RU2032234C1 - Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство - Google Patents

Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2032234C1
RU2032234C1 SU5055134/24A SU5055134A RU2032234C1 RU 2032234 C1 RU2032234 C1 RU 2032234C1 SU 5055134/24 A SU5055134/24 A SU 5055134/24A SU 5055134 A SU5055134 A SU 5055134A RU 2032234 C1 RU2032234 C1 RU 2032234C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
signal
input
output
decoder
programming
Prior art date
Application number
SU5055134/24A
Other languages
English (en)
Inventor
И.И. Липчак
Original Assignee
Уральский электрохимический комбинат
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уральский электрохимический комбинат filed Critical Уральский электрохимический комбинат
Priority to SU5055134/24A priority Critical patent/RU2032234C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2032234C1 publication Critical patent/RU2032234C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относится к вычислительной и управляющей технике. Техническим результатом является увеличение времени хранения информации. Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство содержит блок элементов памяти с ультрафиолетовым стиранием, дешифратор сигнала выбора кристалла, дешифратор сигнала разрешения выхода, формирователь сигнала записи, ключ напряжения программирования. Технический результат получается за счет введения байтового промежуточного регистра и инвертора. 5 ил.

Description

Предлагаемое репрограммируемое постоянное запоминающее устройство (РПЗУ) может быть использовано в качестве носителя программы в ЭВМ или других устройствах, в которых сохранение неизменности программы в течение длительного времени является главным показателем.
Известно РПЗУ, выполненное на элементах памяти с электрическим стиранием информации [1].
Недостатками этого РПЗУ является ограниченное время хранения информации, сложность процессов записи и стирания информации, большое энергопотребление в режиме считывания информации.
Наиболее близким к предложенному по технической сущности является запоминающее устройство [2], структурная схема которого приведена на фиг. 1.
РПЗУ состоит из дешифратора 1 сигнала выбора кристалла
Figure 00000001
, дешифратора 2 сигнала разрешения выхода
Figure 00000002
, ключа 3 напряжения программирования Uпр, формирователя 4 сигнала записи элементов памяти 5 с ультрафиолетовым стиранием, шины адреса (ША), шины данных (ШД). Входные сигналы устройства: "Чтение"; "Такт"; "Выбор"; "Программирование".
РПЗУ может работать в режимах программирования, хранения и чтения, которые задаются входными сигналами.
Диаграммы сигналов управления в режимах считывания и программирования показаны на фиг. 2 и 3 соответственно.
Недостатками РПЗУ этого типа являются ограниченное число циклов стирания и ограниченное время хранения информации.
Цель изобретения - увеличение времени хранения информации путем периодического восстановления уровня зарядов на элементах памяти до номинального значения, благодаря чему отпадает необходимость периодического стирания и повторной записи данных в случае, если содержимое программы не подлежит изменению.
Увеличение времени хранения информации достигается тем, что в РПЗУ, состоящее из элементов памяти с ультрафио- летовым стиранием, дешифратора сигнала выбора кристалла, дешифратора сигнала разрешения выхода, формирователя сигнала записи, ключа напряжения программирования, выход которого соединен с входом программирования блока элементов памяти, вход разрешения по выходу которого соединен с выходом дешифратора сигнала разрешения выхода, адресные входы которого объединены с адресными входами дешифратора сигнала выбора кристалла и адресными входами блока элементов памяти и являются адресными входами устройства, информационными входами/выходами которого являются информационные входы/выходы блока элементов памяти, вход выбора микросхемы которого соединен с выходом дешифратора сигнала выбора кристалла, первый управляющий вход которого и управляющий вход дешифратора сигнала разрешения выхода объединены и подключены к выходу формирователя сигнала записи, первый и второй входы которого являются соответственно тактовым входом и входом выбора устройства, третий вход формирователя сигнала записи и первый вход ключа напряжения программирования объединены и являются входом программирования устройства, входом напряжения источника программирования которого является второй вход ключа напряжения программирования, введены байтовый промежуточный регистр и инвертор, выход которого соединяется с входом разрешения выхода байтового промежуточного регистра, вход записи которого соединен с выходом дешифратора сигнала разрешения выхода, информационные входы/выходы байтового промежуточного регистра соединены с информационными входами/выходами устройства, вход инвертора соединен с выходом дешифратора выбора кристалла.
Информация на шине данных записывается из выбранного элемента памяти в промежуточный байтовый регистр, после чего элемент памяти переводится в режим записи и на шины данных поступает информация из промежуточного байтового регистра.
По истечение времени, определяемого генератором записи, проводится процесс восстановления следующего элемента памяти.
На фиг. 4 изображена структурная электрическая схема предложенного РПЗУ; на фиг. 5 - диаграммы, его работы.
РПЗУ содержит дешифратор 1 сигнала выбора кристалла
Figure 00000003
, дешифратор 2 сигнала разрешения выхода
Figure 00000004
, ключ 3 напряжения программирования Uпр, формиро- ватель 4 сигнала записи, элементы памяти 5 с ультрафиолетовым стиранием, байтовый промежуточный регистр 6, инвертор 7, шины адреса (ША) и шины данных (ШД).
Входные сигналы устройства:
"Чтение";
"Такт";
"Выбор" и
"Программирование".
На фиг. 5 показаны сигналы:
"Выбор" - сигнал выбора РПЗУ;
"Чтение" - сигнал обращения к РПЗУ;
"Такт" - сигнал перевода РПЗУ из режима чтения в режим записи;
"Программирование" - сигнал программирования,
"Адрес" - сигнал адреса;
"
Figure 00000005
" - сигнал выбора кристалла;
Figure 00000006
- сигнал разрешения выхода;
"DIO" - сигнал данных;
"С" - сигнал записи данного в байтовый промежуточный регистр;
"ОЕ" - сигнал разрешения выхода байтового промежуточного регистра.
В режиме хранения РПЗУ работает следующим образом.
Для выполнения режима сигнал "Выбор"=0, сигнал "Программирование"=0, в результате сигналы
Figure 00000007
,
Figure 00000008
, Uпр, С и ОЕ не формируются.
В режиме чтения сигнал "Выбор"=1, сигнал "Программирование"=0, сигнал "Чтение"= 0, сигнал "Такт"=1, в результате выбора адреса формируется сигнал
Figure 00000009
, и на шинах данных появляется данное, соответствующее выбранному адресу. Поскольку сигнал
Figure 00000010
=1, разрешение выхода байтового промежуточного регистра не формируется.
В режиме программирования сигнал "Выбор"=1, сигнал "Программирование"= 1, сигнал "Чтение"= 0, сигнал "Такт"=1, в результате выбора адреса формируются сигналы
Figure 00000011
и
Figure 00000012
, и данное, предварительно поданное на шину данных, записывается в элемент памяти. Время записи данного определяется длительностью сигнала записи.
В режиме восстановления сигнал "Выбор"=1, сигнал "Чтение"=0, сигнал "Программирование"= 1. В результате выбора адреса производится чтение данного по выбранному адресу.
Спустя промежуток времени не менее 0,45 мкс подается сигнал "Такт"=0 на время, определяемое уровнем восстановления данного (от 0 до 50 мс). Данное записывается в байтовый промежуточный регистр 6 сигналом С, после чего проводится восстановление данного по выбранному адресу.
Спустя промежуток времени, определяемый выдержкой формирователя 4, восстановление заканчивается.

