RU2221241C1 - Быстродействующий резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (варианты) и способ его изготовления - Google Patents
Быстродействующий резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (варианты) и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2221241C1 RU2221241C1 RU2002130840/28A RU2002130840A RU2221241C1 RU 2221241 C1 RU2221241 C1 RU 2221241C1 RU 2002130840/28 A RU2002130840/28 A RU 2002130840/28A RU 2002130840 A RU2002130840 A RU 2002130840A RU 2221241 C1 RU2221241 C1 RU 2221241C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- hydrogen
- film
- sensor
- palladium
- concentrations
- Prior art date
Links
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 83
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 title abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 41
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- JQPTYAILLJKUCY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) oxide Chemical compound [O-2].[Pd+2] JQPTYAILLJKUCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N titanium zirconium Chemical compound [Ti].[Zr] PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- ZSJFLDUTBDIFLJ-UHFFFAOYSA-N nickel zirconium Chemical compound [Ni].[Zr] ZSJFLDUTBDIFLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
- G01N33/005—H2
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области измерения концентраций водорода и может быть использовано при изготовлении газоанализаторов взрывоопасных концентраций водорода в космической технике, автомобильной промышленности, химической промышленности и т.д. Техническим результатом данного изобретения является повышение быстродействия датчика до 0,1 с. Сущность: предлагается резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (более 1 об.%), содержащий изолирующую подложку, водородочувствительный тонкопленочный элемент, нанесенный на подложку, нагревательный элемент, подогревающий водородочувствительный тонкопленочный элемент. Водородочувствительный тонкопленочный элемент выполнен из материала, содержащего, по меньшей мере, палладий, подвергнутого термообработке, обеспечивающей образование окисла палладия или из окисла палладия, переходящего в металлический палладий под действием водорода. Также предлагается способ изготовления водородочувствительного тонкопленочного элемента резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода, заключающийся в формировании на изолирующей подложке тонкой пленки металла с возможностью подогрева ее нагревательным элементом. Тонкую пленку металла выполняют, по меньшей мере, из палладия, а затем кратковременно ее нагревают, обеспечивая образование окисла палладия, не доводя пленку металла до полного окисления. 3 с. и 3 з.п.ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к области измерения концентраций водорода и может быть использовано при изготовлении газоанализаторов взрывоопасных концентраций водорода в космической технике, автомобильной промышленности, химической промышленности и т.д.
Широко известны датчики водорода (GB заявка 2142147, G 01 N 27/08, 1988 г. , А.С. 1797028, G 01 N 27/12, 23.02.93 Бюл. 7, RU 2102735, G 01 N 27/12, 1998.01.20), у которых водородочувствительный элемент выполнен в виде тонкой пленки окислов типа SnO2, ZnO2, WО3, Fе2Оз и т.д. В этих датчиках водород из окружающей газовой среды диффундирует в пленку чувствительного элемента, в результате чего электросопротивление датчика меняется. Недостатками таких датчиков являются: отсутствие селективности относительно водорода; высокие температуры (400 - 800oС), необходимые для обеспечения быстродействия датчика; ограниченное быстродействие датчика (1-2 с), которое физически ограничивается скоростью диффузии водорода в глубь чувствительной пленки датчика.
Известен водородный датчик (ЕР 0 768 528, опубл. 16.09.1996, G 01 N 27/12), содержащий электрически изолирующую подложку с нанесенной на нее тонкой аморфной титан-циркониевой пленкой (например, Ti52Zr48), поверх которой нанесена пленка палладия. На пленку палладия нанесены платиновые контакты. Водород диссоциирует на пленке палладия и диффундирует в никель-циркониевую пленку, изменяя ее электросопротивление пропорционально концентрации водорода. В описании изобретения отмечено, что использование пленки палладия в качестве покрывающего слоя обосновано тем, что диссоциация молекул водорода на поверхности палладия происходит быстрее, чем на других металлических поверхностях, и палладиевая пленка предотвращает окисление титан-циркониевой пленки. Недостатком данного датчика является недостаточно быстрая реакция на появление водорода в воздухе (порядка 3-10 с).
