UA57704C2 - Chip-carrier package - Google Patents

Chip-carrier package Download PDF

Info

Publication number
UA57704C2
UA57704C2 UA97105206A UA97105206A UA57704C2 UA 57704 C2 UA57704 C2 UA 57704C2 UA 97105206 A UA97105206 A UA 97105206A UA 97105206 A UA97105206 A UA 97105206A UA 57704 C2 UA57704 C2 UA 57704C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
crystal
shell according
activator
fact
differs
Prior art date
Application number
UA97105206A
Other languages
Russian (ru)
Ukrainian (uk)
Inventor
Детлеф Удо
Йозеф Кіршбауер
Йозеф Киршбауэр
Хрістл Нідерле
Петер Штампка
Ханс-Хіннерк Штекхан
Original Assignee
Сіменс Акцієнгезельшафт
Сименс Акциенгезельшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сіменс Акцієнгезельшафт, Сименс Акциенгезельшафт filed Critical Сіменс Акцієнгезельшафт
Publication of UA57704C2 publication Critical patent/UA57704C2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/57—Protection from inspection, reverse engineering or tampering
    • H01L23/573—Protection from inspection, reverse engineering or tampering using passive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/073—Special arrangements for circuits, e.g. for protecting identification code in memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/073—Special arrangements for circuits, e.g. for protecting identification code in memory
    • G06K19/07309—Means for preventing undesired reading or writing from or onto record carriers
    • G06K19/07372—Means for preventing undesired reading or writing from or onto record carriers by detecting tampering with the circuit
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)

Abstract

The proposed chip-carrier package can be used for partial or complete protection of electric, electronic, or optoelectronic chip elements. The package is filled with active substance that evolves heat when reacting with substance that can pass through the package due to dissolution of the package material or is contained in the package and will interact with the active substance in attempt to access the chip crystal. The evolving heat causes the partial or complete destruction of the chip elements, providing the protection of the chip against unauthorized access in order to analyze its structure or read the data stored.

Description

Опис винаходуDescription of the invention

Даний винахід стосується покриття кристалу інтегральної схеми (ІС) для повного або часткового покриття 2 електричних, електронних, оптоелектронних і/або електромеханічних компонентів кристалу ІС.The present invention relates to the coating of an integrated circuit (IC) crystal for full or partial coating of 2 electrical, electronic, optoelectronic and/or electromechanical components of the IC crystal.

Подібні покриття кристалу ІС захищають покриті ділянки кристалу ІС від ушкоджень внаслідок механічної зусиль і впливів навколишнього середовища.Such coatings of the IC crystal protect the covered areas of the IC crystal from damage due to mechanical forces and environmental influences.

У випадку кристалів ІС, передбачених на картках з ІС (Спір Сага), картках із мікропроцесором (Зтагї Сага) і подібному, покриття кристалів ІС і дотепер є покриттями, що можуть бути видаленими, наприклад, хімічними 70 способами (наприклад, за рахунок застосування НМО з, що димить) так, що відносно простим способом можна здійснити точний аналіз схеми кристалу і/або маніпуляції зі схемою кристалу.In the case of IC crystals provided on IC cards (Spir Saga), microprocessor cards (Ztagy Saga) and the like, the coatings on the IC crystals are still coatings that can be removed, for example, by chemical 70 methods (for example, by using NMO with that which smokes) so that in a relatively simple way it is possible to carry out an accurate analysis of the crystal circuit and/or manipulation of the crystal circuit.

Можливість здійснення подібних аналізів і/або маніпуляцій зі схемою кристалу є небажаною, оскільки тим самим існує можливість зловживання.The possibility of carrying out such analyzes and/or manipulations with the crystal scheme is undesirable, since there is thus the possibility of abuse.

Як приклад варто назвати застосовувані в секторі платного телебачення картки з ІС (Спір Сага) або 72 відповідно картки з мікропроцесором (Зтагії Сага). Якщо зловмиснику вдасться проаналізувати схему, що відкриває доступ до певної телевізійної програми, відносно положення і функції окремих компонентів і/або проходження провідних доріжок усередині кристалу ІС і знайти можливості маніпулювати ними за рахунок придатних перемичок або тому подібного, то він може одержати за рахунок цього можливість безплатного користування послугами, що потребують оплати.As an example, it is worth mentioning cards with IC (Spir Saga) or 72, respectively, cards with a microprocessor (Ztagii Saga) used in the pay TV sector. If an attacker manages to analyze the circuit that opens access to a certain television program, in relation to the position and function of individual components and/or the passage of conductive tracks inside the IC crystal and finds opportunities to manipulate them due to suitable jumpers or the like, then he can obtain from this the opportunity free use of services that require payment.

