RU2454366C2 - Способ получения тетрафторида кремния и устройство для его реализации - Google Patents

Способ получения тетрафторида кремния и устройство для его реализации Download PDF

Info

Publication number
RU2454366C2
RU2454366C2 RU2010130198/05A RU2010130198A RU2454366C2 RU 2454366 C2 RU2454366 C2 RU 2454366C2 RU 2010130198/05 A RU2010130198/05 A RU 2010130198/05A RU 2010130198 A RU2010130198 A RU 2010130198A RU 2454366 C2 RU2454366 C2 RU 2454366C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
quartzite
gas
fluorination
tetrafluoride
Prior art date
Application number
RU2010130198/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010130198A (ru
Inventor
Эдуард Александрович Лебедев (RU)
Эдуард Александрович Лебедев
Иван Васильевич Гомжин (RU)
Иван Васильевич Гомжин
Вячеслав Фёдорович Тупикин (RU)
Вячеслав Фёдорович Тупикин
Иван Филлипович Домницкий (RU)
Иван Филлипович Домницкий
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения ОАО "НИИПМ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения ОАО "НИИПМ" filed Critical Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения ОАО "НИИПМ"
Priority to RU2010130198/05A priority Critical patent/RU2454366C2/ru
Publication of RU2010130198A publication Critical patent/RU2010130198A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2454366C2 publication Critical patent/RU2454366C2/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения тетрафторида кремния, используемого в производстве чистого поликристаллического кремния, пригодного, например, для изготовления солнечных батарей. Способ включает фторирование кварцита или кремния газом и последующее выделение тетрафторида кремния из образовавшейся газовой смеси. В качестве фторирующего газа выбирают фтористый водород (HF) или четырехфтористый углерод (CF4). При этом процесс фторирования ведут в низкотемпературной плазме, размещая кварцит или кремний в емкости, снабженной металлической мелкоячеистой сеткой, ниже зоны активной ионизации фторсодержащего газа. Предложенное техническое решение обеспечивает управляемость процесса, воспроизводимость, повышает надежность работы оборудования, а также экологическую безопасность. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относиться к технологии получения тетрафторида кремния, используемого в производстве чистого поликристаллического кремния, пригодного, например, для изготовления солнечных батарей.
Широко известен способ получения тетрафторида кремния, основанный на использовании тетрахлорсилана с добавлением различных фторсодержащих агентов [1].
Недостатки способа заключаются в том, что он требует достаточно сложной технологии получения и очистки смешанных хлорсиланов. Кроме того, способ токсичен и коррозионно опасен.
Способы получения тетрахлорида кремния, основанные на использовании кремнефтористоводородной кислоты H2SiF6 [2-4], выделение солей ее, последующем разложении, промывки и сушки, хотя и не требуют дополнительного введения фтора, увеличивают стоимость тетрафторида кремния из-за необходимости добавления сильных кислот, например соляной. В связи с этим возникают сложности с утилизацией концентрированных кислот водных растворов H2SiF6 и последующее разложение солей с образованием газообразного SiF4 требует высокой температуры (550-600°C при вакууме 10-2 мм рт.ст.). Это приводит к загрязнению SiF4 продуктами коррозии. Выход же кремния в тетрафторид невелик.
Получение тетрафторида кремния путем термического разложения кремнефторида натрия Na2SiF6 [5, 6] обеспечивает более высокий выход кремния в тетрафторид. Однако из-за сложности получения Na2SiF6 способ мало перспективен для промышленного применения.
Известны также технические решения получения тетрафторида кремния, основанные на фторировании диоксида кремния элементным фтором [7] или фтористым водородом [8]. Фторирование ведут в пламенных реакторах, направляя избыток элементного фтора с первой стадии во вторую. Процесс сложный, многостадийный, требует наличия дорогостоящего фтора и сложного оборудования, экологически небезопасен. А большое содержание примеси в готовом продукте делает их непригодными в полупроводниковом производстве.
Наиболее перспективным на наш взгляд является способ получения тетрафторида кремния из природных оксидов кремния в виде кварцевого песка или кварцита [9, 10]. Однако же выделение тетрафторида кремния фторированием кварцевого песка или кварцита оборотным элементным фтором, его электролитическое восстановление в расплаве эвтектики фторидных солей щелочных металлов и отмывкой солей электролита и примесей гидрофторидом аммония, требует наличия фтора в избытке, фторирование проводят в факеле при 1500-2000°C. Процесс сложен, многостадиен и ему присуще те же недостатки, свойственные химическим способам.
Из известных наиболее близким по технической сущности к предложенному изобретении выбран способ и устройство получения тетрафторида кремния фторированием оксида или сульфида кремния [10].
Согласно известному способу-прототипу фторирование кварцевого песка, содержащего 95-97% диоксида кремния, элементным фтором осуществляют в пламенном реакторе шахтного типа. Для этого в форсунку реактора специальной продувкой подают элементный фтор. Туда же подают предварительно измельченный в порошок кварцевый песок. Реакции взаимодействия с фтором протекают на поверхности соприкосновения твердой и газовой фаз. Чем выше удельная поверхность соприкосновения фтора и твердой фазы, тем выше скорость реакции. Поэтому осуществляют распыление порошка кварцита в струе фтора. Газовая смесь вспыхивает и сгорает в факеле. В результате фторирования образуется газовая фаза, содержащая тетрафторид кремния и кислород. Примеси, содержащиеся в концентрате, образуют с элементным фтором нелетучие соединения, которые удаляют в виде твердого огарка из камеры выгрузки огарка, размещенного под реактором. Газовую смесь, содержащую тетрафторид кремния и кислород, охлаждают в охладителе, пропускают через фильтр тонкой очистки, пропускают через установку конденсации, где тетрафторид кремния конденсируется. Сжиженный тетрафторид кремния испаряют затем в испарителе.
