RU2352021C1 - Способ обработки поверхности кремниевых пластин - Google Patents
Способ обработки поверхности кремниевых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2352021C1 RU2352021C1 RU2007127110/28A RU2007127110A RU2352021C1 RU 2352021 C1 RU2352021 C1 RU 2352021C1 RU 2007127110/28 A RU2007127110/28 A RU 2007127110/28A RU 2007127110 A RU2007127110 A RU 2007127110A RU 2352021 C1 RU2352021 C1 RU 2352021C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon plate
- surface processing
- plate surface
- isopropyl alcohol
- minutes
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности кремниевых пластин пластины загружают в ванну, заполненную изопропиловым спиртом, и при частоте ультразвука 25±5 Гц проводят удаление загрязнений в течение 5±1 минут. Контроль производится под сфокусированным светом, по количеству светящихся точек. Количество светящихся точек не превышает 5 штук. При такой обработке обеспечивается полное удаление загрязнений, кремниевые пластины не повреждаются, не образуются сколы и трещины.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.
Обычно загрязнения с поверхности полупроводниковых пластин после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки удаляют с помощью кистей, щеток, батистовых салфеток.
Основным недостатком механического способа удаления загрязнения является разрушение структуры кремниевых подложек, приводящее к появлению трещин и сколов [1].
Техническим результатом изобретения является полное удаление загрязнений с поверхности без повреждений структуры кремниевой подложки.
Технический результат достигается обработкой поверхности подложек в изопропиловом спирте при частоте ультразвука 25±5 Гц.
Сущность способа заключается в том, что пластины загружают в ванну, заполненную изопропиловым спиртом, и при частоте ультразвука 25±5 Гц проводят удаление загрязнений в течение 5±1 минут. При такой обработке кремниевые пластины не повреждаются, не образуются сколы и трещины.
Контроль производится под сфокусированным светом, по количеству светящихся точек. Количество светящихся точек не превышает 5 штук.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки, при частоте ультразвука, равной 20 Гц.
Температура комнатная и время очистки 5±1 минут.
Светящихся точек на пластине не более 5 штук.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при частоте ультразвука, равной 30 Гц. Температура комнатная и время очистки 4 минуты.
Светящихся точек на пластине не более 5 штук.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1.
Процесс проводят при частоте ультразвука, равной 25±5 Гц.
Температура комнатная и время очистки 5±1 минут.
Светящихся точек на пластине не более 5 штук.
Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает удаление загрязнений с поверхности подложек при частоте ультразвука, равной 25±5 Гц, и времени, равном 5±1 минут. Светящихся точек на пластине обеспечивается не более 5 штук.
Источники информации
1. Е.З.Мазель, Ф.П.Пресс. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия. 1974. - С.243.
Claims (1)
- Способ обработки поверхности кремниевых пластин, включающий удаление загрязнений с поверхности пластин в изопропиловом спирте, отличающийся тем, что пластины подвергают удалению загрязнений в изопропиловом спирте с частотой ультразвука 25±5 Гц и времени очистки 5±1 мин при комнатной температуре, при этом контроль проводят под сфокусированным светом, количество светящихся точек на пластине не более 5 штук.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007127110/28A RU2352021C1 (ru) | 2007-07-16 | 2007-07-16 | Способ обработки поверхности кремниевых пластин |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007127110/28A RU2352021C1 (ru) | 2007-07-16 | 2007-07-16 | Способ обработки поверхности кремниевых пластин |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2352021C1 true RU2352021C1 (ru) | 2009-04-10 |
Family
ID=41015085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007127110/28A RU2352021C1 (ru) | 2007-07-16 | 2007-07-16 | Способ обработки поверхности кремниевых пластин |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2352021C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2587096C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2016-06-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ обработки поверхности кремниевой подложки |
| RU2815294C1 (ru) * | 2023-03-02 | 2024-03-13 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ обработки обратной стороны кремниевой транзисторной структуры |
-
2007
- 2007-07-16 RU RU2007127110/28A patent/RU2352021C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ШУЛЯКОВСКИЙ А.Е. и др. Процессы отмывки кремниевых подложек в производстве полупроводниковых приборов. Обзоры по электронной технике. Серия 2(1016). Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИ Электроника, с.13-39. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2587096C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2016-06-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ обработки поверхности кремниевой подложки |
| RU2815294C1 (ru) * | 2023-03-02 | 2024-03-13 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ обработки обратной стороны кремниевой транзисторной структуры |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1271721C (zh) | 贴合基板的制造方法 | |
| TWI459462B (zh) | 用於電漿處理設備之複合噴頭電極組件用之清理硬體套組 | |
| CN100416767C (zh) | 晶片加工方法 | |
| TW201720537A (zh) | 洗淨方法 | |
| TWI595561B (zh) | Method of manufacturing hybrid substrate and hybrid substrate | |
| JP6049571B2 (ja) | 窒化物半導体薄膜を備えた複合基板の製造方法 | |
| KR20080105957A (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| SG142270A1 (en) | Integrated method for removal of halogen residues from etched substrates by thermal process | |
| KR20180134285A (ko) | 웨이퍼 생성 장치 | |
| JP6007688B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2217842C1 (ru) | Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе | |
| JP4416108B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2009239013A (ja) | クリーニング基板及びクリーニング方法 | |
| KR20100119514A (ko) | 샌드 블라스트 처리된 이면을 갖는 ｓｏｉ 기판의 제조 방법 | |
| KR102198116B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| WO2005050705A3 (en) | Silicon carbide components of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon | |
| TW200623254A (en) | Method for producing epitaxial silicon wafer | |
| TW201841241A (zh) | 半導體基板之處理方法及處理裝置 | |
| TW200511411A (en) | Wafer back surface treating method and dicing sheet adhering apparatus | |
| CN110024080B (zh) | Soi晶圆的制造方法 | |
| RU2352021C1 (ru) | Способ обработки поверхности кремниевых пластин | |
| US20060201910A1 (en) | Methods for removing extraneous amounts of molding material from a substrate | |
| JP2005166925A (ja) | ウェーハ加工方法およびウェーハ加工装置 | |
| TW200501257A (en) | Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer | |
| JP2000068172A (ja) | 試料の分離装置及び分離方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110717 |