RU2274603C2 - Способ получения тетрафторсилана, метод анализа примесей в тетрафторсилане и газ на его основе - Google Patents
Способ получения тетрафторсилана, метод анализа примесей в тетрафторсилане и газ на его основе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2274603C2 RU2274603C2 RU2004103976A RU2004103976A RU2274603C2 RU 2274603 C2 RU2274603 C2 RU 2274603C2 RU 2004103976 A RU2004103976 A RU 2004103976A RU 2004103976 A RU2004103976 A RU 2004103976A RU 2274603 C2 RU2274603 C2 RU 2274603C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tetrafluorosilane
- gaseous
- stage
- sif
- gas
- Prior art date
Links
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- ARBIYISMVFAYHV-UHFFFAOYSA-N trifluoro(trifluorosilyloxy)silane Chemical compound F[Si](F)(F)O[Si](F)(F)F ARBIYISMVFAYHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 31
- 150000004761 hexafluorosilicates Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 82
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 33
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 32
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 27
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 16
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 15
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 12
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- JTDPJYXDDYUJBS-UHFFFAOYSA-N quinoline-2-carbohydrazide Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)NN)=CC=C21 JTDPJYXDDYUJBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical class O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JLQFVGYYVXALAG-CFEVTAHFSA-N yasmin 28 Chemical compound OC1=CC=C2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1.C([C@]12[C@H]3C[C@H]3[C@H]3[C@H]4[C@@H]([C@]5(CCC(=O)C=C5[C@@H]5C[C@@H]54)C)CC[C@@]31C)CC(=O)O2 JLQFVGYYVXALAG-CFEVTAHFSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 159000000009 barium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000004334 fluoridation Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011301 petroleum pitch Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
- B01J20/20—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising free carbon; comprising carbon obtained by carbonising processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/28—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties
- B01J20/28014—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties characterised by their form
- B01J20/28016—Particle form
- B01J20/28019—Spherical, ellipsoidal or cylindrical
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/28—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties
- B01J20/28054—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties characterised by their surface properties or porosity
- B01J20/28078—Pore diameter
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/28—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties
- B01J20/28054—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof characterised by their form or physical properties characterised by their surface properties or porosity
- B01J20/28078—Pore diameter
- B01J20/2808—Pore diameter being less than 2 nm, i.e. micropores or nanopores
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/30—Processes for preparing, regenerating, or reactivating
- B01J20/34—Regenerating or reactivating
- B01J20/3416—Regenerating or reactivating of sorbents or filter aids comprising free carbon, e.g. activated carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/30—Processes for preparing, regenerating, or reactivating
- B01J20/34—Regenerating or reactivating
- B01J20/345—Regenerating or reactivating using a particular desorbing compound or mixture
- B01J20/3458—Regenerating or reactivating using a particular desorbing compound or mixture in the gas phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10705—Tetrafluoride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/01453—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering for doping the preform with flourine
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/88—Integrated analysis systems specially adapted therefor, not covered by a single one of the groups G01N30/04 - G01N30/86
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
- B01D2253/10—Inorganic adsorbents
- B01D2253/102—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
- B01D2253/30—Physical properties of adsorbents
- B01D2253/302—Dimensions
- B01D2253/308—Pore size
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/10—Single element gases other than halogens
- B01D2257/102—Nitrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/10—Single element gases other than halogens
- B01D2257/104—Oxygen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
- B01D2257/2047—Hydrofluoric acid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/50—Carbon oxides
- B01D2257/502—Carbon monoxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/50—Carbon oxides
- B01D2257/504—Carbon dioxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/55—Compounds of silicon, phosphorus, germanium or arsenic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/40—Further details for adsorption processes and devices
- B01D2259/401—Further details for adsorption processes and devices using a single bed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/22—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/22—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion
- B01D53/228—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion characterised by specific membranes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N2021/3595—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using FTIR
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/88—Integrated analysis systems specially adapted therefor, not covered by a single one of the groups G01N30/04 - G01N30/86
- G01N2030/8809—Integrated analysis systems specially adapted therefor, not covered by a single one of the groups G01N30/04 - G01N30/86 analysis specially adapted for the sample
- G01N2030/8872—Integrated analysis systems specially adapted therefor, not covered by a single one of the groups G01N30/04 - G01N30/86 analysis specially adapted for the sample impurities
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N21/03—Cuvette constructions
- G01N21/09—Cuvette constructions adapted to resist hostile environments or corrosive or abrasive materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/40—Capture or disposal of greenhouse gases of CO2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/151—Reduction of greenhouse gas [GHG] emissions, e.g. CO2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Optical Measuring Cells (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения тетрафторсилана и газу на его основе. Способ получения тетрафторсилана включает стадию (1) нагревания гексафторсиликата, стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором. Далее следует стадия (2-2) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с фтористым соединением многовалентного металла. В качестве альтернативы стадии (2-2) присутствует стадия (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором. Потом следует стадия (2-3) реакции газообразного тетрафторсилана, полученного на стадии (2-1) с фтористым соединением многовалентного металла. По вышеуказанному способу получают высокочистый тетрафторсилан, содержащий гексафтордисилоксан в количестве 0,1 об.ч/млн или менее. Газообразный тетрафторсилан, полученный вышеуказанным способом, используют при производстве оптического волокна, полупроводников, элементов солнечной батареи. Технический результат состоит в получении тетрафторсилана с пониженным содержанием примесей. 5 н. и 19 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к способу получения тетрафторсилана, методу анализа содержания примесей в тетрафторсилане высокой чистоты и его применению.
Описания уровня техники
Тетрафторсилан (далее в тексте иногда обозначаемый как "SiF4") используется, например, в качестве сырья для получения оптических волокон, полупроводников или элементов солнечных батарей, а также для получения требуемого высокочистого продукта. Что касается способа его получения, то известен, например, способ получения SiF4 по реакции SiO2 с HF в присутствии концентрированной серной кислоты (Japanese Unexamined Patent Publication №57-135711 (JP-A-57-135711)).
Однако проблемой такого способа является образование воды в качестве побочного продукта в ходе реакции между исходным SiO2 и HF. Образовавшаяся вода может удаляться с помощью концентрированной серной кислоты, однако такое удаление оказывается неполным, и полученный SiF4 содержит значительное количество HF и гексафтордисилоксана ((SiF3)2O), полученных по реакции воды с SiF4, и, кроме этого, содержит диоксид углерода, который трудно выделить из SiF4, образование которого связывают с небольшим количеством производных углерода, содержащихся в концентрированной серной кислоте.
Кроме этого, известен способ получения SiF4 термическим разложением гексафторсиликата. Однако гексафторсиликат содержит Н2О или такие примеси, как производные кремниевой кислоты, содержащие следовые количества кислорода (например, SiO2), причем даже при удовлетворительной предварительной обработке такая примесь может реагировать с SiF4 с образованием гексафтордисилоксана в ходе осуществления термического разложения.
Известен также способ очистки SiF4, содержащего (SiF3)2O, СО2 или HF. В том случае, когда SiF4 содержит такие газообразные примеси как (SiF3)2O, CO2 и O2 и предназначен для использования, например, в качестве сырья для производства тонкой силиконовой пленки, кислородная примесь отрицательно влияет на свойства полупроводника или волокна. В соответствие со сказанным выше, требуется SiF4 с пониженным содержанием примесей, и в равной мере необходим метод анализа следовых количеств примесей.
Что касается способа очистки SiF4, то в Japanese Unexamined Patent Publication №57-156317 (JP-A-57-156317) описывается способ очистки SiF4, содержащего (SiF3)2О в результате его контакта с адсорбентом. Однако после регенерации и дальнейшего использования такого адсорбента не всегда восстанавливается его исходная абсорбционная способность. Причина этого явления не совсем понятна, однако, считается, что она связана с разложением гексафтордисилоксана в порах адсорбента. В результате присоединения SiO2, образующейся в ходе разложения, к центрам адсорбции теряется способность адсорбента к регенерации и повторному использованию, что создает проблему, связанную с обработкой такого адсорбента, как отхода производства. Кроме этого, при недостаточном прокаливании адсорбента перед пропусканием газа протекает побочная реакция с водой с образованием гексафтордисилоксана.
