RU2161348C2 - Фотодетектор, содержащий моппт с плавающим затвором - Google Patents
Фотодетектор, содержащий моппт с плавающим затвором Download PDFInfo
- Publication number
- RU2161348C2 RU2161348C2 RU98101464/28A RU98101464A RU2161348C2 RU 2161348 C2 RU2161348 C2 RU 2161348C2 RU 98101464/28 A RU98101464/28 A RU 98101464/28A RU 98101464 A RU98101464 A RU 98101464A RU 2161348 C2 RU2161348 C2 RU 2161348C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- charge
- photodetector
- photoemission
- mosfet
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000005689 Fowler Nordheim tunneling Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Использование: для измерения слабых уровней освещенности. Сущность: фотодетектор содержит фотоэмиссионную поверхность, способную высвобождать фотоэлектроны. Фотоэлектроны детектируют посредством МОППТ, имеющим плавающий затвор, который перед измерением соответственно заряжают таким образом, чтобы фотоэлектроны могли вызывать изменение заряда плавающего затвора. Детектируемое изменение показывает количество света, воспринятого детектором. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности, снижение стоимости и упрощение изготовления фотодетектора. 5 с. и 6 з.п.ф-лы, 1 ил.
Description
Область техники
Настоящее изобретение относится к фотодетектору, содержащему МОППТ с плавающим затвором, который используется для измерения слабых уровней освещенности.
Настоящее изобретение относится к фотодетектору, содержащему МОППТ с плавающим затвором, который используется для измерения слабых уровней освещенности.
Одним из наиболее чувствительных фотодетекторов является фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) или просто фотоумножитель. По конструкции это устройство представляет собой электровакуумный прибор, содержащий светочувствительный фотокатод и электронный умножитель. К устройству с помощью высокого напряжения прикладывают электрическое поле. Детектируемые фотоны ударяются о фотокатод, из которого они высвобождают фотоэлектроны посредством процесса фотоэмиссии. Электронный умножитель состоит из группы (обычно 6-16) электродов вторичной эмиссии, называемых динодами, с повышением электрического потенциала между ними. Фотоэлектроны с катода направляют к первому диноду, где они образуют несколько вторичных электронов, которые, в свою очередь, направляют к следующему диноду, где повторяется вторичная эмиссия и т.д. Это приводит к усилению, так что сигнал с выходного электрода - анода является достаточно сильным для его обработки электронным способом. Недостатками фотоэлектронных умножителей является их сравнительно высокая стоимость и необходимость в высоком напряжении, что ограничивает и усложняет их эксплуатационную гибкость.
Другим классом устройств являются различные полупроводниковые фотодетекторы, например фотодиоды, фототранзисторы и приборы с зарядовой связью (ПЗС). Обычным для них является то, что свету позволяют воздействовать на полупроводниковый материал, где он генерирует носители заряда (электроны и дырки), которые формируют электрический сигнал. В отношении полупроводниковых детекторов проблема заключается в том, что носители должны мигрировать в объем полупроводникового материала, где тепловая энергия создает большой фоновый шум.
Краткое изложение сущности изобретения
Согласно настоящему изобретению предлагается фотодетектор нового типа, который является дешевым, чувствительным и легким в изготовлении. Он представляет собой вакуумную камеру, содержащую фотоэмиссионную поверхность, способную высвобождать электроны (фотоэлектроны) фотоэлектронной эмиссией в ответ на фотоны света. Отличительным признаком настоящего изобретения является то, что фотоэлектроны детектируют полевым МОП-транзистором (МОППТ) с плавающим затвором, который соответствующим образом заряжают перед измерением. Фотоэлектронная эмиссия вызывает изменение в заряде затвора, причем это изменение показывает количество света, воспринятого детектором.
Согласно настоящему изобретению предлагается фотодетектор нового типа, который является дешевым, чувствительным и легким в изготовлении. Он представляет собой вакуумную камеру, содержащую фотоэмиссионную поверхность, способную высвобождать электроны (фотоэлектроны) фотоэлектронной эмиссией в ответ на фотоны света. Отличительным признаком настоящего изобретения является то, что фотоэлектроны детектируют полевым МОП-транзистором (МОППТ) с плавающим затвором, который соответствующим образом заряжают перед измерением. Фотоэлектронная эмиссия вызывает изменение в заряде затвора, причем это изменение показывает количество света, воспринятого детектором.
