RU2063081C1 - Материал для композиционных резисторов - Google Patents

Материал для композиционных резисторов Download PDF

Info

Publication number
RU2063081C1
RU2063081C1 SU5058468A RU2063081C1 RU 2063081 C1 RU2063081 C1 RU 2063081C1 SU 5058468 A SU5058468 A SU 5058468A RU 2063081 C1 RU2063081 C1 RU 2063081C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nickel
silicides
niobium
titanium
molybdenum
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Юрьевич Шиков
Original Assignee
Алексей Юрьевич Шиков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Алексей Юрьевич Шиков filed Critical Алексей Юрьевич Шиков
Priority to SU5058468 priority Critical patent/RU2063081C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2063081C1 publication Critical patent/RU2063081C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

Использование: резистивные материалы для образования толстопленочных резистивных покрытий на керамических или металлодиэлектрических основаниях. Сущность изобретения: материал для композиционных резисторов содержит стеклосвязующее и токопроводящую фазу на основе никеля с содержанием никеля, отвечающим формуле: Ni<Mv>3<D>B, Ni<Mv>2,5<D>B, Hi<Mv>2<D>B, боридов молибдена, ниобия, титана и хрома, а также силицидов металлов, в качестве которых использованы силициды молибдена, ниобия, титана, никеля и хрома. 2 ил. 1

Description

Изобретение относится к резистивному нагреву, а именно к резистивным материалам для oбразования толстопленочных резистивных покрытий на керамических или металлодиэлектрических основаниях.
Наиболее близким из известных является композиционный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе борида никеля и силицида никеля (Ni3B + Ni3Si), а также свинцовоборосиликатное стеклосвязующее с добавками оксидов Ва, Са, Сd, Zn (патент США N 3943168, заяв. 13.11.71, опублик. 09.05.76. Аналоги: N 55-51285 от 23.12.80, заяв. N 50-135761 от 13.11.75 (Япония), N 2291584 (Франция).
Недостатками известного материала являются узкий диапазон удельных сопротивлений -Rs = 0.04 ... 0.68 ом/□ и применение свинцово-борсиликатного стекла, ограничивающего теплостойкость композиции.
Технической задачей, решаемой изобретением, является разработка материала с диапазоном удельных сопротивлений Rs 0,5 50 50 ом/□ и теплостойкостью до 500oC.
Указанная техническая задача решается благодаря тому, что в резистивном материале, содержащем смесь борида никеля с боридами металлов Мо, Nb, Тi, Cr, токопроводящая фаза дополнительно содержит силициды металлов Мо, Nb, Ti, Cr.
На фиг. 1 изображен вариант нанесения резистивного материала на керамическую основу; на фиг. 2 вариант нанесения резистивного материала на металлическую основу.
В случае изготовления толстопленочных низкоомных резисторов с высоким уровнем в рассеиваемой тепловой энергии материал 1 может быть нанесен на керамическую теплостойкую основу 2 или на металлическую (стальную) основу 3, при этом в случае нанесения резистивного материала на металлическую основу между ними всегда наносят слой диэлектрика 4. В обоих случаях указанные резисторы оснащают контактными площадками 5 и защитным слоем 6 из стеклянного порошка, обеспечивающего защиту резистивного материала от воздействия кислорода и других неблагоприятных факторов окружающей среды.
Процесс формирования материала указанной композиции ведется на воздухе, что значительно упрощает и удешевляет процесс. Ниже приведены примеры резистивных материалов с различными физическими характеристиками, но изготавливаемыми по одному шаблону.
Примеры композиций резистивного материала,
1. (Ni3H, Ni2,5В, Ni2B) 20
MoSi2 30
Мо2B5 15
Nb3Si 5
Бессвинцовое стеклосвязующее 30
Rs = 5 ... 7 ом/□, рабочая температура дo 500oС.
2. (Ni3В, Ni2,5В, Ni2В) 50
MoSi2 10
Mo2B5 20
Nb3Si 5
TiB2 5
Бессвинцовое стеклосвязующее 10
Rs = 0.3 ... 0.5 ом/□, pабочая температура до 500oС.
3. (Ni3B, Ni2,5B, Ni2B) 40
MoSi2 20
Mo2B5 10
CrSi2 2
Бессвинцовое стеклосвязующее 28
Rs = 30 ... 50 ом/□, рабочая температура до 500oС.

Claims (2)

1. Материал для композиционных резисторов, содержащий токопроводящую фазу на основе борида Ni и боридов металлов и стеклосвязующее, отличающийся тем, что материал дополнительно содержит в составе токопроводящей фазы силициды металлов, при этом в качестве боридов металлов он содержит бориды молибдена, ниобия, титана и хрома, а содержание никеля в составе боридов отвечает общей формуле Ni3B, Ni2,5B, Ni2B.
2. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве силицидов металлов он содержит силициды молибдена, ниобия, титана, никеля и хрома.
SU5058468 1992-08-11 1992-08-11 Материал для композиционных резисторов RU2063081C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5058468 RU2063081C1 (ru) 1992-08-11 1992-08-11 Материал для композиционных резисторов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5058468 RU2063081C1 (ru) 1992-08-11 1992-08-11 Материал для композиционных резисторов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2063081C1 true RU2063081C1 (ru) 1996-06-27

Family

ID=21611481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5058468 RU2063081C1 (ru) 1992-08-11 1992-08-11 Материал для композиционных резисторов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2063081C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2762527A1 (fr) * 1997-04-24 1998-10-30 China Petrochemical Corp Catalyseur a base d'alliage amorphe, son procede de preparation et son utilisation

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент США N 3503801, кл. Н 01 С 7/00, 1970. Патент США N 3943168, кл. H 01 С 7/00, 1976. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2762527A1 (fr) * 1997-04-24 1998-10-30 China Petrochemical Corp Catalyseur a base d'alliage amorphe, son procede de preparation et son utilisation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4999049A (en) Thick film electrically resistive track material
US3370262A (en) Electrical resistor
EP0797220A3 (en) A resistor composition and resistors using the same
RU2063081C1 (ru) Материал для композиционных резисторов
JPS5836482B2 (ja) 抵抗物質
JP3145389B2 (ja) 発熱体
US3962143A (en) Reactively-bonded thick-film ink
US4311730A (en) Thick film circuits
JPS5854601A (ja) ハイブリツド回路基板上に厚膜バリスタを形成する方法
JPS5931841B2 (ja) 抵抗材料およびそれにより作られた抵抗器
US5518521A (en) Process of producing a low TCR surge resistor using a nickel chromium alloy
JP2646083B2 (ja) セラミツクヒータ
JPS59195552A (ja) 被覆用ガラス組成物及び被覆用ガラスペ−スト
US1671469A (en) Electric resistance
RU2140134C1 (ru) Нагреватель электрический плоский стальной
JP3246245B2 (ja) 抵抗体
JPH01104672A (ja) セラミックヒータ用塗料
JP2870692B2 (ja) 薄膜型サーマルヘッド
JP2937073B2 (ja) 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体
JP3538700B2 (ja) 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板
US3950597A (en) Powder compositions of polynary oxides and copper
JP2646751B2 (ja) サーマルヘッド
JPH0247592Y2 (ru)
SU834781A1 (ru) Резистивный материал
JPS63304592A (ja) 厚膜抵抗組成物及びこの厚膜抵抗組成物により製造される面発熱体