RU186911U1 - ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 - Google Patents
ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 Download PDFInfo
- Publication number
- RU186911U1 RU186911U1 RU2018137869U RU2018137869U RU186911U1 RU 186911 U1 RU186911 U1 RU 186911U1 RU 2018137869 U RU2018137869 U RU 2018137869U RU 2018137869 U RU2018137869 U RU 2018137869U RU 186911 U1 RU186911 U1 RU 186911U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- lower electrode
- electrode
- ferroelectric film
- upper electrode
- perovskite
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910002340 LaNiO3 Inorganic materials 0.000 title 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 claims abstract description 16
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- MTJGVAJYTOXFJH-UHFFFAOYSA-N 3-aminonaphthalene-1,5-disulfonic acid Chemical compound C1=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=CC(N)=CC(S(O)(=O)=O)=C21 MTJGVAJYTOXFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003421 Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLRJWBUSTKIQQH-UHFFFAOYSA-K lanthanum(3+);triacetate Chemical compound [La+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JLRJWBUSTKIQQH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229940078487 nickel acetate tetrahydrate Drugs 0.000 description 1
- OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ni+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Использование: для создания электрических конденсаторов с нелинейным диэлектриком. Сущность полезной модели заключается в том, что пористый сегнетоэлектрический конденсатор содержит нижний электрод и верхний электрод, разделенные бездефектной кристаллической сегнетоэлектрической пленкой на основе цирконата-титаната свинца с равномерным включением пор, при этом сегнетоэлектрическая пленка, нижний электрод и верхний электрод сформированы методом химического осаждения из растворов, нижний электрод и верхний электрод выполнены из идентичного материала - проводящего LaNiO, имеющего перовскитную природу подобную сегнетоэлектрической пленке, нижний электрод выполнен в виде столбчатых зерен перовскита с преимущественной кристаллографической ориентацией. Технический результат - обеспечение возможности более технологичного создания конденсаторов. 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области электрических устройств, а именно к электрическим конденсаторам с нелинейным диэлектриком, и может быть использована в технологии микроэлектронного производства широкого класса управляемых электрическим полем элементов и пьезоэлектрических устройств микромеханики, а также разнообразных датчиков, преобразователей и пьезоэлектрических генераторов электрической энергии.
Из уровня техники известен пористый сегнетоэлектрический конденсатор, содержащий нижний электрод и верхний электрод, разделенные бездефектной кристаллической сегнетоэлектрической пленкой на основе цирконата-титаната свинца с равномерным включением пор [Stancu V. et al. Effects ofporosity on ferroelectric properties of Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 films // Thin Solid Films. - 2007. - V.515. - P.6557-6561 (аналог)].
Недостатком аналога является использование в качестве материалов нижнего электрода и верхнего электрода драгоценных металлов - платины и золота соответственно. При этом сегнетоэлектрическую пленку формируют методом химического осаждения из раствора, а нижний электрод и верхний электрод напыляют методом термического испарения в вакууме. Эти методы не могут быть реализованы в рамках одного технологического цикла. В свою очередь использование разных материалов нижнего электрода и верхнего электрода усложняет характеризацию и работу пористого сегнетоэлектрического конденсатора, т.к. требуется учитывать поправку на различные значения работы выхода электрона.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является пористый сегнетоэлектрический конденсатор, содержащий нижний электрод и верхний электрод, разделенные бездефектной кристаллической сегнетоэлектрической пленкой на основе цирконата-титаната свинца с равномерным включением пор [патент RU 162401 U1, опубл. 10.06.2016]. Данное техническое решение выбрано в качестве прототипа.
Также как и в аналоге, в качестве материала нижнего электрода в прототипе используется платина, а в качестве материала верхнего электрода в полупроводниковой промышленности обычно применяют золото или платину, реже - иридий, рутений, родий, палладий и прочие драгоценные металлы. При этом сегнетоэлектрическую пленку формируют методом химического осаждения из раствора, а нижний электрод и верхний электрод напыляют методом термического испарения в вакууме. Эти методы не могут быть реализованы в рамках одного технологического цикла.
В основу предлагаемой полезной модели положена задача достижения следующего технического результата: уменьшение стоимости пористого сегнетоэлектрического конденсатора за счет замены материала электродов на более дешевый и технологичный.