Известен водородный датчик (US 6,265,222, опубл. July 24, 2001, G 01 N 007/00), являющийся наиболее близким предлагаемому изобретению, т.е. прототипом, содержащий водородочувствительный тонкопленочный элемент, включающий редкоземельный металл или дигидрид редкоземельного металла, пленочный нагревательный элемент, соединенный с вышеуказанным водородочувствительным тонкопленочным элементом. Работа данного датчика базируется на обратимом переходе (индуцируемым водородом) металлического дигидрида в полупроводниковый тригидрид (YH2←→YH3). Водородочувствительный тонкопленочный элемент покрыт сверху водородопроницаемой пленкой палладия или сплава палладия, которая осуществляет каталитическое разложение (диссоциацию) молекул Н2 на атомы; селективное пропускание водорода к чувствительной к водороду пленке датчика за счет диффузии; защиту чувствительного слоя от окисления. Недостатком данного датчика является недостаточно быстрая реакция на появление водорода (порядка 1-2 с) и технологическая сложность изготовления.
Задачей данного изобретения является повышение быстродействия датчика.
Для достижения этой задачи предлагается резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (более 1 об.%), содержащий изолирующую подложку, водородочувствительный тонкопленочный элемент, нанесенный на подложку, нагревательный элемент, подогревающий водородочувствительный тонкопленочный элемент. Водородочувствительный тонкопленочный элемент выполнен из материала, содержащего, по меньшей мере, палладий, подвергнутого термообработке, обеспечивающей образование окисла палладия, или из окисла палладия, переходящего в металлический палладий под действием водорода.
Также предлагается способ изготовления водородочувствительного тонкопленочного элемента резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода, заключающийся в формировании на изолирующей подложке тонкой пленки металла с возможностью подогрева ее нагревательным элементом. Тонкую пленку металла выполняют, по меньшей мере, из палладия, а затем кратковременно ее нагревают, обеспечивая образование окисла палладия.
Кроме того, для образования окисла палладия нагрев производят до температуры 360 - 400oС.
Кроме того, устанавливают рабочую температуру водородочувствительного тонкопленочного элемента 100 -150oС.
Кроме того, определяют концентрацию водорода более 1 об.%, по меньшей мере, в воздухе и/или в азоте и/или в гелии и/или в кислороде и/или в углеводородах и/или в инертных газах.
Предлагаемое изобретение иллюстрируется чертежами, на которых изображены:
фиг. 1 - схема устройства резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода;
фиг. 2 - характеристики принципа действия водородочувствительного датчика;
а - ступенчатая зависимость концентрации водорода (К) в воздухе от времени (t);
в - зависимость электросопротивления датчика (R) от времени;
с - медленно нарастающая концентрация водорода;
d - соответствующая кривой с зависимость электросопротивления датчика от времени.
фиг. 1 - схема устройства резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода;
фиг. 2 - характеристики принципа действия водородочувствительного датчика;
а - ступенчатая зависимость концентрации водорода (К) в воздухе от времени (t);
в - зависимость электросопротивления датчика (R) от времени;
с - медленно нарастающая концентрация водорода;
d - соответствующая кривой с зависимость электросопротивления датчика от времени.
Резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода содержит (фиг.1) изолирующую подложку 1, резистивный водородочувствительный тонкопленочный элемент 2, нанесенный на подложку 1, пленочный нагревательный элемент 3, нанесенный на изолирующую подложку 4, металлические контакты 5 для измерения электросопротивления водородочувствительного элемента, металлические контакты 6 для пропускания тока через нагревательный элемент.
Принцип действия датчика состоит в изменении его электросопротивления при появлении взрывоопасных концентраций водорода (более 1 об. %) в окружающей его газовой среде. В основе этого принципа лежит химическая реакция восстановления водородом чувствительной к водороду пленки окисла металла до металла.
Датчик изготовлен следующим образом.
