RU2164720C2 - Integrated-circuit chip coating - Google Patents

Integrated-circuit chip coating Download PDF

Info

Publication number
RU2164720C2
RU2164720C2 RU97119080/28A RU97119080A RU2164720C2 RU 2164720 C2 RU2164720 C2 RU 2164720C2 RU 97119080/28 A RU97119080/28 A RU 97119080/28A RU 97119080 A RU97119080 A RU 97119080A RU 2164720 C2 RU2164720 C2 RU 2164720C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
coating
chip
crystal
integrated circuit
circuit according
Prior art date
Application number
RU97119080/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU97119080A (en
Inventor
Удо Детлеф
Киршбауер Йозеф
Нидерле Кристл
Штампка Петер
Штекхан Ханс-Хиннерк
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU97119080A publication Critical patent/RU97119080A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2164720C2 publication Critical patent/RU2164720C2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/57—Protection from inspection, reverse engineering or tampering
    • H01L23/573—Protection from inspection, reverse engineering or tampering using passive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/073—Special arrangements for circuits, e.g. for protecting identification code in memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/073—Special arrangements for circuits, e.g. for protecting identification code in memory
    • G06K19/07309—Means for preventing undesired reading or writing from or onto record carriers
    • G06K19/07372—Means for preventing undesired reading or writing from or onto record carriers by detecting tampering with the circuit
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)

Abstract

FIELD: integrated circuits of electric, electronic, optoelectronic, and/or electromechanical components. SUBSTANCE: integrated-circuit chip coating incorporates sensitizer whose sensitization causes emission of substance which is capable of partially or completely destroying electric, electronic, optoelectronic, and/or electromechanical components of chip and which is sensitized in trying to remove chip coating. EFFECT: reliable prevention of unwanted analyses and/or handling of integrated-circuit chip. 16 cl, 1 dwg

Description

Настоящее изобретение относится к покрытию кристалла интегральной схемы (ИС) для полного или частичного покрытия электрических, электронных, оптоэлектронных и/или электромеханических компонентов кристалла ИС. The present invention relates to a chip coating of an integrated circuit (IC) for the complete or partial coating of electrical, electronic, optoelectronic and / or electromechanical components of an IC chip.

Подобные покрытия кристалла ИС защищают покрытые области кристалла ИС от повреждений за счет механической силы и влияний окружающей среды. Such IC crystal coatings protect coated IC crystal regions from damage due to mechanical force and environmental influences.

В случае кристаллов ИС, предусмотренных на карточках с ИС (Chip Card), карточках с микропроцессором (Smart Card) и тому подобном, покрытия кристаллов ИС до сих пор являются удаляемыми, например, химическими способами (например, за счет применения дымящей HNO3) так, что относительно простым образом является возможным точный анализ схемы кристалла и/или манипуляции схемы кристалла.In the case of IC crystals provided on IC cards (Chip Card), cards with a microprocessor (Smart Card) and the like, IC crystal coatings are still removable, for example, by chemical means (for example, by using fuming HNO 3 ) so that in a relatively simple way, it is possible to accurately analyze the crystal circuit and / or manipulate the crystal circuit.

Возможность произведения подобных анализов и/или манипуляций схемы кристалла является нежелательной, поскольку тем самым существует возможность злоупотребления. The ability to perform such analyzes and / or manipulations of the crystal circuit is undesirable, since there is thus the possibility of abuse.

В качестве примера следует назвать применяемые в секторе платного телевидения карточки с ИС (Chip card) или соответственно карточки с микропроцессором (Smart Card). Если обманщику удастся проанализировать схему, открывающую доступ к определенной телевизионной программе, относительно положения и функции отдельных компонентов и/или прохождения проводящих дорожек внутри кристалла ИС и найти возможности манипулировать ими за счет подходящих перемычек или тому подобного, то он может получить за счет этого возможность бесплатно пользоваться услугами, требующими оплаты. As an example, one should use cards with IC (Chip card) or cards with microprocessor (Smart Card) used in the pay-TV sector. If a trickster manages to analyze a circuit that allows access to a specific television program, regarding the position and function of individual components and / or the passage of conductive paths inside an IC chip, and find ways to manipulate them using suitable jumpers or the like, then he can get the opportunity for free use services that require payment.