Описание изобретения
Настоящее изобретение было сделано с целью устранения вышеперечисленных недостатков и состояло в разработке способа получения тетрафторсилана, метода анализа примесей в тетрафторсилане высокой чистоты и его применении.
В результате широких исследований, направленных на решение указанных выше проблем, авторы настоящего изобретения установили, что такие проблемы могут быть решены с использованием способа получения тетрафторсилана, включающего стадию (1) нагревания гексафторсиликата, стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором, стадию (2-2) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с фторидом многовалентного металла, или стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, полученный на стадии (1), с газообразным фтором, и стадию (2-3) реакции газообразного тетрафторсилана, образовавшегося на стадии (2-1) с фторидом многовалентного металла.
Кроме этого, авторы изобретения обнаружили, что указанные проблемы могут быть решены с использованием метода анализа примесей в тетрафторсилане высокой чистоты, в результате приведения тетрафторсилана, содержащего в качестве примесей газообразный Н2, газообразный O2, газообразный N2, газообразный СО, газообразный СН4 и/или газообразный CO2, в контакт с адсорбентом с целью отделения примесей от тетрафторсилана и их введения совместно с газом-носителем в газовый хроматограф с целью последующего анализа.
Настоящее изобретение было создано на базе указанного метода.
Настоящее изобретение предусматривает способ получения тетрафторсилана, включающий стадию (1) нагревания гексафторсиликата, стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1), с газообразным фтором, стадию (2-2) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1), с фторидом многовалентного металла, или стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, полученный на стадии (1), с газообразным фтором, и стадию (2-3) реакции газообразного тетрафторсилана, образовавшегося на стадии (2-1), с форидом многовалентного металла.
Настоящее изобретение также предусматривает метод анализа примесей в тетрафторсилане высокой чистоты, заключающийся в контактировании газообразного тетрафторсилана, содержащего газообразный Н2, газообразный CO2, газообразный N2, газообразный СО, газообразный СН4 и/или CO2, с адсорбентом с целью отделения примесей от тетрафторсилана и введении примесей совместно газом-носителем в газовый хроматограф с целью анализа примесей.
Кроме этого, настоящее изобретение также предусматривает метод анализа примесей в тетрафторсилане высокой чистоты, заключающийся в введении газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, в качестве примеси, в оптическую ячейку с окном из галогенида металла и проведении анализа на гексафтордисилоксан и/или фтористый водород методом ИК-спектрометрии.
Кроме этого, настоящее изобретение предусматривает получение газа для производства оптического волокна, содержащего тетрафторсилан, полученный описанным выше способом.
Настоящее изобретение также обеспечивает газ для производства полупроводников, содержащий газообразный тетрафторсилан, полученный описанным выше способом.
Кроме этого, настоящее изобретение предусматривает получение газа для производства элемента солнечной батареи, содержащий тетрафторсилан, полученный описанным выше способом.
Краткое описание чертежей
Чертеж изображает схематический вид аппарата, используемого для осуществления способа получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению.
На приведенном чертеже 1 обозначает реактор термического разложения, 2 - трубку для проведения реакции разложения, 3 обозначает электрическую печь, 4 - нагреватель, 5 - гексафторсиликат, 6 - термометр, 7 - фиксирующую пластину из пористого Ni, 8 обозначает реактор для получения F2 (заполненный фторидом многовалентного металла, или без него), 9 - реактор (силикон), 11 - мембранный модуль для разделения газов, 12, 36 - вакуумные насосы, 13, 14, 21 - манометры, 15 - байпас с разделительной мембраной, 16 обозначает резервуар для регенерации, 19 - абсорбционную колонну, 22-25 - вентили для регулировки скорости потока, 26 - регулятор давления, 27-32 - вентили для отбора проб и 33-35 - вентили для регенерационного резервуара.
Описание предпочтительной реализации
Ниже приводится подробное описание настоящего изобретения. Гексафторсиликат является одним из предпочтительных соединений, выбранных из группы, состоящей из гексафторсиликата щелочного металла и гексафторсиликата щелочно-земельного металла. Примерами таких соединений могут служить Li2SiF6, Na2SiF6, K2SiF6, Cs2SiF6, MgSiF6, CaSiF6, SrSiF6 и BaSiF6. Все перечисленные соединения являются недорогими и доступными промышленными продуктами, и в способе настоящего изобретения эти вещества могут использоваться по отдельности или в виде смеси из двух или более перечисленных соединений. Наиболее предпочтительным из перечисленных веществ, что обусловлено его низкой стоимостью и массовым производством, является Na2SiF6 (гексафторсиликат натрия), который получают в качестве побочного продукта в процессе производства фосфорной кислоты.
В случае использования Na2SiF6 (гексафторсиликат натрия), образующегося в процессе производства фосфорной кислоты, Na2SiF6 представляет собой кристаллический порошок с размером частиц от десятков до сотен μм, иногда содержащий 10% мас. воды. Соответственно, в способе настоящего изобретения, предназначенного для получения тетрафторсилана с использованием гексафторсиликата в качестве исходного вещества, последний предпочтительно измельчать и сушить перед проведением стадии (1). В результате измельчения гексафторсиликата площадь поверхности его кристаллов увеличивается, и это способствует сушке кристаллов.
Измельчение кристаллического гексафторсиликата может проводиться с использованием такого устройства, как шаровая мельница, причем кристаллы измельчают до размера 100 μm и менее, предпочтительно 10 μм или менее, более предпочтительно 1 μм или менее. Затем кристаллы сушат пропусканием азота, воздуха и т.п. Температуры начала разложения могут различаться в зависимости от природы гексафторсиликата, и поэтому температуру сушки выбирают из интервала температур ниже температуры начала разложения. Так, например, в случае сушки гексафторсиликата натрия предпочтительная температура сушки кристаллов лежит в интервале от 200°С до менее 400°С, более предпочтительно, от 300°С до менее 400°С.
Цель проведения стадии сушки после измельчения кристаллов заключается в уменьшении количества таких примесей, как HF и (SiF3)2O, образующихся в качестве побочных продуктов в результате реакции SiF4, получаемого на стадии (1), с водой. Так, например, в случае использования натриевой соли в качестве гексафторсиликата SiF4 образуется по следующей ниже реакции (1), и предполагается, что в случае присутствия воды HF и (SiF3)2O образуются по реакции (2):
В способе получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению в случае присутствия HF и (SiF3)2O в SiF4 при проведении стадии (1) эти вещества могут перерабатываться на следующей стадии и не возникает каких-либо проблем, однако в результате измельчения и сушки кристаллического гексафторсиликата до проведения стадии (1) количество образующегося (SiF3)2O может быть снижено до 1/3-1/5. Причина, по которой образование (SiF3)2O не может быть исключено полностью, состоит в том, что в кристаллах остаются следовые количества воды и кислородсодержащих производных кремниевой кислоты (например, SiO2). Уменьшение количества образовавшегося количества (SiF3)2O выгодно также и в плане рентабельности процесса, поскольку в этом случае может быть уменьшено количество газообразного фтора (далее в тексте иногда используется символ "F2"), добавляемое, например, на стадии (2). Кроме этого, кристаллический гексафторсиликат предпочтительно сушить при температуре 50-200°С, что способствует последующему измельчению кристаллов.
В способе получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению соответствующие операции сушки и измельчения гексафторсиликата и сушки измельченных кристаллов предпочтительно проводятся до стадии (1), однако в том случае, когда используется гексафторсиликат с низким содержанием воды, указанные операции не проводятся. Вместе с тем, исчерпывающее удаление воды, содержащейся в кристаллах гексафторсиликата, является очень трудной операцией, и температура сушки имеет верхний предел, при превышении которого возникают проблемы, связанные с возможностью образования SiF4. Поэтому весьма трудно полностью предотвратить образование HF и (SiF3)2O, которое связано с наличием в кристаллах воды. Более того, кислородсодержащее производное кремниевой кислоты (например, SiO2) не может быть удалено в результате термообработки, и его наличие приводит к образованию (SiF3)2O.