На изолирующую подложку 1 напылением в вакууме (хотя возможна любая другая технология нанесения пленки) наносят тонкую пленку металла 2 или окисла металла. На пленку металла или окисла металла 2 наносят два металлических контакта 5 для измерения электросопротивления пленки 2. Датчик (1, 2, 5) расположен на нагревательном элементе (3, 4, 6), который может быть выполнен, например, в виде пленочного резистивного элемента. Подложка может быть выполнена из изолирующего материала, например ситалла, Аl2O3 и др.
Если на подложку нанесена пленка 2 в виде металла, то при помощи нагревательного элемента 3 датчик кратковременно нагревают до температуры 360-400oС, при этом пленка металла 2 окисляется. Нагревание прекращают, когда электросопротивление пленки 2 достигнет заданной величины, например около 100 кОм, не доводя пленку металла до полного окисления (когда ее электросопротивление становится больше десятков МОм). Затем электрический ток в нагревателе уменьшают так, чтобы температура датчика была 100 -150oС. В таком состоянии датчик готов к работе. Если пленка 2 нанесена на подложку в виде окисла металла, то датчик уже готов к работе.
Устройство работает следующим образом.
На фиг.2 схематически показаны характеристики датчика. В момент времени t1 (фиг.2,а) в воздушную среду, окружающую датчик, поступает импульс концентрации K1 водорода порядка нескольких процентов в виде ступеньки, причем K1> K0, где К0 - минимальная (пороговая) концентрация, при которой датчик скачкообразно переходит из состояния с большим электросопротивлением R1 в сосотояние с малым электросопротивлением R2, как показано на фиг.2,в. При этом отношение R1/R2 может составлять один-три порядка (например, R1=100 кОм, а R2= 100 Ом). Время срабатывания, τ, т.е. длительность переходного процесса от R1 до R2 составляет 0,1 с и даже меньше. Переход из состояния R1 в состояние R2 соответствует быстрому (взрывному) переходу пленки датчика из окисного состояния в металлическое. Величина К0 определяется рабочей температурой, при которой находится датчик, с увеличением температуры величина К0 уменьшается. Меняя рабочую температуру, можно подобрать концентрацию К0 в пределах 1-100 об. %, при которой происходит быстрое срабатывание датчика. Величина τ уменьшается с уменьшением толщины пленки окисла и увеличением рабочей температуры.
Такое поведение датчика напоминает поведение всем известного "плавкого предохранителя", который разрывает электрическую цепь, когда ток в цепи превышает предельную, заранее заданную величину. В этом смысле датчик водорода можно назвать "сигнализатором-предохранителем", если включить его в систему автоматической защиты от взрывоопасной ситуации.
Если концентрация водорода в атмосфере нарастает медленно (фиг.2,с), то величина τ увеличивается, что и показано на фиг.2,d. При этом датчик переходит в металлическое состояние при концентрации К0.
После срабатывания датчик можно перевести из состояния с малым электрическим сопротивлением R2 в состояние с большим электрическим сопротивлением R1 (окисное состояние), не снимая его с держателя. Для этого вновь надо кратковременно увеличить температуру нагревателя до 360 -400oС. При этом пленка датчика снова частично окисляется и будет готова к следующему циклу работы датчика. Датчик выдерживает 10-15 циклов, после чего чувствительная к водороду пленка разрушается. Тогда датчик заменяют аналогичным, при этом нагревательный элемент остается прежним.
Если пленка датчика нанесена сразу в виде окисла металла, то необходимо заменять чувствительный элемент аналогичным, т.е. перемонтировать весь датчик. Такой датчик является одноразовым наподобие плавкого предохранителя. Поэтому предпочтительней наносить на подложку пленку металла и уже на подложке окислять металл до окисла.
Описанные выше результаты были получены экспериментально.