Подобные возможности манипулирования имеют значение не только в секторе платного телевидения, но и также во всех видах, служащих для контроля права использования кристаллов ИС, и открывают бесчисленные возможности злоупотреблений, которые могут иметь следствием не только финансовые потери, но и существенный риск надежности. Such manipulation opportunities are important not only in the pay-TV sector, but also in all types that serve to control the right to use IP crystals, and open up innumerable opportunities for abuse, which can result not only in financial losses, but also a significant risk of reliability.

В основе изобретения поэтому лежит задача такого дальнейшего развития покрытия кристалла ИС согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения, чтобы посторонние анализы и/или манипулирования ИС могли надежно исключаться. The basis of the invention is therefore the task of such a further development of the coating of the crystal of the IP according to the restrictive part of paragraph 1 of the claims, so that extraneous analyzes and / or manipulation of the IP can be reliably excluded.

Эта задача решается согласно изобретению за счет признаков, заявленных в отличительной части пункта 1 формулы изобретения. This problem is solved according to the invention due to the features claimed in the characterizing part of paragraph 1 of the claims.

Согласно этому предусмотрен активатор, который в активированном состоянии может полностью или частично разрушать электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла ИС и который является активируемым при попытке, удалить покрытие кристалла ИС с кристалла ИС. According to this, an activator is provided, which in the activated state can completely or partially destroy the electrical, electronic, optoelectronic and / or electromechanical components of the IC crystal and which is activated when you try to remove the coating of the IC crystal from the IC crystal.

Таким образом является возможным, одновременно с удалением покрытия кристалла ИС производить разрушение существенных для надежности областей кристалла ИС. Thus, it is possible, at the same time as removing the coating of the IC crystal, to destroy the areas of the IC crystal essential for reliability.

Посторонние анализы и манипуляции с кристаллом ИС таким образом могут быть надежно предотвращены. Extraneous analyzes and manipulations with the IC crystal can thus be reliably prevented.

Предпочтительные формы дальнейшего развития изобретения являются предметом зависимых пунктов формулы изобретения. Preferred forms of further development of the invention are the subject of the dependent claims.

Изобретение поясняется ниже более подробно на примерах выполнения со ссылкой на чертеж. The invention is explained below in more detail by way of example with reference to the drawing.

Чертеж показывает два размещенных друг над другом кристалла ИС, существенные для надежности области которых снабжены покрытием кристалла ИС согласно примеру выполнения изобретения. The drawing shows two IC crystals placed on top of each other, the essential areas for reliability of which are provided with an IC crystal coating according to an exemplary embodiment of the invention.

На чертеже представлено сечение без штриховки. Ссылочной позицией 1 обозначен первый кристалл бескорпусной ИС в виде контроллера. В качестве контроллера, например, может быть применен блок фирмы Сименс SLE 44C20 с постоянной памятью (ROM), программируемой постоянной памятью (PROM), электронно стираемой программируемой постоянной памятью (EEPROM) и памятью с произвольной выборкой (RAM). The drawing shows a section without hatching. Reference numeral 1 denotes the first chip of the chipless IC in the form of a controller. As a controller, for example, a Siemens SLE 44C20 unit with read-only memory (ROM), programmable read-only memory (PROM), electronically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and random-access memory (RAM) can be used.

Первый кристалл ИС 1 закреплен на системном держателе 3 с помощью клеящего вещества 2. The first IC chip 1 is mounted on the system holder 3 using adhesive 2.

