RU210435U1 - САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 - Google Patents
САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 Download PDFInfo
- Publication number
- RU210435U1 RU210435U1 RU2021127110U RU2021127110U RU210435U1 RU 210435 U1 RU210435 U1 RU 210435U1 RU 2021127110 U RU2021127110 U RU 2021127110U RU 2021127110 U RU2021127110 U RU 2021127110U RU 210435 U1 RU210435 U1 RU 210435U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ferroelectric
- lanio
- lanio3
- substrate
- capacitor
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 229910002340 LaNiO3 Inorganic materials 0.000 title abstract 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 10
- 241000877463 Lanio Species 0.000 claims description 30
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области электротехники, а именно к самосовмещенному сегнетоэлектрическому конденсатору с электродами из LaNiO3,и может быть использована в электрических конденсаторах с нелинейным диэлектриком. Увеличение токового сигнала, обусловленного переключением заряда, является техническим результатом, который достигается за счет того, что сегнетоэлектрический конденсатор содержит подложку и последовательно нанесенные на нее барьерный подслой, нижний электрод из LaNiO3, сегнетоэлектрическую пленку на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод из LaNiO3, которые образуют слоистую конденсаторную структуру, сформированную методом химического осаждения из растворов. Подложка выполнена с углублением, имеющим U-образный планаризованный профиль сечения, в котором сформирована слоистая конденсаторная структура. 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области электрических устройств, а именно к электрическим конденсаторам с нелинейным диэлектриком, и может быть использована в технологии микроэлектронного полупроводникового производства широкого класса управляемых электрическим полем интегрированных сегнетоэлектрических элементов и пьезоэлектрических устройств микромеханики: сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти, разнообразных датчиков, преобразователей и пьезоэлектрических генераторов электрической энергии.
Из уровня техники известен сегнетоэлектрический конденсатор, содержащий подложку и последовательно нанесенные на нее барьерный подслой, нижний электрод, сегнетоэлектрическую пленку на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод [Патент RU 153583 U1, опубл. 27.07.2015 (первый аналог)].
Недостатком первого аналога является использование в качестве материала нижнего электрода драгоценного металла - платины. При этом сегнетоэлектрическую пленку наносят методом химического осаждения из раствора, а нижний электрод и верхний электрод напыляют методом термического испарения в вакууме. Данные методы не могут быть реализованы в рамках одного технологического цикла. Помимо этого первый аналог не позволяет формировать массив дискретных сегнетоэлектрических конденсаторов без проведения промежуточных литографических операций.
Близким по технической сущности и достигаемому результату является сегнетоэлектрический конденсатор, содержащий подложку и последовательно нанесенные на нее барьерный подслой, нижний электрод из LaNiO3, сегнетоэлектрическую пленку на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод из LaNiO3, образующие слоистую конденсаторную структуру [Yun S.H. et al. Systematic investigation of the growth of LaNiO3/PZT/LaNiO3/Si and LaNiO3/PZT/LaNiO3/polymer/Si for IR detector applications // Infrared Detectors and Focal Plane Arrays VII. - 2002. - V. 4721. - P. 75-82 (второй аналог)].
Во втором аналоге нанесение нижнего электрода, сегнетоэлектрической пленки и верхнего электрода реализовано в рамках одного технологического цикла методом ионно-стимулированной лазерной абляции в вакууме. Нижний электрод и верхний электрод выполнены из проводящего LaNiO3, имеющего перовскитную природу, подобную сегнетоэлектрической пленке на основе цирконата-титаната свинца. Однако, как и в первом аналоге, реализация второго аналога требует проведения промежуточных литографических операций.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является сегнетоэлектрический конденсатор, содержащий подложку и последовательно нанесенные на нее барьерный подслой, нижний электрод из LaNiO3, сегнетоэлектрическую пленку на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод из LaNiO3, образующие слоистую конденсаторную структуру, слои которой нанесены методом химического осаждения из растворов [патент US 2004043520 A1, опубл. 04.03.2003]. Данное техническое решение выбрано в качестве прототипа.
