
JP2015159257A (en) Processing method, processing device, and product produced thereby