JPS62174971A - 静電誘導サイリスタ - Google Patents
静電誘導サイリスタInfo
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- JPS62174971A JPS62174971A JP15012286A JP15012286A JPS62174971A JP S62174971 A JPS62174971 A JP S62174971A JP 15012286 A JP15012286 A JP 15012286A JP 15012286 A JP15012286 A JP 15012286A JP S62174971 A JPS62174971 A JP S62174971A
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Links
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大電流領域で高速度のスイッチングを行う静
電誘導サイリスタに関する。
電誘導サイリスタに関する。
ソース前面に現われる電位障墜をゲート電圧及びドレイ
ン電圧により制御して、ソースからのキャリア注入ユを
制御し、不飽和型電流電圧特性を示す静電誘導トランジ
スタ(以下SITと称す。)は、大電流が流せて変換コ
ンダクタンスが大きく、しかも耐圧を大きくすることが
容易であり、ゲートの静電容量も小さくできて、大電力
高周波動作が行える。接合型SETには、二つの動作モ
ードが存在する。ゲートをソースと同電位に保ったとき
に、導通状態にあり、主動作状態でゲートに逆方向バイ
アスを加えて動作させるモード(ノーマリオン型)と、
ゲートをソースと同電位に保ったときに、遮断状態にあ
り、ゲートに順方向バイアスを加えて導通状態にするモ
ード(ノーマリオフ型)とである。
ン電圧により制御して、ソースからのキャリア注入ユを
制御し、不飽和型電流電圧特性を示す静電誘導トランジ
スタ(以下SITと称す。)は、大電流が流せて変換コ
ンダクタンスが大きく、しかも耐圧を大きくすることが
容易であり、ゲートの静電容量も小さくできて、大電力
高周波動作が行える。接合型SETには、二つの動作モ
ードが存在する。ゲートをソースと同電位に保ったとき
に、導通状態にあり、主動作状態でゲートに逆方向バイ
アスを加えて動作させるモード(ノーマリオン型)と、
ゲートをソースと同電位に保ったときに、遮断状態にあ
り、ゲートに順方向バイアスを加えて導通状態にするモ
ード(ノーマリオフ型)とである。
ゲート−を順方向バイアスして動作させる場合lこは、
必然的にゲートからチャンネルに少数キャリアが注入さ
れる。勿論、適度のチャンネルへの少数キャリアの注入
は、ソースからの多数キャリアの注入効率を高めて、変
換コンダクタンス、電流利得を大きくして有効に働くが
、過変に少数キャリアが注入されると、チャンネル中で
の過剰少数キャリアの蓄積効果が顕著になって、動作速
度の低下をもたらすことになる。
必然的にゲートからチャンネルに少数キャリアが注入さ
れる。勿論、適度のチャンネルへの少数キャリアの注入
は、ソースからの多数キャリアの注入効率を高めて、変
換コンダクタンス、電流利得を大きくして有効に働くが
、過変に少数キャリアが注入されると、チャンネル中で
の過剰少数キャリアの蓄積効果が顕著になって、動作速
度の低下をもたらすことになる。
本願発明者が提案した分割ゲート型5IT(特許第13
02727号(特公昭60−20910号)「静電誘導
トランジスタ及び半導体集積回路」、特許第12361
63号(特公昭59−12017号)「半導体集積回路
」、特許第1247054号(特公昭59−21176
号)「静電誘導トランジスタ半導体集積回路」、特許第
1231827号(特公昭59−8068号)「半導体
集積回路」に詳述)は、上述した過剰少数キャリアの蓄
積効果を無くして、しかも変換コンダクタンスを殆んど
小さくすることなく、ゲートの静電容量を小さくしてお
り、高速度動作にきわめて適している。分割ゲート構造
は静電話導サイリスタにももちろん右動である。
02727号(特公昭60−20910号)「静電誘導
トランジスタ及び半導体集積回路」、特許第12361
63号(特公昭59−12017号)「半導体集積回路
」、特許第1247054号(特公昭59−21176
号)「静電誘導トランジスタ半導体集積回路」、特許第