Стадия (1) представляет собой нагревание гексафторсиликата с образованием SiF4. Стадию (1) можно проводить в потоке инертного газа, например газообразного азота, или в вакууме. Предпочтительный интервал температур нагревания может быть выбран в соответствие с природой используемого гексафторсиликата. Так, например, в случае использования бариевой соли нагревание, предпочтительно, проводят при температуре в интервале 400-700°С, а в случае использования натриевой соли нагревание проводят при температуре в интервале 500-800°С.
В способе получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению стадию (2-1), стадию (2-2) или стадии (2-1) и (2-3) осуществляют после проведения стадии (1). Стадия (2-1) представляет собой стадию реакции между смешанным газом, содержащим SiF4 и (SiF3)2O, полученным на стадии (1), с газообразным фтором. Предпочтительная температура реакции имеет значение в интервале 100-350°С, более предпочтительно, 200-350°С. Газообразный F2 вступает в реакцию в количестве от 1 до 2 молей в расчете на моль (SiF3)2O, содержащегося в полученном SiF4. Предполагается, что реакция на стадии (2) протекает по следующему уравнению (3), согласно которому (SiF3)2O может превращаться в SiF4 и О2:
Если молярное количество газообразного F2 в 2 раза превышает количество образовавшегося (SiF3)2O, наблюдается эффект насыщения, что нежелательно в плане рентабельности процесса. Принимая во внимание коррозионную стойкость конструкционного материала реактора к воздействию газообразного F2, предпочтительная температура реакции составляет 350°С или ниже.
Стадия (2-2) представляет собой реакцию газообразного SiF4, содержащего (SiF3)2O, образовавшийся на стадии (1), с фторидом многовалентного металла. Стадия (2-3) представляет собой реакцию газообразного SiF4, полученного на стадии (2-1), с фторидом многовалентного металла. Реакция, протекающая на стадии (2-2) или (2-3), представляет собой разложение гексафтордисилоксана под действием фторида многовалентного металла с образованием SiF4 и O2.
Примерами фторидов многовалентных металлов, которые могут использоваться на стадии (2-2) или (2-3), являются CoF3, MnF3, MnF4, AgF2, CeF4, PbF4 и K3NiF7. Перечисленные соединения способны активировать фтор при нагревании, и под действием активированного фтора может происходить разложение гексафтордисилоксана, протекающее по предполагаемым реакциям, представленньм уравнениями (4)-(10):
Указанные выше фториды многовалентных металлов могут использоваться по отдельности или в виде смеси.
Ниже описывается способ получения фторида многовалентного металла применительно к случаю, когда фторид многовалентного металла представляет собой CoF3 на носителе. Так, например, Со(NO3)2·6Н2O растворяют в воде, полученный водный раствор абсорбируют на сухом Al2О3 (NST-3, производимый Nikki Kagaku K.K.), и полученный материал сушат на теплой бане до полного удаления воды. После сушки оксидом алюминия заполняют никелевую трубку и проводят прокаливание в токе N2 с целью удаления остаточных количеств воды и азотной кислоты, с получением оксида. После этого, в результате пропускания 10% F2 (разбавленного N2), проводят фторирование Со и оксида алюминия, используемого в качестве носителя.
В случае использования оксидов алюминия, титана, циркония и т.п. в качестве формирующего средства, кислород на поверхности носителя и SiF4 реагируют друг с другом с образованием гексафтордисилоксана, вследствие чего необходимо осуществлять тщательное фторирование перед пропусканием SiF4. Фторирование носителя легко осуществляется в результате пропускания нагретого газообразного фтора или HF. В результате окончательной обработки газообразным фтором перед использованием может быть получен целевой фторид многовалентного металла.
Стадии (2-2) или (2-3) предпочтительно проводят при температуре 50-350°С, более предпочтительно, при 150-350°С. При пропускании нагретого фторида многовалентного металла через смешанный газ, состоящий из гексафтордисилоксана и SiF4, происходит разложение гексафтордисилоксана с образованием SiF4 и О2. В том случае, когда линейная скорость слишком высока, зона проскока (break-through zone) удлиняется и время существования уменьшается, вследствие чего пропускание, предпочтительно, проводят с линейной скоростью 10 м/мин или меньше при обычной температуре и атмосферном давлении.
Если продолжать реакцию на стадии (2-2) или (2-3), фторид металла в высшем валентном состоянии превращается во фторид металла обычной валентности и теряет способность к фторированию, при этом на выходе из реактора детектируется гексафтордисилоксан. В этом случае можно остановить реакцию и провести повторное фторирование низшего фторида газообразньм фтором с образованием фторида металла в высшей валентности, однако с целью осуществления непрерывного режима протекания реакции также можно использовать две или более реакционных колонны, тем самым непрерывно осуществляя реакцию разложения в результате повторения циклов реакции и регенерации. Выбор времени переключения с одного режима на другой может подтверждаться данными анализа на содержание гексафтордисилоксана на выходе из реактора, проводимого методом ИК-спектрометрии с Фурье-преобразованием (FT-IR).
Стадию (2-2) или (2-3) предпочтительно проводить в присутствии газообразного фтора, и в результате пропускания нагретого газообразного фтора реакция может протекать в непрерывном режиме при регенерации фторида многовалентного металла в соответствии со следующими уравнениями (11)-(17):
Тетрафторсилан, содержащий гексафтордисилоксан в качестве примеси, смешивают с газообразным фтором в эквимолярном количестве относительно гексафтордисилоксана и пропускают через фторид многовалентного металла, в результате чего одновременно протекают реакция разложения гексафтордисилоксана под воздействием фторида многовалентного металла и регенерация фторида металла с обычной валентностью под воздействием газообразного фтора. В этом случае объемная скорость составляет 10000 ч-1 или менее, предпочтительно 5000 ч-1 или менее, более предпочтительно 1000 ч-1, при температуре окружающего воздуха и атмосферном давлении. Количество подаваемого газообразного фтора может контролироваться подачей эквимолярного количества газообразного фтора при анализе содержания гексафтордисилоксана на входе в реактор методом FT-IR.
Газообразный тетрафторсилан, полученный на стадиях (2-1), (2-2) или на стадиях (2-1) и (2-3), иногда содержит избыточное количество газообразного фтора. В соответствие со способом получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению, стадии (3) контактирования кремния с газообразным тетрафторсиланом, содержащим газообразный фтор, предпочтительно проводят после стадии (2-1), стадии (2-2) или стадий (2-1) и (2-3).
Стадию (3), на которой осуществляют превращение избытка газообразного фтора в SiF4, предпочтительно проводят при температуре 50°С или выше, более предпочтительно при 100°С или выше, и еще более предпочтительно при 150°С или выше. Используемый на стадии (3) кремний, предпочтительно, представляет собой кремний, поверхностные гидроксильные группы которого подвергают термообработке с использованием такого инертного газа, как азот, при температуре 400°С или выше, предпочтительно при 400-600°С.
На стадии (3) нежелательно использовать SiO2 вместо кремния, поскольку из-за реакции с HF, содержащейся в SiF4, образуется Н2О и (SiF3)2O, в соответствие со следующими схемами реакций (18) и (19):
Газообразный F2 вступает в реакцию с поверхности кремния, в связи с чем, несмотря на то что размер частиц кремния и его площадь поверхности не имеют специальных ограничений, чип с размером частиц порядка нескольких мм является предпочтительным с учетом газопроницаемости, контактных характеристик или операций по заполнению. Предпочтительный кремниевый чип имеет чистоту 99,9% мас. или выше, более предпочтительно, 99,999% мас. или выше, и наиболее предпочтительно соответствует сорту полупроводниковых кремниевых плат.