Недостатки известного способа и устройства для его реализации заключаются в том, что фторирование предварительно измельченного в порошок кварцевого песка осуществляют элементным фтором в пламенном реакторе шахтного типа. При этом фтор берут в избытке, получение, транспортировка которого само по себе является процессом сложным и дорогим. Кварцевый песок является термодинамически очень прочным веществом, нерастворимым и не взаимодействующим с какими-либо газами, за исключением фтора. При фторировании таких химически прочных веществ, как кварцевый песок, происходит выделение очень большого количества тепла, что приводит к разогреву до 2000°C в ядре факела в реакторе. Длительная работа конструктивных элементов при высоких температурах ведет к короблению, различного рода деформациям металлических конструкции, снижает их прочность и надежность, влечет за собой изменения условий протекания процесса. А используемый в избытке и не прореагировавший в процессе фтор может попасть в окружающую среду.
Все это обуславливает невоспроизводимость, ненадежность, неуправляемость процесса, а также экологическую небезопасность.
Целью предложенного изобретения является расширение технологических возможностей способа и устройства получения тетрафторида кремния, повышение воспроизводимости, надежности и управляемости процесса, обеспечение экологической безопасности.
Поставленная цель достигается тем, что в способе получения тетрафторида кремния, включающем операции фторирования кварцита газом и последующего выделения тетрафторида кремния из газовой смеси, в качестве фторирующего газа выбирают фтористый водород (HF) или четырехфтористый углерод (CF4), при этом процесс фторирования ведут в низкотемпературной плазме, размещая кварцит или кремний ниже зоны активной ионизации фторирующего газа.
В устройстве для реализации способа получения тетрафторида кремния, содержащем реактор с патрубком подачи фторирующего газа, патрубком подачи кварцита, камеру удаления продуктов фторирования, на корпусе реактора установлен высокочастотный индуктор, а ниже его зоны активной ионизации фторирующего газа соосно реактору размещена емкость с кварцитом или кремнием, содержащая мелкоячеистую сетку, разделяющую емкость на две камеры, в боковых же стенках емкости выполнены каналы для вывода образовавшихся газообразных продуктов фторирования, при этом размер ячеек сетки выбирают из условия d<D, где d - размер ячеек сетки, D - размер зерен кварцита.
Использование «… в качестве фторирующего газа фтористого водорода (HF) или четырехфтористого углерода (CF4)», при этом «… процесс ведут в низкотемпературной плазме» позволяет активизировать поток газа. Стабильные соединения HF и CF4 разлагаются на активные радикалы и атомарный фтор в возбужденном состоянии и взаимодействуют с разогретым плазмой кварцитом или кремнием.
Поскольку «… емкость с кварцитом или кремнием, содержащая мелкоячеистую сетку, размещена ниже зоны активной ионизации фторирующего газа», то активированный плазмой газ, проходя через кварцит (или кремний), дополнительно разогревает его. Это повышает скорость взаимодействия их и эффективность процесса.
Указанные существенные признаки являются новыми, не вытекают очевидным образом из известного уровня техники. И в совокупности, обеспечивают новый технический результат, указанный в цели изобретения. Следовательно, предложенная новая совокупность существенных признаков соответствует критериям патентоспособности изобретения: «новизна», «изобретательский уровень», «технический эффект», «промышленная применимость».
Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг.1 изображено устройство для получения тетрафторида кремния.
Устройство для получения тетрафторида кремния (фиг.1) содержит реактор 1, на корпусе которого, выполненного в виде кварцевого стакана, установлен высокочастотный индуктор 2. ВЧ-индуктор 2 с помощью ВЧ-генератора 3 возбуждает в реакторе 1 низкотемпературный плазменный разряд 4. В реакторе ниже его зоны активной ионизации фторирующего газа соосно реактору размещена емкость 5, куда загружают кварцит или кремний 6. Металлическая сетка 7 разделяет емкость 5 на две камеры. В боковых стенках емкости выполнены каналы 8 для вывода образовавшейся газовой смеси (продуктов фторирования). Фторирующий газ CF4 или HF подают в реактор через патрубок 9, а кварцит (или кремний) через патрубок 10. Размеры ячеек сетки выбирают из условия d<D, где d - размер ячеек сетки, D - размер зерен кварцита (или кремния). Полученная газовая смесь, содержащая тетрафторид кремния, откачивается вакуумной системой (на фиг. не показано) через канал 8, зазор 11, патрубок 12 в ловушку (на фиг. не показано).
Работа устройства, реализующего предложенный способ получения тетрафторида кремния, осуществляется следующим образом.
В кварцевый реактор 1 через патрубок 9 подают рабочий - фторирующий газ CF4 или HF. Индуктор 2 с помощью ВЧ-генератора 3 возбуждает в реакторе 1 низкотемпературный плазменный разряд 4, например, на частоте 13,56 МГц, в котором стабильные соединения HF или CF4 разлагаются на активные радикалы и атомарный фтор в возбужденном состоянии. Активированный плазмой поток рабочего газа направляется на кварцит (или кремний), размешанный в емкости (первой камере), содержащей мелкоячеистую металлическую сетку. Поверхность кварцита контактирует непосредственно с плазмой 4. Активированный поток рабочего газа с помощью системы откачки (на фиг. не показано) прокачивается через массу кварцита (кремния) и через сетку, дополнительно разогревает кварцит (кремний), что приводит к увеличению скорости взаимодействия рабочего газа и кварцита (кремния). При этом осуществляется реакция:
SiO2+CF4→SiF4+CO2
или
4HF+SiO2→SiF4+2H2O.
Образовавшиеся в процессе примеси, содержащиеся в кварците, например, CaF2, NaF2 и др. в виде пыли проходят через сетку и оседают на дно второй камеры емкости 5. А образовавшуюся газовую фазу, содержащую тетрафторид кремния SiF4 и воду H2O (или CO2), выводят в ловушку (на фиг. не показано). На выходе ловушки образуется очищенный тетрафторид кремния SiF4.
Источники информации
1. Патент РФ 2046095, Кл. C01В 33/10, опубл. 1995 г.
2. Заявка WO 2007/040185, Кл. C01В 33/107, опубл. 2007 г.
3. Заявка РФ 2007/22705, Кл. C01B 33/107, опубл. 2008 г.
4. Патент US 4529576, Кл. C01B 33/102, опубл. 1995 г.
5. Заявка DE 053206766, Кл. C01B 33/107, опубл. 1983 г.
6. Патент РФ 2182558, Кл. C01B 33/107, опубл. 2002 г.
7. Патент РФ 2272785, Кл. C01B 33/02, опубл. 2006 г.
8. Патент GB 1080662, Кл. C01B 33/08, опубл. 1968 г.
9. Патент РФ 2324648, Кл. C01B 33/021, опубл. 2007 г.
10. Патент РФ 2298588, Кл. C22B 34/00, опубл. 2007 г. (прототип).

