RU2194339C2 - Тиристор с двухсторонним управлением - Google Patents
Тиристор с двухсторонним управлением Download PDFInfo
- Publication number
- RU2194339C2 RU2194339C2 RU98104021/28A RU98104021A RU2194339C2 RU 2194339 C2 RU2194339 C2 RU 2194339C2 RU 98104021/28 A RU98104021/28 A RU 98104021/28A RU 98104021 A RU98104021 A RU 98104021A RU 2194339 C2 RU2194339 C2 RU 2194339C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- region
- regions
- thyristor
- cathode
- shorting
- Prior art date
Links
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 23
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0839—Cathode regions of thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов. В тиристоре с двухсторонним управлением запирающая структура не должна неконтролируемо отпираться за счет нежелательной миграции носителей зарядов. Это достигается за счет того, что степень закорачивания катодных областей возрастает в направлении разделительной области. В частности, это может быть достигнуто за счет того, что плотность закорачивающих областей на единицу площади стремится к максимальному значению в направлении разделительной области. Особенно оптимальным является использование прямолинейной сплошной закорачивающей области, проходящей вдоль разделительной области. Техническим результатом является улучшение развязывания между тиристорными структурами. 7 з. п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к силовым полупроводниковым элементам и касается тиристора с двухсторонним управлением согласно ограничительной части первого пункта формулы изобретения.
Родовой тиристор описан, например, в DE 4439012 Al. Речь идет при этом о тиристоре с двухсторонним управлением, у которого в полупроводниковую подложку интегрированы две встречно-параллельно включенные тиристорные структуры. Тиристорные структуры развязаны каждая на поверхностях элементов разделительной областью, преимущественно с уменьшенным временем жизни носителя. Разделительная область необходима между тиристорными структурами главным образом по двум причинам: во-первых, при отпирании одной тиристорной структуры не должны возникать паразитные цепи тока в направлении другой тиристорной структуры, а, во-вторых, при коммутации не должно возникать взаимодействия между обеими тиристорными структурами. Решение согласно уровню техники во многих случаях способно удовлетворить, однако из-за нежелательной миграции носителей зарядов из одной, уже отпертой тиристорной структуры, к другой, еще не отпертой, запирающая тиристорная структура может быть разрушена за счет локального неконтролируемого отпирания.
Задачей изобретения является поэтому создание тиристора с двухсторонним управлением, отличающегося улучшенным развязыванием между обеими тиристорными структурами. В частности, запирающая структура не должна неконтролируемо отпираться за счет нежелательной миграции носителей зарядов. Эта задача решается посредством признаков независимых пунктов формулы изобретения.
Сущность изобретения заключается в том, что степень закорачивания катодной области возрастает в направлении разделительной области. Это может быть достигнуто за счет того, что плотность закорачивающих областей на единицу площади в направлении разделительной области стремится к максимальному значению. Особенно оптимальным является, кроме того, использование прямолинейной сплошной закорачивающей области, проходящей вдоль разделительной области.
В предпочтительном примере выполнения дальнейшее улучшение развязывания обеих тиристорных структур достигается за счет, в основном, подковообразной области, расположенной в зоне между центральными областями управляющих электродов и соседней анодной областью. Подковообразная область также способствует тому, что попавшие в цепь управляющий электрод - катод носители зарядов не могут следовать за паразитной цепью тока между областью управляющего электрода и анодной областью другой тиристорной структуры той же главной поверхности. Подковообразную область получают предпочтительно посредством травления или маскированного в этой зоне внедрения легирующих примесей.
Дальнейшее улучшение разделения между тиристорными структурами тиристора согласно изобретению достигается также за счет того, что центральная область управляющего электрода горизонтально входит в соответствующую катодную область и ориентирована по соответствующему анодному эмиттеру. Кроме того, разделительная область и возможная усиливающая структура с пальцами управляющего электрода должны образовывать между собой угол, который больше нуля и составляет, в частности, 45o. Диаметрально проходящая разделительная область должна иметь ширину, равную примерно 10 диффузионным длинам неосновных носителей зарядов.
