RU2089659C1 - Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме - Google Patents
Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме Download PDFInfo
- Publication number
- RU2089659C1 RU2089659C1 RU93018757A RU93018757A RU2089659C1 RU 2089659 C1 RU2089659 C1 RU 2089659C1 RU 93018757 A RU93018757 A RU 93018757A RU 93018757 A RU93018757 A RU 93018757A RU 2089659 C1 RU2089659 C1 RU 2089659C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- magnetic system
- vacuum
- magnetic
- frame
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
В основу изобретения положена задача повысить индукцию в рабочем зазоре и тем самым повысить скорость распыления материала. Эта задача решается тем, что вакуумная камера выполнена из немагнитного материала в форме прямоугольного параллелепипеда, у которого боковые стенки выполнены из диэлектрического материала, высота параллелепипеда составляет половину от ширины магнитной системы, которая расположена вне вакуумной камеры, магнитная система с замкнутым магнитным полем выполнена в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения, а полюса магнитной системы обращены внутрь рамки. 1 з.п. ф-лы. 3 ил.
Description
Изобретение касается нанесения тонких пленок в вакууме, более конкретно устройств катодного узла.
Известно устройство катодного узла [1] содержащее катод, мишень, анод, магнитную систему, нагреватель, расположенный со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катода.
Недостатком аналога малая индукция в рабочем зазоре, что снижает скорость распыления материала.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство катодного узла [2] содержащее электрод-мишень, конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему, экраны и элементы охлаждения и напуска газа.
Недостатком прототипа является то, что магнитная индукция в рабочем зазоре мала, что снижает скорость распыления материала.
В основу изобретения положена задача повысить индукцию в рабочем зазоре и тем самым повысить скорость распыления материала.
Эта задача решается тем, что вакуумная камера выполнена из немагнитного материала в форме прямоугольного параллелепипеда, у которого боковые стенки выполнены из диэлектрического материала, высота параллелепипеда составляет половину от ширины магнитной системы, которая расположена вне вакуумной камеры, магнитная система с замкнутым магнитным полем выполнена в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения, а полюса магнитной системы обращены внутрь рамки.
Введение в устройстве катодного узла вакуумной камеры из немагнитного материала в форме прямоугольного параллелепипеда, с боковыми стенками из диэлектрического материала, магнитной системы в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения обеспечивает повышение индукции в рабочем зазоре и тем самым повышение скорости распыления материала.
Сопоставительный анализ устройства катодного и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию "новизна".
Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники, позволило выявить в них совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".
На фиг. 1 показан вид сбоку в разрезе катодного узла; на фиг. 2 вид сверху устройства катодного узла; на фиг. 3 общий вид замкнутой магнитной системы в виде рамки.
Устройство катодного узла содержит электрод-мишень 1, расположенный в вакуумной камере 2, конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему 3, элементы охлаждения 4 и напуска газа 5. Вакуумная камера 2 выполнена из немагнитного материала, в форме прямоугольного параллелепипеда 6, у которого боковые стенки 7 из диэлектрического материала, высота H параллелепипеда 6 составляет половину от ширины B магнитной системы 3, которая расположена вне вакуумной камеры 2. Магнитная система 3 с замкнутым магнитным полем выполнена в виде рамки 8 (фиг. 3), установленной на вакуумной камере 2 с возможностью линейного перемещения, а полюса 9, 10 магнитной системы 3 обращены внутрь рамки 8 (фиг. 3).
Устройство катодного узла работает следующим образом. Рамка 8 перемещается (устройство перемещения условно не показано) вдоль вакуумной камеры 2. При этом индукция в магнитном зазоре примерно в два раза больше, чем при использовании обычного планарного магнита. Удаление или нанесение материала на электрод-мишень осуществляется также по мере перемещения рамки 8, при наличии источника питания. Магнитные и электрические поля при этом являются скрещивающимися (фиг. 1,2,3).
Применение предлагаемого катодного узла позволяет повысить скорость распыления за счет повышения индукции в магнитном зазоре.
Источники информации:
1. Заявка ФРГ N 3619194, С 23 С 14/34, 1987.
1. Заявка ФРГ N 3619194, С 23 С 14/34, 1987.
2. Б.С.Данилин.Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М. Энергоатомиздат, с.73, 1989.
Claims (2)
1. Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме, содержащее электрод-мишень, расположенный в вакуумной камере, конструктивно связанную с ним магнитную систему и элементы охлаждения, отличающееся тем, что вакуумная камера выполнена из немагнитного материала с боковыми стенками из диэлектрического материала в форме прямоугольного параллелепипеда высотой, составляющей половину ширины магнитной системы, магнитная система имеет замкнутое магнитное поле и выполнена в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения, а полюса магнитной системы обращены внутрь рамки.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что вакуумная камера выполнена с элементами напуска газа.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93018757A RU2089659C1 (ru) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93018757A RU2089659C1 (ru) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU93018757A RU93018757A (ru) | 1995-10-20 |
RU2089659C1 true RU2089659C1 (ru) | 1997-09-10 |
Family
ID=20140105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU93018757A RU2089659C1 (ru) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2089659C1 (ru) |
-
1993
- 1993-04-12 RU RU93018757A patent/RU2089659C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Заявка ФРГ N 3619194, кл. C 23 C 14/34, 1987. 2. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. - М.: Энергоатомиздат, с. 78, 1989. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3878085A (en) | Cathode sputtering apparatus | |
US4915805A (en) | Hollow cathode type magnetron apparatus construction | |
JP4339597B2 (ja) | ダイポールイオン源 | |
US4865708A (en) | Magnetron sputtering cathode | |
US7932678B2 (en) | Magnetic mirror plasma source and method using same | |
ATE244777T1 (de) | Rechteckige vakuumlichtbogenplasmaquelle | |
KR930004495A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
CN103103489B (zh) | 磁控溅射装置 | |
KR970003434A (ko) | 스퍼터링장치 | |
US9761423B2 (en) | Sputtering apparatus and magnet unit | |
CA1153733A (en) | Magnetically enhanced sputtering device including means for sputtering magnetically permeable targets | |
RU2089659C1 (ru) | Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме | |
KR840000665A (ko) | 고율 스퍼터링(sputtering) 장치 및 방법 | |
US5277779A (en) | Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source | |
FR2609837B1 (fr) | Disjoncteur polyphase a autoexpansion equipe d'une chambre de coupure blindee par pole | |
JPS6151410B2 (ru) | ||
KR940019359A (ko) | 기판 코팅 장치 | |
KR950018638A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
JPH0525625A (ja) | マグネトロンスパツタカソード | |
JPS57188679A (en) | Sputtering source for thin film forming device | |
RU93018757A (ru) | Устройство катодного узла | |
RU1818358C (ru) | Магнетронное распылительное устройство | |
JPS5743986A (en) | Film forming apparatus | |
JPS5531142A (en) | Pressed magnetic field type magnetron sputter by focusing magnetic field | |
EP0474584A3 (en) | Capacitively coupled radiofrequency plasma source |