RU2089659C1 - Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме - Google Patents

Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме Download PDF

Info

Publication number
RU2089659C1
RU2089659C1 RU93018757A RU93018757A RU2089659C1 RU 2089659 C1 RU2089659 C1 RU 2089659C1 RU 93018757 A RU93018757 A RU 93018757A RU 93018757 A RU93018757 A RU 93018757A RU 2089659 C1 RU2089659 C1 RU 2089659C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
vacuum chamber
magnetic system
vacuum
magnetic
frame
Prior art date
Application number
RU93018757A
Other languages
English (en)
Other versions
RU93018757A (ru
Inventor
Е.Н. Ивашов
П.Е. Кондрашов
С.М. Оринчев
В.В. Слепцов
С.В. Степанчиков
Original Assignee
Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) filed Critical Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)
Priority to RU93018757A priority Critical patent/RU2089659C1/ru
Publication of RU93018757A publication Critical patent/RU93018757A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2089659C1 publication Critical patent/RU2089659C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

В основу изобретения положена задача повысить индукцию в рабочем зазоре и тем самым повысить скорость распыления материала. Эта задача решается тем, что вакуумная камера выполнена из немагнитного материала в форме прямоугольного параллелепипеда, у которого боковые стенки выполнены из диэлектрического материала, высота параллелепипеда составляет половину от ширины магнитной системы, которая расположена вне вакуумной камеры, магнитная система с замкнутым магнитным полем выполнена в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения, а полюса магнитной системы обращены внутрь рамки. 1 з.п. ф-лы. 3 ил.

Description

Изобретение касается нанесения тонких пленок в вакууме, более конкретно устройств катодного узла.
Известно устройство катодного узла [1] содержащее катод, мишень, анод, магнитную систему, нагреватель, расположенный со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катода.
Недостатком аналога малая индукция в рабочем зазоре, что снижает скорость распыления материала.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство катодного узла [2] содержащее электрод-мишень, конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему, экраны и элементы охлаждения и напуска газа.
Недостатком прототипа является то, что магнитная индукция в рабочем зазоре мала, что снижает скорость распыления материала.
В основу изобретения положена задача повысить индукцию в рабочем зазоре и тем самым повысить скорость распыления материала.
Эта задача решается тем, что вакуумная камера выполнена из немагнитного материала в форме прямоугольного параллелепипеда, у которого боковые стенки выполнены из диэлектрического материала, высота параллелепипеда составляет половину от ширины магнитной системы, которая расположена вне вакуумной камеры, магнитная система с замкнутым магнитным полем выполнена в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения, а полюса магнитной системы обращены внутрь рамки.
Введение в устройстве катодного узла вакуумной камеры из немагнитного материала в форме прямоугольного параллелепипеда, с боковыми стенками из диэлектрического материала, магнитной системы в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения обеспечивает повышение индукции в рабочем зазоре и тем самым повышение скорости распыления материала.
Сопоставительный анализ устройства катодного и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию "новизна".
Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники, позволило выявить в них совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".
На фиг. 1 показан вид сбоку в разрезе катодного узла; на фиг. 2 вид сверху устройства катодного узла; на фиг. 3 общий вид замкнутой магнитной системы в виде рамки.
Устройство катодного узла содержит электрод-мишень 1, расположенный в вакуумной камере 2, конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему 3, элементы охлаждения 4 и напуска газа 5. Вакуумная камера 2 выполнена из немагнитного материала, в форме прямоугольного параллелепипеда 6, у которого боковые стенки 7 из диэлектрического материала, высота H параллелепипеда 6 составляет половину от ширины B магнитной системы 3, которая расположена вне вакуумной камеры 2. Магнитная система 3 с замкнутым магнитным полем выполнена в виде рамки 8 (фиг. 3), установленной на вакуумной камере 2 с возможностью линейного перемещения, а полюса 9, 10 магнитной системы 3 обращены внутрь рамки 8 (фиг. 3).
Устройство катодного узла работает следующим образом. Рамка 8 перемещается (устройство перемещения условно не показано) вдоль вакуумной камеры 2. При этом индукция в магнитном зазоре примерно в два раза больше, чем при использовании обычного планарного магнита. Удаление или нанесение материала на электрод-мишень осуществляется также по мере перемещения рамки 8, при наличии источника питания. Магнитные и электрические поля при этом являются скрещивающимися (фиг. 1,2,3).
Применение предлагаемого катодного узла позволяет повысить скорость распыления за счет повышения индукции в магнитном зазоре.
Источники информации:
1. Заявка ФРГ N 3619194, С 23 С 14/34, 1987.
2. Б.С.Данилин.Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М. Энергоатомиздат, с.73, 1989.

Claims (2)

1. Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме, содержащее электрод-мишень, расположенный в вакуумной камере, конструктивно связанную с ним магнитную систему и элементы охлаждения, отличающееся тем, что вакуумная камера выполнена из немагнитного материала с боковыми стенками из диэлектрического материала в форме прямоугольного параллелепипеда высотой, составляющей половину ширины магнитной системы, магнитная система имеет замкнутое магнитное поле и выполнена в виде рамки, установленной на вакуумной камере с возможностью линейного перемещения, а полюса магнитной системы обращены внутрь рамки.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что вакуумная камера выполнена с элементами напуска газа.
RU93018757A 1993-04-12 1993-04-12 Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме RU2089659C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93018757A RU2089659C1 (ru) 1993-04-12 1993-04-12 Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93018757A RU2089659C1 (ru) 1993-04-12 1993-04-12 Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93018757A RU93018757A (ru) 1995-10-20
RU2089659C1 true RU2089659C1 (ru) 1997-09-10

Family

ID=20140105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93018757A RU2089659C1 (ru) 1993-04-12 1993-04-12 Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2089659C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Заявка ФРГ N 3619194, кл. C 23 C 14/34, 1987. 2. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. - М.: Энергоатомиздат, с. 78, 1989. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3878085A (en) Cathode sputtering apparatus
US4915805A (en) Hollow cathode type magnetron apparatus construction
JP4339597B2 (ja) ダイポールイオン源
US4865708A (en) Magnetron sputtering cathode
US7932678B2 (en) Magnetic mirror plasma source and method using same
ATE244777T1 (de) Rechteckige vakuumlichtbogenplasmaquelle
KR930004495A (ko) 스퍼터링 장치
CN103103489B (zh) 磁控溅射装置
KR970003434A (ko) 스퍼터링장치
US9761423B2 (en) Sputtering apparatus and magnet unit
CA1153733A (en) Magnetically enhanced sputtering device including means for sputtering magnetically permeable targets
RU2089659C1 (ru) Устройство катодного узла для нанесения пленок в вакууме
KR840000665A (ko) 고율 스퍼터링(sputtering) 장치 및 방법
US5277779A (en) Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source
FR2609837B1 (fr) Disjoncteur polyphase a autoexpansion equipe d'une chambre de coupure blindee par pole
JPS6151410B2 (ru)
KR940019359A (ko) 기판 코팅 장치
KR950018638A (ko) 스퍼터링 장치
JPH0525625A (ja) マグネトロンスパツタカソード
JPS57188679A (en) Sputtering source for thin film forming device
RU93018757A (ru) Устройство катодного узла
RU1818358C (ru) Магнетронное распылительное устройство
JPS5743986A (en) Film forming apparatus
JPS5531142A (en) Pressed magnetic field type magnetron sputter by focusing magnetic field
EP0474584A3 (en) Capacitively coupled radiofrequency plasma source