Поставленная задача и указанный технический результат достигаются за счет того, что в пористом сегнетоэлектрическом конденсаторе, содержащем нижний электрод и верхний электрод, разделенные бездефектной кристаллической сегнетоэлектрической пленкой на основе цирконата-титаната свинца с равномерным включением пор, согласно предложенной полезной модели, сегнетоэлектрическая пленка, нижний электрод и верхний электрод сформированы методом химического осаждения из растворов, нижний электрод и верхний электрод выполнены из идентичного материала, проводящего LaNiO3, имеющего перовскитную природу подобную сегнетоэлектрической пленке, нижний электрод выполнен в виде столбчатых зерен перовскита с преимущественной кристаллографической ориентацией.
Формирование сегнетоэлектрической пленки, нижнего электрода и верхнего электрода методом химического осаждения из растворов позволяет изготавливать пористый сегнетоэлектрический конденсатор в рамках одного технологического цикла.
Выполнение нижнего электрода и верхнего электрода из идентичного материала обеспечивает более простую характеризацию и работу пористого сегнетоэлектрического конденсатора, не требующие учета поправки на различные значения работы выхода электрона.
Выполнение нижнего электрода и верхнего электрода из проводящего LaNiO3, имеющего перовскитную природу подобную сегнетоэлектрической пленке, позволяет увеличить количество циклов усталостного нагружения (до 108).
Выполнение нижнего электрода в виде столбчатых зерен перовскита с преимущественной кристаллографической ориентацией обеспечивает эпитаксиальный рост перовскитных зерен сегнетоэлектрической пленки на поликристаллической структуре нижнего электрода из LaNiO3, наследуя его кристаллографическую ориентацию, что также способствует снижению температуры кристаллизации сегнетоэлектрической пленки примерно на 50°С относительно прототипа.
Сущность полезной модели поясняется чертежом, на котором схематично изображен пористый сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3.
Пористый сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3 содержит нижний электрод 1 и верхний электрод 2, разделенные бездефектной кристаллической сегнетоэлектрической пленкой 3 на основе цирконата-титаната свинца. В объеме сегнетоэлектрической пленки 3 равномерно распределены поры 4. Сегнетоэлектрическая пленка 3, нижний электрод 1 и верхний электрод 2 сформированы методом химического осаждения из растворов. Нижний электрод 1 и верхний электрод 2 выполнены из идентичного материала - проводящего LaNiO3, имеющего перовскитную природу подобную сегнетоэлектрической пленке 3. Нижний электрод 1 выполнен в виде столбчатых зерен перовскита 5 с преимущественной кристаллографической ориентацией.
Пористый сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3 работает следующим образом.
При приложении механического напряжения (сжатия, растяжения или сдвига) к сегнетоэлектрической пленке 3 на гранях ее элементарных ячеек возникают электрические заряды противоположных знаков, и сегнетоэлектрическая пленка 3 в целом поляризуется, создавая между нижним электродом 1 и верхним электродом 2 разность потенциалов, причем при изменении направления деформации изменяются и знаки зарядов (т.н. прямой пьезоэлектрический эффекте).
При приложении разности потенциалов между нижним электродом 1 и верхним электродом 2 дипольные моменты элементарных ячеек сегнетоэлектрической пленки 3 ориентируются в направлении вектора напряженности внешнего электрического поля, и она поляризуется в соответствии с полярностью поданного напряжения. В результате поляризации происходит механическая деформация сегнетоэлектрической пленки 3, которая проявляется в виде изменения линейных размеров (сжатия или растяжения) вдоль вектора напряженности внешнего электрического поля (т.н. обратный пьезоэлектрический эффект). При отключении напряжения состояние поляризации сегнетоэлектрической пленки 3 в значительной степени сохраняется в течение длительного времени (т.н. остаточная поляризация).
На прямом пьезоэлектрическом эффекте основан принцип действия различных датчиков и пьезоэлектрических генераторов электрической энергии, а на обратном - принцип работы исполнительных элементов микроэлектромеханических систем и преобразователей.
Изготовление предлагаемой полезной модели может быть осуществлено (технически реализовано) следующим образом.