Согласно одному варианту осуществления изобретения фотоэмиссионная поверхность не прикреплена к затвору, который перед измерением заряжают до положительного потенциала. Положительный заряд притягивает фотоэлектроны и направляет их к затвору, где они нейтрализуют свой положительный заряд, приводя к уменьшению потенциала затвора. Это уменьшение является показателем количества света, воспринятого детектором.
Согласно другому варианту осуществления изобретения фотоэмиссионная поверхность выполнена непосредственно на плавающем затворе, который в этом случае перед измерением заряжают отрицательно. Высвобожденные фотоэлектроны собирают на отдельном электроде-аноде или непосредственно на металлической стенке кожуха устройства. Это вызывает увеличение в потенциале затвора, которое является показателем количества света, воспринятого детектором.
Во время фазы накопления фотоэлектронов фотодетектор не требует никакой электроэнергии (напряжения). Однако очевидно, что могут быть также приложены дополнительные электрические поля для оптимизации накопления фотоэлектронов.
Отличительным признаком изобретения является то, что электронам (фотоэлектронам), высвобожденным с фотоэмиссионной поверхности посредством фотоэлектронной эмиссии в ответ на фотоны света, дают возможность воздействовать на поверхность плавающего затвора МОППТ (полевого МОП-транзистора). Изобретение основывается на измерении действия фотоэлектронов на заряд, находящийся в емкости плавающего затвора МОППТ перед измерением.
Фотоэлектроны собирают под действием электрического поля, создаваемого затвором, после того как он был вначале заряжен до соответствующего потенциала. Эту первоначальную зарядку осуществляют, например, путем использования туннелирования по Фаулеру-Нордхайму.
Измеряя проводимость канала сток-исток МОППТ, можно определить величину заряда затвора без ликвидации самого заряда. Это аналогично считыванию информации, хранимой в памяти ЭППЗУ.
Краткое описание чертежей
В дальнейшем изобретение поясняется описанием конкретного варианта его воплощения со ссылками на сопровождающий чертеж, на котором схематически изображен фотодетектор согласно изобретению.
В дальнейшем изобретение поясняется описанием конкретного варианта его воплощения со ссылками на сопровождающий чертеж, на котором схематически изображен фотодетектор согласно изобретению.
Описание предпочтительного варианта осуществления изобретения
Фотоэмиссионная поверхность 20 (фиг. 1) воспринимает фотоны света и высвобождает электроны (часто называемые фотоэлектронами) посредством фотоэлектронной эмиссии. Фотоэмиссионные материалы общеизвестны и могут быть аналогичны тем, которые применяются в фотокатодах фотоумножителей.
Фотоэмиссионная поверхность 20 (фиг. 1) воспринимает фотоны света и высвобождает электроны (часто называемые фотоэлектронами) посредством фотоэлектронной эмиссии. Фотоэмиссионные материалы общеизвестны и могут быть аналогичны тем, которые применяются в фотокатодах фотоумножителей.
Фотоэлектроны детектируются МОППТ 10. Это устройство имеет три электрода: исток 11, сток 12 и затвор 13. Согласно изобретению затвор 13 поддерживается неприсоединенным, т.е. плавающим. На затворе 13 заранее образуют положительный заряд, например, приложением достаточно высокого напряжения между истоком 11 и стоком 12. Это приводит к возникновению туннелирования по Фаулеру-Нордхайму через оксидный изолирующий слой 14 затвора, что вызывает установление потенциала в плавающем затворе 13 при желаемом заряде.
Известно, что МОППТ с плавающими затворами обладают отличными свойствами сохранять заряд. Поэтому они весьма подходят для изготовления энергонезависимых запоминающих устройств, включая цифровые и аналоговые ППЗУ и ЭСППЗУ. МОППТ с заряженными плавающими затворами раньше использовали в качестве детекторов ионизирующего излучения (см. , например, публикацию PCT WO 95/12134).
Положительный заряд создает электрическое поле, которое притягивает фотоэлектроны и направляет их к затвору 13. На поверхности затвора 13 имеется непокрытый участок или участок, покрытый проводником, полупроводником или тонким изолирующим слоем. Толщина изолирующего слоя не может превышать 1 мм, чтобы оставалась возможность для прохождения электронов через него к фактическому затвору. Однако предпочтительнее, чтобы часть поверхности затвора была полностью открытой. Поэтому в оксидном изолирующем слое 14 плавающего затвора 13 выполнено отверстие 17, через которое фотоэлектроны могут непосредственно достигать поверхности затвора 13. При столкновении с затвором 13 фотоэлектроны нейтрализуют положительный заряд на нем, вызывая уменьшение потенциала затвора 13. Величина уменьшения потенциала за выбранный интервал времени служит показателем количества света, воспринятого фотодетектором за этот интервал времени.
