RU2019120212A - Технология и производство низкоразмерного материала, поддерживающего как самотермализацию, так и самолокализацию - Google Patents

Технология и производство низкоразмерного материала, поддерживающего как самотермализацию, так и самолокализацию Download PDF

Info

Publication number
RU2019120212A
RU2019120212A RU2019120212A RU2019120212A RU2019120212A RU 2019120212 A RU2019120212 A RU 2019120212A RU 2019120212 A RU2019120212 A RU 2019120212A RU 2019120212 A RU2019120212 A RU 2019120212A RU 2019120212 A RU2019120212 A RU 2019120212A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
boron
conductor
oxysilaborane
formula
Prior art date
Application number
RU2019120212A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2756481C2 (ru
RU2019120212A3 (ru
Inventor
Патрик КАРРЭН
Original Assignee
Семиньюклиар, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/US2016/063933 external-priority patent/WO2018101905A1/en
Application filed by Семиньюклиар, Инк. filed Critical Семиньюклиар, Инк.
Priority claimed from PCT/US2017/064020 external-priority patent/WO2018164746A2/en
Publication of RU2019120212A publication Critical patent/RU2019120212A/ru
Publication of RU2019120212A3 publication Critical patent/RU2019120212A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2756481C2 publication Critical patent/RU2756481C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Claims (98)