Claims (1)

  1. РЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее блок элементов памяти с ультрафиолетовым стиранием, дешифратор сигнала выбора кристалла, дешифратор сигнала разрешения выхода, формирователь сигнала записи, ключ напряжения программирования, выход которого соединен с входом программирования блока элементов памяти, вход разрешения по выходу которого соединен с выходом дешифратора сигнала разрешения выхода, адресные входы которого, адресные входы дешифратора сигнала выбора кристалла и адресные входы блока элементов памяти объединены и являются адресными входами устройства, информационными входами-выходами которого являются информационные входы-выходы блока элементов памяти, вход выбора микросхемы которого соединен с выходом дешифратора сигнала выбора кристалла, первый управляющий вход которого и управляющий вход дешифратора сигнала разрешения выхода объединены и подключены к выходу формирователя сигнала записи, первый и второй входы которого являются соответственно тактовым входом и входом выбора устройства, третий вход формирователя сигнала записи и первый вход ключа напряжения программирования объединены и являются входом программирования устройства, входом напряжения источника программирования которого является второй вход ключа напряжения программирования, отличающееся тем, что в него введены байтовый промежуточный регистр и инвертор, выход которого соединен с входом разрешения выхода байтового промежуточного регистра, вход записи которого соединен с выходом дешифратора сигнала разрешения выхода, информационные входы-выходы байтового промежуточного регистра соединены с информационными входами-выходами устройства, вход инвертора соединен с выходом дешифратора выбора кристалла.
SU5055134/24A 1992-07-16 1992-07-16 Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство RU2032234C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5055134/24A RU2032234C1 (ru) 1992-07-16 1992-07-16 Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5055134/24A RU2032234C1 (ru) 1992-07-16 1992-07-16 Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2032234C1 true RU2032234C1 (ru) 1995-03-27

Family

ID=21609791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5055134/24A RU2032234C1 (ru) 1992-07-16 1992-07-16 Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2032234C1 (ru)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Янсен И. Курс цифровой электроники, т.3. М.: Мир, 1987, с.139-150. *
2. Лебедев О.Н. Микросхемы памяти и их применение. М.: Радио и связь, 1990, с.125-141. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0929075B1 (en) Synchronous type semiconductor memory device
JPH0411957B2 (ru)
KR930022379A (ko) 메모리 카드 장치
JPH1125002A (ja) 記憶装置、データの書込み方法、データの読出方法及び記録媒体
US5285415A (en) Data counting memory card and reader
US5517460A (en) Semiconductor integrated circuit and IC card using the same
JPH0613890A (ja) 2進電子カウンタのための安全なカウント方法
RU2032234C1 (ru) Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство
JPS61249156A (ja) 半導体記憶装置
JPS6443897A (en) Non-volatile semiconductor memory device capable of being erased and written electrically
US5708842A (en) Apparatus for changing coefficients utilized to perform a convolution operation having address generator which uses initial count number and up/down count inputs received from external
EP0354590A3 (en) Instruction buffer for a microcomputer
JP3028567B2 (ja) Eeprom内蔵マイクロコンピュータ
SU429466A1 (ru) Запоминающее устройствофшд
SU1524094A1 (ru) Буферное запоминающее устройство
EP0714060B1 (en) One chip microcomputer with built-in non-volatile memory
JPH0589686A (ja) 半導体不揮発性メモリとその書き込み方法
JP2847367B2 (ja) E▲上2▼prom装置
KR100288417B1 (ko) 동기형 반도체 기억 장치
SU746742A1 (ru) Устройство дл защиты пам ти
SU369562A1 (ru) Устройство для ввода информации
JPS6232818B2 (ru)
KR970025144A (ko) 가변길이 복호화기의 메모리 인터페이스방법 및 회로
SU849299A1 (ru) Запоминающее устройство
JPS6051748B2 (ja) メモリ書き込み方式

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040717