Достоинство описанного выше датчика состоит в очень быстрой реакции на водород при больших концентрациях, которые возникают в аварийных ситуациях, например, при разрывах трубопроводов водорода. Эта быстрота реакции на порядок или более превышает достигнутые ранее на резистивных датчиках (см., например, US 6,265,222 и ЕР 0768528). В указанном выше прототипе также используют химическую реакцию, а именно превращение гидридов редкоземельного металла под действием водорода. Однако в этом датчике чувствительная к водороду пленка по необходимости покрыта сверху пленкой палладия или сплава палладия для выполнения следующих функций: 1 - диссоциации молекул Н2 на атомы; 2 - селективного пропускания водорода к чувствительной к водороду пленке датчика за счет диффузии; 3 - защиты чувствительного слоя от окисления. Первые два процесса при допустимых (т.е. не очень высоких) температурах датчика имеют длительность не менее одной секунды (1 с) и физически не могут быть ускорены. Поэтому время срабатывания датчика не удается сделать менее 1 с. Предлагаемый нами датчик не содержит защитной пленки и поэтому время его срабатывания определяется только временем протекания химической реакции восстановления окисла, которое для окисла палладия очень мало, возможно даже значительно меньше 0,1 с. Наши эксперименты показали, что окислы других металлов, например Pt, Ni, Та и др., не обладают такой быстрой реакцией восстановления при столь низкой (100 -150oС) температуре.
Следует отметить, что предлагаемый датчик водорода изготавливается с помощью сравнительно простой технологии, в частности может быть выполнен с помощью традиционной микроэлектронной технологии, и поэтому имеет низкую стоимость.
Предлагаемый датчик можно использовать как сигнализатор концентрации водорода порядка нескольких процентов не только в воздухе, но и в других газовых средах: азоте, гелии, кислороде, углеводородах, инертных газах и др. Наши эксперименты показали также, что время срабатывания датчика, τ, слабо зависит от состава газовой среды, в которой измеряется концентрация водорода.
Таким образом, предлагаемый резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода имеет высокое быстродействие и низкую стоимость изготовления.
Claims (6)
1. Резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода, содержащий изолирующую подложку, водородочувствительный тонкопленочный элемент, нанесенный на подложку, и нагревательный элемент, подогревающий водородочувствительный тонкопленочный элемент, отличающийся тем, что водородочувствительный тонкопленочный элемент выполнен из материала, содержащего, по крайней мере, палладий, из которого нагреванием, не доводящим до полного окисления палладия, получен окисел палладия, переходящий в металлический палладий под действием водорода взрывоопасных концентраций.
2. Резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода, содержащий изолирующую подложку, водородочувствительный тонкопленочный элемент, нанесенный на подложку, и нагревающий элемент, подогревающий водородочувствительный тонкопленочный элемент, отличающийся тем, что водородочувствительный тонкопленочный элемент выполнен из материала, содержащего, по крайней мере, окисел палладия, переходящий в металлический палладий под действием водорода взрывоопасных концентраций.
3. Способ изготовления водородочувствительного тонкопленочного элемента резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода, заключающийся в формировании на изолирующей подложке тонкой пленки металла с возможностью подогрева ее нагревательным элементом, отличающийся тем, что тонкую пленку металла выполняют, по меньшей мере, из палладия, а затем кратковременно ее нагревают, обеспечивая образование окисла палладия, не доводя пленку металла до полного окисления.
4. Способ изготовления водородочувствительного тонкопленочного элемента резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода по п.3, отличающийся тем, что для образования окисла палладия нагрев производят до температуры 360-400°С.
5. Способ изготовления водородочувствительного тонкопленочного элемента резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода по любому из пп.3 и 4, отличающийся тем, что устанавливают рабочую температуру водородочувствительного тонкопленочного элемента 100-150°С.