Подібні можливості маніпулювання мають значення не тільки в секторі платного телебачення, але також і в усіх видах кристалів ІС, що служать для контролю права користування, і відкривають незчисленні можливості зловживань, що можуть мати наслідком не тільки фінансові втрати, але й суттєвий ризик надійності.Such manipulation possibilities are important not only in the pay-TV sector, but also in all kinds of IS crystals that serve to control the right of use, and open countless opportunities for abuse, which can result not only in financial losses, but also in a significant risk of reliability.

Для захисту як структури чіпа, так і даних, що, можливо, записаних в ньому, використовують різні способи, зокрема, й засновані на механізмі "саморуйнування" конструктивних елементів чіпа. с 29 Так, згідно з ЕР-А-510433 істотні складові частини чіпа щонайменше частково виконані таким чином, що вони Ге) руйнуються вже при незначному підвищенні температури і при контакті з кислотами.Various methods are used to protect both the structure of the chip and the data that may be recorded in it, in particular, those based on the mechanism of "self-destruction" of the structural elements of the chip. c 29 Thus, according to EP-A-510433, the essential constituent parts of the chip are at least partially designed in such a way that they are destroyed already at a slight increase in temperature and upon contact with acids.

Згідно Ш05-А-5233563 в чіпі, що підлягає захисту, передбачені електролітичні фотозлементи, які при контакті з кислотами, що застосовуються для видалення покриття чіпа, створюють електричну напругу, під дією якої накопичені в чіпі дані можуть бути стерті і/або чіп може бути зруйнований або пошкоджений. ЗAccording to Sh05-A-5233563, in the chip to be protected, electrolytic photocells are provided, which, when in contact with acids used to remove the coating of the chip, create an electric voltage, under the influence of which the data stored in the chip can be erased and/or the chip can be destroyed or damaged. WITH

Найближчим за технічною суттю до заявленого рішення є покриття чіпа, описане в патенті США ав 08-А-5399441 (МПК: НОТІ. 23/28, дата публікації 21.03.1995), яке містить як наповнювач метали, які при контакті з окисляючими субстанціями нагріваються настільки, що це може пошкодити або зруйнувати - розташовані під ними ділянки чіпа. ч-The closest in technical essence to the claimed solution is the chip coating described in the US patent av 08-A-5399441 (MPK: NOTI. 23/28, publication date 03/21/1995), which contains as a filler metals that heat up when in contact with oxidizing substances so much so that it can damage or destroy - areas of the chip located below them. h-

В основі винаходу лежить задача подальшого вдосконалення покриття кристалу ІС для повного або дасткового покриття електричних, електронних, оптоелектронних і/або електромеханічних компонентів кристалу йThe invention is based on the task of further improving the coating of the IC crystal for full or board coating of the electrical, electronic, optoelectronic and/or electromechanical components of the crystal and

ІС, з метою надійного запобігання аналізу структури чіпа і/або маніпулювання записаними в них даними сторонніми зловмисниками.IS, in order to reliably prevent analysis of the chip structure and/or manipulation of the data recorded in them by third-party attackers.

Ця задача вирішена згідно з винаходом за рахунок того, що передбачено активатор, який в активованому « дю стані може повністю або частково руйнувати електричні, електронні, оптоелектронні і/або електромеханічні -о компоненти кристалу ІС і який активується при спробі видалити покриття з кристалу ІС. с Таким чином є можливим, одночасно з видаленням покриття кристалу ІС, проводити руйнування важливих :з» для надійності ділянок кристалу ІС.This problem is solved according to the invention due to the fact that an activator is provided, which in the activated state can completely or partially destroy the electrical, electronic, optoelectronic and/or electromechanical components of the IC crystal and which is activated when an attempt is made to remove the coating from the IC crystal. c In this way, it is possible, simultaneously with the removal of the coating of the IC crystal, to carry out the destruction of important areas for the reliability of the IC crystal.

Аналіз сторонніми особами і маніпуляції над кристалом ІС таким чином можуть бути надійно відвернені.Analysis by third parties and manipulation of the IC crystal can thus be reliably prevented.

Переважні форми подальшого вдосконалення винаходу є предметом залежних пунктів формули винаходу. сл 395 Винахід пояснюється нижче більш докладно на прикладах виконання із посиланням на фігуру.Preferred forms of further improvement of the invention are the subject of dependent claims. p. 395 The invention is explained below in more detail with reference to the figure.