Для обеспечения надлежащей работы фотоэмиссионная поверхность 20 и МОППТ 10 заключены в кожух 21, который вакуумирован. Кожух 21 имеет прозрачную часть 22, например стеклянное окошко, через которое фотоны света могут достигать фотоэмиссионной поверхности 20. На фиг. 1 показан вариант выполнения, в котором фотоэмиссионная поверхность 20 образована на внутренней поверхности прозрачной части 22. Фотоэмиссионная поверхность 20 соединена с металлической стенкой кожуха 21. Очевидно, что фотоэмиссионная поверхность может быть также расположена глубже во внутренней полости кожуха.
Потенциал 13, пропорциональный его заряду, может быть определен путем измерения проводимости канал исток-сток МОППТ 10 без ликвидации самого заряда. Проводимость измеряют, например, введением соответствующего напряжения между истоком 11 и стоком 12 и измерением получаемого в результате тока исток-сток. Другими словами, количество света, детектированного за выбранный интервал времени, может быть определено сравнением тока исток - сток после интервала детектирования с его первоначальным значением при полностью заряженном затворе.
Чтобы зарядное напряжение могло быть приложено между истоком 11 и стоком 12 и соответственно, чтобы изменение в потенциале (заряде) затвора 13 могло быть измерено так, как объяснено выше, исток 11 и сток 12 проводниками 26 и 27 соединены с соединителями 28 и 29, установленными на стенке кожуха 21.
Согласно другому варианту осуществления изобретения (не показан) фотоэмиссионная поверхность выполнена непосредственно на затворе, который в этом случае перед измерением заряжают отрицательно. Высвобожденные фотоэлектроны собирают на отдельном аноде или прямо на металлической стенке кожуха. Это вызывает увеличение потенциала затвора, которое служит показателем количества света, воспринятого детектором. Как и выше, это определяется измерением проводимости канала исток-сток.
Примечательно, что во время фазы детектирования света (т.е. накопления фотоэлектронов), предложенный фотодетектор не требует подачи электроэнергии (напряжения). Однако возможно, конечно, создание дополнительного электрического потенциала между фотоэмиссионной поверхностью и плавающим затвором между фотоэмиссионной поверхностью и анодом (не показан), чтобы увеличить и оптимизировать сбор фотоэлектронов.
Claims (11)
1. Фотодетектор, содержащий фотоэмиссионную поверхность, способную испускать электроны в ответ на детектируемые фотоны света, МОППТ с плавающим затвором для подачи заряда, чтобы эмиссия электронов могла вызвать изменение заряда, и кожух, в который заключены фотоэмиссионная поверхность и МОППТ, при этом по меньшей мере часть кожуха выполнена прозрачной для света, чтобы свет мог достигать фотоэмиссионную поверхность.
2. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что фотоэмиссионная поверхность не соприкасается с плавающим затвором, а заряд является положительным.
3. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что фотоэмиссионная поверхность соприкасается с плавающим затвором, а заряд является отрицательным.
4. Фотодетектор по п. 3, отличающийся тем, что дополнительно содержит средство для сбора указанных электронов.
5. Фотодетектор, содержащий фотоэмиссионную поверхность, способную испускать электроны в ответ на детектируемые фотоны света, МОППТ с плавающим затворов, не соприкасающимся с фотоэмиссионной поверхностью, для подачи положительного заряда и накопления электронов, кожух, в который заключены фотоэмиссионная поверхность и МОППТ, при этом по меньшей мере часть кожуха выполнена прозрачной для света, чтобы свет мог достигать фотоэмиссионной поверхности.
6. Фотодетектор по п.5, отличающийся тем, что фотоэмиссионная поверхность выполнена на внутренней поверхности прозрачной части кожуха.
7. Фотодетектор, содержащий фотоэмиссионную поверхность, способную испускать электроны в ответ на детектируемые фотоны света, МОППТ с плавающим затвором, соприкасающимся с фотоэмиссионной поверхностью, для подачи отрицательного заряда и кожух, в который заключены фотоэмиссионная поверхность и МОППТ, при этом по меньшей мере часть кожуха выполнена прозрачной для света, чтобы свет мог достигать фотоэмиссионной поверхности.