6. Способ изготовления водородочувствительного тонкопленочного элемента резистивного датчика взрывоопасных концентраций водорода по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что определяют концентрацию водорода более 1 об.%, по меньшей мере, в воздухе, и/или в азоте, и/или в гелии, и/или в кислороде, и/или в углеводородах, и/или в инертных газах.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002130840/28A RU2221241C1 (ru) | 2002-11-19 | 2002-11-19 | Быстродействующий резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (варианты) и способ его изготовления |
| PCT/RU2003/000490 WO2004046705A1 (en) | 2002-11-19 | 2003-11-14 | Fast-response resistive sensor of explosive concentrations of hydrogen and method of its use |
| AU2003287113A AU2003287113A1 (en) | 2002-11-19 | 2003-11-14 | Fast-response resistive sensor of explosive concentrations of hydrogen and method of its use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002130840/28A RU2221241C1 (ru) | 2002-11-19 | 2002-11-19 | Быстродействующий резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (варианты) и способ его изготовления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2221241C1 true RU2221241C1 (ru) | 2004-01-10 |
| RU2002130840A RU2002130840A (ru) | 2004-05-10 |
Family
ID=32091817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002130840/28A RU2221241C1 (ru) | 2002-11-19 | 2002-11-19 | Быстродействующий резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (варианты) и способ его изготовления |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU2003287113A1 (ru) |
| RU (1) | RU2221241C1 (ru) |
| WO (1) | WO2004046705A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2525643C2 (ru) * | 2012-11-19 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН | Датчик водорода |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11686698B2 (en) * | 2018-05-14 | 2023-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Reducing gas detection material and reducing gas detection sensor |
| JP7195766B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2022-12-26 | キヤノン株式会社 | 還元性ガス検知材料、及び還元性ガス検知センサ |
| CN111351823A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-06-30 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种氢气敏感芯体制备方法及应用 |
| CN114892150B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-12-05 | 广东伟智创科技有限公司 | Mocvd双腔体生长氧化物薄膜设备及使用方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE387444B (sv) * | 1974-09-09 | 1976-09-06 | C M Svensson | Detektor for pavisande av vete |
| US4030340A (en) * | 1976-07-22 | 1977-06-21 | General Monitors, Inc. | Hydrogen gas detector |
| US4324760A (en) * | 1981-04-01 | 1982-04-13 | General Electric Company | Hydrogen detector |
| RU2046330C1 (ru) * | 1992-11-18 | 1995-10-20 | Российский научный центр "Курчатовский институт" | Датчик газа |
-
2002
- 2002-11-19 RU RU2002130840/28A patent/RU2221241C1/ru not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-11-14 AU AU2003287113A patent/AU2003287113A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-14 WO PCT/RU2003/000490 patent/WO2004046705A1/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2525643C2 (ru) * | 2012-11-19 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН | Датчик водорода |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004046705A1 (en) | 2004-06-03 |
| AU2003287113A1 (en) | 2004-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tao et al. | H2S sensing properties of noble metal doped WO3 thin film sensor fabricated by micromachining | |
| JP2813578B2 (ja) | 水素センサ | |
| JP4195609B2 (ja) | 薄層金属水素化物水素センサ | |
| US4423407A (en) | Apparatus and method for measuring the concentration of gases | |
| US20170307557A1 (en) | Gas-detecting apparatus including gas sensor and method of detecting hydrogen using gas sensor | |
| US20100012919A1 (en) | Gas sensor having zinc oxide nano-structures and method of fabricating the same | |
| JP6782642B2 (ja) | 気体センサ及び水素濃度判定方法 | |
| US10309916B2 (en) | Gas-detecting apparatus including gas sensor and method of detecting hydrogen using gas sensor | |
| JP2002535651A (ja) | 微細加工薄膜水素ガスセンサーおよびその製造方法および使用方法 | |
| SE503265C2 (sv) | Förfarande och anordning för gasdetektion | |
| JP2006526155A (ja) | 水素ガスを感知するための方法および装置 | |
| EP3786627B1 (en) | Mems type semiconductor gas detection element | |
| JP5352049B2 (ja) | 水素センサ | |
| RU2221241C1 (ru) | Быстродействующий резистивный датчик взрывоопасных концентраций водорода (варианты) и способ его изготовления | |
| JP7486123B2 (ja) | ガスセンサ装置 | |
| KR100929025B1 (ko) | 평판형 접촉연소식 수소 및 가연성 가스센서 및 그제조방법 | |
| JP4010738B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
| JP3078485B2 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
| KR20190020203A (ko) | 가역적인 수소 가스 검출이 가능한 수소 센서 | |
| JP4315992B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
| JP4002969B2 (ja) | 可燃性ガスセンサ | |
| EP0650047A1 (en) | Detection of reactive gases | |
| JP2000338081A (ja) | ガスセンサ | |
| JP2001004589A (ja) | ガスセンサ | |
| JP2010181282A (ja) | 水素検知素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091120 |