Фігура показує два розміщених один над одним кристали ІС, важливі для надійності ділянки яких оснащені - І покриттям кристалу ІС згідно з прикладом виконання винаходу. На фігурі поданий розріз, проте задля -1 наглядності від штрихування відмовилися.The figure shows two IC crystals placed one above the other, the sections of which are important for reliability are equipped with - I coating of the IC crystal according to an example of the implementation of the invention. The figure shows a cross-section, but for the sake of clarity, hatching was omitted.

На Фігурі 1 посилальною позицією 1 позначений перший кристал безкорпусної ІС у вигляді контролера. В (ав) 50 якості контролера, наприклад, може бути застосований блок фірмм Сшенс 5І Е 44С20 із постійною пам'яттюIn Figure 1, reference position 1 indicates the first crystal of a caseless IC in the form of a controller. In (av) 50 as a controller, for example, a Sshens 5I E 44C20 block with non-volatile memory can be used

І» (КОМ), програмованою постійною пам'яттю (РКОМ), постійною програмованою пам'яттю з електронним стиранням (ЕЕРКОМ) і пам'яттю із довільною вибіркою (КАМ).And" (KOM), programmable permanent memory (RPM), permanent programmable memory with electronic erasure (EERKOM) and random access memory (RAM).

Перший кристал ІС 1 закріплений на системному тримачі З за допомогою клейкої речовини 2.The first IC crystal 1 is fixed on the system holder C with the help of adhesive substance 2.

Системний тримач З може бути, наприклад, пластмасовою карткою для виготовлення картки з мікросхемою 99 або картки з мікропроцесором; проте мова може йти також і про гнучку друковану плату або про так звануSystem holder C can be, for example, a plastic card for making a card with a microcircuit 99 or a card with a microprocessor; however, we can also be talking about a flexible printed circuit board or the so-called

ГФ) вивідну рамку. 7 На верхній, згідно з фігури, поверхні першого кристалу ІС 1 проходять провідні доріжки 4 з алюмінію.GF) output frame. 7 On the upper, according to the figure, surface of the first IC crystal 1, conductive tracks 4 made of aluminum pass.

Провідні доріжки 4 покриті першим шаром покриття кристалу ІС у формі шару 5 структури нітриду кремнію (ЗізМ4). Цей шар 5 служить для того, щоб захищати кристал ІС від ушкоджень внаслідок впливів навколишнього 60 середовища, зокрема, від ушкоджень внаслідок вологості і вологи.The conductive tracks 4 are covered with the first layer of the IC crystal coating in the form of layer 5 of the silicon nitride structure (ZizM4). This layer 5 serves to protect the IC crystal from damage due to the effects of the surrounding environment, in particular, from damage due to humidity and moisture.

Над ЗізМ.-шаром 5 передбачений другий шар покриття кристалу ІС у вигляді поліїмідного шару 6.A second coating layer of the IC crystal in the form of a polyimide layer 6 is provided above the ZizM layer 5.

Поліїмідний шар 6 захищає структури кристалу ІС, що знаходяться під ним, від механічних ушкоджень.The polyimide layer 6 protects the structures of the IC crystal below it from mechanical damage.

У названих шарах 5 і 6 покриття кристалу ІС передбачені виїмки, у яких звільнені площадки контактування 7 з алюмінію (АІ-Раав). бо Над першим кристалом ІС 1 передбачений другий безкорпусний кристал ІС 8 у вигляді спеціалізованої ІСIn the named layers 5 and 6 of the coating of the IC crystal, recesses are provided, in which the contact pads 7 made of aluminum (AI-Raav) are freed. because above the first IC 1 crystal, a second caseless IC 8 crystal is provided in the form of a specialized IC

(замовленої ІС).(of the ordered IS).

Другий кристал ІС 8 наклеєний за допомогою клейкої речовини 9 на вже раніше згаданий поліїмідний прошарок 6.The second IC crystal 8 is glued with the help of an adhesive substance 9 to the previously mentioned polyimide interlayer 6.

Другий кристал ІС 8 має на своїй верхній, згідно з фігурою, стороні також площадки контактування 7 з алюмінію.The second IC crystal 8 also has contact pads 7 made of aluminum on its upper side, according to the figure.

Площадки контактування першого кристалу ІС і площадки контактування другого кристалу ІС з'єднані одна з одною дротяними виводами 10.The contact pads of the first IC crystal and the contact pads of the second IC crystal are connected to each other by wire leads 10.