1231827号(特公昭59−8068号)「半導体
集積回路」に詳述)は、上述した過剰少数キャリアの蓄
積効果を無くして、しかも変換コンダクタンスを殆んど
小さくすることなく、ゲートの静電容量を小さくしてお
り、高速度動作にきわめて適している。分割ゲート構造
は静電話導サイリスタにももちろん右動である。
本発明の目的は、分割ゲート構造を導入した大電流の高
速スイッチングを行なうことのできる静電誘導サイリス
タを提供することにある。
速スイッチングを行なうことのできる静電誘導サイリス
タを提供することにある。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明のゲートが駆動ゲートと固定電位ゲートに分割さ
れた分割ゲート構造を有する静電誘導サイリスタの実施
例を第1図(a)、tb)、tel、(d’1に示す。
れた分割ゲート構造を有する静電誘導サイリスタの実施
例を第1図(a)、tb)、tel、(d’1に示す。
第1図(alは断面図、第1図(bl、FC+はゲート
・カソードの平面図であり、第1図fdl・は第1図f
C1の断面図である。第1図(bl、(C1、(dlで
は簡単のために電極配線は示されていない。第1図[a
lにおいてn+領域工はカソード、p+領域2.3はそ
れぞれ駆動ゲート、固定電位ゲート、rr領域4はチャ
ンネルに相当する部分を含む領域、ピ領域7はアノード
である。1’、2’、7′は、それぞれAI、Mo等の
金属もしくは低抵抗ポリシリコンからなるソース、駆動
ゲート、アノードの電極である。第工図fblは、固定
電位ゲートが、カソードや駆動ゲートを完全に囲んだ構
造になっている。第1図fclでは、駆動ゲート電極2
′と固定電位ゲート間の静電容量を減らすように固定電
位ゲートの一部に切れ目のある構造になっている。第1
図(diで示されるよう1こ、カソード電極1′は固定
電位ゲート3と直接接触しており、固定電位ゲートがカ
ソードと同電位に保たれる場合を示している。もちろん
、固定電位ゲートをカソード)−闇雷侍1r仕オ 塵宙
n−宇パイアスを与えるようにすることもできる。領域
6は、5i02、Si3N4、Al2O3等の絶縁層も
しくは、これらを複数個組み合せた複合絶縁層である。
・カソードの平面図であり、第1図fdl・は第1図f
C1の断面図である。第1図(bl、(C1、(dlで
は簡単のために電極配線は示されていない。第1図[a
lにおいてn+領域工はカソード、p+領域2.3はそ
れぞれ駆動ゲート、固定電位ゲート、rr領域4はチャ
ンネルに相当する部分を含む領域、ピ領域7はアノード
である。1’、2’、7′は、それぞれAI、Mo等の
金属もしくは低抵抗ポリシリコンからなるソース、駆動
ゲート、アノードの電極である。第工図fblは、固定
電位ゲートが、カソードや駆動ゲートを完全に囲んだ構
造になっている。第1図fclでは、駆動ゲート電極2
′と固定電位ゲート間の静電容量を減らすように固定電
位ゲートの一部に切れ目のある構造になっている。第1
図(diで示されるよう1こ、カソード電極1′は固定
電位ゲート3と直接接触しており、固定電位ゲートがカ
ソードと同電位に保たれる場合を示している。もちろん
、固定電位ゲートをカソード)−闇雷侍1r仕オ 塵宙
n−宇パイアスを与えるようにすることもできる。領域
6は、5i02、Si3N4、Al2O3等の絶縁層も
しくは、これらを複数個組み合せた複合絶縁層である。
各領域の不純物密度は、それぞれ1が1018乃至10
21α−3程度、2.3は1016乃至10 ” cm
−3程度、4は10′1乃至IQ16z−3程度、7は
1017乃至IQ 20cyn−3程度である。駆動ゲ
ートと固定電位ゲートにはさまれるチャンネルの幅は、
固定電位ゲートに与える電圧によって異なるが、駆動ゲ
ートの電位がカソードと同電位のとき、チャンネルが両
方のゲートから延びる空乏層によって完全におおわれて
、ある程度の電位障壁ができて、遮断状態にあるように
選ばれる。チャンネルの不純物密度、ゲートの不純物密
度によって異なるわけて、チャンネルの不純物密度が高
いほど、チャンネル幅は通常狭くしなければならない。
21α−3程度、2.3は1016乃至10 ” cm
−3程度、4は10′1乃至IQ16z−3程度、7は
1017乃至IQ 20cyn−3程度である。駆動ゲ
ートと固定電位ゲートにはさまれるチャンネルの幅は、
固定電位ゲートに与える電圧によって異なるが、駆動ゲ