Процесс изготовления пористого сегнетоэлектрического конденсатора с электродами из LaNiO3 начинают с приготовления безводного пленкообразующего раствора на основе цирконата-титаната свинца, осуществляемого, например, в соответствии со способом, описанным в [патент RU 2470866 С1, опубл. 27.12.2012], и пленкообразующего раствора никелата лантана с мольным соотношением La:Ni=1:1. Последний получают путем растворения соответствующего. количества ацетата лантана [La(СН3СОО)з] и тетрагидрата ацетата никеля [Ni(СН3СОО)3⋅4H2O] в ледяной уксусной кислоте (СН3СООН) при температуре 110°С и перемешивания смеси в течение 90 мин, после чего охлаждают до 70°С и добавляют уксусную кислоту для разбавления исходного раствора до требуемой мольной концентрации, например, 0,3 М. Затем, пленкообразующий раствор охлаждают при перемешивании до температуры 20÷25°С, после чего пропускают через фильтр с размером пор 20-22 мкм.
Безводный пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца может дополнительно содержать, по меньшей мере, одну легирующую добавку (например, лантан или ниобий) для снижения токов утечки в сегнетоэлектрической пленке 3 за счет компенсации свободных носителей заряда (дырок).
В приготовленный безводный пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца вводят до 20 мас.% порогена в виде молекул органического полимера, содержащих амидные и/или этиленовые группы, осуществляемого, например, в соответствии с [патент RU 162401 U1, опубл. 10.06.2016].
Для непосредственного изготовления пористого сегнетоэлектрического конденсатора с электродами из LaNiO3 берут подложку, на которой, при необходимости, формируют диэлектрический, адгезионный и барьерный подслои. Затем наносят пленкообразующий раствор никелата лантана, например, методом центрифугирования при скорости вращения 2000÷3000 об/мин. Полученный слой сушат при температуре 150÷250°С в течение 5 мин и подвергают пиролизу при температуре 400÷500°С в течение 10 мин. В результате этой операции формируется слой твердого раствора LaNiO3. Затем таким же образом сверху формируют остальные слои твердого раствора LaNiO3 путем послойного нанесения, сушки и пиролиза. Количество слоев твердого раствора LaNiO3 зависит от необходимой толщины формируемого нижнего электрода 1. После этого проводят кристаллизацию LaNiO3 при температуре 600÷700°С в течение 15 мин для получения нижнего электрода 1.
Следующим этапом на нижний электрод 1 наносят безводный пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца, например, методом центрифугирования при скорости вращения 2500÷3000 об/мин. Затем полученный слой сушат при температуре 150÷250°С в течение 5 мин и подвергают пиролизу при температуре 350÷450°С в течение 10 мин. В результате этой операции формируется слой твердого раствора Pb(Zr,Ti)O3. Затем таким же образом сверху формируют остальные слои твердого раствора Pb(Zr,Ti)O3 путем послойного нанесения, сушки и пиролиза. Количество слоев твердого раствора Pb(Zr,Ti)O3 зависит от необходимой толщины формируемой сегнетоэлектрической пленки 3. После этого проводят кристаллизацию при температуре 600÷700°С в течение 15 мин для получения сегнетоэлектрической пленки 3.
Изготовление пористого сегнетоэлектрического конденсатора с электродами из LaNiO3 заканчивают нанесением на сегнетоэлектрическую пленку 3 верхнего электрода 2, выполняемым аналогично формированию нижнего электрода 1.
Предложенная полезная модель позволяет уменьшить стоимости пористого сегнетоэлектрического конденсатора за счет замены материала электродов на более дешевый и технологичный.