Весь вище описаний пристрій оточений третім шаром покриття кристалу ІС у формі так званої кришки-дзвону 7/0 (Зіоре Тор) 11, що служить для того, щоб захистити пристрій від впливів навколишнього середовища і механічних ушкоджень. Кришка-дзвін 11 складається у даному випадку з епоксидної смоли.The entire device described above is surrounded by a third layer of IC crystal coating in the form of a so-called bell-cap 7/0 (Ziore Tor) 11, which serves to protect the device from environmental influences and mechanical damage. The cover-bell 11 consists in this case of epoxy resin.

Описаний вище, показаний на фігурі пристрій представляє собою частину картки з ІС, картки з мікропроцесором або тому подібне.The device described above, shown in the figure, is a part of an IC card, a microprocessor card, or the like.

Перший, другий і третій шари покриття кристалу ІС 5, б та 11 і клейкі речовини 2, 9 складаються, як /5 правило, з матеріалів, які хімічно видаляються. Для цього можна використати, наприклад, НМО з, що димить, тому що вона руйнує покриття кристалу ІС, проте не руйнує виготовлені з алюмінію провідні доріжки 4 і площадки контактування 7.The first, second and third layers of the IC crystal coating 5, b and 11 and adhesives 2, 9 consist, as a rule, of materials that can be chemically removed. For this, you can use, for example, NMO with smoking, because it destroys the coating of the IC crystal, but does not destroy the conductive tracks 4 and contact pads 7 made of aluminum.

Щоб запобігти таким чином відкриттю можливості стороннього аналізу і/або маніпуляції з важливими для надійності ділянками кристалу ІС, у покритті кристалу ІС над цими ділянками передбачені активатори.In order to thus prevent the opening of the possibility of third-party analysis and/or manipulation of areas important for reliability of the IC crystal, activators are provided in the coating of the IC crystal over these areas.

Важливою для надійності ділянкою, що повинна бути захищена від стороннього аналізу і/або маніпуляції, У випадку карток з мікросхемою, карток з мікропроцесором і тому подібним при розташованих один над одним кристалах ІС, як правило, є розташований знизу кристал ІС контролера 1.An important area for reliability that must be protected from third-party analysis and/or manipulation. In the case of cards with a microcircuit, cards with a microprocessor, and the like, when the IC crystals are located one above the other, as a rule, the IC crystal of the controller 1 is located below.

Ця ділянка повинна бути важливою для надійності ділянкою також у даному прикладі виконання.This section must be an important section for reliability also in this example of execution.

Активатор у даному прикладі виконання є речовиною, що активується при контактуванні з речовиною, що с ов Хімічно розчиняє покриття кристалу ІС, у формі розчинника, або т.п., тобто, наприклад, при контактуванні зThe activator in this embodiment is a substance that is activated upon contact with a substance that chemically dissolves the IC crystal coating, in the form of a solvent, or the like, i.e., for example, upon contact with

НМО», що димить. При активуванні виділяється речовина з відновлюючою дією, що руйнує структури кристалу і)NMO" that smokes. Upon activation, a substance with a reducing effect is released, which destroys the crystal structures and)

ІС, які складаються з алюмінію, як, наприклад, провідні доріжки 4 і тим самим робить неможливим сторонній аналіз і/або маніпуляцію.ICs that are made of aluminum, such as the conductive tracks 4 and thus make it impossible for third-party analysis and/or manipulation.

У неактивованому стані активатор не впливає на кристал ІС. «г зо Руйнування структур кристалу ІС після активування активатора в даному прикладі виконання відбувається за рахунок розчинення останнього шляхом хімічного відновлення. оIn the non-activated state, the activator does not affect the IC crystal. The destruction of the structures of the IC crystal after the activation of the activator in this embodiment occurs due to the dissolution of the latter by chemical reduction. at

Активатор у даному прикладі виконання утворений КСІ2. При зустрічі з НМО» згідно з рівнянням реакції МThe activator in this implementation example is formed by KSI2. When meeting with NMO" according to the reaction equation of M

НМО»з Ж КСІ2 -» 2СІ- жк... утворюються вільні радикали, які внаслідок свого відновлювального характеру руйнують розташовані під -НМО»z Ж КСИ2 -» 2СИ- жк... free radicals are formed, which, due to their reductive nature, destroy located under -