ートの電位がカソードと同電位のとき、チャンネルが両
方のゲートから延びる空乏層によって完全におおわれて
、ある程度の電位障壁ができて、遮断状態にあるように
選ばれる。チャンネルの不純物密度、ゲートの不純物密
度によって異なるわけて、チャンネルの不純物密度が高
いほど、チャンネル幅は通常狭くしなければならない。
カソード、アノード間隔はηソート°、アノード間の電
子の走行時間が、動作の周波数特性を劣化させない程度
の長さにすればよい。たとえば1nsecのスイッチン
グ速度を得るのであれば20μm(”Jfl以下1こす
ればよい。固定電位ゲートは、カソードと直結される場
合が多いが、もちろん所定の逆方向バイアスを与えても
よい。アノード電圧(この場合は正電圧)を加えても、
ゲートの拡散電位により、カソード前面に電位障壁がで
きていて、電流は流れない。
子の走行時間が、動作の周波数特性を劣化させない程度
の長さにすればよい。たとえば1nsecのスイッチン
グ速度を得るのであれば20μm(”Jfl以下1こす
ればよい。固定電位ゲートは、カソードと直結される場
合が多いが、もちろん所定の逆方向バイアスを与えても
よい。アノード電圧(この場合は正電圧)を加えても、
ゲートの拡散電位により、カソード前面に電位障壁がで
きていて、電流は流れない。
固定電位ゲート3はカソード1と直結でも、また所定の
逆方向バイアス(この場合には、負電圧)でもかまわな
い。また、駆動ゲート2の動作電圧もOと順方向バイア
ス(この場合には、正電圧)だけに限るわけではなく、
逆方向ゲートバイアスにしておいて、0バイアス1こ戻
してもよいわけである。しかし、通常は、駆動ゲートバ
イアス零で遮断、所定の順方向バイアスを加えて初めて
導通になるようにする方が使い易いことが多い。たとえ
ば駆動ゲートに所定の順方向バイアスを加えると、カソ
ードから大量に電子が注入される。アノードには正電圧
が加えられているから、注入された電子はアノードIこ
向って流れ、その結果アノード7からはホールが領域4
に大量に注入される。カソード・アノード間電圧は低下
し、1v程度から数V程度の保持電圧で大電流が流れる
。アノードから流れ込んだホールは、電位がより低い固
定電位ゲートに流れ込み、駆動ゲートにはわずかな皿だ
けが流れ込むことになり、駆動ゲートに流れる電流は少
ない。駆動ゲートに加える電圧を遮断状態に戻したとき
にも、たとえば、固定電位ゲートの電位を駆動ゲートの
電位より低くしておけば、領域4に存在するホールは固
定電位ゲートに流れ込む。固定電位ゲートがカソードと
直結の場合には遮断時の駆動ゲートと同電位になるため
、面積の比率に比例するような形でホールの流れ込む量
は決定する。
逆方向バイアス(この場合には、負電圧)でもかまわな
い。また、駆動ゲート2の動作電圧もOと順方向バイア
ス(この場合には、正電圧)だけに限るわけではなく、
逆方向ゲートバイアスにしておいて、0バイアス1こ戻
してもよいわけである。しかし、通常は、駆動ゲートバ
イアス零で遮断、所定の順方向バイアスを加えて初めて
導通になるようにする方が使い易いことが多い。たとえ
ば駆動ゲートに所定の順方向バイアスを加えると、カソ
ードから大量に電子が注入される。アノードには正電圧
が加えられているから、注入された電子はアノードIこ
向って流れ、その結果アノード7からはホールが領域4
に大量に注入される。カソード・アノード間電圧は低下
し、1v程度から数V程度の保持電圧で大電流が流れる
。アノードから流れ込んだホールは、電位がより低い固
定電位ゲートに流れ込み、駆動ゲートにはわずかな皿だ
けが流れ込むことになり、駆動ゲートに流れる電流は少
ない。駆動ゲートに加える電圧を遮断状態に戻したとき
にも、たとえば、固定電位ゲートの電位を駆動ゲートの
電位より低くしておけば、領域4に存在するホールは固
定電位ゲートに流れ込む。固定電位ゲートがカソードと
直結の場合には遮断時の駆動ゲートと同電位になるため
、面積の比率に比例するような形でホールの流れ込む量
は決定する。
駆動ゲートの静電容量をさらに小さくして、しかも変換
コンダクタンス及び電流利得を大きくした、本発明の分
割ゲート構造を有する静電誘導サイリスタの構造例を第
2図に示す。
コンダクタンス及び電流利得を大きくした、本発明の分
割ゲート構造を有する静電誘導サイリスタの構造例を第
2図に示す。
第2図falは平面図、第2図fbl ハA −A’線
に沿う断面図である。駆動ゲート2は円筒状、カソード
