RU2019127062A - Система охлаждения полупроводниковых устройств - Google Patents

Система охлаждения полупроводниковых устройств Download PDF

Info

Publication number
RU2019127062A
RU2019127062A RU2019127062A RU2019127062A RU2019127062A RU 2019127062 A RU2019127062 A RU 2019127062A RU 2019127062 A RU2019127062 A RU 2019127062A RU 2019127062 A RU2019127062 A RU 2019127062A RU 2019127062 A RU2019127062 A RU 2019127062A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cooling system
semiconductor
semiconductor device
holes
semiconductor devices
Prior art date
Application number
RU2019127062A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2019127062A3 (ru
Inventor
Саймон Дэвид ХАРТ
Тим ВУЛМЕР
Кристофер Стюарт МАЛАМ
Грэхем ЛО
Франческа Бернардин БАМПАС
Original Assignee
Яса Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Яса Лимитед filed Critical Яса Лимитед
Publication of RU2019127062A publication Critical patent/RU2019127062A/ru
Publication of RU2019127062A3 publication Critical patent/RU2019127062A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20927—Liquid coolant without phase change
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20936—Liquid coolant with phase change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks

Claims (39)

1. Система охлаждения полупроводниковых устройств, включающая:
один или несколько полупроводниковых сборных блоков, причем каждый сборный блок включает радиатор и одно или несколько силовых полупроводниковых устройств, термически связанных с радиатором;
корпус для содержания одного или нескольких сборных блоков в камере внутри корпуса, причем корпус включает впускной и выпускной каналы в сообщении по текучей среде с камерой, соответственно, для поступления и выведения охлаждающей среды, причем камера затоплена охлаждающей средой для охлаждения сборных блоков;
причем радиатор включает теплообменные элементы в форме многочисленных отверстий в радиаторе, протяженных сквозь радиатор от передней лицевой поверхности радиатора, с которой связаны один или несколько силовых полупроводниковых устройств, до задней лицевой поверхности радиатора, противоположной относительно передней лицевой поверхности, с обеспечением возможности протекания охлаждающей текучей среды через отверстия для поглощения тепла от радиатора.
2. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 1, в которой радиатор имеет плоскую форму.
3. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 1 или 2, в которой отверстия размещены в радиаторе в форме одиночного ряда отверстий, окружающих периметр каждого из одного или нескольких связанных с радиатором силовых полупроводниковых устройств.
4. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 3, в которой, в месте расположения двух или более силовых полупроводниковых устройств, содержатся участки в радиаторе между одиночным рядом отверстий, окружающих периметр соседних силовых полупроводниковых устройств, которые лишены отверстий.
5. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой одно или несколько силовых полупроводниковых устройств электрически связаны с радиатором, и в которой радиатор представляет собой токоподводящую шину, которая электрически соединяет одно или несколько силовых полупроводниковых устройств друг с другом для передачи электроэнергии между одним или несколькими силовыми полупроводниковыми устройствами.
6. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой одно или несколько силовых полупроводниковых устройств включают IGBT, полупроводниковые коммутационные устройства на основе карбида кремния (SiC), полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET), или силовые диоды.
7. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой одно или несколько силовых полупроводниковых устройств механически сопряжены с радиатором или присоединены к нему.
8. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой один или несколько полупроводниковых сборных блоков смонтированы на плате с печатной схемой (PCB), причем PCB обеспечивает электрические соединения между одним или несколькими силовыми полупроводниковыми устройствами.
9. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 8, в которой PCB и смонтированные на PCB дополнительные электрические и электронные компоненты более низкой мощности размещены внутри камеры и погружены в охлаждающую текучую среду.
10. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 9, в которой одно или несколько силовых полупроводниковых устройств совместно размещены внутри камеры, а электрические и электронные компоненты более низкой мощности совместно размещены внутри иной области камеры, нежели одно или несколько силовых полупроводниковых устройств.
11. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой впускной канал в сообщении по текучей среде с камерой выполнен с возможностью протекания по нему охлаждающей текучей среды более предпочтительно в областях камеры, занятых одним или несколькими силовыми полупроводниковыми устройствами.
12. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 11, в которой впускной канал в сообщении по текучей среде с камерой выполнен с возможностью протекания по нему от 51% до 99% потока охлаждающей текучей среды в областях камеры, занятых одним или несколькими силовыми полупроводниковыми устройствами, предпочтительно 95% потока охлаждающей текучей среды.
13. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой, при размещении внутри камеры двух или нескольких полупроводниковых сборных блоков, каждый соседний сборный блок размещен смещенным относительно еще одного сборного блока так, что отверстия в одном радиаторе не находятся на одной линии с отверстиями в соседнем радиаторе, с обеспечением возможности охлаждающей текучей среды протекать через отверстия в одном из радиаторов и сталкиваться с поверхностью следующего радиатора на пути течения охлаждающей текучей среды.
14. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 13, в которой два или несколько полупроводниковых сборных блоков размещены параллельно друг другу.
15. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой один или несколько радиаторов одного или нескольких сборных блоков включают распределитель охлаждающей текучей среды для распределения охлаждающей текучей среды.
16. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 15, в которой распределитель охлаждающей текучей среды включает первый и второй слои распределителя, присоединенные к задней поверхности радиатора, где задняя поверхность радиатора представляет собой поверхность радиатора, противолежащую относительно поверхности, имеющей связанные с нею силовые полупроводниковые устройства,
причем первый слой включает наружный слой, и имеет многочисленные отверстия, протяженные между передней и задней поверхностями первого слоя, причем отверстия размещены на участке радиатора, связанном с положениями одного или нескольких силовых полупроводниковых устройств; и
второй слой, сэндвичеобразно размещенный между радиатором и первым слоем, включающий ряд отверстий, размещенных в положении, эквивалентном периметру каждого из связанных с радиатором силовых полупроводниковых устройств, и многочисленные направляющие, протяженные внутрь положения отверстий во втором слое, для направления охлаждающей текучей среды между отверстиями в первом слоем и отверстиями во втором слое.
17. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, включающая одну или несколько разделительных пластин, размещенных внутри корпуса на пути течения охлаждающей текучей среды между впускным каналом и выпускным каналом, причем одна или несколько разделительных пластин включают многочисленные отверстия в разделительной пластине, протяженные сквозь разделительную пластину между передней поверхностью и задней поверхностью, с обеспечением возможности протекания охлаждающей текучей среды через отверстия.
18. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 17, в которой каждая из одной или нескольких разделительных пластин размещена внутри корпуса, будучи смежной относительно одного из каждых одного или нескольких полупроводниковых сборных блоков и находящейся на пути течения между впускным каналом и соответствующим полупроводниковым сборным блоком.
19. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 18, в которой каждая из одной или нескольких разделительных пластин размещена внутри корпуса на расстоянии в пределах от 1 мм до 5 мм, предпочтительно 2 мм, относительно одного из каждых одного или нескольких полупроводниковых сборных блоков.
20. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 18 или 19, в которой многочисленные отверстия включают одну или несколько групп из многочисленных отверстий в каждой разделительной пластине, причем каждая группа многочисленных отверстий сопряжена с соответственным одним из каждых одного или нескольких силовых полупроводниковых устройств, термически связанных с радиатором, и каждая из групп многочисленных отверстий в разделительной пластине размещена на пути течения охлаждающей текучей среды между впускным каналом и соответственным одним из каждых одного или нескольких силовых полупроводниковых устройств.
21. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 20, в которой каждая из одной или нескольких групп многочисленных отверстий включает упорядоченную серию многочисленных отверстий.
22. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 21, в которой каждая упорядоченная серия многочисленных отверстий имеет такие размеры, которые подобны ширине и высоте области радиатора, покрываемой соответствующими одним или несколькими силовыми полупроводниковыми устройствами на радиаторе.
23. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой отверстия сконфигурированы с возможностью создания турбулентного течения охлаждающей текучей среды.
24. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой отверстия имеют круглую, прямоугольную, скругленную прямоугольную или звездообразную форму.
25. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой диаметр отверстий увеличивается между передней поверхностью и задней поверхностью.
26. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой охлаждающая текучая среда представляет собой диэлектрическую текучую среду.
27. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой охлаждающая текучая среда нагнетается между впускным каналом и выпускным каналом.
28. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой впускной канал и выпускной канал соединены с контуром охлаждения, включающим теплообменник, причем теплообменник предназначен для отведения тепла от охлаждающей текучей среды.
29. Система охлаждения полупроводниковых устройств по любому предшествующему пункту, в которой один или несколько полупроводниковых сборных блоков формируют инвертор для преобразования между DC- и AC-током.
30. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 29, в которой, когда инвертор предназначен для преобразования DC в AC, инвертор включает один или несколько электрических вводов для приема одного или более DC-напряжений, и один или несколько электрических выводов для выведения одного или более АС-напряжений.
31. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 30, в которой вывод инвертора питает электрический двигатель.
32. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 29, в которой, когда инвертор предназначен для преобразования AC в DC, инвертор включает один или несколько электрических вводов для приема одного или более АС-напряжений, и один или несколько электрических выводов для выведения одного или более DC-напряжений.
33. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 32, в которой вывод инвертора заряжает аккумулятор или другое устройство для хранения электроэнергии.
34. Система охлаждения полупроводниковых устройств по п. 29, в которой инвертор выполнен как двунаправленный инвертор для преобразования DC в AC и AC в DC, причем двунаправленный инвертор включает один или несколько DC-портов для приема или вывода одного или нескольких DC-напряжений, и один или несколько AC-портов для ввода или вывода одного или нескольких AC-напряжений.
RU2019127062A 2017-01-30 2018-01-30 Система охлаждения полупроводниковых устройств RU2019127062A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1701486.1 2017-01-30
GB1701486.1A GB2559180B (en) 2017-01-30 2017-01-30 Semiconductor cooling arrangement
PCT/GB2018/050260 WO2018138532A1 (en) 2017-01-30 2018-01-30 Semiconductor cooling arrangement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2019127062A true RU2019127062A (ru) 2021-03-01
RU2019127062A3 RU2019127062A3 (ru) 2021-03-22