З5 покриттям кристалу 1С структури з алюмінію. юWith 5 coating of the 1C crystal, the structure is made of aluminum. yu

Застосування активаторів, які при контактуванні з НМО»з виділяють окиснюючі речовини, не призводить тут до бажаного успіху, тому що окиснюючі речовини спричиняють вплив на алюмінієві структури лише доти, доки вони не покриються окисним шаром, що тоді надає алюмінієвій структурі функцію самозахисту і саме тому не призводить до руйнування алюмінієвих структур. «The use of activators, which release oxidizing substances upon contact with NMOs, does not lead to the desired success here, because oxidizing substances cause an effect on aluminum structures only until they are covered with an oxide layer, which then gives the aluminum structure a self-protection function and that is why does not lead to destruction of aluminum structures. "

Позначені на фігурі посилальною позицією 12 активатори можуть передбачатися над важливою для шщ с надійності ділянкою в подібних вікнам вільних зонах або виїмках, які з цією метою звільнені в 5ізМм4-прошарку й 5 і/або в поліамідному прошарку 6; у готовому стані картки з мікросхемою, картки з мікропроцесором і т. п. «» активатор оточений у цих вільних зонах або відповідно виїмках покриттям кристалу ІС.Marked in the figure with the reference position 12, the activators can be provided over the important for the reliability of the area in window-like free zones or recesses, which for this purpose are released in the 5izMm4-layer and 5 and/or in the polyamide layer 6; in the ready state of cards with a microcircuit, cards with a microprocessor, etc. "" the activator is surrounded in these free zones or recesses, respectively, by the coating of the IC crystal.

Альтернативно до цього активатор може використовуватися також у поліамідній матриці.Alternatively, the activator can also be used in a polyamide matrix.

Не вимагається, щоб активатор у неактивованому стані вже вступав у контакт із алюмінієвими структурами, сл які, при необхідності, зазнають руйнування.It is not required that the activator in the non-activated state already comes into contact with the aluminum structures, which, if necessary, undergo destruction.

Положення і місце активатора можуть пристосовуватися до вимог, які змінюються, або, відповідно, до - відповідних кристалів ІС. -І Вид активатора переважно узгоджується з придатними для розчинення покриття 1С хімічними речовинами 5р так, що при контактуванні будь-яких розчинників з активатором надійно наступає бажане активування о активатора.The position and location of the activator can be adapted to the changing requirements or, accordingly, to the corresponding IC crystals. -I The type of activator is preferably compatible with chemical substances 5p suitable for dissolving the 1C coating so that when any solvents come into contact with the activator, the desired activation of the activator reliably occurs.

Та» Дія активування, проте, може бути вибрана довільно, якщо за рахунок цього можна запобігати тільки аналізу і/або маніпулюванню з кристалом ІС. Замість вище поясненого руйнування алюмінієвої структури за рахунок її хімічного відновлення, може бути також передбачена, наприклад, руйнація кристалу ІС за рахунок створення енергії нагріву або тому подібного.The activation action, however, can be chosen arbitrarily if it can only prevent analysis and/or manipulation of the IC crystal. Instead of the above-explained destruction of the aluminum structure due to its chemical reduction, it can also be provided, for example, the destruction of the IC crystal due to the generation of heating energy or the like.

Можна також передбачати кілька різних активаторів, які реагують відповідно з різними розчинниками у (Ф, спосіб, що відповідає призначенню, так, що навіть найрізноманітніші види розчинників активують, щонайменше, ко один активатор.It is also possible to envisage several different activators, which react accordingly with different solvents in (F, a way that corresponds to the purpose), so that even the most diverse types of solvents activate at least one activator.

У покритті кристалу ІС поряд з активатором, окремо від нього таким же чином, як і він, може бути бо передбачена також інша речовина, яка може активувати активатор згідно з призначення. Таким чином речовина активатора може вибиратися незалежно від можливих розчинників, так як при видаленні покриття ІС звільняється як активатор, так і ця речовина, яка активує його згідно з призначення.In the coating of the IC crystal, next to the activator, separately from it in the same way as it, another substance can also be provided that can activate the activator according to its purpose. In this way, the activator substance can be chosen regardless of possible solvents, since when removing the IC coating, both the activator and this substance, which activates it according to its purpose, are released.