1は円環状、固定電位ゲート3は所要の全面にわたって
いる。第2図のように、円筒、円環状に構成されたとき
が、もっとも小さな駆動ゲートでもっとも広いチャンネ
ルを制御できることになって、駆動ゲートの静電容量が
小さく、又、電流利得が大きい。チャンネルに注入され
る少数キャリアは、ただちに固定電位ゲートから吸い出
されるから、少数キャリアの蓄積効果は殆んどなく、き
わめてスイッチング速度は速くなる。カソード電極1′
は絶縁層6を介して固定電位ゲートと対向するが、通常
カソードと固定電位ゲートは直結されるかあるいは、一
定電位に保たれるから、両者間の容量が増加することは
動作にまったく影響しない。通常スイッチング動作のと
きは、カソード接地の回路で行なわれることも、前述の
ことを一層確かにする。
に沿う断面図である。駆動ゲート2は円筒状、カソード
1は円環状、固定電位ゲート3は所要の全面にわたって
いる。第2図のように、円筒、円環状に構成されたとき
が、もっとも小さな駆動ゲートでもっとも広いチャンネ
ルを制御できることになって、駆動ゲートの静電容量が
小さく、又、電流利得が大きい。チャンネルに注入され
る少数キャリアは、ただちに固定電位ゲートから吸い出
されるから、少数キャリアの蓄積効果は殆んどなく、き
わめてスイッチング速度は速くなる。カソード電極1′
は絶縁層6を介して固定電位ゲートと対向するが、通常
カソードと固定電位ゲートは直結されるかあるいは、一
定電位に保たれるから、両者間の容量が増加することは
動作にまったく影響しない。通常スイッチング動作のと
きは、カソード接地の回路で行なわれることも、前述の
ことを一層確かにする。
動作は、第1図の例と殆んと同様である。もちろん、チ
ャンネルの構造も、第1図、第2図のようにストライプ
状、円環状に限るわけではなく、楕円形、矩形等如何な
る形状でもよい。チャンネルを囲むゲートが分割され、
一部が固定電位ゲート、他が駆動ゲートになっていて、
固定電位ゲートが、駆動ゲートからチャンネルに注入さ
れる少数キャリアの吸出し電極番こなっていればよいの
である。もちろん、導電型をまったく反転したものでも
よい。
ャンネルの構造も、第1図、第2図のようにストライプ
状、円環状に限るわけではなく、楕円形、矩形等如何な
る形状でもよい。チャンネルを囲むゲートが分割され、
一部が固定電位ゲート、他が駆動ゲートになっていて、
固定電位ゲートが、駆動ゲートからチャンネルに注入さ
れる少数キャリアの吸出し電極番こなっていればよいの
である。もちろん、導電型をまったく反転したものでも
よい。
第2図[alの構成では、電子の吸い出しに時間がかか
り、スイッチオフの時間が長くなる傾向にある。こうし
た欠点を克服する静電誘導サイリスタの構造例が第3図
である。「領域4とアノード領域7の界面にn+領域8
をストライプ状、メツシュ状等に設け、外部電極により
、n+領域8とアノード領域7を直結した構造になって
いる。ソース1から注入された電子がn+領域8に流れ
込むことを除けば動作は第1図(alの場合と殆んど同
じである。第3図の構造は、導通遮断を制御する駆動ゲ
ートは1つで、しかもホールと電子をそれぞれ吸い出す
固定電位ゲート3と8が設けられており、スイッチング
速度はきわめて速くなる。回路的にはややはん雑になる
が、(シ 固定電位ゲート3と8をそれぞれソート”1とアノード
7に対して独立電源で逆方向バイアスすれば、ホールと
電子の吸い出し効果が顕著になり同時に駆動ゲートには
、導通時運断時においても殆んど電流が流れず極めて電
流利得の高い優れた動作が実現される。3だけを逆バイ
アスするだけでも効果は顕著である。
り、スイッチオフの時間が長くなる傾向にある。こうし
た欠点を克服する静電誘導サイリスタの構造例が第3図
である。「領域4とアノード領域7の界面にn+領域8
をストライプ状、メツシュ状等に設け、外部電極により
、n+領域8とアノード領域7を直結した構造になって
いる。ソース1から注入された電子がn+領域8に流れ
込むことを除けば動作は第1図(alの場合と殆んど同
じである。第3図の構造は、導通遮断を制御する駆動ゲ
ートは1つで、しかもホールと電子をそれぞれ吸い出す
固定電位ゲート3と8が設けられており、スイッチング
速度はきわめて速くなる。回路的にはややはん雑になる
が、(シ 固定電位ゲート3と8をそれぞれソート”1とアノード
7に対して独立電源で逆方向バイアスすれば、ホールと
電子の吸い出し効果が顕著になり同時に駆動ゲートには