Другие предпочтительные формы выполнения приведены в соответствующих зависимых пунктах формулы изобретения.
Изобретение более подробно поясняется ниже с помощью чертежей, на которых изображают:
- фиг.1 - вид сверху на тиристор согласно изобретению;
- фиг.2 - вид снизу на тиристор согласно изобретению;
- фиг.3 - разрез тиристора согласно изобретению по линии А-А из фиг.1;
- фиг.4 - разрез тиристора согласно изобретению по линии В-В из фиг.1.
- фиг.1 - вид сверху на тиристор согласно изобретению;
- фиг.2 - вид снизу на тиристор согласно изобретению;
- фиг.3 - разрез тиристора согласно изобретению по линии А-А из фиг.1;
- фиг.4 - разрез тиристора согласно изобретению по линии В-В из фиг.1.
На фиг.1 изображен вид сверху на тиристор 1 согласно изобретению. В полупроводниковом корпусе между первой верхней главной поверхностью 2 и второй нижней главной поверхностью 3 (фиг.2) расположены две тиристорные структуры. Сверху видны анодная область 4 первой тиристорной структуры, катодная область 12 второй тиристорной структуры, центральная область 13 управляющего электрода второй тиристорной структуры, краевая замыкающая область 18 и усиливающая структура 15 с пальцами управляющего электрода. Между тиристорными структурами предусмотрена разделительная область 14. Эта разделительная область 14 выполнена в окружающей центральный управляющий электрод 13 зоне подковообразной и особенно высокоомной. В зоне второй катодной области 12 предусмотрены закорачивающие области 16 (видны только в разрезе). Во избежание нежелательной миграции носителей зарядов из одной, уже отпертой тиристорной структуры к другой, еще не отпертой - это могло бы вызвать неконтролируемое отпирание еще не отпертой тиристорной структуры - плотность закорачивающих областей 16 возрастает в направлении разделительной области 14. Она достигает на границе с разделительной областью 14 максимального значения, образуемого предпочтительно за счет прямолинейной закорачивающей области 17, проходящей вдоль разделительной области 14.
На фиг.2 изображен вид снизу на тиристор. На второй главной поверхности 3 видны анодная область 9 второй тиристорной структуры, катодная область 7 первой тиристорной структуры, центральная область 8 управляющего электрода первой тиристорной структуры, краевая замыкающая область 18 и усиливающая структура 15 с пальцами управляющего электрода. Между тиристорными структурами также предусмотрена разделительная область 14. Эта разделительная область 14 выполнена подковообразной вокруг центрального управляющего электрода 8 и особенно высокоомной. В катодной области 7 также предусмотрены закорачивающие области 16 (видны только в разрезе).
Во избежание нежелательной миграции носителей зарядов из одной, уже отпертой, тиристорной структуры к другой, еще не отпертой, - это могло бы вызвать неконтролируемое отпирание еще не отпертой тиристорной структуры - плотность закорачивающих областей 16 возрастает также здесь в направлении разделительной области 14. Она достигает на границе с разделительной областью 14 максимального значения, также образуемого предпочтительно за счет прямолинейной закорачивающей области 17, проходящей вдоль разделительной области 14. Разделительная область 14 проходит диаметрально по обеим главным поверхностям 2, 3 и имеет ширину, равную примерно 10 диффузионным длинам неосновных носителей зарядов.
На фиг.1 и 2 изображена, кроме того, усиливающая структура 15 с пальцами управляющего электрода, которая, в противоположность приведенному уровню техники, не содержит части, проходящей вдоль разделительной области 14, а разделительная область 14 и пальцы 15 усиливающей структуры образуют между собой угол, который по меньшей мере больше нуля и составляет преимущественно 45o. За счет этого пальцевая структура 15 обеспечивает, с одной стороны, эффективную реакцию отпирания, а с другой стороны, препятствует нежелательному отпиранию в зоне между обеими тиристорными структурами.