Описана останньою можливість дає перевагу у тому, що руйнування важливих для надійності структур кристалу ІС може відбуватися також при спробі зробити їх доступними також не хімічним шляхом. 65 Те, що в покритті кристалу ІС передбачений вищеописаний активатор, дозволяє проводити автоматичне руйнування важливих для надійності ділянок кристалу ІС при спробі зробити їх доступними шляхом видалення покриття кристалу ІС.The last possibility described gives an advantage in that the destruction of the structures important for the reliability of the IC crystal can also occur when an attempt is made to make them accessible also by non-chemical means. 65 The fact that the above-described activator is provided in the coating of the IC crystal allows for the automatic destruction of areas important for the reliability of the IC crystal when trying to make them accessible by removing the coating of the IC crystal.

Із врахуванням того факту, що структури, які підлягають руйнуванню, при цьому мають вкрай малі розміри, кількість активатора, яка повинна передбачатися при відповідному позиціонуванні, також є вкрай малою.Taking into account the fact that the structures to be destroyed are extremely small, the amount of activator that should be provided in the appropriate positioning is also extremely small.

Подальший захід для підвищення надійності проти стороннього аналізу і/або маніпулювання з кристалами ІС полягає у тому, що менш важливий для надійності кристал ІС, тобто в даному прикладі виконання спеціалізований кристал ІС 2, розташовують точно над важливою для надійності ділянкою іншого кристалу ІС, тобто в даному прикладі виконання точно над найважливішою для надійності ділянкою кристалу ІС контролера 1.A further measure to increase the reliability against third-party analysis and/or manipulation of IC crystals is that a less reliability-critical IC crystal, i.e., in this embodiment, specialized IC crystal 2, is placed exactly above a reliability-important area of another IC crystal, i.e. in in this example, the execution is exactly over the most important for reliability section of the IC crystal of the controller 1.

Внаслідок відсутності оптичної доступності за рахунок цього також виключається можливість аналізу і/або 70 маніпуляцій з кристалом ІС без видалення покриття.Due to the lack of optical accessibility, the possibility of analysis and/or 70 manipulation of the IC crystal without removing the coating is also excluded.

Вище описаний приклад виконання стосувався так званої конструкції спір-оп-спір-оп-Пех (чіп на чіпі на гнучкій основі) із технологією з'єднань сПір-апа-міге (чіп і дріт). Зрозуміло, що винахід не обмежується подібною конструкцією, а може також використовуватися у випадку одиничних кристалів ІС, а також при будь-якій кількості довільно розташованих і довільно з'єднаних один з одним кристалів ІС.The above-described implementation example related to the so-called spir-op-spir-op-Pech design (chip on a chip on a flexible base) with sPir-apa-mige (chip and wire) connection technology. It is clear that the invention is not limited to such a design, but can also be used in the case of single IC crystals, as well as any number of arbitrarily located and arbitrarily connected to each other IC crystals.

Крім того, не існує також ніякого обмеження на застосовані згідно з вищенаведеним описом матеріали. Вони можуть бути замінені на будь-які інші матеріали, аби тільки вони виконували задуману для них задачу.In addition, there is also no limitation on the materials used according to the above description. They can be replaced by any other materials, as long as they perform the task intended for them.

Шляхом описаного виконання покриття кристалу ІС, яке відповідає винаходові, можливо у простий спосіб, значною мірою незалежно від виконання пристрою, надійно унеможливити сторонні аналіз і маніпулювання Ккристалом ІС.Through the described implementation of the coating of the IC crystal, which corresponds to the invention, it is possible in a simple way, to a large extent regardless of the implementation of the device, to reliably prevent third-party analysis and manipulation of the IC crystal.

Claims (1)