、導通時運断時においても殆んど電流が流れず極めて電
流利得の高い優れた動作が実現される。3だけを逆バイ
アスするだけでも効果は顕著である。
第3図で領域1と領域2.3は分離されて示されている
が、もちろん直接接触していてもよい。第3図1と8と
が対向する例が示されているが、こうする必要は必ずし
もない。第3図で固定電位ゲート8の間隔は、2と3の
間隔に殆んど等しく示しであるが、こうする必要は必ず
しもない。アン−ドアからホールがいつでも供給される
ような状態になっていればよい。第3図で、導電型をま
ったく反転した構造でもよいことはもちろんである。
が、もちろん直接接触していてもよい。第3図1と8と
が対向する例が示されているが、こうする必要は必ずし
もない。第3図で固定電位ゲート8の間隔は、2と3の
間隔に殆んど等しく示しであるが、こうする必要は必ず
しもない。アン−ドアからホールがいつでも供給される
ような状態になっていればよい。第3図で、導電型をま
ったく反転した構造でもよいことはもちろんである。
第1図、第2図、第3図で駆動ゲートと固定電位ゲート
の表面からの深さは、殆んど皆同じ場合の構造を示した
が、異なっていてもよいことはもちろんである。固定電
位ゲートをより深くすれば、本発明の静電誘導サイリス
タでは、駆動ゲートに流れる電流が減少して、電流利得
がさらに大きくなる。
の表面からの深さは、殆んど皆同じ場合の構造を示した
が、異なっていてもよいことはもちろんである。固定電
位ゲートをより深くすれば、本発明の静電誘導サイリス
タでは、駆動ゲートに流れる電流が減少して、電流利得
がさらに大きくなる。
第1図、第2図、第3図ではカソード・ゲートがいずれ
も同一平面上にある表面配線型構造のものについて断面
構造を示したが、さらに駆動ゲートの静電容aを減少さ
せ、電流利得を大きくするために、矩形状、V字型等の
切り込みを設けその側面に駆動ゲートを設けることもで
きる。
も同一平面上にある表面配線型構造のものについて断面
構造を示したが、さらに駆動ゲートの静電容aを減少さ
せ、電流利得を大きくするために、矩形状、V字型等の
切り込みを設けその側面に駆動ゲートを設けることもで
きる。
本発明の構造は、従来公知の結晶成長技術、微細加工技
術、選択拡散技術、選択エツチング技術(ドライ・ケミ
カル)、イオン打込み技術等により製造できる。
術、選択拡散技術、選択エツチング技術(ドライ・ケミ
カル)、イオン打込み技術等により製造できる。
チャンネルにキャリアを供給するカソードを、駆動ゲー
トと固定′1ハ位ゲートの間に介在させたユニットを複
数個並列に配置した本発明の静電誘導サイリスタは、駆
動ゲートの静電容量が小さく、チャンネル中のキャリア
の蓄積効果が殆(F)) s7H φ N
トと固定′1ハ位ゲートの間に介在させたユニットを複
数個並列に配置した本発明の静電誘導サイリスタは、駆
動ゲートの静電容量が小さく、チャンネル中のキャリア
の蓄積効果が殆(F)) s7H φ N
Claims (3)
- (1)高不純物密度領域よりなるカソード領域と前記カ
ソード領域とは反対導電型の高不純物密度領域よりなる
アノード領域及び前記カソード領域と同導電型の高抵抗
領域よりなるチャンネルを備え、前記チャンネルに前記
チャンネルとは反対導電型の高不純物密度領域よりなる
ゲートを具備し、カソード領域の片方のゲート領域を駆
動ゲート領域とし、カソード領域に対して反対側のゲー
ト領域を固定電位ゲート領域とし、前記駆動ゲート領域
はゲート電極を接続し、前記固定電位ゲート電極は、外
部電極を設けないことを特徴として、前記ソース領域と
ゲート領域よりなる構造を複数個並列に配置し、前記ソ
ース領域及び前記駆動ゲート領域のそれぞれの電極を相
互に接続しソース電極、ゲート電極としたことを特徴と
する静電誘導サイリスタ。 - (2)前記アノード領域に直接もしくは間接的に接触す
べく前記カソード領域と同導電型の高不純物密度領域を
所定の間隔毎に配置したことを特徴とする前記特許請求
の範囲第1項記載の静電誘導サイリスタ。 - (3)前記固定電位ゲート領域を前記カソード領域と電
極により直結したことを特徴とする前記特許請求の範囲