Claims (2)

1. Способ получения тетрафторида кремния, включающий операции фторирования кварцита или кремния газом и последующего выделения тетрафторида кремния из образовавшейся газовой смеси, отличающийся тем, что в качестве фторирующего газа выбирают фтористый водород (HF) или четырехфтористый углерод (CF4), при этом процесс фторирования ведут в низкотемпературной плазме, размещая кварцит или кремний ниже зоны активной ионизации фторсодержащего газа.
2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее реактор с патрубком подачи фторирующего газа, патрубком подачи кварцита, камеру удаления продуктов фторирования, отличающееся тем, что на корпусе реактора установлен высокочастотный индуктор, а ниже его зоны активной ионизации фторирующего газа соосно реактору размещена емкость с кварцитом или кремнием, содержащая мелкоячеистую сетку, разделяющую емкость на две камеры, в боковых же стенках емкости выполнены каналы для вывода образовавшихся газообразных продуктов фторирования, при этом размер ячеек сетки выбирают из условия d<D, где d - размер ячеек сетки, D - размер зерен кварцита или кремния.
RU2010130198/05A 2010-07-19 2010-07-19 Способ получения тетрафторида кремния и устройство для его реализации RU2454366C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010130198/05A RU2454366C2 (ru) 2010-07-19 2010-07-19 Способ получения тетрафторида кремния и устройство для его реализации