8. Фотодетектор по п.5 или 7, отличающийся тем, что дополнительно содержит средство для регистрирования изменения заряда, вызываемого электронами, причем это изменение служит показателем количества света, воспринятого фотодетектором.
9. Способ детектирования света, заключающийся в том, что используют фотодетектор, содержащий фотоэмиссионную поверхность, способную испускать электроны в ответ на детектируемые фотоны света, МОППТ с плавающим затвором и кожух, в который заключены фотоэмиссионная поверхность и МОППТ, при этом по меньшей мере часть кожуха выполнена прозрачной для света, чтобы свет мог достигать фотоэмиссионной поверхности, заряжают плавающий затвор до заданного потенциала, осуществляют воздействие детектируемого света на фотоэмиссионную поверхность, обеспечивая возможность эмиссии электронов с фотоэмиссионной поверхности и вызывая изменение заданного потенциала плавающего затвора, и после заданного промежутка времени регистрируют изменение заданного потенциала, служащее показателем количества света, принятого фотодетектором.
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что стадию зарядки осуществляют приложением напряжения между электродом истока и электродом стока МОППТ.
11. Способ детектирования света, заключающийся в том, что используют фотодетектор, содержащий фотоэмиссионную поверхность, способную испускать электроны в ответ на детектируемые фотоны света, МОППТ с плавающим затвором и кожух, в который заключены фотоэмиссионная поверхность и МОППТ, при этом по меньшей мере часть кожуха выполнена прозрачной для света, чтобы свет мог достигать фотоэмиссионной поверхности, осуществляют воздействие детектируемого света на фотоэмиссионную поверхность, обеспечивая возможность эмиссии электронов с фотоэмиссионной поверхности и вызывая изменения в заряде, и после заданного промежутка времени регистрируют изменение заряда, служащее показателем количества света, воспринятого фотодетектором.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI953240 | 1995-06-30 | ||
| FI953240A FI953240A0 (fi) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Ljusdetektor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98101464A RU98101464A (ru) | 1999-10-27 |
| RU2161348C2 true RU2161348C2 (ru) | 2000-12-27 |
Family
ID=8543704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98101464/28A RU2161348C2 (ru) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | Фотодетектор, содержащий моппт с плавающим затвором |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6043508A (ru) |
| EP (1) | EP0842545B1 (ru) |
| JP (1) | JP3790548B2 (ru) |
| CN (1) | CN1112735C (ru) |
| AT (1) | ATE274241T1 (ru) |
| AU (1) | AU6227196A (ru) |
| CA (1) | CA2225226C (ru) |
| DE (1) | DE69633183T2 (ru) |
| FI (1) | FI953240A0 (ru) |
| RU (1) | RU2161348C2 (ru) |
| WO (1) | WO1997002609A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451983C1 (ru) * | 2008-09-02 | 2012-05-27 | Шарп Кабусики Кайся | Дисплейное устройство |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000088645A (ja) | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 積分型光検出装置 |
| AU2003236112A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photosensor |
| KR100499956B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-07-05 | 전자부품연구원 | 양자채널이 형성된 모스펫을 이용한 포토디텍터 및 그제조방법 |
| FR2911191B1 (fr) * | 2007-01-09 | 2009-07-10 | Microcomposants De Haute Secur | Capteur de mesure d'une dose d'uv et procede de mesure d'une dose d'uv mettant en oeuvre ce capteur |
| CN101303239B (zh) * | 2007-05-10 | 2010-05-26 | 北方工业大学 | 一种传感器及其调节方法 |
| CN101807547B (zh) * | 2009-02-18 | 2013-07-10 | 南京大学 | 光敏复合介质栅mosfet探测器 |
| US9219177B2 (en) | 2010-04-07 | 2015-12-22 | International Business Machines Corporation | Photo detector and integrated circuit |
| KR101774480B1 (ko) * | 2011-08-16 | 2017-09-04 | 에레즈 할라미 | 전계 효과 트랜지스터의 비접촉 제어를 위한 방법 및 장치 그리고 두 개의 전자 장치들을 상호연결하는 방법 |
| US8653618B2 (en) * | 2011-09-02 | 2014-02-18 | Hoon Kim | Unit pixel of color image sensor and photo detector thereof |
| US9213112B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-15 | Starfire Industries, Llc | Neutron radiation sensor |
| CN104900745B (zh) * | 2015-05-26 | 2017-10-27 | 北京工业大学 | 一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法 |