Способ получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению предпочтительно включает стадию (4) контактирования газа, полученного на стадиях (2-1), (2-2), стадиях (2-1) и (2-3), стадиях (2-1) и (3), стадиях (2-2) и (3) или стадиях (2-1), (2-3) и (3), с газоразделительной мембраной и/или углеродными молекулярными ситами.
Газоразделительная мембрана, предпочтительно, представляет собой SiO2-ZrO2 керамическую мембрану и/или поли(4-метилпентен-1)гетерогенизированную мембрану. Углеродное молекулярное сито (молекулярно-ситовой углерод), предпочтительно, имеет размер пор порядка 5Å или менее.
SiF4, полученный по способу настоящего изобретения, может содержать примеси, образовавшиеся на соответствующих, описанных выше стадиях. Примерами примесей могут служить (SiF3)2O, H2, O2, N3 и HF. Кроме этого, могут содержаться такие примеси, как СО и CO2, образование которых связывают с небольшим количеством углерода, присутствующего в исходном гексафторсиликате. Для получения SiF4 высокой чистоты такие примеси предпочтительно отделять путем очистки.
Согласно способу получения тетрафторсилана по настоящему изобретению, SiF4, содержащий, например, такие примеси, как О2, N3, CO, СО2 и HF, приводится в контакт с газоразделительной мембраной и/или углеродным молекулярным ситом для отделения О2, N2, CO, CO2, HF и т.п. от SiF4, в результате чего может быть получен SiF4 высокой чистоты.
Примеры используемых газоразделительных мембран включают газоразделительный мембранный модуль SiO2-ZrO2 (размер модуля: ф50×300L), выпускаемый Kyocera Corporation, и поли(4-метилпентен-1) гетерогенизированную мембрану (размер модуля: ф60×500L), выпускаемый Dai-Nippon Ink&Chemicals, Inc. Такие разделительные мембраны могут использоваться по отдельности или в комбинации.
Газоразделительные мембраны, предназначенные для использования в способе получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению, не ограничиваются указанными выше разделительными мембранами, при условии, что сепарационная мембрана обладает большим коэффициентом проницаемости (разделения) по SiF4 и таким примесям, как О2, N2, CO, CO2 и HF.
Углеродные молекулярные сита не ограничиваются указанным выше примером, при условии, что углеродное молекулярное сито имеет достаточно большой размер пор для адсорбции таких примесей, как O2, N2, СО, СО2 и HF и достаточно малый размер пор для абсорбции SiF4. Размер пор предпочтительно составляет 5Å или менее, поскольку такие поры абсорбируют O2, N2, CO, СО2 и HF и не адсорбируют SiF4.
Ниже описывается способ очистки газообразного SiF4 с использованием газоразделительного мембранного модуля.
Согласно способу очистки газообразного SiF4 с использованием газоразделительного мембранного модуля такой модуль вначале продувают N2 или аналогичным газом с целью удаления H2O, которая реагирует с SiF4. Очистка считается завершенной, когда при подаче газообразного N2 точка росы с проницаемой и непроницаемой стороны мембраны достигает одинакового значения. N2 не является обязательным газом, используемым для очистки, при условии, что точка росы составляет -70°С или менее.
Питающая сторона высушенного газоразделительного мембранного модуля контактирует с SiF4, содержащим такие примеси, как О2, N2, CO, СО2 и HF, и обладает селективной проницаемостью по указанным примесям, тогда как SiF4 концентрируется с непроницаемой стороны, в результате чего может быть получен SiF4 высокой чистоты. Сконцентрированный с непроницаемой стороны SiF4 может дополнительно приводится в контакт с углеродным молекулярным ситом.
Согласно способу отделения SiF4 от О2, N2, CO, СО2, HF и т.д. с использованием газоразделительного мембранного модуля, при значительном перепаде между проницаемой стороной и непроницаемой стороной, высокочистый SiF4 может быть получен с непроницаемой стороны мембраны, в связи с чем с непроницаемой стороны (сторона подачи) мембраны поддерживается давление, равное атмосферному, или более высокое давление. Кроме этого, если это желательно, то давление с проницаемой стороны мембраны может быть понижено до атмосферного давления или более низкого давления.
Ниже описывается способ очистки газообразного SiF4 с использованием углеродного молекулярного сита.
Примером используемого углеродного молекулярного сита (далее в тексте иногда используется сокращение "MSC") может служить MORSIEBON 4A (торговая марка), производимый Takeda Chemical Industries, Ltd. Согласно способу очистки с использованием адсорбента MSC загружают в резервуар и затем подвергают термической обработке в среде такого инертного газа, как N2, при температуре 100-350°С с целью удаления воды, CO2 и других адсорбированных примесей. Термообработка может проводиться в результате очистки N2 в вакууме. Термообработка считается законченной, когда подводимый и отходящий газы достигают одинаковой точки росы. N2 не является обязательным газом для проведения сушки, и может использоваться другой газ, при условии, что точка росы составляет -70°С или менее.
В результате контакта MCS с SiF4, содержащим такие примеси, как О2, N2, CO, СО2 и HF, образовавшиеся в ходе процесса настоящего изобретения, и обеспечивая абсорбцию на MSC только этих примесей, может быть получен SiF4 высокой чистоты.
Адсорбцию на MSC таких газовых примесей, как O2, N2, CO, СО2 и HF, содержащихся в SiF4, предпочтительно осуществляют в соответствие с общим методом очистки адсорбционной сепарацией, поддерживая при адсорбции низкую температуру и повышенное давление. В случае проведения адсорбции при обычных температурах давление поддерживают равным атмосферному или выше, предпочтительно 0,5 МПа или выше, более предпочтительно 1 МПа или выше. В случае абсорбции газообразных примесей при охлаждении предпочтительное давление имеет значение ниже давления сжижения SiF4.
Линейная скорость (LV, м/мин) при атмосферном давлении составляет 5 или менее, предпочтительно 2 или менее, более предпочтительно 1 или менее. Объемная скорость (SV, H-1) составляет 1000 или менее, предпочтительно 500 или менее, более предпочтительно 200 или менее.
При использовании двух абсорбционных колонн SiF4 может подвергаться непрерывной очистке в результате попеременного осуществления адсорбции и регенерации. Регенерацию можно осуществлять путем откачивания в вакууме части нагретого SiF4, находящегося в колонне адсорбционной очистки, и его подачи в колонну регенеративной десорбции, проводя продувку в направлении обратном абсорбционной очистке.
Способ получения тетрафторсилана согласно настоящему изобретению также характеризуется использованием описанного ниже аналитического метода, предназначенного для контроля протекания процесса.
Тетрафторсилан, полученный по способу настоящего изобретения, может представлять собой продукт высокой чистоты с содержанием гексафтордисилоксана в качестве примеси в количестве 1 об.ч/млн или менее. Также может быть получен тетрафторсилан высокой чистоты с содержанием гексафтордисилоксана 0,1 об.ч/млн или менее.
Ниже описывается метод анализа примесей в высокочистом тетрафторсилане настоящего изобретения. Что касается приведенных ниже численных значений, то подразумевается, что они не имеют конкретных ограничений.
Согласно настоящему изобретению, метод анализа примесей в высокочистом тетрафторсилане характеризуется тем, что осуществляют контактирование тетрафторсилана, содержащего в качестве примесей газообразный Н2, газообразный O2, газообразный N2, газообразный СО, газообразный CH4 и/или газообразный СО2, с адсорбентом, с целью отделения примесей от тетрафторсилана и их введения совместно с газом-носителем в газовой хроматограф для их анализа.
Компоненты, которые могут анализироваться методом настоящего изобретения, представляют собой следовые количества Н2, О2, N2, CO, CH4 и/или СО2. Также могут анализироваться такие компоненты, как F2, HF и (SiF3)2O.
В качестве адсорбента предпочтительно использовать активированный уголь, сферический активированный угол на основе нефтяного пека и/или углеродное молекулярное сито с размером пор порядка 6Å или более.