В прототипе нижний электрод из LaNiO3, сегнетоэлектрическая пленка на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод из LaNiO3 нанесены в рамках одного технологического цикла методом химического осаждения из растворов. Так же, как и в аналогах, реализация прототипа требует проведения промежуточных литографических операций. Другим существенным недостатком прототипа, свойственным, в том числе и аналогам, является то, что каждый слой требует планаризации для формирования плоскопараллельной пластинчатой слоистой конденсатораной структуры. В свою очередь, плоскопараллельная пластинчатость является причиной большого латерального размера сегнетоэлектрического конденсатора. В случае использования такого сегнетоэлектрического конденсатора в качестве основного элемента ячейки памяти сегнетоэлектрического запоминающего устройства его латеральный размер существенно больше по сравнению с флэш и DRAM памятью. Проблема скейлинга (пропорцинальной миниатюризации) обусловлена тем, что с уменьшением площади сегнетоэлектрической пленки происходит падение токового сигнала, обусловленного переключением заряда спонтанной поляризации. В связи с этим, снижается потенциал битовой линии, которого может оказаться недостаточно для однозначного определения записанного состояния поляризации в случае его использования в качестве основного элемента ячейки памяти сегнетоэлектрического запоминающего устройства.
В основу предлагаемой полезной модели положена задача достижения следующего технического результата: увеличение токового сигнала, обусловленного переключением заряда спонтанной поляризации сегнетоэлектрического конденсатора.
Поставленная задача и указанный технический результат достигаются за счет того, что в сегнетоэлектрическом конденсаторе, содержащем подложку и последовательно нанесенные на нее барьерный подслой, нижний электрод из LaNiO3, сегнетоэлектрическую пленку на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод из LaNiO3, образующие слоистую конденсаторную структуру, слои которой нанесены методом химического осаждения из растворов, согласно предложенной полезной модели, подложка выполнена с углублением, в котором сформирована слоистая конденсаторная структура, имеющая U-образный планаризованный профиль сечения.
Выполнение подложки с углублением обеспечивает самосовмещение барьерного подслоя, нижнего электрода из LaNiO3, сегнетоэлектрической пленки и верхнего электрода из LaNiO3 при их последовательном нанесении благодаря процессам адгезии, смачивания и растекания, имеющим место при центрифугировании пленкообразующего раствора.
U-образный профиль сечения слоистой конденсаторной структуры позволяет увеличить площадь сегнетоэлектрической пленки при сохранении латеральных размеров сегнетоэлектрического конденсатора.
Планаризация поверхности слоистой конденсаторной структуры, имеющей U-образный профиль сечения, позволяет без проведения промежуточных литографических операций получить изолированный сегнетоэлектрический конденсатор, который полностью готов к дальнейшим технологическим операциям по его подключению к другим функциональным элементам, например, ячейки памяти сегнетоэлектрического запоминающего устройства, содержащего массив дискретных сегнетоэлектрических конденсаторов.
Сущность полезной модели поясняется чертежом, на котором схематично изображен самосовмещенный сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3.
Самосовмещенный сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3 содержит подложку 1 и последовательно нанесенные на нее барьерный подслой 2, нижний электрод 3 из LaNiO3, сегнетоэлектрическую пленку 4 на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод 5 из LaNiO3, образующие слоистую конденсаторную структуру. Нижний электрод 3, сегнетоэлектрическая пленка 4 и верхний электрод 5 нанесены методом химического осаждения из растворов. Подложка 1 выполнена с углублением. Слоистая конденсаторная структура сформирована в углублении подложки 1 и имеет U-образный планаризованный профиль сечения.
Самосовмещенный сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3 работает следующим образом.
При подаче электрического напряжения между нижним электродом 3 и верхним электродом 5 дипольные моменты элементарных ячеек зерен сегнетоэлектрической пленки 4 ориентируются в направлении вектора напряженности внешнего электрического поля, и сегнетоэлектрическая пленка 4 поляризуется в соответствии с полярностью поданного напряжения. При отключении напряжения состояние поляризации сегнетоэлектрической пленки 4 в значительной степени сохраняется в течение длительного времени (т.н. остаточная поляризация).