Формула винаходуThe formula of the invention 1. Оболонка кристала інтегральної схеми (ІС) для повного або часткового захисту електричних, електронних, оптоелектронних і/або електромеханічних компонентів кристала ІС, яка відрізняється тим, що вона містить (о) активатор, при активуванні якого звільнюється речовина, яка здатна повністю або частково зруйнувати електричні, електронні, оптоелектронні і/або електромеханічні компоненти кристала ІС, і який активується при спробі видалити з кристала його покриття. « зо 2. Оболонка за п.1, яка відрізняється тим, що вона перекриває передбачений на картці з мікросхемою або з мікропроцесором безкорпусний кристал ІС. о1. The shell of an integrated circuit (IC) crystal for full or partial protection of the electrical, electronic, optoelectronic and/or electromechanical components of the IC crystal, which is characterized by the fact that it contains (o) an activator, when activated, a substance is released that is capable of fully or partially destroy the electrical, electronic, optoelectronic and/or electromechanical components of the IC crystal, and which is activated when an attempt is made to remove its coating from the crystal. 2. The shell according to claim 1, which is distinguished by the fact that it overlaps the IC chip provided on the card with a microcircuit or with a microprocessor. at З.Оболонка за п. 1 або 2, яка відрізняється тим, що вона розміщена на кристалі ІС, що є блоком контролера чн або спеціалізованим блоком.Z. The shell according to claim 1 or 2, which differs in that it is placed on an IC chip, which is a block of the controller chn or a specialized block. 4.Оболонка за будь яким з пп. 1-3, яка відрізняється тим, що містить виїмку, в якій розміщений активатор. в.4. The shell according to any one of claims 1-3, which differs in that it contains a recess in which the activator is placed. in. 5.Оболонка за будь яким з пп. 1-4, яка відрізняється тим, що активатор введений у матрицю матеріалу ю покриття.5. The shell according to any of claims 1-4, which differs in that the activator is introduced into the matrix of the coating material. 6б.Оболонка за будь яким з пп. 1-5, яка відрізняється тим, що активатор при активуванні має властивість виділення речовини з відновлюючою дією.6b. Shell according to any of claims 1-5, which differs in that the activator upon activation has the property of releasing a substance with a regenerating effect. 7. Оболонка за п. 6, яка відрізняється тим, що речовина з відновлюючою дією має властивість руйнування « 70 електричних, електронних, оптоелектронних і/або електромеханічних компонентів кристала ІС. з с 8. Оболонка за будь яким з пп. 1-7, яка відрізняється тим, що вона розміщена на кристалі ІС, електричні, електронні, оптоелектронні і/або електромеханічні компоненти якої мають алюмінієві структури. :з» 9. Оболонка за пп. 1-8, яка відрізняється тим, що активатор являє собою КС».7. The shell according to claim 6, which differs in that the substance with a reducing effect has the property of destroying " 70 electrical, electronic, optoelectronic and/or electromechanical components of the IC crystal. with p 8. The shell according to any one of claims 1-7, which is characterized by the fact that it is placed on the IC crystal, the electrical, electronic, optoelectronic and/or electromechanical components of which have aluminum structures. :z" 9. The shell according to claims 1-8, which differs in that the activator is a CS". 10. Оболонка за п. 9, яка відрізняється тим, що КСіо при активуванні має властивість утворення вільного Вадикалу. сл 11. Оболонка за п. 10, яка відрізняється тим, що вільний радикал є речовиною з відновлюючою дією.10. The shell according to claim 9, which is characterized by the fact that KSio upon activation has the property of forming free Vadikal. sl 11. The shell according to claim 10, which differs in that the free radical is a substance with a reducing effect. 12. Оболонка за будь яким з пп. 1-11, яка відрізняється тим, що активатор має властивість активування за і допомогою розчинника, який розчиняє оболонку кристала ІС. -І 13. Оболонка за будь яким з пп. 1-11, яка відрізняється тим, що активатор має властивість активування за допомогою накопиченого усередині оболонки ІС активуючого засобу. («в») 14. Оболонка за будь яким з пп. 1-13, яка відрізняється тим, що вона розміщена на кристалі ІС, над Їх» важливою для надійності ділянкою якого розташований другий кристал ІС.12. The shell according to any one of claims 1-11, which is characterized by the fact that the activator has the property of activation by and with the help of a solvent that dissolves the shell of the IC crystal. -And 13. The shell according to any one of claims 1-11, which is characterized by the fact that the activator has the property of activation by means of an activating agent accumulated inside the IC shell. ("c") 14. The shell according to any one of claims 1-13, which is characterized by the fact that it is placed on the IC crystal, above which the second IC crystal is located, an area important for reliability. 15. Оболонка за будь яким з пп. 1-14, яка відрізняється тим, що активатор у оболонці кристала ІС розміщений над важливою для надійності ділянкою кристала ІС.15. The shell according to any one of claims 1-14, which is characterized by the fact that the activator in the shell of the IC crystal is placed over an area of the IC crystal important for reliability. 16.Оболонка за будь яким з пп. 1-15, яка відрізняється тим, що в мікросхемі вона виконана з декількох о прошарків. іме) 60 б516. The shell according to any of claims 1-15, which differs in that in the microcircuit it is made of several layers. name) 60 b5
UA97105206A 1995-04-25 1996-09-04 Chip-carrier package UA57704C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19515188A DE19515188C2 (en) 1995-04-25 1995-04-25 Chip cover
PCT/DE1996/000616 WO1996034409A1 (en) 1995-04-25 1996-04-09 Chip cover