На фиг.3 изображен фрагмент тиристора согласно изобретению в разрезе по линиям А-А. Хорошо видно, что на обеих главных поверхностях 2, 3 вдоль разделительной области 14 расположена закорачивающая область 17, которая по технологическим причинам может, как показано, слегка отстоять от соседней катодной области 12 или 7. Поверхностная плотность, т.е. число закорачивающих областей 16 на единицу площади, возрастает в пределах соответствующей катодной области 7 или 12 в направлении сплошной прямолинейной закорачивающей области 17. Закорачивающие области 16, 17 закорачивают первую 6 и вторую 11 р-базы через соответственно первую 7 и вторую 12 катодные области посредством закрывающей катодные области металлизации (не показана). Повышенная плотность закорачивающих областей 16 в направлении разделительной области и, в частности, также сплошная прямолинейная закорачивающая область 17 обеспечивают достаточно быстрое устранение носителей зарядов при выключении и возможность избежать неконтролируемого, приводящего к разрушению отпирания. Поэтому возможные носители заряда стекают не через катодную область, а через закорачивающие области. Благодаря этому не происходит неконтролируемое отпирание.
р-Базы 6, 11 выполнены в остальном в виде сплошных слоев, в которые диффундированы более высоколегированные области 4, 9 анодных эмиттеров. Разделительные области 14 образованы с обеих сторон проникающими на поверхность частями р-баз.
Из фиг. 1 и 2 видна, кроме того, подковообразная область 19 разделительной области 14, охватывающая центральные области 8, 13 управляющих электродов. Отверстие подковы обращено соответственно к первой или второй катодной области. Область 19 усиливает разделительное действие между обеими тиристорными структурами и препятствует тому, чтобы попавшие в цепь управляющий электрод - катод носители зарядов могли следовать за паразитной цепью тока между контактом затвора и анодной областью другой тиристорной структуры той же главной поверхности. Более высокое сопротивление может быть достигнуто посредством травления имеющегося профиля легирования или посредством селективной, маскированной в зоне области 19 имплантации подходящих легирующих примесей.
Форма центральных областей 8, 13 управляющих электродов продолговатая и направлена в катодные области 7, 12. Ближайший к соответствующей катодной области конец центральных областей 8, 13 управляющих электродов расположен точно над анодными областями 4, 9 той же тиристорной структуры. Эта точная юстировка также способствует улучшению развязывания обеих тиристорных структур и обеспечивает, в частности, воспроизводимые свойства элемента.
На фиг.4 изображен разрез по линии В-В из фиг.1. Хорошо видно, как между центральными областями 13, 8 управляющих электродов и соседними анодными областями 4, 9 на поверхность проникает р-база, образующая подковообразную разделительную область 19. Она выполнена особенно высокоомной за счет того, что в основном определяющее проводимость р-базы 6 или 11 дополнительное легирование 22, которое обычно выполнено по всей поверхности (фиг.3), в этой зоне отсутствует. Это может осуществляться посредством травления имеющегося профиля легирования или посредством селективной, маскированной в нужной зоне имплантации легированного акцепторной примесью слоя 22. На противоположном разделительной области 19 конце центральных областей 13, 8 управляющих электродов предусмотрены легированный донорной примесью вспомогательный катод 20 и легированная акцепторной примесью контактная область 21. К ним примыкает катодная область 12 с закорачивающими областями 16, плотность которых, как уже сказано, возрастает к центру элемента.
В целом, образуется двунаправленно проводящий тиристор, у которого развязывание между обеими тиристорными структурами резко улучшено и который, таким образом, может надежно работать в любой эксплуатационной ситуации.