| CN110767519B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-03-04 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种场发射电子源结构及其形成方法、电子源、微波管 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0002420A1 (fr) * | 1977-12-01 | 1979-06-13 | International Business Machines Corporation | Dispositif semi-conducteur du type transistor à effet de champ activé par la lumière et mémoire en résultant |
| DE3413829A1 (de) * | 1984-04-10 | 1985-10-17 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Mos-dosimeter |
| US5471051A (en) * | 1993-06-02 | 1995-11-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photocathode capable of detecting position of incident light in one or two dimensions, phototube, and photodetecting apparatus containing same |
| FI934784A0 (fi) * | 1993-10-28 | 1993-10-28 | Rados Technology Oy | Straolningsdetektor |
| US5804833A (en) * | 1996-10-10 | 1998-09-08 | Advanced Scientific Concepts, Inc. | Advanced semiconductor emitter technology photocathodes |
-
1995
- 1995-06-30 FI FI953240A patent/FI953240A0/fi not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-06-28 JP JP50485197A patent/JP3790548B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-28 WO PCT/FI1996/000380 patent/WO1997002609A1/en active IP Right Grant
- 1996-06-28 CN CN96195181A patent/CN1112735C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-28 RU RU98101464/28A patent/RU2161348C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-06-28 AU AU62271/96A patent/AU6227196A/en not_active Abandoned
- 1996-06-28 CA CA002225226A patent/CA2225226C/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-28 DE DE69633183T patent/DE69633183T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 US US08/981,724 patent/US6043508A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 EP EP96920861A patent/EP0842545B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 AT AT96920861T patent/ATE274241T1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451983C1 (ru) * | 2008-09-02 | 2012-05-27 | Шарп Кабусики Кайся | Дисплейное устройство |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0842545B1 (en) | 2004-08-18 |
| CA2225226A1 (en) | 1997-01-23 |
| DE69633183D1 (de) | 2004-09-23 |
| ATE274241T1 (de) | 2004-09-15 |
| WO1997002609A1 (en) | 1997-01-23 |
| CN1189922A (zh) | 1998-08-05 |
| JP3790548B2 (ja) | 2006-06-28 |
| EP0842545A1 (en) | 1998-05-20 |
| CN1112735C (zh) | 2003-06-25 |
| US6043508A (en) | 2000-03-28 |
| AU6227196A (en) | 1997-02-05 |
| JPH11509366A (ja) | 1999-08-17 |
| FI953240A0 (fi) | 1995-06-30 |
| DE69633183T2 (de) | 2005-08-18 |
| CA2225226C (en) | 2003-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2161348C2 (ru) | Фотодетектор, содержащий моппт с плавающим затвором | |
| Kume et al. | Newly developed photomultiplier tubes with position sensitivity capability | |
| US6166365A (en) | Photodetector and method for manufacturing it | |
| CN206022306U (zh) | 一种非接触物体表面电荷光电倍增管放大器 | |
| US5453609A (en) | Non cross talk multi-channel photomultiplier using guided electron multipliers | |
| CN109273345B (zh) | 非接触物体表面电荷光电倍增管放大器 | |
| CN108140532B (zh) | 光电管和制造方法 | |
| CN113302485A (zh) | 基于外延层的x射线检测器及其制备方法 | |
| GB2039140A (en) | An ion detecting device | |
| EP0414793A4 (en) | Electronic still camera tube | |
| US2686269A (en) | High-vacuum electronic phototube | |
| JPH07500907A (ja) | 放射線検出器 | |
| US8592741B2 (en) | Image sensor cell for night vision | |
| Breskin et al. | Sealed gas UV-photon detector with a multi-GEM multiplier | |
| JP2002107458A (ja) | 放射性イオン検出器 | |
| CN101478645B (zh) | 一种基于半导体层的电荷感应成像方法 | |
| JPS5955075A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| Voss | Physics of low light level detectors | |
| US3839674A (en) | Device for measuring very small electric currents | |
| McMullan et al. | Serial Read-out from Image Tubes Incorporating Silicon Diode Arrays | |
| US20020113551A1 (en) | Light conversion and detection of visible light | |
| RU2046446C1 (ru) | Фотоэлектронный умножитель | |
| Stradling et al. | An ion detecting device | |
| Haggart | A study of the application of imaging charge-coupled devices for the detection and quantitation of luminogenic assays | |
| JPS61148383A (ja) | 荷電粒子検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130629 |