Согласно методу анализа настоящего изобретения, предколонку (колонка SUS с внутренним диаметром ф 3 мм и длиной 1 м), заполненную SHINCARBON-S (активированный угольный адсорбент, производимый Shimadzu Corporation) с частицами размером 60-100 меш, фиксируют на бане с постоянной температурой и выдерживают при 100°С. В такую предколонку через газовый кран вводят 1 мл SiF4, содержащего такие примеси, как Н2, О2, N2, CO, CH4, CO2, HF и (SiF3)2O. В качестве газа-носителя можно использовать гелий (Не) высокой чистоты.
В образце, переносимом Не высокой чистоты через предколонку, происходит разделение Н2, CO2, N2, СО, СН4 и CO2 и адсорбция SiF4, HF и (SiF3)2O. Такие газовые примеси, как Н2, O2, N2, CO и СН4, могут быть отделены с использованием разделительной колонки, например, с молекулярным ситом 5А (торговое наименование). В случае присутствия CO2 смесь может разделяться с использованием разделительной колонки с POLAPACK Q (торговая марка).
После этого разделенные компоненты вводят в PDD (импульсный разрядный детектор) и измеряют их концентрацию. Предел определения таких газообразных примесей, как Н2, O2, N2, CO, СН4 и CO2, составляет 0,01 об.ч/млн. Согласно методу анализа настоящего изобретения, количественный анализ может быть проведен в интервале концентраций 0,05-0,01 об.ч/млн., что позволяет анализировать SiF4 высокой чистоты.
Использование в методе анализа настоящего изобретения предколонки с упомянутым выше активированным углем обусловлено тем, что его способность к разделению образца на группу компонентов, включающую Н2, O2, N2, CO, CH4 и CO2, и группу, состоящую из основного компонента, SiF4, и примесей, HF и (SiF3)2O, значительно превосходит другие адсорбенты, например силикагель, цеолит и пористые полимерные гранулы. Предпочтительно использовать активированный уголь на основе нефтяного пека, поскольку в этом случае содержание золы (например, К2СО3) очень мало по сравнению с обычным активированным углем, и может быть достигнуто хорошее разделение основного компонента SiF4. Еще более предпочтительным адсорбентом является молекулярно ситовой уголь, на котором может быть достигнуто отличное разделение основного компонента, SiF4, по сравнению с АС и ВАС. Причиной этого, по-видимому, является хороший контроль размера пор и их распределения.
С другой стороны, адсорбированные в предколонке HF, (SiF3)2O и SiF4 могут выделяться и регенерироваться с использованием системы обратной промывки, в которой, с помощью крана, изменяется направление движения потока газа-носителя невысокой чистоты, и предколонка продувается в направлении, противоположном вводу образца. При этом температура печи, в которой находится предколонка, может быть повышена от 100 до 200°С одновременно с переключением крана, что способствует десорбции HF, (SiF3)2O и SiF4. Температура старения предколонки и разделительной колонки может иметь значение, равное обычно используемой максимальной температуре плюс 50°С.
В соответствии с настоящим изобретением метод анализа на содержание примесей в тетрафторсилане высокой чистоты заключается в введении тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан в качестве примеси, в оптическую ячейку, окно которой изготовлено из галогенида металла, и анализе гексафтордисилоксана и/или фтористого водорода методом инфракрасной спектрометрии.
В результате использования метода инфракрасной спектрометрии в анализе настоящего изобретения может быть измерена концентрация гексафтордисилоксана, содержащегося в тетрафторсилане, и концентрация фтористого водорода (HF).
При анализе (SiF3)2O, в связи с трудностью получения газообразного стандарта, содержание (SiF3)2O может быть определено, например, из соотношения оптических плотностей {(SiF3)2O/SiF4} по характеристическому ИК-поглощению (SiF3)2O при 838 см-1 и характеристическому ИК-поглощению SiF4 при 2054 см-1. В этом случае известная в технической литературе характеристика (например, Anal. Chem., 57, 104-109 (1985)), может использоваться в качестве стандарта для оптической плотности (SiF3)2O.
SiF4, содержащий (SiF3)2O, вводят в газовую ячейку с большой оптической траекторией, например, порядка 4 м или более и с использованием метода ИК-спектрометрии, определяют содержание (SiF3)2O в SiF4 в количестве до 0,1 ч/млн или менее. В качестве инфракрасного спектрометра предпочтительно использовать спектрометр с Фурье-преобразованием.
Метод анализа согласно настоящему изобретению позволяет определять низкие концентрации (SiF3)2O по поглощению в инфракрасной области спектра при длине волны 838 см-1, характеристичной для (SiF3)2O.
Кроме этого, концентрация (SiF3)2O в SiF4 может быть измерена косвенным методом в результате добавления постоянного, избыточного количества F2 к постоянному количеству SiF4, содержащего (SiF3)2O, проведения реакции между (SiF3)2O и F2 при нагревании до 300°С и определения расхода фтора.
В методе анализа согласно настоящему изобретению измерения, предпочтительно, проводят методом FT-IR, при этом, по меньшей мере, часть линии для отбора образцов, контактирующая с SiF4, изготовлена из нержавеющей стали или электрополированной нержавеющей стали, а конструкционный материал окна газовой ячейки для оптического пропускания представляет собой KCI, AgCI, KBr или CaF2. Аналогично (SiF3)2O, HF может анализироваться с концентрацией 0,1 ч/млн или менее по спектру ИК-поглощения, из оптической плотности при длине волны 4040 см-1, характеристичной для HF.
Ниже описывается применение высокочистого тетрафторсилана, полученного способом настоящего изобретения.
С повышением степени интеграции транзисторов, повлекшей за собой усовершенствование полупроводниковых приборов, стало возможным значительное увеличение интегральной плотности или скорости переключения индивидуальных транзисторов. Однако задержка при распространении, связанная с качеством электропроводки, сводит на нет увеличение скорости работы транзистора. Задержка, связанная с электропроводкой, становится особенно серьезной проблемой при уширении линии до 0,25 μм и более. Для решения такой проблемы алюминиевую проводку заменяют на медную электропроводку с низким сопротивлением и применяют низкодиэлектрическую межслоевую изолирующую пленку с целью уменьшения емкости между проводками. Примером низкодиэлектрического материала для линий шириной 0,25-0,18 или 0,13 μм может служить SiOF (оксидная пленка, допированная фтором, ε: около 3,5), полученная методом CVD в HDP (высокая плотность) плазме. Поскольку в настоящее время продолжается разработка новых способов с использованием SiOF для межслоевой изолирующей пленки и алюминиевых сплавов для электропроводки, высокочистый SiF4 настоящего изобретения может найти применение в качестве допирующего материала.
Стекло для оптических волокон содержит внутреннюю часть и покрытую часть. Внутренняя часть должна иметь более высокий показатель преломления, чем периферическая покрытая часть, с тем чтобы облегчить прохождение света в центральную часть. Увеличение показателя преломления может быть достигнуто путем введения таких легирующих добавок, как Ge, AI, Ti и т.п. Однако при этом следует учитывать побочный эффект увеличения светорассеяния на присадках, вследствие чего происходит снижение эффективности светопропускания. При добавлении фтора в покрытие величина показателя преломления может уменьшаться до значений ниже показателя преломления чистого кварца, и, вследствие этого, чистый кварц или кварц с пониженным содержанием легирующих добавок может использоваться в центральной части с целью повышения эффективности светопропускания. Фтор в атмосфере Не добавляют в ходе термообработки мелкозернистого стеклянного материала (SiO2) в атмосфере SiF4, и, таким образом, высокочистый SiF4 настоящего изобретения может использоваться в качестве газа, предназначенного для получения оптического волокна.
Настоящее изобретение дополнительно иллюстрируется приведенными ниже примерами, не ограничивающими область изобретения.
Пример 1.