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA57704C2 true UA57704C2 (en) 2003-07-15

Family

ID=7760323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA97105206A UA57704C2 (en) 1995-04-25 1996-09-04 Chip-carrier package

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP0823129A1 (en)
JP (1) JPH11504164A (en)
KR (1) KR100407042B1 (en)
CN (1) CN1135616C (en)
DE (1) DE19515188C2 (en)
IN (1) IN188645B (en)
RU (1) RU2164720C2 (en)
UA (1) UA57704C2 (en)
WO (1) WO1996034409A1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19841498C2 (en) * 1998-09-10 2002-02-21 Beru Ag Method for producing an electronic component, in particular a Hall sensor
DE19957120A1 (en) * 1999-11-26 2001-05-31 Infineon Technologies Ag Vertical structure integrated circuit arrangement
DE10105987A1 (en) 2001-02-09 2002-08-29 Infineon Technologies Ag Data processing device
DE10131014C1 (en) * 2001-06-27 2002-09-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor element used in a chip card in the pay-per-view television sector comprises a chip, and a device for deactivating the chip consisting of a hollow chamber containing an activator
FR2872610B1 (en) * 2004-07-02 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique DEVICE FOR SECURING COMPONENTS
JP5194932B2 (en) * 2008-03-26 2013-05-08 富士通セミコンダクター株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3725671A (en) * 1970-11-02 1973-04-03 Us Navy Pyrotechnic eradication of microcircuits
DE3602960C1 (en) * 1986-01-31 1987-02-19 Philips Patentverwaltung Thick film circuit arrangement with a ceramic substrate plate
MY107292A (en) * 1989-10-03 1995-10-31 Univ Sydney Technology Electro-active cradle circuits for the detection of access or penetration.
JPH0521655A (en) * 1990-11-28 1993-01-29 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and package therefor
US5072331A (en) * 1991-04-26 1991-12-10 Hughes Aircraft Company Secure circuit structure
US5233563A (en) * 1992-01-13 1993-08-03 Ncr Corporation Memory security device
US5389738A (en) * 1992-05-04 1995-02-14 Motorola, Inc. Tamperproof arrangement for an integrated circuit device
US5399441A (en) * 1994-04-12 1995-03-21 Dow Corning Corporation Method of applying opaque coatings

Also Published As

Publication number Publication date
CN1182499A (en) 1998-05-20
WO1996034409A1 (en) 1996-10-31
DE19515188A1 (en) 1996-11-07
JPH11504164A (en) 1999-04-06
EP0823129A1 (en) 1998-02-11
DE19515188C2 (en) 1998-02-19
KR19990008167A (en) 1999-01-25
KR100407042B1 (en) 2004-02-18
RU2164720C2 (en) 2001-03-27
IN188645B (en) 2002-10-26
CN1135616C (en) 2004-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7923830B2 (en) Package-on-package secure module having anti-tamper mesh in the substrate of the upper package
JP3717937B2 (en) Package with multiple semiconductor dies
EP0818132B1 (en) A method to prevent intrusions into electronic circuitry
TWI251785B (en) Memory card with raised portion
KR940003375B1 (en) Semiconductor device and method of the same
KR101199600B1 (en) Memory card with raised portion
JP5933266B2 (en) Device for protecting an electronic integrated circuit housing against physical or chemical intrusion
JP2010524253A (en) Package-on-package secure module with BGA mesh cap
WO2001059544A2 (en) Security module system, apparatus and process
PT1054316E (en) Security device for electronic circuits against unauthorised access
US5965867A (en) Data medium incorporating integrated circuits
EP1913641A1 (en) A package and manufacturing method for a microelectronic component
JPH08212017A (en) Information storage device and processor using same
UA57704C2 (en) Chip-carrier package
US4635165A (en) Printed-circuit construction with EPROM IC chip mounted thereon
JPH0923051A (en) Micromodule tobe used as surface mounting type package
JPH10505959A (en) Carrier module
US5883429A (en) Chip cover
US8138566B1 (en) Integrated circuit chip made secure against the action of electromagnetic radiation
JP2000181804A (en) Self-destruction type semi-conductor device
RU97119080A (en) COVERING THE CRYSTAL OF AN INTEGRAL SCHEME
US7218529B2 (en) Circuit arrangement with a programmable memory element on a circuit board, with security against reprogramming
JPS6132456Y2 (en)
JPH0273663A (en) Hybrid integrated circuit device
JPH01115691A (en) Memory card