На эффекте остаточной поляризации основан принцип работы энергонезависимой сегнетоэлектрической ячейки памяти. Сама ячейка памяти состоит из одного транзистора и одного сегнетоэлектрического конденсатора, логические состояния «0» и «1» записываются в виде противоположно ориентированных векторов поляризации сегнетоэлектрической пленки 4. Считывание логических состояний в ячейке памяти производится путем определения состояния поляризации сегнетоэлектрического конденсатора, для этого осуществляется подача импульса напряжения между нижним электродом 3 и верхним электродом 5. При совпадении полярности поданного импульса с поляризацией сегнетоэлектрической пленки 4 в цепи регистрируется малый ток зарядки емкости. Если же полярность поданного импульса отличается от поляризации сегнетоэлектрической пленки 4, то вместе с током зарядки емкости регистрируется ток переключения.
Изготовление предлагаемой полезной модели может быть осуществлено (технически реализовано) следующим образом.
Процесс изготовления самосовмещенного сегнетоэлектрического конденсатора с электродами из LaNiO3 начинают с приготовления пленкообразующего раствора никелата лантана с мольным соотношением La:Ni=1:1, получаемого, например, в соответствии со способом, описанным в [патент RU 186911 U1, опубл. 11.02.2019]. Также приготавливается безводный пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца, осуществляемый, например, в соответствии со способом, описанным в [патент RU 2470866 С1, опубл. 27.12.2012].
Безводный пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца может дополнительно содержать, по меньшей мере, одну легирующую добавку (например, лантан или ниобий) для снижения токов утечки в сегнетоэлектрической пленке 4 за счет компенсации свободных носителей заряда (дырок).
Для непосредственного изготовления самосовмещенного сегнетоэлектрического конденсатора с электродами из LaNiO3 берется подложка 1 с предварительно подготовленным углублением. Далее на подложку 1 осаждается из газовой фазы методом атомно-слоевого осаждения диэлектрический барьерный подслой 2, например, из оксида титана, оксида алюминия, оксида гафния, нитрида титана или нитрида алюминия. Затем на подложку 1 поверх барьерного подслоя 2 наносят пленкообразующий раствор LaNiO3 методом центрифугирования при скорости вращения 2000÷3000 об/мин. Полученный слой сушат при температуре 150÷250°С в течение 5 мин и подвергают пиролизу при температуре 400÷500°С в течение 10 мин. В результате этой операции формируется слой твердого раствора LaNiO3. Затем таким же образом сверху формируют остальные слои твердого раствора LaNiO3 путем послойного нанесения, сушки и пиролиза. Количество слоев твердого раствора LaNiO3 зависит от необходимой толщины формируемого нижнего электрода 3. После этого проводят кристаллизацию LaNiO3 при температуре 600÷700°С в течение 15 мин для получения нижнего электрода 3.
Следующим этапом на нижний электрод 3 наносят безводный пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца методом центрифугирования при скорости вращения 2500÷3000 об/мин. Затем полученный слой сушат при температуре 150÷250°С в течение 5 мин и подвергают пиролизу при температуре 350÷450°С в течение 10 мин. В результате этой операции формируется слой твердого раствора на основе цирконата-титаната свинца. Затем таким же образом сверху формируют остальные слои твердого раствора на основе цирконата-титаната свинца путем послойного нанесения, сушки и пиролиза. Количество слоев твердого раствора на основе цирконата-титаната свинца зависит от необходимой толщины формируемой сегнетоэлектрической пленки 4. После этого проводят кристаллизацию при температуре 600÷700°С в течение 15÷30 мин для получения сегнетоэлектрической пленки 4.
Верхний электрод 5 формируется на сегнетоэлектрической пленке 4 аналогично нижнему электроду 3.
Последним этапом создания самосовмещенного сегнетоэлектрического конденсатора с электродами из LaNiO3 является планаризация поверхности слоистой конденсаторной структуры, имеющей U-образный профиль сечения, путем механической полировки, химико-механической полировки или ионно-лучевого травления инертным газом, например, аргоном при малых углах падения пучка ионов к плоскости подложки в диапазоне от 2° до 7° и энергией от 0,5 до 10 кэВ.