Family

ID=58462597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019127062A RU2019127062A (ru) 2017-01-30 2018-01-30 Система охлаждения полупроводниковых устройств

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10985089B2 (ru)
EP (1) EP3574523B1 (ru)
JP (1) JP7300992B2 (ru)
KR (1) KR20190133156A (ru)
CN (1) CN110537257B (ru)
BR (1) BR112019011887A2 (ru)
GB (1) GB2559180B (ru)
RU (1) RU2019127062A (ru)
WO (1) WO2018138532A1 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2563186A (en) 2017-01-30 2018-12-12 Yasa Motors Ltd Semiconductor arrangement
DE102019200020A1 (de) 2019-01-03 2020-07-09 Zf Friedrichshafen Ag Busbaranordnung und Leistungselektronikanordnungen
CN113994772B (zh) 2019-04-14 2023-05-16 捷控技术有限公司 基于直接接触流体的冷却模块
JP2022542435A (ja) * 2019-07-31 2022-10-03 ジェットクール テクノロジーズ，インコーポレイテッド 再流入フロー冷却プレート
JP7154428B2 (ja) * 2019-09-09 2022-10-17 三菱電機株式会社 電力変換装置および電力変換装置の製造方法
US11923716B2 (en) 2019-09-13 2024-03-05 Milwaukee Electric Tool Corporation Power converters with wide bandgap semiconductors
US10874037B1 (en) * 2019-09-23 2020-12-22 Ford Global Technologies, Llc Power-module assembly with cooling arrangement
DE102019214789A1 (de) * 2019-09-26 2021-04-01 Zf Friedrichshafen Ag Steuergerät zum Betreiben eines Elektroantriebs für ein Fahrzeug und Verfahren zum Herstellen eines deratigen Steuergeräts
EP4307850A3 (en) * 2019-11-18 2024-04-17 Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. Electronic component with enclosure frame, circuit board with electronic component, and electronic device
US11134590B2 (en) * 2020-01-13 2021-09-28 Ford Global Technologies, Llc Automotive power inverter with cooling channels and cooling pins
US11108336B1 (en) 2020-03-17 2021-08-31 Hamilton Sundstrand Corporation Power converter
EP3893615A1 (en) 2020-04-07 2021-10-13 Hamilton Sundstrand Corporation Power converter assemblies with busbars
CN111863740A (zh) * 2020-04-10 2020-10-30 上海交通大学 用于浸没式液冷系统的自诱导射流无源沸腾散热强化方法及装置
US20210351107A1 (en) * 2020-05-11 2021-11-11 Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft Power electronics for an electrical machine, drivetrain, motor vehicle
US11533828B2 (en) * 2020-05-13 2022-12-20 Raytheon Company Electronic cooling systems
US11967899B2 (en) 2020-05-22 2024-04-23 Marel Power Solutions Fluid cooled inverter
CN111954439A (zh) * 2020-07-17 2020-11-17 珠海格力电器股份有限公司 冷却装置、冷却方法、磁悬浮轴承系统及空调机组
US20220039298A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 Smart Wires Inc. Scalable Modular Cooling Unit Having Voltage Isolation
US11963341B2 (en) 2020-09-15 2024-04-16 Jetcool Technologies Inc. High temperature electronic device thermal management system
GB2602340B (en) * 2020-12-23 2024-04-03 Yasa Ltd Semiconductor cooling arrangement with improved heatsink
GB2602341B (en) * 2020-12-23 2023-11-08 Yasa Ltd Semiconductor cooling arrangement with improved baffle
TW202236557A (zh) * 2021-01-20 2022-09-16 美商捷控技術有限公司 用於多晶電子組件之基板防流體的順應性冷卻組件
KR102308872B1 (ko) 2021-02-02 2021-10-05 제엠제코(주) 반도체 부품 쿨링 시스템, 반도체 부품 쿨링 시스템 제조방법, 및 반도체 부품 쿨링 시스템이 적용된 반도체 패키지
KR102497950B1 (ko) 2021-02-04 2023-02-10 제엠제코(주) 반도체 부품 쿨링 시스템, 반도체 부품 쿨링 시스템 제조방법, 및 반도체 부품 쿨링 시스템이 적용된 반도체 패키지
KR102313764B1 (ko) 2021-04-05 2021-10-19 제엠제코(주) 반도체칩을 구비한 반도체 부품과 쿨링장치가 결합된 쿨링시스템
KR102569184B1 (ko) 2021-06-11 2023-08-23 제엠제코(주) 반도체칩을 구비한 반도체 부품과 쿨링장치가 결합된 쿨링시스템
US11908766B2 (en) 2021-04-05 2024-02-20 Jmj Korea Co., Ltd. Cooling system where semiconductor component comprising semiconductor chip and cooling apparatus are joined
US11832417B2 (en) 2021-05-21 2023-11-28 Quanta Computer Inc. Support bracket for liquid cooling cold plate mechanism
KR102411122B1 (ko) 2022-02-21 2022-06-22 제엠제코(주) 방열구조를 구비한 반도체 패키지, 반도체 패키지가 접합된 쿨링시스템, 방열구조를 구비한 기판 및 방열구조를 구비한 기판 제조방법
WO2024004456A1 (ja) * 2022-06-28 2024-01-04 ジヤトコ株式会社 ユニット
WO2024004457A1 (ja) * 2022-06-28 2024-01-04 ジヤトコ株式会社 ユニット

