RU2063081C1 - Материал для композиционных резисторов - Google Patents
Материал для композиционных резисторов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2063081C1 RU2063081C1 SU5058468A RU2063081C1 RU 2063081 C1 RU2063081 C1 RU 2063081C1 SU 5058468 A SU5058468 A SU 5058468A RU 2063081 C1 RU2063081 C1 RU 2063081C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nickel
- silicides
- niobium
- titanium
- molybdenum
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
Использование: резистивные материалы для образования толстопленочных резистивных покрытий на керамических или металлодиэлектрических основаниях. Сущность изобретения: материал для композиционных резисторов содержит стеклосвязующее и токопроводящую фазу на основе никеля с содержанием никеля, отвечающим формуле: Ni<Mv>3<D>B, Ni<Mv>2,5<D>B, Hi<Mv>2<D>B, боридов молибдена, ниобия, титана и хрома, а также силицидов металлов, в качестве которых использованы силициды молибдена, ниобия, титана, никеля и хрома. 2 ил. 1
Description
Изобретение относится к резистивному нагреву, а именно к резистивным материалам для oбразования толстопленочных резистивных покрытий на керамических или металлодиэлектрических основаниях.
Наиболее близким из известных является композиционный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе борида никеля и силицида никеля (Ni3B + Ni3Si), а также свинцовоборосиликатное стеклосвязующее с добавками оксидов Ва, Са, Сd, Zn (патент США N 3943168, заяв. 13.11.71, опублик. 09.05.76. Аналоги: N 55-51285 от 23.12.80, заяв. N 50-135761 от 13.11.75 (Япония), N 2291584 (Франция).
Недостатками известного материала являются узкий диапазон удельных сопротивлений -Rs = 0.04 ... 0.68 ом/□ и применение свинцово-борсиликатного стекла, ограничивающего теплостойкость композиции.
Технической задачей, решаемой изобретением, является разработка материала с диапазоном удельных сопротивлений Rs 0,5 50 50 ом/□ и теплостойкостью до 500oC.
Указанная техническая задача решается благодаря тому, что в резистивном материале, содержащем смесь борида никеля с боридами металлов Мо, Nb, Тi, Cr, токопроводящая фаза дополнительно содержит силициды металлов Мо, Nb, Ti, Cr.
На фиг. 1 изображен вариант нанесения резистивного материала на керамическую основу; на фиг. 2 вариант нанесения резистивного материала на металлическую основу.
В случае изготовления толстопленочных низкоомных резисторов с высоким уровнем в рассеиваемой тепловой энергии материал 1 может быть нанесен на керамическую теплостойкую основу 2 или на металлическую (стальную) основу 3, при этом в случае нанесения резистивного материала на металлическую основу между ними всегда наносят слой диэлектрика 4. В обоих случаях указанные резисторы оснащают контактными площадками 5 и защитным слоем 6 из стеклянного порошка, обеспечивающего защиту резистивного материала от воздействия кислорода и других неблагоприятных факторов окружающей среды.
Процесс формирования материала указанной композиции ведется на воздухе, что значительно упрощает и удешевляет процесс. Ниже приведены примеры резистивных материалов с различными физическими характеристиками, но изготавливаемыми по одному шаблону.
Примеры композиций резистивного материала,
1. (Ni3H, Ni2,5В, Ni2B) 20
MoSi2 30
Мо2B5 15
Nb3Si 5
Бессвинцовое стеклосвязующее 30
Rs = 5 ... 7 ом/□, рабочая температура дo 500oС.
1. (Ni3H, Ni2,5В, Ni2B) 20
MoSi2 30
Мо2B5 15
Nb3Si 5
Бессвинцовое стеклосвязующее 30
Rs = 5 ... 7 ом/□, рабочая температура дo 500oС.
2. (Ni3В, Ni2,5В, Ni2В) 50
MoSi2 10
Mo2B5 20
Nb3Si 5
TiB2 5
Бессвинцовое стеклосвязующее 10
Rs = 0.3 ... 0.5 ом/□, pабочая температура до 500oС.
