RU98104021A - Тиристор с двухсторонним управлением - Google Patents
Тиристор с двухсторонним управлениемInfo
- Publication number
- RU98104021A RU98104021A RU98104021/28A RU98104021A RU98104021A RU 98104021 A RU98104021 A RU 98104021A RU 98104021/28 A RU98104021/28 A RU 98104021/28A RU 98104021 A RU98104021 A RU 98104021A RU 98104021 A RU98104021 A RU 98104021A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- region
- regions
- cathode
- thyristor
- anode
- Prior art date
Links
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000003014 reinforcing Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
Claims (8)
1. Тиристор (1) с двухсторонним управлением, содержащий в полупроводниковом корпусе между первой главной поверхностью (2) и второй главной поверхностью (3) первую тиристорную структуру с первой анодной областью (4), первой n-базой (5), первой р-базой (6), первой катодной областью (7) и первой центральной областью (8) управляющего электрода и встречно-параллельно им вторую тиристорную структуру со второй анодной областью (9), второй n-базой (10), второй р-базой (11), второй катодной областью (12) и второй центральной областью (13) управляющего электрода, причем первая анодная область (4), вторая катодная область (12) и вторая область (13) управляющего электрода соответствуют первой главной поверхности (2), а вторая анодная область (9), первая катодная область (7) и первая область (8) управляющего электрода соответствуют второй главной поверхности (3), по одной разделительной области (14) на обеих главных поверхностях (2, 3), расположенной между обеими тиристорными структурами между первой анодной областью (4) и второй катодной областью (12) и между второй анодной областью (9) и первой катодной областью (7), а также закорачивающие области (16), которые закорачивают первую и вторую р-базы (6, 11) через соответственно первую и вторую катодные области (7, 12) посредством перекрывающей катодные области металлизации, отличающийся тем, что плотность закорачивающих областей (16) на единицу площади возрастает в направлении разделительной области (14) и принимает непосредственно рядом с ней максимальное значение.
2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что закорачивающие области (16) содержат прямолинейную сплошную закорачивающую область (17), проходящую вдоль разделительных областей (14) между катодными областями (7, 12) и разделительными областями (14).
3. Тиристор по п. 1 или 2, отличающийся тем, что вокруг первой и второй центральных областей (8, 13) управляющих электродов между ними и соседними анодными областями расположена подковообразная, в частности, особенно высокоомная область (19), причем отверстие подковы обращено соответственно к первой (7) или второй (12) катодной области.
4. Тиристор по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что каждая тиристорная структура содержит усиливающую, отходящую от соответствующей центральной области (8, 13) управляющего электрода структуру (15) с пальцами управляющего электрода, которая соответственно на первой (2) или второй (3) главной поверхности интегрирована в соответствующую катодную область (7, 12) таким образом, что разделительные структуры (14) и структуры (15) с пальцами управляющего электрода образуют между собой угол, который больше нуля и составляет, в частности, примерно 45o.
5. Тиристор по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что обращенные к катодным областям края центральных областей управляющих электродов ориентированы точно по анодной области соответствующей тиристорной структуры.
6. Тиристор по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что разделительные структуры (14) проходят диаметрально и имеют ширину, равную примерно 10 диффузионным длинам неосновных носителей зарядов.
7. Тиристор по любому из пп. 3-6, отличающийся тем, что подковообразная область (19) выполнена посредством травления.