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4010489A (en) * 1975-05-19 1977-03-01 General Motors Corporation High power semiconductor device cooling apparatus and method
US4399484A (en) * 1981-03-10 1983-08-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Integral electric module and assembly jet cooling system
US5003376A (en) 1989-03-28 1991-03-26 Coriolis Corporation Cooling of large high power semi-conductors
US5099884A (en) * 1991-05-24 1992-03-31 Ntn Technical Center (U.S.A.), Inc. Electrorheological fluid plate valve
JP2747156B2 (ja) * 1992-03-06 1998-05-06 日本電気株式会社 浸漬噴流冷却用ヒートシンク
FR2701600B1 (fr) * 1993-02-10 1995-09-08 Gec Alsthom Transport Sa Dispositif de refroidissement de composants electriques de puissance.
US5380956A (en) * 1993-07-06 1995-01-10 Sun Microsystems, Inc. Multi-chip cooling module and method
US5841634A (en) * 1997-03-12 1998-11-24 Delco Electronics Corporation Liquid-cooled baffle series/parallel heat sink
FR2786655B1 (fr) 1998-11-27 2001-11-23 Alstom Technology Dispositif electronique de puissance
JP4009056B2 (ja) * 2000-05-25 2007-11-14 三菱電機株式会社 パワーモジュール
US6977346B2 (en) * 2002-06-10 2005-12-20 Visteon Global Technologies, Inc. Vented circuit board for cooling power components
GB2403354B (en) 2002-06-10 2005-03-23 Visteon Global Tech Inc Machine integrated power
DE10310141A1 (de) * 2003-03-07 2004-09-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanordnung für zu kühlende Bauelemente und entsprechendes Kühlungsverfahren
CN100586263C (zh) 2003-11-14 2010-01-27 Det国际控股有限公司 改进冷却的电源
US8125781B2 (en) * 2004-11-11 2012-02-28 Denso Corporation Semiconductor device
JP5227532B2 (ja) * 2007-04-02 2013-07-03 日立オートモティブシステムズ株式会社 インバータ回路用の半導体モジュール
ES2345118T3 (es) 2007-09-28 2010-09-15 EBERSPACHER CONTROLS GMBH & CO. KG Barra conductora con eliminacion de calor.
US7916480B2 (en) 2007-12-19 2011-03-29 GM Global Technology Operations LLC Busbar assembly with integrated cooling
US20100038774A1 (en) * 2008-08-18 2010-02-18 General Electric Company Advanced and integrated cooling for press-packages
US7916483B2 (en) 2008-10-23 2011-03-29 International Business Machines Corporation Open flow cold plate for liquid cooled electronic packages
DE102008061489A1 (de) 2008-12-10 2010-06-17 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichtermodul mit gekühlter Verschienung
GB0902394D0 (en) 2009-02-13 2009-04-01 Isis Innovation Electric machine- cooling
US7952875B2 (en) 2009-05-29 2011-05-31 GM Global Technology Operations LLC Stacked busbar assembly with integrated cooling
JP2011050197A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Hitachi Ltd 電力変換装置
US8169779B2 (en) 2009-12-15 2012-05-01 GM Global Technology Operations LLC Power electronics substrate for direct substrate cooling