Системный держатель 3 может быть, например, пластмассовой карточкой для изготовления карточки с микросхемой или карточки с микропроцессором; однако речь может идти также и о гибкой печатной плате или о так называемой выводной рамке. The system holder 3 may be, for example, a plastic card for manufacturing a card with a microcircuit or a card with a microprocessor; however, we can also talk about a flexible printed circuit board or the so-called output frame.

На верхней согласно чертежу поверхности первого кристалла ИС 1 проходят проводящие дорожки 4 из алюминия. On the upper surface according to the drawing, the surface of the first chip of the IC 1 are conductive tracks 4 of aluminum.

Проводящие дорожки 4 покрыты первым слоем покрытия кристалла ИС в форме слоя 5 структуры нитрида кремния (Si3N4). Этот слой 5 служит для того, чтобы защищать кристалл ИС от повреждений за счет влияний окружающей среды, в частности от повреждений за счет влажности и сырости.The conductive tracks 4 are coated with a first IC crystal coating layer in the form of layer 5 of a silicon nitride structure (Si 3 N 4 ). This layer 5 serves to protect the IC chip from damage due to environmental influences, in particular from damage due to humidity and dampness.

Над слоем 5 (Si3N4) предусмотрен второй слой покрытия кристалла ИС в виде полиимидного слоя 6. Полиимидный слой 6 защищает лежащие под ним структуры кристалла ИС от механических повреждений.Above layer 5 (Si 3 N 4 ), a second coating layer of the IC crystal is provided in the form of a polyimide layer 6. The polyimide layer 6 protects the underlying structure of the IC crystal from mechanical damage.

В названных слоях 5 и 6 покрытия кристалла ИС предусмотрены выемки, в которых освобождены площадки контактирования 7 из алюминия (Al-Pads). Recesses are provided in the said layers of the IC crystal coating 5, in which the contact areas 7 of aluminum (Al-Pads) are freed.

Над первым кристаллом ИС 1 предусмотрен второй бескорпусный кристалл ИС 8 в виде специализированной ИС (заказной ИС). Above the first IC chip 1, a second open-chip IC 8 crystal is provided in the form of a specialized IC (custom IC).

Второй кристалл ИС 8 наклеен с помощью клеящего вещества 9 на уже ранее упомянутый полиимидный слой 6. The second crystal IC 8 is glued with an adhesive 9 to the previously mentioned polyimide layer 6.

Второй кристалл ИС 8 имеет на своей верхней согласно чертежу стороне также площадки контактирования 7 из алюминия. The second chip IC 8 has on its upper side according to the drawing also the contact area 7 of aluminum.

Площадки контактирования первого кристалла ИС и площадки контактирования второго кристалла ИС соединены друг с другом проволочными выводами 10. The contact areas of the first IC chip and the contact areas of the second IC chip are connected to each other by wire leads 10.

Все вышеописанное устройство окружено третьим слоем покрытия кристалла ИС в форме так называемой крышки-колокола (Globe Tор) 11, которая служит для того, чтобы защитить устройство от влияний окружающей среды и механических повреждений. Крышка-колокол 11 состоит в данном случае из эпоксидной смолы. The entire device described above is surrounded by a third IC crystal coating layer in the form of the so-called bell-cap (Globe Tor) 11, which serves to protect the device from environmental influences and mechanical damage. The bell lid 11 consists in this case of epoxy resin.

Описанное выше, показанное на чертеже, устройство представляет собой часть карточки с ИС, карточки с микропроцессором или тому подобного. The device described above, shown in the drawing, is a part of an IC card, a microprocessor card, or the like.