Гексафторсиликат натрия (Na2SiF6) 5 со средним размером частиц около 70 μм, чистотой 89% мас. или более (содержание воды: 10% мас. или менее), полученный в качестве побочного продукта в процессе производства фосфорной кислоты, высушивали горячим воздухом при 120°С и 1500 г полученного материала загружали в центральную часть трубки 2 для проведения реакции разложения (внутренний диаметр: 90 мм, длина: 1500 мм, конструкционный материал: никель) в реакторе 1 термического разложения, показанном на чертеже, и оба конца трубки закрывали пластиной 7 из пористого Ni. Затем при поддерживании температуры Na2SiF6 ниже 400°С с помощью электропечи 3 (длина: 1000 мм), открывая клапан 22, пропускали газообразный N2 (точка росы: -70°С или менее) со скоростью 1000 мл/мин, и после подтверждения того, что концентрация HF в отходящем газе снизилась до 1 ч/млн или менее, сушку Na2SiF6 завершали.
После этого скорость потока N2 устанавливали равной 200 мл/мин и температуру электропечи 3 повышали до 700°С и поддерживали на этом значении. В результате образовывался SiF4 с концентрацией около 30% об. Образцы полученного газа отбирали с помощью вентиля 27 и определяли концентрации газовых примесей. Полученные результаты представлены в Таблице 1. Из представленных результатов можно видеть, что в продукте содержится 8560 ч/млн (SiF3)2O.
Пример 2
Газообразный SiF4 получали по методике, описанной в примере 1, за исключением того, что сухие кристаллы гексафторсиликата натрия, используемые в Примере 1, истирали с помощью измельчителя, и полученным порошком с размером частиц около 1 μм заполняли трубку 2 для проведения реакции разложения. Образцы образовавшегося газа отбирали с помощью вентиля 27 и определяли концентрации газовых примесей. Полученные результаты представлены в Таблице 1. Из полученных результатов следует, что проведение измельчения приводит к уменьшению концентрации (SiF3)2O.
Пример 3
Газообразный SiF4, полученный в Примере 2, вводили в реактор 8 для обработки F2 (конструкционный материал реакторной трубки: никель, внутренний диаметр: 8 мм, длина: 1000 мм), показанный на чертеже, через вентиль 23 вводили 3 мл 100% газообразного фтора, и при 300°С протекала реакция между (SiF3)2O, содержащимся в SiF4, и F2. Образец образовавшегося газа отбирали через вентиль 28 и анализировали. Полученные результаты представлены в Таблице 1. Из полученных результатов можно видеть, что концентрация (SiF3)2O уменьшается до значения менее 0,1 об.ч/млн.
Пример 4
В реакционную трубку (конструкционный материал: никель) реактора 9, показанного на чертеже, загружали 60 мл кремниевой крошки размером 8-10 меш, которую обрабатывали в течение 3 часов при 500°С, пропуская N2 (точка росы: -70°С или менее) со скоростью 300 мл/мин. Затем температуру реакционной трубки, заполненной кремниевой крошкой, устанавливали равной 150°С и вводили газ, полученный в Примере 3, с целью его реакции с избытком F2 и кремнием. Образцы образовавшегося газа отбирали через вентиль 29 и анализировали. Полученные результаты представлены в Таблице 1. Из представленных данных видно, что концентрация газообразного фтора уменьшена до значения менее 0,1 об.ч/млн.
Пример 5
Через газоразделительный мембранный модуль 11 (SiO2-ZrO2 мембрана, производимая Kyocera Corporation), показанный на чертеже, со скоростью 2-3 л/мин пропускали N2 (точка росы: -70°С или менее) и проводили его осушку до достижения одинаковой точки росы на входе и выходе из модуля. Со стороны подачи в сухом газоразделительном мембранном модуле 11, при атмосферном давлении, вводили газ, полученный в Примере 4, и в результате сброса давления с газопроницаемой стороны с помощью вакуумного насоса 11 такие газовые примеси, как N2, отделялись с проницаемой стороны. Образцы газа с проницаемой стороны отбирали через вентиль 30, а газ с непроницаемой стороны мембраны отбирали через вентиль 31. Полученные образцы анализировали. Результаты анализа представлены в Таблице 1. Из полученных результатов можно видеть, что большая часть газовых примесей может удаляться с проницаемой стороны мембраны.
SiF4 с непроницаемой стороны мембраны вымораживали в регенерационный резервуар 16, охлажденный до температуры -120°С с помощью жидкого N2, через вентили 24 и 33, регулируя при этом давление.
Пример 6
В абсорбционную колонну 19 (внутренний диаметр: 16 мм, длина: 1000 мм), показанную на чертеже, загружали 100 мл MSC (MORSIEBON 4A, производимый Takeda Chemical Industries, Ltd.) и систему сушили, пропуская N2 (точка росы: -70°С или менее) при 500°С со скоростью 300 мл/мин до достижения одинаковой точки росы на входе и выходе из системы. После охлаждения и продувки Не SiF4, регенерированный в регенерационном резервуаре 16 в Примере 5, переводили в газообразное состояние при обычной температуре и вводили в абсорбционную колонну 19. В ходе этой операции устанавливали давление 0,9 МПа, а объемную скорость газообразного SiF4 устанавливали равной 350 мл/мин с использованием вентиля 25 для регулирования скорости потока, регулятора давления 26 и манометра 21. Газ, выходящий из абсорбционной колонны 19, анализировали на присутствие газообразных примесей, используя описанную выше методику; полученные результаты представлены в Таблице 1. Из приведенных результатов можно видеть, что измеренные концентрации всех примесей составляли менее 0,1 об.ч/млн.
Пример 7
Газ, полученный в Примере 4, вымораживали в регенерационный резервуар 16, охлажденный до -120°С с помощью жидкого азота, через вентили 24 и 33, регулируя давление с использованием байпасной линии 15 разделительной мембраны, изображенной на чертеже. Затем, в результате газификации при обычной температуре, SiF4, собранный в регенерационном резервуаре 16, вводили в абсорбционную колонну 19, проводя обработку тем же способом и при тех же условиях, что описаны в Примере 6. Газ на входе в абсорбционную колонну 19 и газ, отходящий из абсорбционной колонны 19, анализировали, полученные при этом результаты представлены в Таблице 1. Из этих результатов видно, что измеренные концентрации всех примесей на выходе из реактора составляли менее 0,1 об.ч/млн.
Пример 8
Приготовление фторида многовалентного металла, нанесенного на подложку: 10% CoF3/Al2О3
В 200 мл воды растворяли 26,4 г (0,0091 моля) Со(NO3)2·6Н2O [квалификация: особочистый рагент]. Полученный водный раствор абсорбировали на 100,2 г сухого Al2О3 (NST-3, производимый Nikki Kagaku K.K.) и полученный материал сушили на теплой бане до нулевого содержания воды. После сушки оксид алюминия загружали в реакционную трубку (конструкционный материал: никель) реактора 8, показанного на чертеже, и прокаливали в течение 12 часов при 400 С в токе N3 (400 мл/мин), в результате чего удаляли остаточные количества воды и азотной кислоты с получением оксида Со. После этого при 250°С, со скоростью 1000 мл/мин, пропускали 10% газообразный F2 (разбавление N2) для осуществления фторирования оксида алюминия и Со. Фторирование проводили до одинаковой концентрации фтора на входе и на выходе из реактора. Концентрацию фтора измеряли путем пропускания газа, подлежащего анализу, через 5% водный раствор KI и титрования выделившегося иода 0,1N водным раствором Na2S2O3.
Используя 100 мл полученного выше фторида многовалентного металла, осуществляли разложение гексафтордисилоксана. Газообразный SiF4, полученный в Примере 2, вводили в реактор 8 (конструкционный материал реакционной трубки: никель, внутренний диаметр: 8 мм, длина: 1000 мм), показанный на чертеже, и (SiF3)2O, содержащийся в SiF4, вступал в реакцию с фторидом многовалентного металла (CoF3) при 200°С. Образцы образовавшегося газа отбирали через вентиль 28 и анализировали. Полученные результаты представлены в Таблице 1. Из представленных результатов можно видеть, что количество (SiF3)2O понижено до значения менее 0,1 об.ч/млн. Анализ на выходе из реактора продолжали и определяли содержание (SiF3)2O.