Предложенная полезная модель позволяет увеличить токовый сигнал, обусловленный переключением заряда спонтанной поляризации сегнетоэлектрического конденсатора.
Claims (1)
- Сегнетоэлектрический конденсатор, содержащий подложку и последовательно нанесенные на нее барьерный подслой, нижний электрод из LaNiO3, сегнетоэлектрическую пленку на основе цирконата-титаната свинца и верхний электрод из LaNiO3, образующие слоистую конденсаторную структуру, слои которой нанесены методом химического осаждения из растворов, отличающийся тем, что подложка выполнена с углублением, в котором сформирована слоистая конденсаторная структура, имеющая U-образный планаризованный профиль сечения.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021127110U RU210435U1 (ru) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021127110U RU210435U1 (ru) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU210435U1 true RU210435U1 (ru) | 2022-04-15 |
Family
ID=81255695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021127110U RU210435U1 (ru) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU210435U1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040043520A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Fujitsu Limited | Device having capacitor and its manufacture |
| CN1507030A (zh) * | 2002-12-06 | 2004-06-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 使用于低驱动电压的铁电电容制造方法 |
| RU186911U1 (ru) * | 2018-10-26 | 2019-02-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" | ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
| CN113012939A (zh) * | 2021-02-22 | 2021-06-22 | 四川大学 | 高耐电压低损耗硅基薄膜电容器及其制备方法 |
-
2021
- 2021-09-15 RU RU2021127110U patent/RU210435U1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040043520A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Fujitsu Limited | Device having capacitor and its manufacture |
| CN1507030A (zh) * | 2002-12-06 | 2004-06-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 使用于低驱动电压的铁电电容制造方法 |
| RU186911U1 (ru) * | 2018-10-26 | 2019-02-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" | ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
| CN113012939A (zh) * | 2021-02-22 | 2021-06-22 | 四川大学 | 高耐电压低损耗硅基薄膜电容器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| YUN S.H. et al. Systematic investigation of the growth of LaNiO3/PZT/LaNiO3/Si and LaNiO3/PZT/LaNiO3/polymer/Si for IR detector applications // Infrared Detectors and Focal Plane Arrays VII. - 2002. - V. 4721. - P. 75-82. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10192972B2 (en) | Semiconductor ferroelectric storage transistor and method for manufacturing same | |
| US7759771B2 (en) | Resistance random access memory and method of manufacturing the same | |
| US6649957B2 (en) | Thin film polycrystalline memory structure | |
| US11145665B2 (en) | Electrical storage device with negative capacitance | |
| KR20080009748A (ko) | 강유전성 박막을 형성하기 위한 방법, 상기 방법의 사용 및강유전성 올리고머 메모리 물질을 갖는 메모리 | |
| CN100388497C (zh) | 金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法及半导体装置 | |
| JPH10270654A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US20120171784A1 (en) | Magnetron-sputtering film-forming apparatus and manufacturing method for a semiconductor device | |
| KR100740964B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| WO1997033316A1 (fr) | Composant a semi-conducteur et sa fabrication | |
| RU210435U1 (ru) | САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 | |
| US7183601B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| JPH10321809A (ja) | 半導体記憶素子の製造方法 | |
| KR100238210B1 (ko) | 산화티탄마그네슘 박막을 이용한 fram 및 ffram 소자 | |
| US20080019075A1 (en) | Dielectric capacitor | |
| JPH11261028A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| EP1730746B1 (en) | Creation of electron traps in metal nitride and metal oxide electrodes in polymer memory devices | |
| JP2692646B2 (ja) | ビスマス系層状強誘電体を用いたキャパシタとその製造方法 | |
| JP3604253B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2002329845A (ja) | 強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ装置 | |
| KR100490174B1 (ko) | Pzt박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자와 그 제조방법 | |
| KR100967110B1 (ko) | 하부층의 배향성을 따르는 강유전체막 형성 방법 및 그를이용한 강유전체 캐패시터 형성 방법 | |
| JP4167792B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10152398A (ja) | 強誘電体薄膜の形成方法 | |
| KR20010061110A (ko) | 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 |