Первый, второй и третий слои покрытия кристалла ИС 5, 6 и 11 и клеящие вещества 2, 9 состоят, как правило, из материалов, которые являются химически удаляемыми. Для этого является пригодной, например, дымящая HNO3, так как она разрушает покрытие кристалла ИС, однако не разрушает выполненные из алюминия проводящие дорожки 4 и площадки контактирования 7.The first, second and third layers of the coating of the crystal IP 5, 6 and 11 and adhesives 2, 9 consist, as a rule, of materials that are chemically removable. For this purpose, fuming HNO 3 is suitable, for example, since it destroys the coating of the IC crystal, but does not destroy the conductive tracks 4 made of aluminum and the contact area 7.

Чтобы предотвратить таким образом открытие возможности постороннего анализа и/или манипуляции существенных для надежности областей кристалла ИС, в покрытии кристалла ИС над этими областями предусмотрены активаторы. In order to prevent thus opening up the possibility of extraneous analysis and / or manipulation of areas of the IC chip that are important for reliability, activators are provided in the coating of the IC chip over these areas.

Существенной для надежности областью, которая должна быть защищена от постороннего анализа и/или манипуляции, в случае карточек с микросхемой, карточек с микропроцессором и тому подобного при расположенных друг над другом кристаллах ИС, как правило, является расположенный снизу кристалл ИС контроллера 1. An important area for reliability, which should be protected from extraneous analysis and / or manipulation, in the case of cards with a microcircuit, cards with a microprocessor and the like with IC crystals located one above the other, as a rule, is the IC chip 1 located below from the bottom.

Эта область должна быть существенной для надежности областью также в настоящем примере выполнения. This area should be an area essential for reliability also in the present exemplary embodiment.

Активатор в настоящем примере выполнения является веществом, которое активируется при встрече с химически растворяющим покрытие кристалла ИС веществом в форме растворителя, травящего вещества или тому подобного, то есть, например, при встрече с дымящей HNO3. При активировании выделяется вещество с восстановительным действием, которое разрушает состоящие из алюминия структуры кристалла ИС, как, например, проводящие дорожки 4, и тем самым делает невозможным посторонний анализ и/или манипуляцию существенных для надежности областей кристалла ИС.The activator in the present exemplary embodiment is a substance that is activated when it encounters a chemically dissolving coating of an IC crystal with a substance in the form of a solvent, etching agent or the like, that is, for example, when it encounters fuming HNO 3 . When activated, a substance with a reducing effect is released, which destroys aluminum crystal structures of the IC crystal, such as conductive paths 4, and thereby makes it impossible to analyze and / or manipulate areas of the IC crystal that are important for reliability.

В неактивированном состоянии активатор не воздействует на кристалл ИС. In an inactive state, the activator does not affect the IC chip.

Разрушение структур кристалла ИС после активирования активатора в настоящем примере выполнения происходит за счет растворения последнего путем химического восстановления. The destruction of the crystal structure of the IC after activating the activator in this embodiment is due to the dissolution of the latter by chemical reduction.

Активатор в настоящем примере выполнения образован RCl2. При встрече с HNO3 согласно уравнению реакции
HNO3 + RCl2 ---> 2Cl- + .....The activator in the present exemplary embodiment is formed of RCl 2 . When meeting with HNO 3 according to the reaction equation
HNO 3 + RCl 2 ---> 2Cl - + .....

образуются свободные радикалы, которые вследствие своего восстановительного характера разрушают расположенные под покрытием кристалла ИС структуры из алюминия. free radicals are formed, which, due to their reducing nature, destroy aluminum structures located under the coating of the crystal.

Применение активаторов, которые при встрече с HNO3 выделяют окисляющие вещества, не приводит здесь к желаемому успеху, так как окисляющие вещества вызывают воздействие на алюминиевые структуры только так долго, пока они не покроются окисным слоем, который тогда придает алюминиевой структуре функцию самозащиты и именно поэтому не приводит к разрушению алюминиевых структур.The use of activators, which, when meeting with HNO 3, release oxidizing substances, does not lead to the desired success, since oxidizing substances cause an effect on aluminum structures only for so long until they are coated with an oxide layer, which then gives the aluminum structure a self-defense function and that is why does not destroy aluminum structures.