JP2012016095A (ja) 2010-06-29 2012-01-19 Denso Corp 電力変換装置
US8659896B2 (en) * 2010-09-13 2014-02-25 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Cooling apparatuses and power electronics modules
US9247672B2 (en) 2013-01-21 2016-01-26 Parker-Hannifin Corporation Passively controlled smart microjet cooling array
US20140308551A1 (en) * 2013-04-15 2014-10-16 GM Global Technology Operations LLC Series cooled module cooling fin
US9414520B2 (en) 2013-05-28 2016-08-09 Hamilton Sundstrand Corporation Immersion cooled motor controller
WO2016008509A1 (en) 2014-07-15 2016-01-21 Abb Technology Ltd Electric module for improved thermal management in electrical equipments
JP2016158358A (ja) 2015-02-24 2016-09-01 株式会社デンソー 半導体モジュール
JP2017163065A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 富士通株式会社 電子機器
GB2563186A (en) 2017-01-30 2018-12-12 Yasa Motors Ltd Semiconductor arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
JP7300992B2 (ja) 2023-06-30
CN110537257B (zh) 2023-05-26
JP2020507212A (ja) 2020-03-05
GB2559180A (en) 2018-08-01
US20200006197A1 (en) 2020-01-02
US10985089B2 (en) 2021-04-20
GB201701486D0 (en) 2017-03-15
BR112019011887A2 (pt) 2019-10-22
GB2559180B (en) 2020-09-09
RU2019127062A3 (ru) 2021-03-22
EP3574523B1 (en) 2021-09-29
CN110537257A (zh) 2019-12-03
WO2018138532A1 (en) 2018-08-02
EP3574523A1 (en) 2019-12-04
WO2018138532A9 (en) 2019-08-15
KR20190133156A (ko) 2019-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2019127062A (ru) Система охлаждения полупроводниковых устройств
CN106899215B (zh) 电力转换装置
EP2728987B1 (en) Cooling apparatus for an electrical substrate
JP6315091B2 (ja) 冷却器及び冷却器の固定方法
US6822850B2 (en) Laminated bus bar for use with a power conversion configuration
JP5737275B2 (ja) インバータ装置
EP2996144B1 (en) Semiconductor module and electrically driven vehicle
RU2019126805A (ru) Полупроводниковый узел
US6885553B2 (en) Bus bar assembly for use with a compact power conversion assembly
KR20120072945A (ko) 인버터 스택
US9353999B2 (en) Cooling apparatuses and electronics modules having branching microchannels
US20090065182A1 (en) Cooling device
US10306814B2 (en) Heat dissipation in power electronic assemblies
CN210274971U (zh) 一种变频器能够快速散热的水冷系统
JP5712750B2 (ja) 電力変換装置
US20170084515A1 (en) Power-Module Device and Power Conversion Device
JP2016105441A (ja) 電力変換器
KR20140057046A (ko) 전력반도체장치의 방열시스템
CN114828598A (zh) 液冷散热器、电驱控制器和汽车
CN210840488U (zh) 一种散热装置
CN110809384A (zh) 一种散热装置及应用所述散热装置的电力设备
GB2565071A (en) Semiconductor module
CN216980543U (zh) 一种单管功率器件的双面冷却散热结构
CN220476189U (zh) 变流器及电气设备
CN216437820U (zh) 用于电子器件的散热器模块和固态断路器

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20210715