1. Фоноэлектрический элемент, используемый как часть фоноэлектрического столба из одного или более смежных фоноэлектрических элементов, содержащий:
первый слой проводника;
первый слой бора в контакте с первым слоем проводника, при этом первый слой бора содержит икосаэдрический бор и водород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой бора в контакте с первым слоем бора, при этом второй слой бора содержит икосаэдрический бор, водород и кислород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой проводника в контакте со вторым слоем бора; и
причем электрический потенциал генерируется между первым слоем проводника и вторым слоем проводника.
2. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
3. Фоноэлектрический элемент по п. 2, причем первый слой бора представляет собой силаборан.
4. Фоноэлектрический элемент по п. 3, причем первый слой бора представляет собой пикокристаллический силаборан.
5. Фоноэлектрический элемент по п. 3, причем слой силаборана представляет собой силаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiy, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
6. Фоноэлектрический элемент по п. 5, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
7. Фоноэлектрический элемент по п. 6, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (B12H4)3Si5.
8. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
9. Фоноэлектрический элемент по п. 8, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
10. Фоноэлектрический элемент по п. 9, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан или
слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiyOz, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
11. Фоноэлектрический элемент по п. 10, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12. Фоноэлектрический элемент по п. 11, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)2Si4O2.
13. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем каждый из первого и второго слоя проводника является металлическим электродом, предпочтительно металлический электрод представляет собой алюминий, или
икосаэдрическая симметрия первого и второго слоев бора является практически свободной от искажения Яна-Теллера.
14. Фоноэлектрический элемент по п. 2, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
15. Фоноэлектрический элемент по п. 3, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
16. Фоноэлектрический элемент по п. 4, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан.
17. Фоноэлектрический элемент по п. 5, причем слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiyOz, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
18. Фоноэлектрический элемент по п. 6, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
19. Фоноэлектрический элемент по п. 7, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)2Si4O2.
20. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем относительная атомная концентрации бора в первом слое бора и втором слое бора по меньшей мере на 50% больше, чем любого другого атома, или
первый слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм, и второй слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм, или
фоноэлектрический столб образован из по меньшей мере двух фоноэлектрических элементов, при этом второй проводник первого фоноэлектрического элемента образует первый проводник второго фоноэлектрического элемента.
21. Выпрямитель, содержащий:
первый слой проводника;
первый слой бора в контакте с первым слоем проводника, при этом первый слой бора содержит икосаэдрический бор и водород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой бора в контакте с первым слоем бора, при этом второй слой бора содержит икосаэдрический бор, водород и кислород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой проводника в контакте со вторым слоем бора; и
причем выпрямитель имеет асимметричную электрическую проводимость между первым и вторым слоями проводников.
22. Выпрямитель по п. 21, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
23. Выпрямитель по п. 22, причем первый слой бора представляет собой силаборан.
24. Выпрямитель по п. 23, причем первый слой бора представляет собой пикокристаллический силаборан.
25. Выпрямитель по п. 23, причем слой силаборана представляет собой силаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiy, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
26. Выпрямитель по п. 25, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
27. Выпрямитель по п. 26, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (B12H4)3Si5.
28. Выпрямитель по п. 21, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
29. Выпрямитель по п. 28, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
30. Выпрямитель по п. 29, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, или
слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiyOz, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
31. Выпрямитель по п. 30, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
32. Выпрямитель по п. 31, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)2Si4O2.
33. Выпрямитель по п. 21, причем каждый из первого и второго слоя проводника является металлическим электродом, предпочтительно металлический электрод представляет собой алюминий, или
икосаэдрическая симметрия первого и второго слоев бора является практически свободной от искажения Яна-Теллера.
34. Выпрямитель по п. 22, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
35. Выпрямитель по п. 23, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
36. Выпрямитель по п. 24, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан.
37. Выпрямитель по п. 25, причем слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiyOz, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
38. Выпрямитель по п. 26, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
39. Выпрямитель по п. 27, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)2Si4O2.
40. Выпрямитель по п. 21, причем относительная атомная концентрации бора в первом слое бора и втором слое бора по меньшей мере на 50% больше, чем любого другого атома, или
первый слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм, и второй слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм.
41. Интегральная схема, содержащая:
первый схемный элемент;
второй схемный элемент;
проводник, содержащий икосаэдрический бор и водород и имеющий более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
причем проводник дополнительно содержит следовое количество монетного металла;
причем проводник электрически соединяет первый схемный элемент со вторым схемным элементом в интегральной схеме.
42. Интегральная схема по п. 41, причем проводник дополнительно содержит кремний.
43. Интегральная схема по п. 42, причем проводник представляет собой силаборан.
44. Интегральная схема по п. 43, причем проводник представляет собой пикокристаллический силаборан или
проводник представляет собой силаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiy, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
45. Интегральная схема по п. 44, причем проводник представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
46. Интегральная схема по п. 45, причем проводник представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (B12H4)3Si5.
47. Интегральная схема по п. 42, причем проводник представляет собой оксисилаборан.
48. Интегральная схема по п. 47, причем проводник представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, или
проводник представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiyOz, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
49. Интегральная схема по п. 48, причем проводник представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
50. Интегральная схема по п. 49, причем проводник представляет пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (B12H4)2Si4O2.
51. Интегральная схема по п. 41, причем икосаэдрическая симметрия проводника является практически свободной от искажения Яна-Теллера, или
относительная атомная концентрация бора в проводнике по меньшей мере на 50% больше, чем любого другого атома, или
проводник является практически свободным от зерен, или
проводник может быть образован при использовании осаждения из паровой фазы, или
монетный металл включен в проводник при атомной концентрации до примерно 1018 см-3, или
сопротивление проводника ниже, чем сопротивление медного проводника тех же размеров, или
монетным металлом является золото, предпочтительно золото включено в проводник при атомной концентрации до примерно 1018 см-3, или
проводник передает электрическую энергию без передачи электрического заряда, или
проводник образует соединения заднего конца технологической линии.
52. Прибор, содержащий:
первый слой проводника;
первый слой бора в контакте с первым слоем проводника, при этом первый слой бора содержит икосаэдрический бор и водород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой бора в контакте с первым слоем бора, при этом второй слой бора содержит икосаэдрический бор, водород и кислород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой проводника в контакте со вторым слоем бора; и
53. Прибор по п. 52, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
54. Прибор по одному или более из пп. 52, 53, причем первый слой бора представляет собой силаборан, более предпочтительно силаборан, имеющий формулу (B12Hw)xSiy, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5, более предпочтительно имеющий формулу (B12H4)xSiyOz, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5, и наиболее предпочтительно имеющий формулу (B12H4)3Si5.
55. Интегральная схема, содержащая:
первый схемный элемент;
второй схемный элемент;
проводник, содержащий икосаэдрический бор и водород и имеющий более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
причем проводник дополнительно содержит следовое количество монетного металла;
причем проводник электрически соединяет первый схемный элемент со вторым схемным элементом в интегральной схеме.
56. Интегральная схема по п. 55, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
57. Интегральная схема по одному или более из пп. 55, 56, причем икосаэдрическая симметрия проводника является практически свободной от искажения Яна-Теллера.
RU2019120212A 2016-11-29 2017-11-30 Технология и производство низкоразмерного материала, поддерживающего как самотермализацию, так и самолокализацию RU2756481C2 (ru)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
USPCT/US2016/063933 2016-11-29
PCT/US2016/063933 WO2018101905A1 (en) 2016-11-29 2016-11-29 Composition and method for making picocrystalline artificial borane atoms
US201762471815P 2017-03-15 2017-03-15
US62/471,815 2017-03-15
US201762591848P 2017-11-29 2017-11-29
US62/591,848 2017-11-29
PCT/US2017/064020 WO2018164746A2 (en) 2016-11-29 2017-11-30 Process and manufacture of low-dimensional materials supporting both self-thermalization and self-localization