Обозначенные на чертеже ссылочной позицией 12 активаторы могут предусматриваться над существенной для надежности областью в подобных окнам свободных пространствах или выемках, которые для этой цели освобождены в слое 5 (Si3N4) и/или в полиимидном слое 6; в готовом состоянии карточки с микросхемой, карточки с микропроцессором и тому подобное активатор окружен в этих свободных пространствах или соответственно выемках покрытием кристалла ИС.The activators indicated in the drawing by reference numeral 12 may be provided over a region that is essential for reliability in such windows as free spaces or recesses, which are freed for this purpose in layer 5 (Si 3 N 4 ) and / or in the polyimide layer 6; in the finished state, cards with a microcircuit, cards with a microprocessor, and the like, the activator is surrounded in these free spaces or, respectively, by recesses with an IP crystal coating.

Альтернативно к этому активатор может использоваться также в полиимидной матрице. Alternatively, the activator can also be used in the polyimide matrix.

Не требуется, чтобы активатор в неактивированном состоянии уже вступал в контакт с подлежащими, при необходимости, разрушению алюминиевыми структурами. It is not required that the activator in an inactive state already comes into contact with aluminum structures to be destroyed if necessary.

Положение и место активатора могут приспосабливаться к изменяющимся требованиям или соответственно к соответствующим кристаллам ИС. The position and position of the activator can adapt to changing requirements or, accordingly, to the corresponding IC crystals.

Вид активатора предпочтительно согласуется с подходящими для растворения покрытия ИС химическими веществами так, что при встрече любых растворителей с активатором надежно наступает желаемое активирование активатора. The type of activator is preferably consistent with chemicals suitable for dissolving the IP coating so that when any solvents meet the activator, the desired activator activation is reliably ensured.

Действие активирования, однако, выбирается произвольно, если за счет этого может предотвращаться только анализ и/или манипулирование с кристаллом ИС. Вместо вышепоясненного разрушения алюминиевой структуры за счет ее химического восстановления может быть также предусмотрено, например, разрушение кристалла ИС за счет создания энергии нагрева или тому подобного. The activation action, however, is chosen arbitrarily if only analysis and / or manipulation of the IC chip can be prevented due to this. Instead of the above-explained destruction of the aluminum structure due to its chemical reduction, it can also be provided, for example, the destruction of the IC crystal due to the creation of heating energy or the like.

Можно также предусматривать множество различных активаторов, которые реагируют соответственно с различными растворителями соответствующим назначению образом так, что даже самые различные виды растворителей активируют по меньшей мере один активатор. You can also provide many different activators that react respectively with different solvents in an appropriate way so that even the most different types of solvents activate at least one activator.

В покрытии кристалла ИС наряду с активатором, отдельно от него таким же образом, как и он, может быть предусмотрено также другое вещество, которое в состоянии активировать активатор согласно назначению. Таким образом вещество активатора может выбираться независимо от возможных растворителей, так как при удалении покрытия ИС освобождается как активатор, так и это активирующее его согласно назначению вещество. In addition to the activator, apart from the activator, in the same way as it is, in the coating of the IP crystal, another substance can also be provided that is able to activate the activator according to its intended purpose. Thus, the activator substance can be selected regardless of possible solvents, since when removing the coating of the IP, both the activator and this substance activating it according to the purpose are released.

Описанная последней возможность дает преимущество, что разрушение существенных для надежности структур кристалла ИС может происходить также при попытке сделать их доступными также не химическим путем. The possibility described by the latter gives the advantage that the destruction of IS crystal structures essential for reliability can also occur when trying to make them accessible also by non-chemical means.

То, что в покрытии кристалла ИС предусмотрен вышеописанный активатор, позволяет производить автоматическое разрушение существенных для надежности областей кристалла ИС при попытке сделать их доступными за счет удаления покрытия кристалла ИС. The fact that the activator described above is provided for in the coating of the IC crystal allows automatic destruction of areas of the IC crystal that are important for reliability when trying to make them accessible by removing the coating of the IC crystal.