Пример 9
Использовали 100 мл фторида многовалентного металла, полученного в Примере 8. Газообразный SiF4, полученный в Примере 1, вводили в реактор 8 (конструкционный материал реакционной трубки: никель, внутренний диаметр: 8 мм, длина: 1000 мм), показанный на чертеже, через вентиль 23 вводили 2,3 мл 100% газообразного фтора и в результате реакции между (SiF3)2O, содержащимся в SiF4, и фторидом многовалентного металла при 250°С, происходила его регенерация под действием F2. Образцы полученного газа отбирали через вентиль 28 и анализировали. Полученные результаты представлены в Таблице 1. Из этих результатов видно, что концентрация (SiF3)2O снижена, примерно, до 500 об.ч/млн. Анализ газа на выходе из реактора продолжали, однако газообразный фтор обнаружен не был, а концентрация (SiF3)2O не менялась.
| Таблица 1 | ||||||||
| Результаты анализа соответствующих компонентов (об. ч/млн) | ||||||||
| (SiF3)2O | N2 | O2 | СО | CO2 | HF | F2 | ||
| Пример 1 | 8650 | - | - | - | - | - | - | |
| Пример 2 | 1850 | - | - | - | - | - | - | |
| Пример 3 | <0,1 | - | 30,0 | 5,0 | 83,0 | 5,5 | 1680 | |
| Пример 4 | <0,1 | - | 29,8 | 4,7 | 83,6 | 5,6 | <0,1 | |
| Пример 5 | Проницаемая сторона | <0,1 | 75,2 | 12,3 | 212 | 14,2 | ||
| Непроницаемая сторона | <0,1 | 88,7 | 0,5 | <0,1 | 0,5 | <0,1 | ||
| Пример 6 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | - | |
| Пример 7 | Вход | <0,1 | 48,5 | 1,5 | 1,7 | 187 | 9,3 | - |
| Выход | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | - | |
| Пример 8 | 0,5 час | <0,1 | - | - | - | - | - | - |
| 2,0 ч | 102 | - | - | - | - | - | - | |
| Пример 9 | 0,5 час | 460 | - | - | - | - | - | <0,1 |
| 4,0 час | 480 | - | - | - | - | - | <0,1 | |
| -:анализ не проводился | ||||||||
Промышленная применимость
В соответствие с приведенной выше информацией согласно настоящему изобретению может быть получен SiF4, не содержащий (SiF3)2O. Кроме этого, примесные компоненты могут анализироваться в количествах до 0,1 ч/млн или менее, и может быть получен высокочистый SiF4, требующийся для производства компонентов электронной техники, в частности для производства элемента солнечной батареи, полупроводников и оптического волокна.
Claims (24)
1. Способ получения тетрафторсилана, включающий стадию (1) нагревания гексафторсиликата, стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором, стадию (2-2) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с фтористым соединением многовалентного металла, или стадию (2-1) реакции газообразного тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан, образовавшийся на стадии (1) с газообразным фтором, и стадию (2-3) реакции газообразного тетрафторсилана, полученного на стадии (2-1) с фтористым соединением многовалентного металла.
2. Способ по п.1, в котором стадию (1) проводят при температуре 400°С или выше.
3. Способ по п.1, в котором стадию (2-1) проводят при температуре 100-350°С.
4. Способ по п.1, в котором стадию (2-2) или стадию (2-3) проводят при температуре 50-350°С.
5. Способ по любому из пп.1-4, в котором гексафторсиликат представляет собой, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из группы, состоящей из гексафторсиликата щелочного металла или гексафторсиликата щелочноземельного металла.
6. Способ по п.1, в котором гексафторсиликат измельчают и сушат перед проведением стадии (1).
7. Способ по п.1, в котором фтористое соединение многовалентного металла представляет собой, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из группы, состоящей из CoF3, MnF3, MnF4, AgF2, CeF4,PbF4 и K3NiF7.
8. Способ по п.1, в котором используют фтористое соединение многовалентного металла на носителе.
9. Способ по п.8, в котором носитель получают фторированием, по меньшей мере, одного соединения, выбранного из группы, состоящей из оксида алюминия, оксида титана и оксида циркония.
10. Способ по п.1, в котором стадию (2-2) или стадию (2-3) проводят в присутствии газообразного фтора.
11. Способ по п.1, включающий стадию (3) контактирования кремния с газообразным тетрафторсиланом, полученным на стадии (2-1), стадии (2-2) или стадиях (2-1) и (2-3).
12. Способ по п.11, в котором стадию (3) проводят при температуре 50°С или выше.
13. Способ по п.11 или 12, в котором перед проведением стадии (3) кремний подвергают термообработке в присутствии инертного газа при 400°С или выше.
14. Способ по п.11, включающий стадию (4), заключающуюся в контактировании газа, полученного на стадии (2-1), стадии (2-2), стадиях (2-1) и (2-3), стадиях (2-1) и (3),стадиях (2-2) и (3), или стадиях (2-1), (2-3) и (3), с газоразделительной мембраной и/или молекулярно-ситовым углеродом.
15. Способ по п.14, в котором газоразделительная мембрана представляет собой SiO2-ZrO2 керамическую мембрану и/или поли(4-метилпентен-1) гетерогенизированную мембрану.
16. Способ по п.14, в котором молекулярно-ситовой углерод имеет размер пор 5Å или менее.
17. Высокочистый тетрафторсилан, содержащий гексафтордисилоксан в количестве 1 об.ч./млн или менее, полученный способом по любому из пп.1-16.
18. Высокочистый тетрафторсилан по п.17, содержащий гексафтордисилоксан в количестве 0,1 об.ч./млн или менее.
19. Способ по п.1, в котором дополнительно осуществляют метод анализа примесей в высокочистом тетрафторсилане, заключающийся в контактировании тетрафторсилана, содержащего в качестве примесей газообразный H2, газообразный O2, газообразный N2, газообразный СО, газообразный CH4 и/или газообразный СО2 в качестве примесей с адсорбентом с целью отделения указанных примесей от тетрафторсилана, и введении указанных примесей совместно с газом-носителем в газовый хроматограф с целью анализа примесей для контроля получаемого высокочистого продукта.
20. Способ по п.19, в котором адсорбент представляет собой активированный уголь, сферический активированный уголь на основе нефтяного пека и/или молекулярно-ситовой углерод с размером пор 6Å или более.
21. Способ по п.1, в котором метод анализа примесей в высокочистом тетрафторсилане, заключается в введении тетрафторсилана, содержащего гексафтордисилоксан в качестве примеси в оптическую ячейку, окно которой изготовлено из галогенида металла, и анализе гексафтордисилоксана и/или фтористого водорода методом инфракрасной спектрометрии.
22. Газ, предназначенный для производства оптического волокна, включающий газообразный тетрафторсилан, полученный способом по любому из пп.1-16.
23. Газ, предназначенный для производства полупроводников, включающий газообразный тетрафторсилан, полученный способом по любому из пп.1-16.
