RU2150172C1 - Способ изготовления кристаллических элементов - Google Patents

Способ изготовления кристаллических элементов Download PDF

Info

Publication number
RU2150172C1
RU2150172C1 RU98110327A RU98110327A RU2150172C1 RU 2150172 C1 RU2150172 C1 RU 2150172C1 RU 98110327 A RU98110327 A RU 98110327A RU 98110327 A RU98110327 A RU 98110327A RU 2150172 C1 RU2150172 C1 RU 2150172C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
grinding
final
micropowder
powder
chemical etching
Prior art date
Application number
RU98110327A
Other languages
English (en)
Other versions
RU98110327A (ru
Inventor
С.Н. Кибирев
Н.В. Дурманов
Original Assignee
Омский государственный технический университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Омский государственный технический университет filed Critical Омский государственный технический университет
Priority to RU98110327A priority Critical patent/RU2150172C1/ru
Publication of RU98110327A publication Critical patent/RU98110327A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2150172C1 publication Critical patent/RU2150172C1/ru

Links

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к пьезотехнике и может быть использовано на предварительных этапах обработки кварцевых пластин при изготовлении высокочастотных кварцевых резонаторов и монолитных фильтров. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение производительности технологического процесса. Способ изготовления кристаллического элемента для высокочастотного кварцевого резонатора, включает предварительное шлифование кристаллических элементов шлифпорошком и промежуточное и окончательное двухстороннее шлифование микропорошками с последовательным уменьшением размеров зерна абразива, отличающийся тем, что предварительное шлифование шлифпорошком осуществляют только с одной стороны, а перед окончательным двухсторонним шлифованием микропорошком производят глубокое химическое травление.

Description

Изобретение относится к пьезотехнике и может быть использовано на предварительных этапах обработки кварцевых пластин при изготовлении высокочастотных кварцевых резонаторов и монолитных фильтров.
В известном способе [1] реализуется многоэтапная обработка поверхности кварца. Способ включает: ориентировку, механическую обработку, химическую очистку, прокалку и двухэтапное химические травление.
Основной недостаток данного способа - продолжительный по времени процесс.
В способе [2] применяют механическую обработку кристаллических элементов, затем, после окончательной обработки наносят металлический слой, прижимают пластину металлизированной поверхностью к технологической подложке, нагревают полученную заготовку, после чего шлифуют и полируют поверхность кристаллического элемента до заданной толщины.
Недостаток этого способа - трудоемкость и продолжительность техпроцесса.
Наиболее близким техническим решением является способ изготовления кристаллических элементов [3] , который реализуется многоэтапной механической обработкой абразивами различного гранулометрического состава, включающий шлифовку кварцевых пластин шлифпорошком, а затем микропорошками.
Однако использование данного способа сопряжено с большой трудоемкостью и значительной продолжительностью цикла обработки, что отрицательно влияет на производительность техпроцесса.
Задачей заявляемого технического решения является повышение производительности техпроцесса за счет уменьшения его трудоемкости и времени изготовления кристаллического элемента.
Поставленная задача решена тем, что в известном способе изготовления кристаллического элемента для высокочастотного кварцевого резонатора, включающем предварительное шлифование шлифпорошком и промежуточное и окончательное двухстороннее шлифование микропорошками с последовательным уменьшением размеров зерна абразива, предварительное шлифование шлифпорошком осуществляют только с одной стороны, а перед окончательным шлифованием микропорошком производят глубокое химическое травление.
Способ осуществляют следующим образом, используя, например, нижеприведенные абразивы.
После корректировки угла среза кварцевые пластины предварительно выравнивают вручную шлифпорошком 8-Н с одной стороны. Затем производят промежуточную двухстороннюю шлифовку пластин микропорошком М14-В до толщины 1 мм, на шлифовально-доводочном станке, тем самым создавая плоскопараллельность всех пластин. В последующем осуществляют глубокое химическое травление кристаллических элементов в скоростном травителе на основе плавиковой кислоты и бифторида аммония до толщины 0,08 мм. В дальнейшем кварцевые пластины подвергают окончательной двухсторонней шлифовке до толщины 0,05 мм микропорошком М5-В на шлифовально-доводочном станке.
Данный способ значительно сокращает время обработки кварцевого кристаллического элемента, что позволяет повысить производительность технологического процесса, а также уменьшить его трудоемкость.
Источники информации
1. Авторское свидетельство N 587601, кл. H 03 H 3/02, 1978.
2. Авторское свидетельство N 443457, кл. H 03 H 3/04, 1975.
3. Смагин А. Г. Пьезоэлектрические резонаторы и их применение. - М., 1967.

Claims (1)

  1. Способ изготовления кристаллического элемента для высокочастотного кварцевого резонатора, включающий предварительное шлифование кристаллических элементов шлифпорошком и промежуточное и окончательное двустороннее шлифование микропорошками с последовательным уменьшением размеров зерна абразива, отличающийся тем, что предварительное шлифование шлифпорошком осуществляют только с одной стороны, а перед окончательным двусторонним шлифованием микропорошком производят глубокое химическое травление.
RU98110327A 1998-05-28 1998-05-28 Способ изготовления кристаллических элементов RU2150172C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98110327A RU2150172C1 (ru) 1998-05-28 1998-05-28 Способ изготовления кристаллических элементов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98110327A RU2150172C1 (ru) 1998-05-28 1998-05-28 Способ изготовления кристаллических элементов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98110327A RU98110327A (ru) 2000-03-20
RU2150172C1 true RU2150172C1 (ru) 2000-05-27

Family

ID=20206649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98110327A RU2150172C1 (ru) 1998-05-28 1998-05-28 Способ изготовления кристаллических элементов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2150172C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3658454B2 (ja) 半導体ウェハの製造方法
JPS5958827A (ja) 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置
KR100869523B1 (ko) 프로파일을 지닌 에지를 구비한 반도체 웨이퍼 제조 방법
TW396449B (en) Method for manufacturing semiconductor wafer
US6753256B2 (en) Method of manufacturing semiconductor wafer
JP3328193B2 (ja) 半導体ウエーハの製造方法
CN86107119A (zh) 晶片的生产方法
JPH04115528A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2000114216A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
RU2150172C1 (ru) Способ изготовления кристаллических элементов
JP6145548B1 (ja) 面取り研削方法及び面取り研削装置
JP2588326B2 (ja) 半導体ウエーハの製造方法
JP3361608B2 (ja) 圧電アクチュエータ用振動体
JPH04193415A (ja) 内歯形ホーニング砥石の製造方法
RU2287218C2 (ru) Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов с инвертированной мезаструктурой
JPH01288102A (ja) 水晶振動子用水晶ウエハ
JP7285507B1 (ja) 半導体結晶ウェハの研削加工方法
JPS59188921A (ja) 誘電体分離基板の製造方法
JP2000349048A (ja) 水晶片の製造方法
RU1739826C (ru) Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов
RU2292640C2 (ru) Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов
RU2065358C1 (ru) Способ обработки драгоценных камней
JPH04130810A (ja) Atカット水晶振動片の製造方法
JP3069366B2 (ja) 水晶振動子の製造方法
JPH076984A (ja) 単結晶ウェーハの製造方法