8. Тиристор по любому из пп. 3-6, отличающийся тем, что подковообразная область (19) выполнена посредством маскированной имплантации части образующих р-базу легирующих примесей.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19721365A DE19721365A1 (de) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Beidseitig steuerbarer Thyristor |
| DE19721365.0 | 1997-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98104021A true RU98104021A (ru) | 2000-01-10 |
| RU2194339C2 RU2194339C2 (ru) | 2002-12-10 |
Family
ID=7830146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98104021/28A RU2194339C2 (ru) | 1997-05-22 | 1998-03-05 | Тиристор с двухсторонним управлением |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078065A (ru) |
| EP (1) | EP0880182B1 (ru) |
| JP (1) | JP4585632B2 (ru) |
| CN (1) | CN1155098C (ru) |
| CZ (1) | CZ294871B6 (ru) |
| DE (2) | DE19721365A1 (ru) |
| RU (1) | RU2194339C2 (ru) |
| UA (1) | UA57716C2 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2815471B1 (fr) | 2000-10-12 | 2003-02-07 | St Microelectronics Sa | Composant vertical a tenue en tension elevee |
| CN107258018B (zh) | 2014-12-17 | 2020-08-14 | Abb瑞士股份有限公司 | 双向功率半导体器件 |
| US10297684B2 (en) * | 2017-09-29 | 2019-05-21 | Nxp Usa, Inc. | Bidirectional power MOSFET structure with a cathode short structure |
| US11056582B2 (en) | 2018-02-13 | 2021-07-06 | Abb Power Grids Switzerland Ag | Bidirectional phase controlled thyristor (BiPCT)—a new semiconductor device concept |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5013634B1 (ru) * | 1970-12-29 | 1975-05-21 | ||
| US3792320A (en) * | 1972-05-22 | 1974-02-12 | J Hutson | Semiconductor switch devices having improved shorted emitter configurations |
| CH609714A5 (en) * | 1974-07-15 | 1979-03-15 | Agfa Gevaert Ag | Process for the production of a hydrophilic surface on silicone rubber mouldings |
| US4063277A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-13 | Rca Corporation | Semiconductor thyristor devices having breakover protection |
| CH598696A5 (ru) * | 1976-10-08 | 1978-05-12 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| JPS5749269A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Bidirectional thyristor |
| JPS59132167A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP0438700A1 (de) * | 1990-01-25 | 1991-07-31 | Asea Brown Boveri Ag | Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE4439012A1 (de) * | 1994-11-02 | 1996-05-09 | Abb Management Ag | Zweirichtungsthyristor |
-
1997
- 1997-05-22 DE DE19721365A patent/DE19721365A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-03-05 RU RU98104021/28A patent/RU2194339C2/ru active
- 1998-03-20 CN CNB981041965A patent/CN1155098C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 US US09/046,522 patent/US6078065A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 DE DE59814199T patent/DE59814199D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 EP EP98810444A patent/EP0880182B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-15 JP JP13250198A patent/JP4585632B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-20 CZ CZ19981556A patent/CZ294871B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 UA UA98052680A patent/UA57716C2/ru unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4779126A (en) | Optically triggered lateral thyristor with auxiliary region | |
| JP3382172B2 (ja) | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
| US5753942A (en) | Power semiconductor devices having arcuate-shaped source regions for inhibiting parasitic thyristor latch-up | |
| US4641175A (en) | Bidirectional power switch with optimized emitter spacing near control electrode | |
| EP0008535B1 (en) | A gate controlled semiconductor device | |
| RU98104021A (ru) | Тиристор с двухсторонним управлением | |
| US5142347A (en) | Power semiconductor component with emitter shorts | |
| JPH0223665A (ja) | ターンオフ可能なサイリスタ | |
| US7071503B2 (en) | Semiconductor structure with a switch element and an edge element | |
| EP0645053B1 (en) | Field effect transistor controlled thyristor having improved turn-on characteristics | |
| US3906545A (en) | Thyristor structure | |
| JPS5951571A (ja) | タ−ンオフ可能なサイリスタ | |
| RU2194339C2 (ru) | Тиристор с двухсторонним управлением | |
| JPH02237162A (ja) | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
| CA1036714A (en) | Thyristor | |
| US5010384A (en) | Gate turn-off thyristor with resistance layers | |
| EP0787356A1 (en) | Mos-controlled high-power thyristor | |
| US4901130A (en) | Protection thyristor with auxiliary gate | |
| JPH0138384B2 (ru) | ||
| EP0130669A1 (en) | Gate turn off thyristor with mesh cathode structure | |
| US4007475A (en) | Semiconductor switching device | |
| JPS5762561A (en) | Static induction type semiconductor switching element | |
| RU2106720C1 (ru) | Симметричный тиристор | |
| JPH0611052B2 (ja) | トランジスタ | |
| JPH0758777B2 (ja) | ゲートターンオフサイリスタ |