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010130198/05A RU2454366C2 (ru) 2010-07-19 2010-07-19 Способ получения тетрафторида кремния и устройство для его реализации

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010130198A RU2010130198A (ru) 2012-01-27
RU2454366C2 true RU2454366C2 (ru) 2012-06-27

Family

ID=45786184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010130198/05A RU2454366C2 (ru) 2010-07-19 2010-07-19 Способ получения тетрафторида кремния и устройство для его реализации

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2454366C2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2606640A (en) * 2020-10-14 2022-11-16 China Nuclear Power Technology Res Inst Co Ltd Dry aftertreatment method for spent fuel employing plasma

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4382071A (en) * 1980-07-02 1983-05-03 Central Glass Company, Limited Process of preparing silicon tetrafluoride by using hydrogen fluoride gas
RU2324648C2 (ru) * 2003-09-02 2008-05-20 С.Т.Б. Адвансед Технолоджи Лтд. Способ получения тетрафторида кремния, способ отделения тетрафторида кремния от кислорода и высоколетучих фторидов примесей, способ получения порошка кремния из тетрафторида кремния
RU2329949C2 (ru) * 2006-05-12 2008-07-27 Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос" Способ фторирования твердого минерального сырья и реактор для его осуществления

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4382071A (en) * 1980-07-02 1983-05-03 Central Glass Company, Limited Process of preparing silicon tetrafluoride by using hydrogen fluoride gas
RU2324648C2 (ru) * 2003-09-02 2008-05-20 С.Т.Б. Адвансед Технолоджи Лтд. Способ получения тетрафторида кремния, способ отделения тетрафторида кремния от кислорода и высоколетучих фторидов примесей, способ получения порошка кремния из тетрафторида кремния
RU2329949C2 (ru) * 2006-05-12 2008-07-27 Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос" Способ фторирования твердого минерального сырья и реактор для его осуществления

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010130198A (ru) 2012-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI485102B (zh) Methods for the production of phosphorus pentafluoride and hexafluorophosphate
CN105593165B (zh) 五氟化磷的精制方法
KR102231220B1 (ko) 불소 화합물 가스의 정제 방법
EP1947057A1 (en) Process for production of silicon tetrafluoride, and apparatus for the process
KR101140076B1 (ko) 다결정 실리콘 제조 방법
CN114031056B (zh) 一种聚合磷酸盐制备五氟化磷的方法
CN105873857B (zh) 利用放射线的六氟化硫处理方法、副产物回收及处理装置
JP5341425B2 (ja) フッ化物ガスの製造方法
WO2017138366A1 (ja) フッ素化合物ガスの精製方法
JP2017141149A (ja) フッ素ガスの精製方法
CN116254547A (zh) 一种三氟化氮的制备方法
CN105502410A (zh) 一种四氟化硅的制备及纯化方法
RU2454366C2 (ru) Способ получения тетрафторида кремния и устройство для его реализации
WO2009005412A2 (en) Method for producing polycrystalline silicon
CN219689347U (zh) 一种以氟硅酸为原料制备高纯四氟化硅的生产装置
KR101229593B1 (ko) 동위체 농축 방법
CN102134078A (zh) 一种硫酸石英砂闭环生产四氟化硅的方法
US11772967B2 (en) Integrated processes for treatment of an ammonium fluorosulfate byproduct of the production of bis (fluorosulfonyl) imide
JP2012519651A (ja) 様々なフッ化原料、非晶質シリカ及び硫酸を用いたテトラフルオロシランの連続式製造方法
CN103011172A (zh) 四氟化硅气体中杂质碘的净化方法
CN206970204U (zh) 用于氟硅酸制备氟化氢的装置
TW201708100A (zh) 一種廢酸液循環使用之製程
JP2002255558A (ja) フッ化物の酸化物転換方法
WO2017138367A1 (ja) フッ素ガスの精製方法
RU2757017C1 (ru) Способ получения фторида водорода из смеси дифторида кальция и диоксида кремния

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140720