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2019120212A true RU2019120212A (ru) 2021-01-11
RU2019120212A3 RU2019120212A3 (ru) 2021-04-09
RU2756481C2 RU2756481C2 (ru) 2021-09-30

Family

ID=72834774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019120212A RU2756481C2 (ru) 2016-11-29 2017-11-30 Технология и производство низкоразмерного материала, поддерживающего как самотермализацию, так и самолокализацию

Country Status (2)

Country Link
MX (1) MX2019006280A (ru)
RU (1) RU2756481C2 (ru)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6025611A (en) * 1996-09-20 2000-02-15 The Board Of Regents Of The University Of Nebraska Boron-carbide and boron rich rhobohedral based transistors and tunnel diodes
US7397048B2 (en) * 2004-09-17 2008-07-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for boron implantation
SG165321A1 (en) * 2005-08-30 2010-10-28 Advanced Tech Materials Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation
US7935618B2 (en) * 2007-09-26 2011-05-03 Micron Technology, Inc. Sputtering-less ultra-low energy ion implantation

Also Published As

Publication number Publication date
RU2756481C2 (ru) 2021-09-30
MX2019006280A (es) 2020-02-07
RU2019120212A3 (ru) 2021-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Peng et al. Gas sensing properties of single crystalline porous silicon nanowires
Xie et al. Monolayer graphene film/silicon nanowire array Schottky junction solar cells
Wan et al. Dual conductance, negative differential resistance, and rectifying behavior in a molecular device modulated by side groups
RU2010140357A (ru) Способ формирования структуры с магнитным туннельным переходом
CN105810746B (zh) N型薄膜晶体管
TW201205612A (en) Capacitor and method for manufacturing the same
CN105518830B (zh) 半导体装置的制造方法
JP2011119667A5 (ja) 半導体装置
CN106098786A (zh) 双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法
CN108195492A (zh) 利用二维相变材料制备的超灵敏应力传感器
RU2014110487A (ru) Устройство аккумулирования энергии, способ его изготовления и мобильное электронное устройство, содержащее его
CN103214274A (zh) 石墨烯负载多孔陶瓷导电材料及其制备方法
Nishad et al. First-principle analysis of transition metal edge-passivated armchair graphene nanoribbons for nanoscale interconnects
Rasool et al. Enhanced electrical and dielectric properties of polymer covered silicon nanowire arrays
JP2018041932A5 (ru)
JP2020515057A5 (ru)
Shao et al. Electron‐selective passivation contacts for high‐efficiency nanostructured silicon hydrovoltaic devices
CN104934526A (zh) 一种可弯曲折叠的异质柔性热电转换器件
RU2019120212A (ru) Технология и производство низкоразмерного материала, поддерживающего как самотермализацию, так и самолокализацию
Zhuang et al. Oxygen-assisted synthesis of hexagonal boron nitride films for graphene transistors
Zang et al. Graphene as transparent electrode in Si solar cells: A dry transfer method
CN110176456A (zh) 半导体存储装置
Li et al. Conductance modulation of Si nanowire arrays
JP2010080943A5 (ru)
Otsuka et al. Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current–voltage characteristics of resistive switching memory