С учетом того факта, что подлежащие разрушению структуры при этом имеют крайне малые размеры, количество активатора, которое должно предусматриваться при соответствующем позиционировании, также является крайне малым. Given the fact that the structures to be destroyed are extremely small in this case, the amount of activator, which should be provided with appropriate positioning, is also extremely small.

Дальнейшая мера по повышению надежности против постороннего анализа и/или манипулирования с кристаллом ИС состоит в том, что менее существенный для надежности кристалл ИС, то есть в настоящем примере выполнения специализированный кристалл ИС 2, располагают точно над существенной для надежности областью другого кристалла ИС, то есть в настоящем примере выполнения точно над самой существенной для надежности областью кристалла ИС контроллера 1. Вследствие отсутствия оптической доступности за счет этого также предотвращается возможность анализировать и/или манипулировать с кристаллом ИС без удаления покрытия. A further measure to increase reliability against extraneous analysis and / or manipulation of the IC crystal is that the IC chip less essential for reliability, that is, in the present example, a specialized IC 2 crystal, is placed exactly over the region of another IC chip that is important for reliability, then in the present example of execution, exactly over the most important for the reliability region of the chip IC of controller 1. Due to the lack of optical accessibility, this also prevents the possibility of analyze and / or manipulate the IC chip without removing the coating.

Вышеописанный пример выполнения касался так называемой chip- on-chip-on-flex-конструкции (чип на чипе на гибкой основе) с chip- and wire-(чип и провод) технологией соединений. Само собой разумеется, что изобретение не ограничивается подобной конструкцией, а может также использоваться в случае одиночных кристаллов ИС, а также при любом количестве произвольно расположенных и произвольно соединенных друг с другом кристаллов ИС. The above described example concerned the so-called chip-on-chip-on-flex-construction (chip on a chip on a flexible basis) with chip- and wire- (chip and wire) connection technology. It goes without saying that the invention is not limited to such a construction, but can also be used in the case of single IC crystals, as well as for any number of IC crystals arbitrarily located and arbitrarily connected to each other.

Кроме того, не существует также никакого ограничения на примененные согласно вышеприведенному описанию материалы. Они могут быть заменены на любые другие материалы, коль скоро они выполняют задуманную для них задачу. In addition, there is also no restriction on the materials used as described above. They can be replaced with any other materials, as long as they fulfill the task conceived for them.

Путем описанного, соответствующего изобретению выполнения покрытия кристалла ИС является простым образом возможным в значительной степени независимо от выполнения устройства надежно исключить посторонние анализы и манипулирования с кристаллом ИС. By the described implementation of the IC crystal coating according to the invention, it is in a simple way possible, to a large extent, regardless of the device design, it is possible to reliably exclude extraneous analyzes and manipulations with the IC crystal.

Claims (16)