Claims (8)
1. Тиристор (1) с двухсторонним управлением, содержащий в полупроводниковом корпусе между первой главной поверхностью (2) и второй главной поверхностью (3) первую тиристорную структуру с первой анодной областью (4), первой n-базой (5), первой р-базой (6), первой катодной областью (7) и первой центральной областью (8) управляющего электрода и встречно-параллельно им вторую тиристорную структуру со второй анодной областью (9), второй n-базой (10), второй р-базой (11), второй катодной областью (12) и второй центральной областью (13) управляющего электрода, причем первая анодная область (4), вторая катодная область (12) и вторая область (13) управляющего электрода соответствуют первой главной поверхности (2), а вторая анодная область (9), первая катодная область (7) и первая область (8) управляющего электрода соответствуют второй главной поверхности (3), по одной разделительной области (14) на обеих главных поверхностях (2,3), расположенной между обеими тиристорными структурными между первой анодной областью (4) и второй катодной областью (12) и между второй анодной областью (9) и первой катодной областью (7), а также закорачивающие области (16), которые закорачивают первую и вторую р-базы (6, 11) через соответственно первую и вторую катодные области (7, 12) посредством перекрывающей катодные области металлизации, отличающийся тем, что плотность закорачивающих областей (16) на единицу площади возрастает в направлении разделительной области (14) и принимает непосредственно рядом с ней максимальное значение.
2. Тиристор по п. 1, отличающийся тем, что закорачивающие области (16) содержат прямолинейную сплошную закорачивающую область (17), проходящую вдоль разделительных областей (14) между катодными областями (7, 12) и разделительными областями (14).
3. Тиристор по п. 1 или 2, отличающийся тем, что вокруг первой и второй центральных областей (8, 13) управляющих электродов между ними и соседними анодными областями расположена подковообразная, в частности, особенно высокоомная область (19), причем отверстие подковы обращено соответственно к первой (7) или второй (12) катодной области.
4. Тиристор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что каждая тиристорная структура содержит усиливающую, отходящую от соответствующей центральной области (8, 13) управляющего электрода структуру (15) с пальцами управляющего электрода, которая соответственно на первой (2) или второй (3) главной поверхности интегрирована в соответствующую катодную область (7, 12) таким образом, что разделительные структуры (14) и структуры (15) с пальцами управляющего электрода образуют между собой угол, который больше нуля и составляет, в частности, примерно 45o.
5. Тиристор по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что обращенные к катодным областям края центральных областей управляющих электродов ориентированы точно по анодной области соответствующей тиристорной структуры.
6. Тиристор по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что разделительные структуры (14) проходят диаметрально и имеют ширину, равную примерно 10 диффузионным длинам неосновных носителей зарядов.
7. Тиристор по любому из пп. 3-6, отличающийся тем, что подковообразная область (19) выполнена посредством травления.
8. Тиристор по любому из пп. 3-6, отличающийся тем, что подковообразная область (19) выполнена посредством маскированной имплантации части образующих р-базу легирующих примесей.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19721365A DE19721365A1 (de) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Beidseitig steuerbarer Thyristor |
| DE19721365.0 | 1997-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98104021A RU98104021A (ru) | 2000-01-10 |
| RU2194339C2 true RU2194339C2 (ru) | 2002-12-10 |
Family
ID=7830146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98104021/28A RU2194339C2 (ru) | 1997-05-22 | 1998-03-05 | Тиристор с двухсторонним управлением |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078065A (ru) |
| EP (1) | EP0880182B1 (ru) |
| JP (1) | JP4585632B2 (ru) |
| CN (1) | CN1155098C (ru) |
| CZ (1) | CZ294871B6 (ru) |
| DE (2) | DE19721365A1 (ru) |
| RU (1) | RU2194339C2 (ru) |
| UA (1) | UA57716C2 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2815471B1 (fr) * | 2000-10-12 | 2003-02-07 | St Microelectronics Sa | Composant vertical a tenue en tension elevee |
