RU2150172C1 - Способ изготовления кристаллических элементов - Google Patents
Способ изготовления кристаллических элементов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2150172C1 RU2150172C1 RU98110327A RU98110327A RU2150172C1 RU 2150172 C1 RU2150172 C1 RU 2150172C1 RU 98110327 A RU98110327 A RU 98110327A RU 98110327 A RU98110327 A RU 98110327A RU 2150172 C1 RU2150172 C1 RU 2150172C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- grinding
- final
- micropowder
- powder
- chemical etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относится к пьезотехнике и может быть использовано на предварительных этапах обработки кварцевых пластин при изготовлении высокочастотных кварцевых резонаторов и монолитных фильтров. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение производительности технологического процесса. Способ изготовления кристаллического элемента для высокочастотного кварцевого резонатора, включает предварительное шлифование кристаллических элементов шлифпорошком и промежуточное и окончательное двухстороннее шлифование микропорошками с последовательным уменьшением размеров зерна абразива, отличающийся тем, что предварительное шлифование шлифпорошком осуществляют только с одной стороны, а перед окончательным двухсторонним шлифованием микропорошком производят глубокое химическое травление.
Description
Изобретение относится к пьезотехнике и может быть использовано на предварительных этапах обработки кварцевых пластин при изготовлении высокочастотных кварцевых резонаторов и монолитных фильтров.
В известном способе [1] реализуется многоэтапная обработка поверхности кварца. Способ включает: ориентировку, механическую обработку, химическую очистку, прокалку и двухэтапное химические травление.
Основной недостаток данного способа - продолжительный по времени процесс.
В способе [2] применяют механическую обработку кристаллических элементов, затем, после окончательной обработки наносят металлический слой, прижимают пластину металлизированной поверхностью к технологической подложке, нагревают полученную заготовку, после чего шлифуют и полируют поверхность кристаллического элемента до заданной толщины.
Недостаток этого способа - трудоемкость и продолжительность техпроцесса.
Наиболее близким техническим решением является способ изготовления кристаллических элементов [3] , который реализуется многоэтапной механической обработкой абразивами различного гранулометрического состава, включающий шлифовку кварцевых пластин шлифпорошком, а затем микропорошками.
Однако использование данного способа сопряжено с большой трудоемкостью и значительной продолжительностью цикла обработки, что отрицательно влияет на производительность техпроцесса.
Задачей заявляемого технического решения является повышение производительности техпроцесса за счет уменьшения его трудоемкости и времени изготовления кристаллического элемента.
Поставленная задача решена тем, что в известном способе изготовления кристаллического элемента для высокочастотного кварцевого резонатора, включающем предварительное шлифование шлифпорошком и промежуточное и окончательное двухстороннее шлифование микропорошками с последовательным уменьшением размеров зерна абразива, предварительное шлифование шлифпорошком осуществляют только с одной стороны, а перед окончательным шлифованием микропорошком производят глубокое химическое травление.
Способ осуществляют следующим образом, используя, например, нижеприведенные абразивы.
После корректировки угла среза кварцевые пластины предварительно выравнивают вручную шлифпорошком 8-Н с одной стороны. Затем производят промежуточную двухстороннюю шлифовку пластин микропорошком М14-В до толщины 1 мм, на шлифовально-доводочном станке, тем самым создавая плоскопараллельность всех пластин. В последующем осуществляют глубокое химическое травление кристаллических элементов в скоростном травителе на основе плавиковой кислоты и бифторида аммония до толщины 0,08 мм. В дальнейшем кварцевые пластины подвергают окончательной двухсторонней шлифовке до толщины 0,05 мм микропорошком М5-В на шлифовально-доводочном станке.
Данный способ значительно сокращает время обработки кварцевого кристаллического элемента, что позволяет повысить производительность технологического процесса, а также уменьшить его трудоемкость.
Источники информации
1. Авторское свидетельство N 587601, кл. H 03 H 3/02, 1978.
1. Авторское свидетельство N 587601, кл. H 03 H 3/02, 1978.
2. Авторское свидетельство N 443457, кл. H 03 H 3/04, 1975.
3. Смагин А. Г. Пьезоэлектрические резонаторы и их применение. - М., 1967.
Claims (1)
- Способ изготовления кристаллического элемента для высокочастотного кварцевого резонатора, включающий предварительное шлифование кристаллических элементов шлифпорошком и промежуточное и окончательное двустороннее шлифование микропорошками с последовательным уменьшением размеров зерна абразива, отличающийся тем, что предварительное шлифование шлифпорошком осуществляют только с одной стороны, а перед окончательным двусторонним шлифованием микропорошком производят глубокое химическое травление.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98110327A RU2150172C1 (ru) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Способ изготовления кристаллических элементов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98110327A RU2150172C1 (ru) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Способ изготовления кристаллических элементов |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU98110327A RU98110327A (ru) | 2000-03-20 |
RU2150172C1 true RU2150172C1 (ru) | 2000-05-27 |
Family
ID=20206649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98110327A RU2150172C1 (ru) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Способ изготовления кристаллических элементов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2150172C1 (ru) |
-
1998
- 1998-05-28 RU RU98110327A patent/RU2150172C1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3658454B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
JPS5958827A (ja) | 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置 | |
KR100869523B1 (ko) | 프로파일을 지닌 에지를 구비한 반도체 웨이퍼 제조 방법 | |
TW396449B (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer | |
US6753256B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor wafer | |
JP3328193B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
CN86107119A (zh) | 晶片的生产方法 | |
JPH04115528A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2000114216A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
RU2150172C1 (ru) | Способ изготовления кристаллических элементов | |
JP6145548B1 (ja) | 面取り研削方法及び面取り研削装置 | |
JP2588326B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
JP3361608B2 (ja) | 圧電アクチュエータ用振動体 | |
JPH04193415A (ja) | 内歯形ホーニング砥石の製造方法 | |
RU2287218C2 (ru) | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов с инвертированной мезаструктурой | |
JPH01288102A (ja) | 水晶振動子用水晶ウエハ | |
JP7285507B1 (ja) | 半導体結晶ウェハの研削加工方法 | |
JPS59188921A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
JP2000349048A (ja) | 水晶片の製造方法 | |
RU1739826C (ru) | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов | |
RU2292640C2 (ru) | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов | |
RU2065358C1 (ru) | Способ обработки драгоценных камней | |
JPH04130810A (ja) | Atカット水晶振動片の製造方法 | |
JP3069366B2 (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
JPH076984A (ja) | 単結晶ウェーハの製造方法 |