1. Покрытие кристалла интегральной схемы (ИС) для полного или частичного покрытия электрических, электронных, оптоэлектронных и/или электромеханических компонентов кристалла ИС, отличающееся тем, что предусмотрен активатор, при активировании которого выделяется вещество, которое в состоянии полностью или частично разрушить электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла ИС, и который является активируемым за счет попытки удалить покрытие кристалла ИС с кристалла. 1. Coating a crystal of an integrated circuit (IC) for the full or partial coating of electrical, electronic, optoelectronic and / or electromechanical components of an IC chip, characterized in that an activator is provided, upon activation of which a substance is released that is able to completely or partially destroy electrical, electronic , optoelectronic and / or electromechanical components of the IC chip, and which is activated by attempting to remove the coating of the IC chip from the crystal. 2. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.1, отличающееся тем, что имеется покрытие на бескорпусном кристалле ИС, предусмотренном на карточке с микросхемой или карточке с микропроцессором. 2. The chip coating of the integrated circuit according to claim 1, characterized in that there is a coating on the chipless IC chip provided on a card with a microcircuit or a card with a microprocessor. 3. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.1 или 2, отличающееся тем, что кристалл ИС является блоком контроллера или специализированным блоком. 3. The crystal coating of the integrated circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the IC chip is a controller unit or a specialized unit. 4. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор предусмотрен в выемке, предусмотренной в покрытии кристалла ИС. 4. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the activator is provided in a recess provided in the coating of the crystal IC. 5. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор введен в матрицу материала покрытия. 5. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the activator is introduced into the coating material matrix. 6. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что при активировании активатора выделяется вещество с восстановительным действием. 6. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that when the activator is activated, a substance with a reducing effect is released. 7. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.6, отличающееся тем, что электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла ИС разрушаются веществом с восстановительным действием. 7. The crystal coating of the integrated circuit according to claim 6, characterized in that the electrical, electronic, optoelectronic and / or electromechanical components of the IC crystal are destroyed by a substance with a reducing effect. 8. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла ИС представляют собой алюминиевые структуры. 8. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the electrical, electronic, optoelectronic and / or electromechanical components of the IC crystal are aluminum structures. 9. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор представляет собой RCl2.9. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the activator is RCl 2 . 10. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.9, отличающееся тем, что при активировавши RCl2 образуется свободный радикал.10. The crystal coating of the integrated circuit according to claim 9, characterized in that a free radical is formed upon activation of RCl 2 . 11. Покрытие кристалла интегральной схемы по п.10, отличающееся тем, что свободный радикал является веществом с восстановительным действием. 11. The crystal coating of the integrated circuit according to claim 10, characterized in that the free radical is a substance with a reducing effect. 12. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активирование активатора происходит посредством растворителя, растворяющего покрытие кристалла ИС. 12. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the activation of the activator occurs by means of a solvent that dissolves the coating of the crystal IC. 13. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из пп.1 - 11, отличающееся тем, что активирование активатора происходит посредством накопленного внутри покрытия ИС активирующего средства. 13. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of claims 1 to 11, characterized in that the activator is activated by means of an activating agent accumulated inside the IC coating. 14. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что над существенной для надежности областью кристалла ИС расположен второй кристалл ИС. 14. The chip coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that a second IC chip is located above the region of the IC chip that is essential for reliability. 15. Покрытие кристалла интегральной схемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что активатор в покрытии кристалла ИС предусмотрен над защищаемой от постороннего анализа и/или манипуляции областью кристалла ИС. 15. The crystal coating of the integrated circuit according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the activator in the coating of the IC chip is provided above the area of the chip of the IC chip protected from extraneous analysis and / or manipulation. 16. Покрытие кристалла микросхемы по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что покрытие кристалла ИС выполнено из нескольких слоев. 16. The chip coating of the chip according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the chip of the IC chip is made of several layers.
RU97119080/28A 1995-04-25 1996-04-09 Integrated-circuit chip coating RU2164720C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19515188.7 1995-04-25
DE19515188A DE19515188C2 (en) 1995-04-25 1995-04-25 Chip cover

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97119080A RU97119080A (en) 1999-10-10
RU2164720C2 true RU2164720C2 (en) 2001-03-27

Family

ID=7760323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97119080/28A RU2164720C2 (en) 1995-04-25 1996-04-09 Integrated-circuit chip coating