Claims (1)
- Пористый сегнетоэлектрический конденсатор, содержащий нижний электрод и верхний электрод, разделенные бездефектной кристаллической сегнетоэлектрической пленкой на основе цирконата-титаната свинца с равномерным включением пор, отличающийся тем, что сегнетоэлектрическая пленка, нижний электрод и верхний электрод сформированы методом химического осаждения из растворов, нижний электрод и верхний электрод выполнены из идентичного материала, проводящего LaNiO3, имеющего перовскитную природу, подобную сегнетоэлектрической пленке, нижний электрод выполнен в виде столбчатых зерен перовскита с преимущественной кристаллографической ориентацией.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137869U RU186911U1 (ru) | 2018-10-26 | 2018-10-26 | ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137869U RU186911U1 (ru) | 2018-10-26 | 2018-10-26 | ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU186911U1 true RU186911U1 (ru) | 2019-02-11 |
Family
ID=65442062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018137869U RU186911U1 (ru) | 2018-10-26 | 2018-10-26 | ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU186911U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU210435U1 (ru) * | 2021-09-15 | 2022-04-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА Российский технологический университет» | САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5817170A (en) * | 1993-06-22 | 1998-10-06 | Ceram Incorporated | Low temperature seeding process for ferroelectric memory device |
| US6337032B1 (en) * | 1995-07-27 | 2002-01-08 | Nortel Networks Limited | Sol-gel precursor and method for formation of ferroelectric materials for integrated circuits |
| RU2470866C1 (ru) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" | Способ приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца с низкой температурой кристаллизации |
| RU2530534C1 (ru) * | 2013-10-02 | 2014-10-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" | Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора |
-
2018
- 2018-10-26 RU RU2018137869U patent/RU186911U1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5817170A (en) * | 1993-06-22 | 1998-10-06 | Ceram Incorporated | Low temperature seeding process for ferroelectric memory device |
| US6337032B1 (en) * | 1995-07-27 | 2002-01-08 | Nortel Networks Limited | Sol-gel precursor and method for formation of ferroelectric materials for integrated circuits |
| RU2470866C1 (ru) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" | Способ приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца с низкой температурой кристаллизации |
| RU2530534C1 (ru) * | 2013-10-02 | 2014-10-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" | Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU210435U1 (ru) * | 2021-09-15 | 2022-04-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА Российский технологический университет» | САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhao et al. | Recoverable self-polarization in lead-free bismuth sodium titanate piezoelectric thin films | |
| JP2021193738A (ja) | 膜構造体及び成膜装置 | |
| Zhao et al. | Preparation and electrical properties of Pb (Zr0. 52Ti0. 48) O3 thick films embedded with ZnO nanowhiskers by a hybrid sol–gel route | |
| Kim et al. | High‐performance (Na0. 5K0. 5) NbO3 thin film piezoelectric energy Harvester | |
| KR20140097875A (ko) | 스프레이 코팅을 통해 제조된 β-상 ＰＶＤＦ 필름을 포함하는 압전소자 | |
| CN106104826B (zh) | 掺杂Mn的PZT系压电膜形成用组合物及掺杂Mn的PZT系压电膜 | |
| RU186911U1 (ru) | ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 | |
| US9780295B2 (en) | Lead-free piezoelectric material | |
| EP4162541A1 (en) | Piezoelectric assembly and process of forming a piezoelectric assembly | |
| CN110527952A (zh) | 一种钛酸钡/镍酸镧铁电超晶格薄膜材料及其制备方法 | |
| Pintilie et al. | Properties of perovskite ferroelectrics deposited on F doped SnO2 electrodes and the prospect of their integration into perovskite solar cells | |
| KR101440484B1 (ko) | 스프레이 코팅을 이용한 β-상 ＰＶＤＦ 필름의 제조방법 | |
| JP6910631B2 (ja) | 膜構造体及びその製造方法 | |
| CN110643948A (zh) | 一种钛酸锶/钌酸锶铁电超晶格薄膜材料及其制备方法 | |
| Ohno et al. | Preparation and characterization of alkoxide-derived lead-free piezoelectric barium zirconate titanate thin films with different compositions | |
| JP4766299B2 (ja) | （１１１）配向ｐｚｔ系誘電体膜形成用基板、この基板を用いて形成されてなる（１１１）配向ｐｚｔ系誘電体膜 | |
| CN109279652A (zh) | 一种铂-锆钛酸铅纳米复合铁电薄膜材料及制备方法 | |
| CN115623851A (zh) | 一种柔性可弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法和应用 | |
| RU162401U1 (ru) | Пористый сегнетоэлектрический конденсатор | |
| RU2530534C1 (ru) | Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора | |
| CN1453832A (zh) | 氧化介电薄膜的气相生长方法 | |
| KR20140102005A (ko) | 발전효율이 향상된 이종접합 구조인 발전소자의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 발전소자 | |
| RU153583U1 (ru) | Сегнетоэлектрический конденсатор | |
| CN106463608B (zh) | Pzt薄膜层叠体和pzt薄膜层叠体的制造方法 | |
| Lee et al. | Structural Properties of PZT (80/20) Thick Films Fabricated by Screen Printing Method |