第1項又は第2項記載の静電誘導サイリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15012286A JPS62174971A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 静電誘導サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15012286A JPS62174971A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 静電誘導サイリスタ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP74078A Division JPS5493982A (en) | 1978-01-06 | 1978-01-06 | Electrostatic induction semiconductor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62174971A true JPS62174971A (ja) | 1987-07-31 |
JPH0213937B2 JPH0213937B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=15489961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15012286A Granted JPS62174971A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 静電誘導サイリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62174971A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519245A (en) * | 1989-08-31 | 1996-05-21 | Nippondenso Co., Ltd. | Insulated gate bipolar transistor with reverse conducting current |
JP2008132981A (ja) * | 1997-05-02 | 2008-06-12 | Hydro Aire Inc | アダプティブブレーキの適用と初期スキッド検出のための装置及び方法 |
US7837279B2 (en) | 1997-05-02 | 2010-11-23 | Hydro-Aire, Inc. | System and method for adaptive brake application and initial skid detection |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03295107A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-26 | Tokyo Electric Co Ltd | 空調形照明器具 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP15012286A patent/JPS62174971A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519245A (en) * | 1989-08-31 | 1996-05-21 | Nippondenso Co., Ltd. | Insulated gate bipolar transistor with reverse conducting current |
JP2008132981A (ja) * | 1997-05-02 | 2008-06-12 | Hydro Aire Inc | アダプティブブレーキの適用と初期スキッド検出のための装置及び方法 |
US7837279B2 (en) | 1997-05-02 | 2010-11-23 | Hydro-Aire, Inc. | System and method for adaptive brake application and initial skid detection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0213937B2 (ja) | 1990-04-05 |
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