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP0823129A1 (en)
JP (1) JPH11504164A (en)
KR (1) KR100407042B1 (en)
CN (1) CN1135616C (en)
DE (1) DE19515188C2 (en)
IN (1) IN188645B (en)
RU (1) RU2164720C2 (en)
UA (1) UA57704C2 (en)
WO (1) WO1996034409A1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19841498C2 (en) 1998-09-10 2002-02-21 Beru Ag Method for producing an electronic component, in particular a Hall sensor
DE19957120A1 (en) * 1999-11-26 2001-05-31 Infineon Technologies Ag Vertical structure integrated circuit arrangement
DE10105987A1 (en) 2001-02-09 2002-08-29 Infineon Technologies Ag Data processing device
DE10131014C1 (en) * 2001-06-27 2002-09-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor element used in a chip card in the pay-per-view television sector comprises a chip, and a device for deactivating the chip consisting of a hollow chamber containing an activator
FR2872610B1 (en) * 2004-07-02 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique DEVICE FOR SECURING COMPONENTS
JP5194932B2 (en) * 2008-03-26 2013-05-08 富士通セミコンダクター株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3725671A (en) * 1970-11-02 1973-04-03 Us Navy Pyrotechnic eradication of microcircuits
DE3602960C1 (en) * 1986-01-31 1987-02-19 Philips Patentverwaltung Thick film circuit arrangement with a ceramic substrate plate
MY107292A (en) * 1989-10-03 1995-10-31 Univ Sydney Technology Electro-active cradle circuits for the detection of access or penetration.
JPH0521655A (en) * 1990-11-28 1993-01-29 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and package therefor
US5072331A (en) * 1991-04-26 1991-12-10 Hughes Aircraft Company Secure circuit structure
US5233563A (en) * 1992-01-13 1993-08-03 Ncr Corporation Memory security device
US5389738A (en) * 1992-05-04 1995-02-14 Motorola, Inc. Tamperproof arrangement for an integrated circuit device
US5399441A (en) * 1994-04-12 1995-03-21 Dow Corning Corporation Method of applying opaque coatings

Also Published As

Publication number Publication date
KR100407042B1 (en) 2004-02-18
IN188645B (en) 2002-10-26
UA57704C2 (en) 2003-07-15
KR19990008167A (en) 1999-01-25
WO1996034409A1 (en) 1996-10-31
DE19515188A1 (en) 1996-11-07
DE19515188C2 (en) 1998-02-19
CN1135616C (en) 2004-01-21
JPH11504164A (en) 1999-04-06
EP0823129A1 (en) 1998-02-11
CN1182499A (en) 1998-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6759736B2 (en) Semiconductor device comprising a security coating and smartcard provided with such a device
US7864540B2 (en) Peripheral card with sloped edges
US7307848B2 (en) Memory card with raised portion
JP3649690B2 (en) Intrusion-sensitive encapsulation enclosure with flexible protective mesh structure
US4755661A (en) Connection of electronic components in a card
US7923830B2 (en) Package-on-package secure module having anti-tamper mesh in the substrate of the upper package
JP5933266B2 (en) Device for protecting an electronic integrated circuit housing against physical or chemical intrusion
RU2164720C2 (en) Integrated-circuit chip coating
NL7905082A (en) FLAT BOX FOR DEVICES WITH INTEGRATED CHAINS.
RU2200975C2 (en) Electronic module for chip card
US6259022B1 (en) Chip card micromodule as a surface-mount device
US4635165A (en) Printed-circuit construction with EPROM IC chip mounted thereon
US5883429A (en) Chip cover
KR100307895B1 (en) Secure semiconductor device
JPH10505959A (en) Carrier module
JP2003521757A (en) A device having an integrated circuit protected against attacks made by the controlled destruction of additional thin films.
JP2000181804A (en) Self-destruction type semi-conductor device
RU97119080A (en) COVERING THE CRYSTAL OF AN INTEGRAL SCHEME
JP4386570B2 (en) Safety integrated circuit device and manufacturing method thereof
US20070194421A1 (en) Chip module having a protection device
JP3206839B2 (en) IC card module structure
WO1996016445A1 (en) Integrated circuit structure with security feature
JPS62114086A (en) Re-use of card with electronic element and re-usable card
JPH01115691A (en) Memory card
JPS63304649A (en) Manufacture of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080410