24. Газ, предназначенный для производства элемента солнечной батареи, включающий газообразный тетрафторсилан, полученный способом по любому из пп.1-16.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212890 | 2001-07-12 | ||
| JP2001-212890 | 2001-07-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2004103976A RU2004103976A (ru) | 2005-05-10 |
| RU2274603C2 true RU2274603C2 (ru) | 2006-04-20 |
Family
ID=32012257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004103976A RU2274603C2 (ru) | 2001-07-12 | 2002-07-11 | Способ получения тетрафторсилана, метод анализа примесей в тетрафторсилане и газ на его основе |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7074377B2 (ru) |
| EP (1) | EP1406837B1 (ru) |
| JP (1) | JP3909385B2 (ru) |
| KR (1) | KR100636659B1 (ru) |
| CN (1) | CN100478276C (ru) |
| AT (1) | ATE466818T1 (ru) |
| DE (1) | DE60236285D1 (ru) |
| RU (1) | RU2274603C2 (ru) |
| TW (1) | TWI265145B (ru) |
| WO (1) | WO2003006374A1 (ru) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666379B2 (en) | 2001-07-16 | 2010-02-23 | Voltaix, Inc. | Process and apparatus for removing Bronsted acid impurities in binary halides |
| JP4588396B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-12-01 | 昭和電工株式会社 | テトラフルオロシランの製造方法 |
| TW200512159A (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-01 | Showa Denko Kk | Method for producing tetrafluorosilane |
| US20070212291A1 (en) * | 2004-03-19 | 2007-09-13 | Entegris, Inc. | Method And Apparatus For Purifying Inorganic Halides And Oxyhalides Using Zeolites |
| US8017405B2 (en) * | 2005-08-08 | 2011-09-13 | The Boc Group, Inc. | Gas analysis method |
| US9001335B2 (en) | 2005-09-30 | 2015-04-07 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus for siloxane measurements in a biogas |
| US7807074B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-10-05 | Honeywell International Inc. | Gaseous dielectrics with low global warming potentials |
| MY150562A (en) * | 2007-09-04 | 2014-01-30 | Memc Electronic Materials | Method for treatment of a gas stream containing silicon tetrafluoride and hydrogen chloride |
| US20090165647A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Sarang Gadre | Effluent gas recovery process for silicon production |
| US20090166173A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Sarang Gadre | Effluent gas recovery process for silicon production |
| EP2373577B1 (en) * | 2008-12-17 | 2014-09-10 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Processes and systems for producing silicon tetrafluoride from fluorosilicates in a fluidized bed reactor |
| KR101025748B1 (ko) | 2009-03-03 | 2011-04-04 | (주)원익머트리얼즈 | 불소가스 불순물 분석 장치 |
| KR101103566B1 (ko) * | 2009-05-15 | 2012-01-06 | 이용권 | 습식전극에 의한 피부 주름 다스림 장치 |
| KR101159674B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2012-06-25 | 주식회사 케이씨씨 | 모노실란의 정제방법 |
| US20110305621A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Kyung Hoon Kang | Method Of Continuously Producing Tetrafluorosilane By Using Various Fluorinated Materials, Amorphous Silica And Sulfuric Acid |
| KR101215490B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2012-12-26 | 주식회사 케이씨씨 | 다양한 플루오라이드 원료들과 비정질 실리카 및 황산을 이용한 사불화규소의 연속 제조방법 |
| US20120122265A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for producing photovoltaic cell |
| CN102515170A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-06-27 | 天津市泰亨气体有限公司 | 采用氟硅酸法来制备四氟硅烷的方法 |
| JP5933034B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2016-06-08 | エムケイエス インストゥルメンツ， インコーポレイテッド | バイオガス中のシロキサンを測定するための方法及び装置 |
| FI125535B (en) * | 2013-09-02 | 2015-11-13 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Method and apparatus for determining the siloxane content of a gas |
| KR102344996B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2021-12-30 | 삼성전자주식회사 | 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| US11287370B2 (en) | 2018-03-12 | 2022-03-29 | Kanto Denka Kogyo Co., Ltd. | Method and device for analyzing gas |
| CN113247907A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-08-13 | 浙江福陆工程设计有限公司 | 一种用石英砂法制备四氟化硅的方法 |
| CN113884600B (zh) * | 2021-10-27 | 2023-08-08 | 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司 | 测定含氟混气中碳酰氟和四氟化硅含量的装置及测定方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3453079A (en) * | 1964-06-05 | 1969-07-01 | Dow Chemical Co | Process for preparing compounds containing silicon and fluorine |
| GB2079262B (en) * | 1980-07-02 | 1984-03-28 | Central Glass Co Ltd | Process of preparing silicon tetrafluoride by using hydrogen fluoride gas |
| JPS604127B2 (ja) * | 1981-08-06 | 1985-02-01 | セントラル硝子株式会社 | 四弗化珪素ガスの精製法 |
| DE3432678C2 (de) | 1984-09-05 | 1986-11-20 | D. Swarovski & Co., Wattens, Tirol | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid |
| CA1290942C (en) * | 1985-03-18 | 1991-10-22 | Michihisa Kyoto | Method for producing glass preform for optical fiber |
| WO2000076915A1 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-21 | Uhp Materials, Inc. | Purification of gaseous inorganic halide |
-
2002
- 2002-06-28 JP JP2002190381A patent/JP3909385B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-11 AT AT02745980T patent/ATE466818T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-07-11 RU RU2004103976A patent/RU2274603C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-07-11 WO PCT/JP2002/007069 patent/WO2003006374A1/en active Application Filing
- 2002-07-11 TW TW91115453A patent/TWI265145B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-11 KR KR20047000371A patent/KR100636659B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-07-11 US US10/483,127 patent/US7074377B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-11 DE DE60236285T patent/DE60236285D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-11 CN CNB028139844A patent/CN100478276C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-11 EP EP20020745980 patent/EP1406837B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60236285D1 (de) | 2010-06-17 |
| KR20040013138A (ko) | 2004-02-11 |
| JP2003095636A (ja) | 2003-04-03 |
| EP1406837B1 (en) | 2010-05-05 |
| KR100636659B1 (ko) | 2006-10-19 |
| US7074377B2 (en) | 2006-07-11 |
| EP1406837A1 (en) | 2004-04-14 |
| US20040184980A1 (en) | 2004-09-23 |
| CN100478276C (zh) | 2009-04-15 |
| ATE466818T1 (de) | 2010-05-15 |
| WO2003006374A1 (en) | 2003-01-23 |
| CN1527796A (zh) | 2004-09-08 |
| RU2004103976A (ru) | 2005-05-10 |
| JP3909385B2 (ja) | 2007-04-25 |
| TWI265145B (en) | 2006-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2274603C2 (ru) | Способ получения тетрафторсилана, метод анализа примесей в тетрафторсилане и газ на его основе | |
| CN107848796B (zh) | 氢气回收系统及氢气的分离回收方法 | |
| EP2961688B1 (en) | Adsorbent composition for argon purification | |
| CN1209350A (zh) | 气体精制方法及装置 | |
| US20060228285A1 (en) | Purification of nitrogen trifluoride | |
| CN1934031A (zh) | 使用沸石净化无机卤化物和卤氧化物的方法和装置 | |
| KR20030070836A (ko) | 기체상태의 삼불화질소 정제 방법 | |
| JP3510986B2 (ja) | 減圧室から又はガスから水を除去する方法 | |
| KR102178425B1 (ko) | 삼염화붕소의 제조 방법 | |
| WO2023105975A1 (ja) | フッ化ニトロシルを含有するガスの分析方法及びガス中のフッ化ニトロシルの除去方法 | |
| US20070003466A1 (en) | Method for producing tetrafluorosilane | |
| JP4843635B2 (ja) | フッ化水素の含有量が低減されたフッ化カルボニルの製造方法 | |
| KR102140118B1 (ko) | 암모니아, 질소 및 수소 또는 질소, 수소 및 암모니아의 혼합물들의 정제 방법 | |
| KR102129988B1 (ko) | 반도체 생산 시 발생하는 폐가스를 처리하기 위한 처리 장치 및 처리 방법 | |
| Barat et al. | Flash photolysis of chlorate ion in aqueous solution | |
| EP3527534A1 (en) | Method for producing polycrystalline silicon | |
| CA2268489C (en) | Adsorbent for separating halogenated aromatic compounds and separation method using it | |
| KR20110088790A (ko) | 일산화질소 제조장치 | |
| JP4588396B2 (ja) | テトラフルオロシランの製造方法 | |
| Morterra et al. | Infrared surface characterization of AlF3 | |
| KR100403244B1 (ko) | 고 순도의 삼불화 질소 제조를 위한 암모니아 가스 정제방법 | |
| JP4157328B2 (ja) | 膜分離装置 | |
| KR101358675B1 (ko) | 고순도 암모니아 정제방법 | |
| KR102612965B1 (ko) | 일산화탄소(Carbon Monoxide) 가스 정제용 흡착제 조성물 및 상기 흡착제 조성물을 이용한 일산화탄소 정제방법 | |
| RU2698701C1 (ru) | Способ получения тетраалкилортосиликатов из кремнезёма |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100712 |