MoSi2 10
Mo2B5 20
Nb3Si 5
TiB2 5
Бессвинцовое стеклосвязующее 10
Rs = 0.3 ... 0.5 ом/□, pабочая температура до 500oС.
3. (Ni3B, Ni2,5B, Ni2B) 40
MoSi2 20
Mo2B5 10
CrSi2 2
Бессвинцовое стеклосвязующее 28
Rs = 30 ... 50 ом/□, рабочая температура до 500oС.
MoSi2 20
Mo2B5 10
CrSi2 2
Бессвинцовое стеклосвязующее 28
Rs = 30 ... 50 ом/□, рабочая температура до 500oС.
Claims (2)
1. Материал для композиционных резисторов, содержащий токопроводящую фазу на основе борида Ni и боридов металлов и стеклосвязующее, отличающийся тем, что материал дополнительно содержит в составе токопроводящей фазы силициды металлов, при этом в качестве боридов металлов он содержит бориды молибдена, ниобия, титана и хрома, а содержание никеля в составе боридов отвечает общей формуле Ni3B, Ni2,5B, Ni2B.
2. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве силицидов металлов он содержит силициды молибдена, ниобия, титана, никеля и хрома.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5058468 RU2063081C1 (ru) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | Материал для композиционных резисторов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5058468 RU2063081C1 (ru) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | Материал для композиционных резисторов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2063081C1 true RU2063081C1 (ru) | 1996-06-27 |
Family
ID=21611481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5058468 RU2063081C1 (ru) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | Материал для композиционных резисторов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2063081C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2762527A1 (fr) * | 1997-04-24 | 1998-10-30 | China Petrochemical Corp | Catalyseur a base d'alliage amorphe, son procede de preparation et son utilisation |
-
1992
- 1992-08-11 RU SU5058468 patent/RU2063081C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент США N 3503801, кл. Н 01 С 7/00, 1970. Патент США N 3943168, кл. H 01 С 7/00, 1976. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2762527A1 (fr) * | 1997-04-24 | 1998-10-30 | China Petrochemical Corp | Catalyseur a base d'alliage amorphe, son procede de preparation et son utilisation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4999049A (en) | Thick film electrically resistive track material | |
US3370262A (en) | Electrical resistor | |
EP0797220A3 (en) | A resistor composition and resistors using the same | |
RU2063081C1 (ru) | Материал для композиционных резисторов | |
JPS5836482B2 (ja) | 抵抗物質 | |
JP3145389B2 (ja) | 発熱体 | |
US3962143A (en) | Reactively-bonded thick-film ink | |
US4311730A (en) | Thick film circuits | |
JPS5854601A (ja) | ハイブリツド回路基板上に厚膜バリスタを形成する方法 | |
JPS5931841B2 (ja) | 抵抗材料およびそれにより作られた抵抗器 | |
US5518521A (en) | Process of producing a low TCR surge resistor using a nickel chromium alloy | |
JP2646083B2 (ja) | セラミツクヒータ | |
JPS59195552A (ja) | 被覆用ガラス組成物及び被覆用ガラスペ−スト | |
US1671469A (en) | Electric resistance | |
RU2140134C1 (ru) | Нагреватель электрический плоский стальной | |
JP3246245B2 (ja) | 抵抗体 | |
JPH01104672A (ja) | セラミックヒータ用塗料 | |
JP2870692B2 (ja) | 薄膜型サーマルヘッド | |
JP2937073B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
JP3538700B2 (ja) | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 | |
US3950597A (en) | Powder compositions of polynary oxides and copper | |
JP2646751B2 (ja) | サーマルヘッド | |
JPH0247592Y2 (ru) | ||
SU834781A1 (ru) | Резистивный материал | |
JPS63304592A (ja) | 厚膜抵抗組成物及びこの厚膜抵抗組成物により製造される面発熱体 |