| WO2016096956A1 (en) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Abb Technology Ag | Bidirectional power semiconductor device |
| US10297684B2 (en) * | 2017-09-29 | 2019-05-21 | Nxp Usa, Inc. | Bidirectional power MOSFET structure with a cathode short structure |
| US11056582B2 (en) | 2018-02-13 | 2021-07-06 | Abb Power Grids Switzerland Ag | Bidirectional phase controlled thyristor (BiPCT)—a new semiconductor device concept |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5013634B1 (ru) * | 1970-12-29 | 1975-05-21 | ||
| US3792320A (en) * | 1972-05-22 | 1974-02-12 | J Hutson | Semiconductor switch devices having improved shorted emitter configurations |
| CH609714A5 (en) * | 1974-07-15 | 1979-03-15 | Agfa Gevaert Ag | Process for the production of a hydrophilic surface on silicone rubber mouldings |
| US4063277A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-13 | Rca Corporation | Semiconductor thyristor devices having breakover protection |
| CH598696A5 (ru) * | 1976-10-08 | 1978-05-12 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| JPS5749269A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Bidirectional thyristor |
| JPS59132167A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP0438700A1 (de) * | 1990-01-25 | 1991-07-31 | Asea Brown Boveri Ag | Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE4439012A1 (de) * | 1994-11-02 | 1996-05-09 | Abb Management Ag | Zweirichtungsthyristor |
-
1997
- 1997-05-22 DE DE19721365A patent/DE19721365A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-03-05 RU RU98104021/28A patent/RU2194339C2/ru active
- 1998-03-20 CN CNB981041965A patent/CN1155098C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 US US09/046,522 patent/US6078065A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 EP EP98810444A patent/EP0880182B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 DE DE59814199T patent/DE59814199D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-15 JP JP13250198A patent/JP4585632B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-20 CZ CZ19981556A patent/CZ294871B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 UA UA98052680A patent/UA57716C2/ru unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1200576A (zh) | 1998-12-02 |
| JPH118377A (ja) | 1999-01-12 |
| CZ294871B6 (cs) | 2005-04-13 |
| EP0880182A2 (de) | 1998-11-25 |
| DE59814199D1 (de) | 2008-05-08 |
| UA57716C2 (ru) | 2003-07-15 |
| EP0880182A3 (de) | 1999-10-27 |
| CZ155698A3 (cs) | 1998-12-16 |
| CN1155098C (zh) | 2004-06-23 |
| EP0880182B1 (de) | 2008-03-26 |
| JP4585632B2 (ja) | 2010-11-24 |
| DE19721365A1 (de) | 1998-11-26 |
| US6078065A (en) | 2000-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100687079B1 (ko) | 바이폴라 ｍｏｓｆｅｔ 디바이스 | |
| EP1033757B1 (en) | Insulated gate bipolar transistor | |
| US6051850A (en) | Insulated gate bipolar junction transistors having built-in freewheeling diodes therein | |
| US4969028A (en) | Gate enhanced rectifier | |
| US4779126A (en) | Optically triggered lateral thyristor with auxiliary region | |
| US5464992A (en) | Insulated gate bipolar transistor provided with a minority carrier extracting layer | |
| US5510634A (en) | Insulated gate bipolar transistor | |
| US20080191238A1 (en) | Bipolar Mosfet Devices and Methods For Their Use | |
| EP0099175A2 (en) | Split gate EFET | |
| JP7055056B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US6646304B1 (en) | Universal semiconductor wafer for high-voltage semiconductor components | |
| US5936267A (en) | Insulated gate thyristor | |
| US4356503A (en) | Latching transistor | |
| RU2194339C2 (ru) | Тиристор с двухсторонним управлением | |
| US4137545A (en) | Gate turn-off thyristor with anode rectifying contact to non-regenerative section | |
| WO1993013559A1 (en) | Field effect transistor controlled thyristor having improved turn-on characteristics | |
| KR100585030B1 (ko) | 고전압 반도체 소자 | |
| CA1134516A (en) | Latching transistor | |
| JP2777990B2 (ja) | 自己消弧形サイリスタ | |
| JPS62174971A (ja) | 静電誘導サイリスタ | |
| RU98104021A (ru) | Тиристор с двухсторонним управлением | |
| KR100486350B1 (ko) | 에미터스위치사이리스터및이의제조방법 | |
| CN116018689A (zh) | 半导体装置 | |
| JPH11220125A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06268207A (ja) | 絶縁ゲート型電力用半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20061212 |